JPH07106911A - 弾性表面波共振器および弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波共振器および弾性表面波フィルタInfo
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- JPH07106911A JPH07106911A JP25033393A JP25033393A JPH07106911A JP H07106911 A JPH07106911 A JP H07106911A JP 25033393 A JP25033393 A JP 25033393A JP 25033393 A JP25033393 A JP 25033393A JP H07106911 A JPH07106911 A JP H07106911A
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 弾性表面波共振器および弾性表面波フィルタ
を小型化することを目的とする。 【構成】 圧電体基板１上に弾性表面波を励振させるた
めの入出力電極３，４を配置した弾性表面波共振器にお
いて、ｎを整数とし、λを弾性表面波の波長として、前
記入出力電極３，４の最外端に形成された電極指３ａ
（４ａ）の中央から、（ｎ＋１／２）λの式で表される
距離（Ｌ２）だけ離れた位置に、前記入出力電極３，４
の形成方向と平行であり、且つ、少なくとも前記波長λ
と同程度の高さ（Ｌ１）を有する圧電体端面５を形成し
た。
を小型化することを目的とする。 【構成】 圧電体基板１上に弾性表面波を励振させるた
めの入出力電極３，４を配置した弾性表面波共振器にお
いて、ｎを整数とし、λを弾性表面波の波長として、前
記入出力電極３，４の最外端に形成された電極指３ａ
（４ａ）の中央から、（ｎ＋１／２）λの式で表される
距離（Ｌ２）だけ離れた位置に、前記入出力電極３，４
の形成方向と平行であり、且つ、少なくとも前記波長λ
と同程度の高さ（Ｌ１）を有する圧電体端面５を形成し
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波デバイスとして
利用される弾性表面波共振器および弾性表面波フィルタ
に関する。
利用される弾性表面波共振器および弾性表面波フィルタ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波を利用する弾性表面波共振器
および弾性表面波フィルタ等は、高周波デバイスとして
現在広く利用されている。近年では、ＴＶ，ＶＴＲ用等
における需要のみならず、携帯電話，自動車電話等の移
動体通信分野においてもその利用が盛んになっている。
そして、これら移動体通信分野では、装置の信頼性およ
び小型化が強く要求されることから、前記弾性表面波共
振器やこれを用いたフィルタ等に低損失化および小型化
等が求められるようになってきた。
および弾性表面波フィルタ等は、高周波デバイスとして
現在広く利用されている。近年では、ＴＶ，ＶＴＲ用等
における需要のみならず、携帯電話，自動車電話等の移
動体通信分野においてもその利用が盛んになっている。
そして、これら移動体通信分野では、装置の信頼性およ
び小型化が強く要求されることから、前記弾性表面波共
振器やこれを用いたフィルタ等に低損失化および小型化
等が求められるようになってきた。
【０００３】例えば、多重電極型の弾性表面波フィルタ
においては、挿入損失を低減させるために、最外端に位
置する入力用電極の電極指の近傍にグレーティング反射
器を設けており、また、共振器においても定在波を発生
させるために同様の反射器が設けられている。図６は従
来の１ポート弾性表面波共振器を示す模式的斜視図であ
り、図における３０が入出力電極、３１が反射器であ
る。また、図７は上記図６の弾性表面波共振器を用いた
弾性表面波共振器複合型フィルタであり、図における３
２…が反射器である。
においては、挿入損失を低減させるために、最外端に位
置する入力用電極の電極指の近傍にグレーティング反射
器を設けており、また、共振器においても定在波を発生
させるために同様の反射器が設けられている。図６は従
来の１ポート弾性表面波共振器を示す模式的斜視図であ
り、図における３０が入出力電極、３１が反射器であ
る。また、図７は上記図６の弾性表面波共振器を用いた
弾性表面波共振器複合型フィルタであり、図における３
２…が反射器である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記グ
レーディング反射器では、素子の小型化に限界があると
ともに、ある程度の挿入損失は避けられない。また、図
６および図７に示す弾性表面波素子においては、その反
射器本数が１００〜２００本程度必要になるため、素子
の小型化が困難である。
