JPS5952248A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS5952248A JPS5952248A JP16449382A JP16449382A JPS5952248A JP S5952248 A JPS5952248 A JP S5952248A JP 16449382 A JP16449382 A JP 16449382A JP 16449382 A JP16449382 A JP 16449382A JP S5952248 A JPS5952248 A JP S5952248A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- photoreceptor
- semiconductor
- zns
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は電子写真装置に利用する感光体に関するもので
ある。
ある。
〈従来技術〉
電子写真装置に用いられる感光体として要求される光学
的、電気的特性は、まず可視光に対して高い光感度を有
した光伝導性をもつと共に、表面帯電電位を保持するこ
とが必要とされることから１０１３Ωｍにもなる高い抵
抗値を備えることである。
的、電気的特性は、まず可視光に対して高い光感度を有
した光伝導性をもつと共に、表面帯電電位を保持するこ
とが必要とされることから１０１３Ωｍにもなる高い抵
抗値を備えることである。
しかし上記２つの特性を兼ね備える材料はまれであり、
従来からアモルファスセレンやＣｄＳ粉末を有機樹脂バ
インダーに混合した材料が一般的に用いられてきた。こ
れら従来から用いられている材料はいずれも決して耐久
性にすぐれているとはいい難かった。即ちアモルファス
セレンは熱的または機械的なショックで構造変化が容易
に誘発され、感光層が非常に不安定であるという欠点が
あった。
従来からアモルファスセレンやＣｄＳ粉末を有機樹脂バ
インダーに混合した材料が一般的に用いられてきた。こ
れら従来から用いられている材料はいずれも決して耐久
性にすぐれているとはいい難かった。即ちアモルファス
セレンは熱的または機械的なショックで構造変化が容易
に誘発され、感光層が非常に不安定であるという欠点が
あった。
一方ＣｄＳ粉末を用いたものでは、バインダーが有機樹
脂であることから硬度が弱く、しかもＣｄＳと樹脂との
混合比の調整が微妙で製造が容易でないという問題があ
った。
脂であることから硬度が弱く、しかもＣｄＳと樹脂との
混合比の調整が微妙で製造が容易でないという問題があ
った。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来の感光体の欠点を除去し、すぐれた光
学的及び電気特性を備えると共に、機械的強度にすぐれ
た感光層を備えた電子写真用感光体を提供する。
学的及び電気特性を備えると共に、機械的強度にすぐれ
た感光層を備えた電子写真用感光体を提供する。
〈実施例〉
上の波長に相当するエネルギーギャップをもつ半導体材
料は本来高い抵抗を有するという性質があり、またバン
ド間エネルギーが可視光域に相当する半導体材料は高い
光伝導性を有するという性質がある。
料は本来高い抵抗を有するという性質があり、またバン
ド間エネルギーが可視光域に相当する半導体材料は高い
光伝導性を有するという性質がある。
本発明は導電体上に積層する感光層を少なくとも２層の
半導体層で構成し、各半導体層毎に異なる機能を分担さ
せた機能分離型の感光体とするものである。
半導体層で構成し、各半導体層毎に異なる機能を分担さ
せた機能分離型の感光体とするものである。
第１図において感光体１は、帯電及び画像露光に晒され
る表面側にＺｎＳからなる第１の半導体層２が、帯電保
持に必要な厚さ、例えば約３０μｍの厚さに電子ビーム
蒸着によって、特にドーピング材を添加することなく形
成され、該第１の半導体層２より感光体内部側には異な
る材料のＣｄＴｅからなる第２の半導体層３が、同様に
１０〜２０μｍの膜厚に、ドーピング材を添加すること
なく形成され、これら半導体層２及び３はアルミドラム
４を導電性支持体として積層されている。次に上記半体
として動作することを説明する。
る表面側にＺｎＳからなる第１の半導体層２が、帯電保
