JPS5951601A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JPS5951601A JPS5951601A JP13757182A JP13757182A JPS5951601A JP S5951601 A JPS5951601 A JP S5951601A JP 13757182 A JP13757182 A JP 13757182A JP 13757182 A JP13757182 A JP 13757182A JP S5951601 A JPS5951601 A JP S5951601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias circuit
- circulator
- circuit
- semiconductor element
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は発振又は増ｌＪ用半導体素子と種々の回路全集
積したマイクロ波０積回路よシなる発振器又は増巾器に
係りバイアス回路の該半導体素子への影咎ヲなくするマ
イクロ波集積回路に関する。
積したマイクロ波０積回路よシなる発振器又は増巾器に
係りバイアス回路の該半導体素子への影咎ヲなくするマ
イクロ波集積回路に関する。
（ｂｌ 従来技術と問題点
第１図は従来例の発振器の平面図、第２図は従来例のｊ
口中器の平面図、第３図は第１図の直流カント部の外側
を終端し、ガンΦインパットダイオード２の代わシに同
軸線路を用いガン・インバットダイオード２の位置よシ
見たインピーダンスの特性図で、実線はバイアス回路５
が無い場合、点線はバイアス回路５がある場合金示す。
口中器の平面図、第３図は第１図の直流カント部の外側
を終端し、ガンΦインパットダイオード２の代わシに同
軸線路を用いガン・インバットダイオード２の位置よシ
見たインピーダンスの特性図で、実線はバイアス回路５
が無い場合、点線はバイアス回路５がある場合金示す。
図中１は共振器、２はガン・インバットダイオード、３
，１７．１８は直流カット用結合線路、４はインピーダ
ンス変成器、５．１１．１２はバイアス回路、６．１’
３．１４はサーキュレータ、７．１５゜１６はダミーロ
ード、８は電界効果トランジスタ。
，１７．１８は直流カット用結合線路、４はインピーダ
ンス変成器、５．１１．１２はバイアス回路、６．１’
３．１４はサーキュレータ、７．１５゜１６はダミーロ
ード、８は電界効果トランジスタ。
９は入力整合回路、１０は出力整合回路を示す。
マイクロ波からミリ波に及ぶ範囲でマイクロ波集積回路
を利用した発振器及び増巾器が作られており、一般的に
はマイクロ波帯ではバイポーラトランジスタ、電界効果
トランジスタ（以下ＦＥＴと称す）か使用纒れＸ ＠（
８〜１２．４ Ｇ Ｈｚ ）あたシからはガン・インバ
ットダイオードが使用されている。
を利用した発振器及び増巾器が作られており、一般的に
はマイクロ波帯ではバイポーラトランジスタ、電界効果
トランジスタ（以下ＦＥＴと称す）か使用纒れＸ ＠（
８〜１２．４ Ｇ Ｈｚ ）あたシからはガン・インバ
ットダイオードが使用されている。
第１図の発振器はガン・インバットダイオード２を使用
したもので、先端開放線路を利用した共振器１ （一般
には２ｎ＋１／４波長線路、但しｎ＝０、１．２．３−
）でほぼ決足される周波数の波を高周波出力としてイン
ピーダンス変成器４．直流カット用結合想路３．ザーキ
ュレータ６全介して出力を取り出している。この場合ガ
ン・インバットダイオード２のバイアス回路５はガン・
インパットダイオード２０周辺、例えば第１図の場合は
共振器１の所に持っている。この為第３図に示すインビ
ータ特性の如くバイアス回路５の有無により特性が異な
る。特に点線のループ状の所ではバイアス電圧を変化し
た場合発振周波畝のジャンプが発生するのでこの影響を
考ガせねばならず、又バイアス回路５による影響ヲ極力
少なくするために帯域阻止Ｐ波器の次ｉｔ多くせねばな
らない欠点がある。第１図の場合はチ衷−り、コンデン
サ。
したもので、先端開放線路を利用した共振器１ （一般
には２ｎ＋１／４波長線路、但しｎ＝０、１．２．３−
）でほぼ決足される周波数の波を高周波出力としてイン
ピーダンス変成器４．直流カット用結合想路３．ザーキ
ュレータ６全介して出力を取り出している。この場合ガ
ン・インバットダイオード２のバイアス回路５はガン・
インパットダイオード２０周辺、例えば第１図の場合は
共振器１の所に持っている。この為第３図に示すインビ
ータ特性の如くバイアス回路５の有無により特性が異な
る。特に点線のループ状の所ではバイアス電圧を変化し
た場合発振周波畝のジャンプが発生するのでこの影響を
考ガせねばならず、又バイアス回路５による影響ヲ極力
少なくするために帯域阻止Ｐ波器の次ｉｔ多くせねばな