レーディング反射器では、素子の小型化に限界があると
ともに、ある程度の挿入損失は避けられない。また、図
６および図７に示す弾性表面波素子においては、その反
射器本数が１００〜２００本程度必要になるため、素子
の小型化が困難である。
【０００５】本発明は、上記の事情に鑑み、弾性表面波
共振器および弾性表面波フィルタを小型化することを目
的とする。
共振器および弾性表面波フィルタを小型化することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波共振
器は、上記の課題を解決するために、圧電体基板上に弾
性表面波を励振させるための励振電極を配置した弾性表
面波共振器において、ｎを整数とし、λを弾性表面波の
波長として、前記励振電極の最外端に形成された電極指
の中央から、（ｎ＋１／２）λの式で表される距離だけ
離れた位置に、前記励振電極の形成方向と平行であり、
且つ、少なくとも前記波長λと同程度の高さを有する圧
電体端面が形成されていることを特徴としている。
器は、上記の課題を解決するために、圧電体基板上に弾
性表面波を励振させるための励振電極を配置した弾性表
面波共振器において、ｎを整数とし、λを弾性表面波の
波長として、前記励振電極の最外端に形成された電極指
の中央から、（ｎ＋１／２）λの式で表される距離だけ
離れた位置に、前記励振電極の形成方向と平行であり、
且つ、少なくとも前記波長λと同程度の高さを有する圧
電体端面が形成されていることを特徴としている。
【０００７】また、本発明の弾性表面波フィルタは、共
振周波数と反共振周波数を互いに一致させた上記弾性表
面波共振器を一組以上有し、各組の一方の共振器を信号
線に対して直列に設け、他方の共振器を信号線に対して
並列に設けたことを特徴としている。
振周波数と反共振周波数を互いに一致させた上記弾性表
面波共振器を一組以上有し、各組の一方の共振器を信号
線に対して直列に設け、他方の共振器を信号線に対して
並列に設けたことを特徴としている。
【０００８】更に、本発明の弾性表面波フィルタは、圧
電基板上に互いに弾性表面波を送受する２個以上の入力
電極と１個以上の出力電極を同一伝搬路上に交互に全体
で奇数個配設した多重電極型の弾性表面波フィルタにお
いて、ｎを整数とし、λを弾性表面波の波長として、最
外端に位置する入力電極の最外端に形成された電極指の
中央から、（ｎ＋１／２）λの式で表される距離だけ離
れた位置に、前記入力電極の形成方向と平行であり、且
つ、少なくとも前記波長λと同程度の高さを有する圧電
体端面が形成されていることを特徴としている。
電基板上に互いに弾性表面波を送受する２個以上の入力
電極と１個以上の出力電極を同一伝搬路上に交互に全体
で奇数個配設した多重電極型の弾性表面波フィルタにお
いて、ｎを整数とし、λを弾性表面波の波長として、最
外端に位置する入力電極の最外端に形成された電極指の
中央から、（ｎ＋１／２）λの式で表される距離だけ離
れた位置に、前記入力電極の形成方向と平行であり、且
つ、少なくとも前記波長λと同程度の高さを有する圧電
体端面が形成されていることを特徴としている。
【０００９】
【作用】上記の第１の構成によれば、圧電体基板に形成
された圧電体端面により弾性表面波が反射されるが、こ
の圧電体端面は前述のように最外端に形成された電極指
の中央から（ｎ＋１／２）λの距離だけ離れた位置に形
成されているため、反射波の共振が起こる。従って、従
来の反射器は不要となり、この反射器を形成していた面
積の分だけ素子が小型化されることになる。
された圧電体端面により弾性表面波が反射されるが、こ
の圧電体端面は前述のように最外端に形成された電極指
の中央から（ｎ＋１／２）λの距離だけ離れた位置に形
成されているため、反射波の共振が起こる。従って、従
来の反射器は不要となり、この反射器を形成していた面
積の分だけ素子が小型化されることになる。
【００１０】また、上記の第２，第３の構成における弾
性表面波フィルタにおいても同様であり、素子の小型化
が図れる。
性表面波フィルタにおいても同様であり、素子の小型化
が図れる。
【００１１】
【実施例】（実施例１）以下、本発明をその実施例を示
す図に基づいて説明する。
す図に基づいて説明する。
【００１２】図１は本発明に係る１ポート弾性表面波共
振器の模式的斜視図である。図において、１はＬｉＴａ
Ｏ3等から成る圧電体基板、３は入力電極、４は出力電
極である。
振器の模式的斜視図である。図において、１はＬｉＴａ
Ｏ3等から成る圧電体基板、３は入力電極、４は出力電
極である。
【００１３】圧電体基板１がＬｉＴａＯ3から成る場
合、この基板１上を伝搬する弾性表面波の速度は、３６
°Ｙ−Ｘ基板（３６°回転ＹカットＸ軸伝搬）で４１３
４ｍ／ｓと求められている。従って、中心周波数が８３
６ＭＨｚのフィルタを設計する場合、上記中心周波数に
おける波長は、λ＝４１３４ｍ／ｓ÷８３６ＭＨｚ＝