持に必要な厚さ、例えば約３０μｍの厚さに電子ビーム
蒸着によって、特にドーピング材を添加することなく形
成され、該第１の半導体層２より感光体内部側には異な
る材料のＣｄＴｅからなる第２の半導体層３が、同様に
１０〜２０μｍの膜厚に、ドーピング材を添加すること
なく形成され、これら半導体層２及び３はアルミドラム
４を導電性支持体として積層されている。次に上記半体
として動作することを説明する。
上記ＺｎＳ半導体層２は高抵抗性を有することから帯電
保持機能を分担し、またバンド間エネルギーが約３．７
ｅ Ｖと紫外領域に相当するため入射された可視光に
対しては窓材になって透過する。一方導電性支持体側に
位置するＣｄＴｅ半導体層３はＺｎＳ半導体層２を透過
した光を吸収し、光電効果によって光キャリアを発生し
、キャリア発生層としての機能を分担する。
保持機能を分担し、またバンド間エネルギーが約３．７
ｅ Ｖと紫外領域に相当するため入射された可視光に
対しては窓材になって透過する。一方導電性支持体側に
位置するＣｄＴｅ半導体層３はＺｎＳ半導体層２を透過
した光を吸収し、光電効果によって光キャリアを発生し
、キャリア発生層としての機能を分担する。
光感度については第２図に示す如く、短波長の紫外領域
がＺｎＳ半導体層２によって、可視光域がＣｄＴｅ半導
体層３によって吸収されることにより、広い波長範囲に
亘って感度を有することになる。
がＺｎＳ半導体層２によって、可視光域がＣｄＴｅ半導
体層３によって吸収されることにより、広い波長範囲に
亘って感度を有することになる。
電荷の保持はＺｎ５層２が分担するが、ＺｎＳ層は電子
ビーム蒸着、スパッタリング法等によって作成すること
ができ、化学量論的組成を得るように作成することによ
って１０′２Ωｍ以上の高い抵抗値にすることができる
。またこのように作成されたＺｎＳ半導体層２は極くわ
ずかにれ型の導電性を示す。一方ＣｄＴｅ半導体層３は
化学量論的組成の膜（４） を作成することが非常に困難で、通常の薄膜技術で作成
したものはわずかにｐ型の導電性を呈する。
ビーム蒸着、スパッタリング法等によって作成すること
ができ、化学量論的組成を得るように作成することによ
って１０′２Ωｍ以上の高い抵抗値にすることができる
。またこのように作成されたＺｎＳ半導体層２は極くわ
ずかにれ型の導電性を示す。一方ＣｄＴｅ半導体層３は
化学量論的組成の膜（４） を作成することが非常に困難で、通常の薄膜技術で作成
したものはわずかにｐ型の導電性を呈する。
上述のように、２層に積層された半導体層２及び３は夫
々のエネルギーバンド特性から感光体としての機能を分
担する一方、両者の導電性からｐ−ｎ接合を形成し、成
膜時に残るごくわずかなキャリアを互に補償し合って空
乏層を形成することにより一層高抵抗化が計られる。即
ち、キャリア補償効果によりＺｎＳ半導体層のほとんど
全層が電気的中和条件によって空乏層化され、キャリア
を消失して高抵抗になる。この際両生導体層のｐ−ｎ接
合に逆方向電位勾配を与えるべき帯電をすることにより
、高抵抗化が困難な半導体層を電子写真用の感光体とし
て利用することができる。
々のエネルギーバンド特性から感光体としての機能を分
担する一方、両者の導電性からｐ−ｎ接合を形成し、成
膜時に残るごくわずかなキャリアを互に補償し合って空
乏層を形成することにより一層高抵抗化が計られる。即
ち、キャリア補償効果によりＺｎＳ半導体層のほとんど
全層が電気的中和条件によって空乏層化され、キャリア
を消失して高抵抗になる。この際両生導体層のｐ−ｎ接
合に逆方向電位勾配を与えるべき帯電をすることにより
、高抵抗化が困難な半導体層を電子写真用の感光体とし
て利用することができる。
上記構造による感光体の帯電保持機能は、単に上述のよ
うな空乏層効果のみならず、第２半導体層と導電性支持
体との間のエネルギー帯構造が、第３図（ａ）及び（ｂ
）に示すように表面帯電電荷を中和するキャリアの注入
を阻止するバリアを形成し、一層効果を高めている０同
第３図（ａ）はボテンシャル図、（ｂ）はキャリア密度
図を示し、支持体側よりｐ層、ｎ層として正の電荷を帯
電させた図を示しているが、支持体上にｎ層、次いでｐ
層を積層して負に帯電する感光体でも同様の原理で動作
する。
うな空乏層効果のみならず、第２半導体層と導電性支持