らない欠点がある。第１図の場合はチ衷−り、コンデン
サ。
チ日−りと３段なっている。
第２図はＦＥＴ１使用した増巾器の例で入力よシの信号
はサーキュレータ１３．直流カット用結合線路１７．入
力整合回路９全介しＦＥＴ８に人力し、増巾されて、出
力整合回路ｌＯ１直流カット用結合線路１８．サーキュ
レータ１４’ｔ−介して出力信号を取り出している。こ
の場合ＦＥＴ８のゲート端子及びドレイン端子に電源を
供給するバイアス回ｂｉｉ、１２はＦＥＴ８のノー辺に
設けている。従って入力及び出力輩付器９．１０を設計
する場合、バイアス回路１１．１２の影響を考慮する必
要がちない欠点がおる。第２図の場合チョーク、コンデ
ンサ、チＢ−りど３段になっている。
はサーキュレータ１３．直流カット用結合線路１７．入
力整合回路９全介しＦＥＴ８に人力し、増巾されて、出
力整合回路ｌＯ１直流カット用結合線路１８．サーキュ
レータ１４’ｔ−介して出力信号を取り出している。こ
の場合ＦＥＴ８のゲート端子及びドレイン端子に電源を
供給するバイアス回ｂｉｉ、１２はＦＥＴ８のノー辺に
設けている。従って入力及び出力輩付器９．１０を設計
する場合、バイアス回路１１．１２の影響を考慮する必
要がちない欠点がおる。第２図の場合チョーク、コンデ
ンサ、チＢ−りど３段になっている。
（ｃ） 発明の目的
本発明の目的は上記の欠点をなくシ、バイアス回路が半
導体素子への影響を及ぼさずかつバイアス回路の帯域阻
止ｐ波器の次数を小さく出来るマイクロ波集積回路の提
供におる。
導体素子への影響を及ぼさずかつバイアス回路の帯域阻
止ｐ波器の次数を小さく出来るマイクロ波集積回路の提
供におる。
（ｄｌ 発明の構成
本発明は上記の目的を達成するために、半導体素子にバ
イアスを加えるバイアス回路をサーキュレータの該半導
体素子からの入出力部と接続されない端子部に設けたこ
とを特徴とする。
イアスを加えるバイアス回路をサーキュレータの該半導
体素子からの入出力部と接続されない端子部に設けたこ
とを特徴とする。
（ｅｌ 発明の実施例
以下本発明の実施例につき図に従って説明する。
第４図は本発明の実施例の発Ｓ器の平面図、第５図は本
発明の実施例の増巾器の平面図である。
発明の実施例の増巾器の平面図である。
図中第１図、第２図と同一機能のものは同一記号で示す
。１′は共振器、５’、５“、 ｌｌ’、 １１“、１
２’。
。１′は共振器、５’、５“、 ｌｌ’、 １１“、１
２’。
１２“はバイアス回路、 ６’、 １３’、 １４’
はサーキュレータを示す。
はサーキュレータを示す。
サーキュレータは外部回路とのアイル−ショノをとるた
めのものでちり、第４図の場合ではサーキーレータ６′
の出力側にバイアス回路５′搭設けても又はダミーロー
ド７ｆｌ！ｌにバイアス回路５′金設置プでもノノン・
インバットダイオード２への影響はない点に着目し、サ
ーキュレータ６′の出力側と直流力、ト用結合線路３と
の間にバイアス回路５″を設置プるか、サーキーレータ
６′のダミーロード７１１！１にバイアス回路５”を設
けＩＬばガン−インバットダイオード２への影響はなく
なるので、バイアス回路のことは考慮せずに発振器の設
計は出来るし、又バイアス回路の帯域阻止ｒ波器の段数
を減することがｂｊ来る０湧４図の場合はチョーク１段
となりている。
めのものでちり、第４図の場合ではサーキーレータ６′
の出力側にバイアス回路５′搭設けても又はダミーロー
ド７ｆｌ！ｌにバイアス回路５′金設置プでもノノン・
インバットダイオード２への影響はない点に着目し、サ
ーキュレータ６′の出力側と直流力、ト用結合線路３と
の間にバイアス回路５″を設置プるか、サーキーレータ
６′のダミーロード７１１！１にバイアス回路５”を設
けＩＬばガン−インバットダイオード２への影響はなく
なるので、バイアス回路のことは考慮せずに発振器の設
計は出来るし、又バイアス回路の帯域阻止ｒ波器の段数
を減することがｂｊ来る０湧４図の場合はチョーク１段
となりている。
第５図の揚台は、発振器の場合と同一理由によ、９、Ｆ
Ｅ・Ｔ８のゲートのバイアス回路は入力１５号の直流カ
ット用結合線路１７とサーキュレータ１３′如く設け、
ＦＥＴ８のドレインのバイアス回路は出力信号側の直流
カン） 珀合稚路１８とサーキュレータ１４′の出力側
の間にバイアス回路１２″の如く設けるか、又はサーキ
ュレータ１４′のダミーロード１６側にバイアス回路１
２’の如く設ければＦＥＴ８への影響はなくなるし、又
帯域阻止ν波器の次数を減することが出来る。第５図の
場合はチョーク１段となっている。
Ｅ・Ｔ８のゲートのバイアス回路は入力１５号の直流カ
ット用結合線路１７とサーキュレータ１３′如く設け、
ＦＥＴ８のドレインのバイアス回路は出力信号側の直流
カン） 珀合稚路１８とサーキュレータ１４′の出力側
の間にバイアス回路１２″の如く設けるか、又はサーキ