４．９４μｍとなり、本実施例では、電極指部分と非電
極指部分との比を１：１としているので、入出力電極幅
および非電極指部分の幅を、λ／４＝１．２４（μｍ）
とする。これにより、中心周波数８３６付近の振動数を
持つ弾性表面波のみを伝搬することになる。
合、この基板１上を伝搬する弾性表面波の速度は、３６
°Ｙ−Ｘ基板（３６°回転ＹカットＸ軸伝搬）で４１３
４ｍ／ｓと求められている。従って、中心周波数が８３
６ＭＨｚのフィルタを設計する場合、上記中心周波数に
おける波長は、λ＝４１３４ｍ／ｓ÷８３６ＭＨｚ＝
４．９４μｍとなり、本実施例では、電極指部分と非電
極指部分との比を１：１としているので、入出力電極幅
および非電極指部分の幅を、λ／４＝１．２４（μｍ）
とする。これにより、中心周波数８３６付近の振動数を
持つ弾性表面波のみを伝搬することになる。
【００１４】圧電体基板１には圧電体段差部２が形成さ
れている。圧電体段差部２における圧電体端面５は、前
記入出力電極３，４の最外端の電極指３ａ（４ａ）の中
央から（ｎ＋１／２）λの式で表される距離Ｌ２だけ離
れた位置に形成されている。上記のｎは整数、λは弾性
表面波の波長であり、例えば、上記のｎを１とし、λを
４．９４μｍとすれば、上記の距離Ｌ２は、７．４１μ
ｍとなる。
れている。圧電体段差部２における圧電体端面５は、前
記入出力電極３，４の最外端の電極指３ａ（４ａ）の中
央から（ｎ＋１／２）λの式で表される距離Ｌ２だけ離
れた位置に形成されている。上記のｎは整数、λは弾性
表面波の波長であり、例えば、上記のｎを１とし、λを
４．９４μｍとすれば、上記の距離Ｌ２は、７．４１μ
ｍとなる。
【００１５】また、圧電体端面５は、前記入出力電極
３，４の形成方向と平行に形成されるとともに前記波長
λ以上の端面高さＬ１を持つ。これは、弾性表面波の伝
搬については、全エネルギーの約９０％が表面から１波
長（λ）の深さ以内に含まれていることに鑑みたもので
ある。
３，４の形成方向と平行に形成されるとともに前記波長
λ以上の端面高さＬ１を持つ。これは、弾性表面波の伝
搬については、全エネルギーの約９０％が表面から１波
長（λ）の深さ以内に含まれていることに鑑みたもので
ある。
【００１６】本実施例の弾性表面波共振器は、上記構成
を有するので、図２に示すように、圧電体基板１に形成
された圧電体端面５により弾性表面波６が反射される。
そして、この圧電体端面５は、前述のように最外端の電
極指中央から（ｎ＋１／２）λの距離だけ離れた位置に
形成されているため、反射波の共振が起こる。これによ
り、従来の反射器は不要となり、この反射器を形成して
いた面積の分だけ素子が小型化されることになる。
を有するので、図２に示すように、圧電体基板１に形成
された圧電体端面５により弾性表面波６が反射される。
そして、この圧電体端面５は、前述のように最外端の電
極指中央から（ｎ＋１／２）λの距離だけ離れた位置に
形成されているため、反射波の共振が起こる。これによ
り、従来の反射器は不要となり、この反射器を形成して
いた面積の分だけ素子が小型化されることになる。
【００１７】次に、上記弾性表面波共振器の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１８】まず、図３（ａ）に示すように、ＬｉＴａ
Ｏ3等から成る圧電体基板１上に、アルミニウム（Ａ
ｌ）を蒸着して入出力電極パターン１０を形成する。次
に、圧電体基板１に圧電体段差部２を形成するための加
工を行う。この加工は、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏ
ｎ Ｂｅａｍ）装置を用い、同図（ｂ）に示すように、
イオンビームを圧電体基板１に照射することにより行
う。上記のＦＩＢ装置では、照射イオンをＧａ+ ，加速
電圧を２５ｋｅＶ，イオン電流を２Ａ／ｃｍ2 としてい
る。例えば、ｎ＝１、中心周波数を９００ＭＨｚとすれ
ば、λ＝４．６μｍとなり、イオンビーム照射位置は、
最外端の電極指中央から（ｎ＋１／２）λ＝２．３μｍ
の位置となる。
Ｏ3等から成る圧電体基板１上に、アルミニウム（Ａ
ｌ）を蒸着して入出力電極パターン１０を形成する。次
に、圧電体基板１に圧電体段差部２を形成するための加
工を行う。この加工は、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏ
ｎ Ｂｅａｍ）装置を用い、同図（ｂ）に示すように、
イオンビームを圧電体基板１に照射することにより行
う。上記のＦＩＢ装置では、照射イオンをＧａ+ ，加速
電圧を２５ｋｅＶ，イオン電流を２Ａ／ｃｍ2 としてい
る。例えば、ｎ＝１、中心周波数を９００ＭＨｚとすれ
ば、λ＝４．６μｍとなり、イオンビーム照射位置は、
最外端の電極指中央から（ｎ＋１／２）λ＝２．３μｍ
の位置となる。
【００１９】圧電体段差部２の圧電体端面５は、弾性表