体との間のエネルギー帯構造が、第３図（ａ）及び（ｂ
）に示すように表面帯電電荷を中和するキャリアの注入
を阻止するバリアを形成し、一層効果を高めている０同
第３図（ａ）はボテンシャル図、（ｂ）はキャリア密度
図を示し、支持体側よりｐ層、ｎ層として正の電荷を帯
電させた図を示しているが、支持体上にｎ層、次いでｐ
層を積層して負に帯電する感光体でも同様の原理で動作
する。
ここで第１半導体層としては、キャリア密度は広い空乏
層を形成する上からも、また表面帯電を行わせる上から
も十分に少ないことが必要であり、上述のように化学量
論的組成からのずれが少ない薄膜として形成し、また第
２半導体層との間で化合物半導体の結晶構造の同じもの
を選んで積層することが必要である。
層を形成する上からも、また表面帯電を行わせる上から
も十分に少ないことが必要であり、上述のように化学量
論的組成からのずれが少ない薄膜として形成し、また第
２半導体層との間で化合物半導体の結晶構造の同じもの
を選んで積層することが必要である。
上記実施例はＺｎＳ−ＣｄＴｅの積層構造について述べ
たが、エネルギーバンド構造及び結晶構造等を選ぶこと
によって他のロー■族或いはｍ−ｖ族の化合物半導体の
組合せも同様に実施することができる。
たが、エネルギーバンド構造及び結晶構造等を選ぶこと
によって他のロー■族或いはｍ−ｖ族の化合物半導体の
組合せも同様に実施することができる。
尚上記化合物半導体からなる感光体は、電子写真プロセ
ス中のトナー除去に用いられているブレードクリーニン
グに対してもすぐれた耐久性を示Ｌ′纂 〈効果〉 以上のように本発明によれば、半導体材料の特性を活か
すことによって光学的、電気的及び機械的にすぐれた電
子写真用感光体を得ることができる。
ス中のトナー除去に用いられているブレードクリーニン
グに対してもすぐれた耐久性を示Ｌ′纂 〈効果〉 以上のように本発明によれば、半導体材料の特性を活か
すことによって光学的、電気的及び機械的にすぐれた電
子写真用感光体を得ることができる。
第１図は本発明による一実施例の感光体の断面図、第２
図は同実施例の光感度特性図、第３図（ａ）（ｂ）は同
実施例のボテンシＶル図及びキャリア密度図である。 ２ ： ＺｎＳ半導体層 ３ ： ＣｄＴｅ半導体層
４：導電性支持体 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （他２名）（７）
図は同実施例の光感度特性図、第３図（ａ）（ｂ）は同
実施例のボテンシＶル図及びキャリア密度図である。 ２ ： ＺｎＳ半導体層 ３ ： ＣｄＴｅ半導体層
４：導電性支持体 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （他２名）（７）
Claims (1)
- １）バンド間エネルギーの異なる少なくとも二種の半導
体層を積層してなる感光体において、上記各半導体層は
伝導型が真性半導体で高抵抗値を有しているか、或いは
非添加の状態において成膜時にわずかにｎ７−型とｐ−
一型の異なる伝導型を示す半導体層からなることを特徴
とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16449382A JPS5952248A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16449382A JPS5952248A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952248A true JPS5952248A (ja) | 1984-03-26 |
Family
ID=15794201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16449382A Pending JPS5952248A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952248A (ja) |
-
1982
- 1982-09-20 JP JP16449382A patent/JPS5952248A/ja active Pending
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