ュレータ１４′のダミーロード１６側にバイアス回路１
２’の如く設ければＦＥＴ８への影響はなくなるし、又
帯域阻止ν波器の次数を減することが出来る。第５図の
場合はチョーク１段となっている。
（ｆ） 発り２〕の効果
以上詳細ｉＣＣ開明る如く本先明によれば、バイアス回
路は半纏体米子への影響がなくなるので発振器の設計又
は増巾器の場合は半導体素子の入出力の整合回路の設計
が楽にな９又バイアス回路の帯域阻止ｆ波器の次数を減
することが出来る効果がある。
路は半纏体米子への影響がなくなるので発振器の設計又
は増巾器の場合は半導体素子の入出力の整合回路の設計
が楽にな９又バイアス回路の帯域阻止ｆ波器の次数を減
することが出来る効果がある。
第１図は従来例の発振器の平面図、第２図は従来例の増
巾器の平面図、第３図は第１図のガン・インバットダイ
オードの位置より見た外部回路のインピーダンス特性図
、第４図は本発明の実施例の発振器の平面図、第５図は
本発明の実施例の増巾器の平面図である。 図中１．１′は共振器、２はガン・インバットダイオー
ド、３．１７．１８は直流カット用結合線路。 ４はインピーダンス変成器、 ５．５’、 ５″、 １
１．１１’。 １１″、 １２．１２’、 １２″はバイアス回路、
６．６’、１３゜１３’、１４．１４’は・す°−キュ
レータ、７．１５．１６はダミーロード、８は電界効果
トランジスタ、９は人力整合上ｉ路、１０は出力整合回
路を示す。 矛／ｙ Ｐｚ図 矛３図
巾器の平面図、第３図は第１図のガン・インバットダイ
オードの位置より見た外部回路のインピーダンス特性図
、第４図は本発明の実施例の発振器の平面図、第５図は
本発明の実施例の増巾器の平面図である。 図中１．１′は共振器、２はガン・インバットダイオー
ド、３．１７．１８は直流カット用結合線路。 ４はインピーダンス変成器、 ５．５’、 ５″、 １
１．１１’。 １１″、 １２．１２’、 １２″はバイアス回路、
６．６’、１３゜１３’、１４．１４’は・す°−キュ
レータ、７．１５．１６はダミーロード、８は電界効果
トランジスタ、９は人力整合上ｉ路、１０は出力整合回
路を示す。 矛／ｙ Ｐｚ図 矛３図
Claims (1)
- 半導体素子と種々の回路全集積したマイクロ波集積回路
よりなる発振器又は増巾器において、該半導体素子にバ
イアスを加えるバイアス回路をサーキュレータの該半導
体素子の人出力部と接続されない端子部に設けたことを
％徴とするマイクロ波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13757182A JPS5951601A (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13757182A JPS5951601A (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951601A true JPS5951601A (ja) | 1984-03-26 |
Family
ID=15201826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13757182A Pending JPS5951601A (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951601A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63501675A (ja) * | 1985-10-03 | 1988-06-23 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | 広帯域高分離ラジアルライン電力分岐／結合器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619901B2 (ja) * | 1976-06-23 | 1981-05-11 |
-
1982
- 1982-08-07 JP JP13757182A patent/JPS5951601A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619901B2 (ja) * | 1976-06-23 | 1981-05-11 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63501675A (ja) * | 1985-10-03 | 1988-06-23 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | 広帯域高分離ラジアルライン電力分岐／結合器 |
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