面波を反射させて共振させるためのものであるから、高
い位置精度で且つ表面が滑らかとなるように加工する必
要がある。前記のＦＩＢ装置による加工精度は、±０．
１μｍであるから、圧電体端面５の形成精度は２．３±
０．１μｍとなるが、この程度の誤差は上記の弾性表面
波の反射による共振には殆ど影響を与えないといえる。
これは、電極と反射器との間隔を０．５λとするところ
を、０．４８λ〜０．５２λ（±０．１μｍに相当）と
してシミュレーションすることにより確認できたもので
ある。また、端面の表面粗さについては、上記ＦＩＢ装
置では、０．１λ＝０．４６μｍ以下に制御することが
可能である。
面波を反射させて共振させるためのものであるから、高
い位置精度で且つ表面が滑らかとなるように加工する必
要がある。前記のＦＩＢ装置による加工精度は、±０．
１μｍであるから、圧電体端面５の形成精度は２．３±
０．１μｍとなるが、この程度の誤差は上記の弾性表面
波の反射による共振には殆ど影響を与えないといえる。
これは、電極と反射器との間隔を０．５λとするところ
を、０．４８λ〜０．５２λ（±０．１μｍに相当）と
してシミュレーションすることにより確認できたもので
ある。また、端面の表面粗さについては、上記ＦＩＢ装
置では、０．１λ＝０．４６μｍ以下に制御することが
可能である。
【００２０】ＦＩＢ装置によるイオンビーム照射により
圧電体基板１の両側に圧電体段差部２を形成したら、同
図（ｃ）に示すように、圧電体基板１の両側面をダイシ
ングによりカットする。
圧電体基板１の両側に圧電体段差部２を形成したら、同
図（ｃ）に示すように、圧電体基板１の両側面をダイシ
ングによりカットする。
【００２１】なお、上記の製造方法においては、アルミ
ニウム（Ａｌ）を蒸着してからイオンビーム加工を行っ
たが、これとは逆にイオンビーム加工してからＡｌ蒸着
するようにしてもよく、この方法によれば上記方法より
手間がかからない。しかし、圧電体端面５の精度を確保
する点では上記方法より劣るといえる。
ニウム（Ａｌ）を蒸着してからイオンビーム加工を行っ
たが、これとは逆にイオンビーム加工してからＡｌ蒸着
するようにしてもよく、この方法によれば上記方法より
手間がかからない。しかし、圧電体端面５の精度を確保
する点では上記方法より劣るといえる。
【００２２】また、上記製造方法では、圧電体基板１を
イオンビームにより加工したが、例えば、圧電体支持基
板上に圧電体膜を蒸着により成膜するとともにリフトオ
フ法により圧電体段差部を形成したり、或いは、成膜し
た圧電体膜をドライエッチングして圧電体段差部を形成
するようにしてもよい。圧電体膜の成膜には、ＣＶＤ法
やＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａ
ｘｙ）法等が用いられる。また、上記の圧電体支持基板
としては、ＬｉＴａＯ3等から成る圧電体基板の他、Ｓ
ｉやサファイア等の基板が用いられる。そして、圧電体
支持基板上に圧電体層をエピタキシャル成長させて成膜
すれば、結晶方位の整った圧電体端面が形成されるの
で、弾性表面波の反射が高効率で行われることになる。
イオンビームにより加工したが、例えば、圧電体支持基
板上に圧電体膜を蒸着により成膜するとともにリフトオ
フ法により圧電体段差部を形成したり、或いは、成膜し
た圧電体膜をドライエッチングして圧電体段差部を形成
するようにしてもよい。圧電体膜の成膜には、ＣＶＤ法
やＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａ
ｘｙ）法等が用いられる。また、上記の圧電体支持基板
としては、ＬｉＴａＯ3等から成る圧電体基板の他、Ｓ
ｉやサファイア等の基板が用いられる。そして、圧電体
支持基板上に圧電体層をエピタキシャル成長させて成膜
すれば、結晶方位の整った圧電体端面が形成されるの
で、弾性表面波の反射が高効率で行われることになる。
【００２３】（実施例２）以下、本発明の他の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２４】図４は、実施例１で説明した弾性表面波共
振器を用いた弾性表面波フィルタを示す模式的斜視図で
ある。図において、１２及び１３は実施例１の弾性表面
波共振器であり、このうち共振器１２，１２はボンディ
ングワイヤ１４によって信号線１５，１６に対して直列
に設けられる。一方、共振器１３，１３は信号線に対し
て並列に設けられ一端側はアースされる。
振器を用いた弾性表面波フィルタを示す模式的斜視図で
ある。図において、１２及び１３は実施例１の弾性表面
波共振器であり、このうち共振器１２，１２はボンディ
ングワイヤ１４によって信号線１５，１６に対して直列
に設けられる。一方、共振器１３，１３は信号線に対し
て並列に設けられ一端側はアースされる。
【００２５】両共振器１２，１３は二重共振特性を持っ
ており、そのインピーダンスは０及び無限大になる２つ
の共振周波数を持つ。ここで、インピーダンスが０にな
る周波数を共振周波数と呼び、インピーダンスが無限大
になる周波数を反共振周波数と呼ぶ。共振器１２の共振
点と共振器１３の反共振点を一致させると、その周波数
付近においては、共振器１２はＯＮ状態になり、共振器
１３はＯＦＦ状態になるため、通過帯域となる。一方、
共振器１２は反共振点において、ＯＦＦ状態になるた
め、通過帯域より高周波側に減衰極が発生し、また、共
振器１３は共振点において、ＯＮ状態になるため、通過
帯域より低周波側でも減衰極が発生することになり、バ
ンドパスフィルタとして機能する。
ており、そのインピーダンスは０及び無限大になる２つ
の共振周波数を持つ。ここで、インピーダンスが０にな
る周波数を共振周波数と呼び、インピーダンスが無限大
になる周波数を反共振周波数と呼ぶ。共振器１２の共振
点と共振器１３の反共振点を一致させると、その周波数
付近においては、共振器１２はＯＮ状態になり、共振器
１３はＯＦＦ状態になるため、通過帯域となる。一方、
共振器１２は反共振点において、ＯＦＦ状態になるた
め、通過帯域より高周波側に減衰極が発生し、また、共
振器１３は共振点において、ＯＮ状態になるため、通過
帯域より低周波側でも減衰極が発生することになり、バ
ンドパスフィルタとして機能する。
【００２６】上記構成の弾性表面波フィルタは、上記の
ように、グレーティング反射器を不要とした実施例１の
共振器を複数備えて構成されるため、より一層小型化さ
れることになる。
ように、グレーティング反射器を不要とした実施例１の
共振器を複数備えて構成されるため、より一層小型化さ
れることになる。
【００２７】（実施例３）以下、本発明の他の実施例を
説明する。
説明する。
【００２８】図５は、多重電極型の弾性表面波フィルタ
を示す模式的斜視図である。図において、２１は圧電体
支持基板、２２はリフトオフ法により圧電体支持基板２
１に対し段差部２′を有して形成された圧電体膜であ
る。また、１９は圧電体膜２２上に形成された入力部で
あり、２０は出力部である。入力部１９には２個以上の
櫛型入力電極１９ａが形成されており、出力部２０には
一個以上の櫛型出力電極２ａが形成されている。そし
て、これら櫛型入出力電極１９ａ，２０ａは、同一伝搬
路上に交互に配置されている。
を示す模式的斜視図である。図において、２１は圧電体
支持基板、２２はリフトオフ法により圧電体支持基板２
１に対し段差部２′を有して形成された圧電体膜であ
る。また、１９は圧電体膜２２上に形成された入力部で
あり、２０は出力部である。入力部１９には２個以上の
櫛型入力電極１９ａが形成されており、出力部２０には
一個以上の櫛型出力電極２ａが形成されている。そし
て、これら櫛型入出力電極１９ａ，２０ａは、同一伝搬
路上に交互に配置されている。
【００２９】上記の段差部２′を形成する圧電体端面
５′は、最外端に位置する入力電極１９ａの最外端に形
成された電極指の中央から（ｎ＋１／２）λの式で表さ
れる距離（Ｌ２）だけ離れた位置に形成してある。ま
た、上記の圧電体端面５′は、前記入出力電極１９ａ，
２０ａの形成方向と平行に形成されるとともに前記波長
λ以上の端面高さＬ１を持つ。
５′は、最外端に位置する入力電極１９ａの最外端に形
成された電極指の中央から（ｎ＋１／２）λの式で表さ
れる距離（Ｌ２）だけ離れた位置に形成してある。ま
た、上記の圧電体端面５′は、前記入出力電極１９ａ，
２０ａの形成方向と平行に形成されるとともに前記波長
λ以上の端面高さＬ１を持つ。
【００３０】上記の構成においても、実施例１と同様、
グレーティング反射器が不要になるので、弾性表面波フ
ィルタの小型化が図れることになる。
グレーティング反射器が不要になるので、弾性表面波フ
ィルタの小型化が図れることになる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、弾性表
面波共振器および弾性表面波フィルタを小型化できると
いう効果を奏する。
面波共振器および弾性表面波フィルタを小型化できると
いう効果を奏する。
【図１】本発明の１ポート型弾性表面波共振器の模式的
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明の圧電体段差部付近の拡大断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の弾性表面波素子の製造方法を工程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】本発明の弾性表面波共振器複合型フィルタを示
す模式的斜視図である。
す模式的斜視図である。
【図５】本発明の多重電極型弾性表面波フィルタを示す
模式的斜視図である。
模式的斜視図である。
【図６】従来の１ポート型弾性表面波共振器の模式的斜
視図である。
視図である。
【図７】従来の弾性表面波共振器複合型フィルタを示す
模式的斜視図である。
模式的斜視図である。
１ 圧電体基板 ２ 圧電体段差部 ２′ 段差部 ３ 入力電極 ４ 出力電極 ５ 圧電体端面 ５′ 圧電体端面 ６ 弾性表面波 １９ 入力部 ２０ 出力部 ２１ 圧電体支持基板 ２２ 圧電体膜
フロントページの続き (72)発明者 竹内 孝介 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 柴田 賢一 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 圧電体基板上に弾性表面波を励振させる
ための励振電極を配置した弾性表面波共振器において、
ｎを整数とし、λを弾性表面波の波長として、前記励振
電極の最外端に形成された電極指の中央から、（ｎ＋１
／２）λの式で表される距離だけ離れた位置に、前記励
振電極の形成方向と平行であり、且つ、少なくとも前記
波長λと同程度の高さを有する圧電体端面が形成されて
いることを特徴とする弾性表面波共振器。 - 【請求項２】 共振周波数と反共振周波数を互いに一致
させた請求項１に記載の弾性表面波共振器を一組以上有
し、各組の一方の共振器を信号線に対して直列に設け、
他方の共振器を信号線に対して並列に設けたことを特徴
とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項３】 圧電基板上に互いに弾性表面波を送受す
る２個以上の入力電極と１個以上の出力電極を同一伝搬
路上に交互に全体で奇数個配設した多重電極型の弾性表
面波フィルタにおいて、ｎを整数とし、λを弾性表面波
の波長として、最外端に位置する入力電極の最外端に形
成された電極指の中央から、（ｎ＋１／２）λの式で表
される距離だけ離れた位置に、前記入力電極の形成方向
と平行であり、且つ、少なくとも前記波長λと同程度の
高さを有する圧電体端面が形成されていることを特徴と
する弾性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25033393A JPH07106911A (ja) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | 弾性表面波共振器および弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25033393A JPH07106911A (ja) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | 弾性表面波共振器および弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106911A true JPH07106911A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17206360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25033393A Pending JPH07106911A (ja) | 1993-10-06 | 1993-10-06 | 弾性表面波共振器および弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106911A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7038353B2 (en) | 2001-01-10 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| KR100811451B1 (ko) * | 1999-10-20 | 2008-03-10 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 표면 탄성파 장치 |
-
1993
- 1993-10-06 JP JP25033393A patent/JPH07106911A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100811451B1 (ko) * | 1999-10-20 | 2008-03-10 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 표면 탄성파 장치 |
| US7038353B2 (en) | 2001-01-10 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
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