JPS5981649A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5981649A JPS5981649A JP19072482A JP19072482A JPS5981649A JP S5981649 A JPS5981649 A JP S5981649A JP 19072482 A JP19072482 A JP 19072482A JP 19072482 A JP19072482 A JP 19072482A JP S5981649 A JPS5981649 A JP S5981649A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- layer
- potential
- electrophotographic photoreceptor
- blocking layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１に子写真感光体に係り、とくに温度特性の改
善された電子写真感光体に関する。
善された電子写真感光体に関する。
一般に電子写真で用いられている感光体は、基板及び感
光体層を、その両者の間にブロッキング層を介在させ或
いは介在させずに重ね合せたものからなっている。ブロ
ッキング層を介在させる場合、例えば基板がアルミニウ
ムである場合においては、そのｋｔ基板の自然酸化膜を
ブロッキング層として用いることが多い。この他に例え
ばＳｅを感光体層として用いる場合にはブロッキング層
として無定形Ｓｓよりも一層Ｐ型の伝導をする結晶Ｓｓ
を多く混入した層を用いる。何れの場合においてもこの
ブロッキング層は、基板側からの少数キャリアの注入を
防ぐことが目的で、少数キャリアの注入による帯電電位
の低下或いは暗減衰の増大を押えようとするものである
。感光体層がアモルファスシリコン（ｎ−８ｉ）の場合
にはブロッキング層として薄い絶縁膜や■族、■族の不
純物を感光体層よシも多くドープした層を用いている。
光体層を、その両者の間にブロッキング層を介在させ或
いは介在させずに重ね合せたものからなっている。ブロ
ッキング層を介在させる場合、例えば基板がアルミニウ
ムである場合においては、そのｋｔ基板の自然酸化膜を
ブロッキング層として用いることが多い。この他に例え
ばＳｅを感光体層として用いる場合にはブロッキング層
として無定形Ｓｓよりも一層Ｐ型の伝導をする結晶Ｓｓ
を多く混入した層を用いる。何れの場合においてもこの
ブロッキング層は、基板側からの少数キャリアの注入を
防ぐことが目的で、少数キャリアの注入による帯電電位
の低下或いは暗減衰の増大を押えようとするものである
。感光体層がアモルファスシリコン（ｎ−８ｉ）の場合
にはブロッキング層として薄い絶縁膜や■族、■族の不
純物を感光体層よシも多くドープした層を用いている。
一般に感光体層は温度の上昇によりキャリアが増加し、
電導度が増加する。これは熱エネルギを得てキャリアが
発生するためであり、光感度を長波長域まで伸ばそうと
して禁止帯幅を狭くしたりすると、その影響が大に々る
。この結果、帯電′α位が低下し、暗減衰が増大する。
電導度が増加する。これは熱エネルギを得てキャリアが
発生するためであり、光感度を長波長域まで伸ばそうと
して禁止帯幅を狭くしたりすると、その影響が大に々る
。この結果、帯電′α位が低下し、暗減衰が増大する。
在来のものは帯電電位の向上、暗減衰の減少に着目して
いただめ、残留電位を低くすることに注意しすぎ、ブロ
ッキング層での電位を、残留電位としてあられれないよ
うに抑制するため薄い膜を用いている（５０〜１００λ
）。このために熱エネルギで増加したキャリアの影響を
その寸ま受けてしまう。すなわち、従来の感光体では、
通常使用される状況を考慮し、０〜４０℃程度の温度で
測定すると残留電位（Ｖｅｒ）はそれらの温度範囲全体
に亘って低い水準になっているが、４０℃前後に々ると
帯電電位（Ｖｏ）がｔ ｏ ｑ（、以上も低くなって１
〜まう。また一定光量を力えた露光電位（Ｖ８）（ハー
フトーン電位になるように光を選択する）Ｆｉ４０％近
くも低下してし才う。このためにコピー画像は全体的に
−白っぽくなり、画質が低下してし寸う。
いただめ、残留電位を低くすることに注意しすぎ、ブロ
ッキング層での電位を、残留電位としてあられれないよ
うに抑制するため薄い膜を用いている（５０〜１００λ
）。このために熱エネルギで増加したキャリアの影響を
その寸ま受けてしまう。すなわち、従来の感光体では、
通常使用される状況を考慮し、０〜４０℃程度の温度で
測定すると残留電位（Ｖｅｒ）はそれらの温度範囲全体
に亘って低い水準になっているが、４０℃前後に々ると
帯電電位（Ｖｏ）がｔ ｏ ｑ（、以上も低くなって１
〜まう。また一定光量を力えた露光電位（Ｖ８）（ハー
フトーン電位になるように光を選択する）Ｆｉ４０％近
くも低下してし才う。このためにコピー画像は全体的に
−白っぽくなり、画質が低下してし寸う。
従って本発明の目的は、−上述の如き従来の感光体の温
度特性の欠点を改良し、通常使用される温度範囲に亘っ
て帯１１］、’ｔｌｊ位及び残留電位の変動を極めて少
々くすることにある。
度特性の欠点を改良し、通常使用される温度範囲に亘っ
て帯１１］、’ｔｌｊ位及び残留電位の変動を極めて少
々くすることにある。
−Ｉ：記目的は従来よりも・厚い絶縁膜のブロッキング
層を用いることによって達成することができる。
層を用いることによって達成することができる。
すなわち、本発明ではブロッキング層に１色Ｒ膜ヲ用い
てその厚みを１００〜２０００λとすることによって一
ヒ記目的を達成するわけである。特にＳｅ系での使用状
態から考えると、２００λ以上で、約１．５μｍまでで
ある。２００ｘ よシ薄いと温度依存性は残ってし１い
、１．５μｍより厚いと３００ ［Ｖ］程度壕でしか電
位が下らない。
てその厚みを１００〜２０００λとすることによって一
ヒ記目的を達成するわけである。特にＳｅ系での使用状
態から考えると、２００λ以上で、約１．５μｍまでで
ある。２００ｘ よシ薄いと温度依存性は残ってし１い
、１．５μｍより厚いと３００ ［Ｖ］程度壕でしか電
位が下らない。
本発明では比較的厚い絶縁膜によシ、温度依存性のある
半導体層と基板を分離しているので、帯電時には感光体
層と、絶縁膜によるブロッキング層がともに高抵抗であ
シ、各層ともＫその電界は絶縁破壊やトンネル電流の急
増といった値まで上昇しない。感光体層５５μで７００
〔■〕の帯電の場合、Ｅ ＝ １．２７ Ｘ １０’
（Ｖ／ｃｒｎ：） である。絶縁層を電流が流れるのは
、キャリアが絶縁膜の障壁高さを熱エネルギを得て飛び
こすか、電界によりこの障壁をトンネルするかのいずれ
かである。０〜４０℃でのエネルギでは絶縁膜のバリヤ
ーを飛びこせない。トンネルしても 〜Ｉ Ｘ １０’
［Ｖ／ｃｍ 〕では非常に確率は小である。従って温
度による影響は少ない。
半導体層と基板を分離しているので、帯電時には感光体
層と、絶縁膜によるブロッキング層がともに高抵抗であ
シ、各層ともＫその電界は絶縁破壊やトンネル電流の急
増といった値まで上昇しない。感光体層５５μで７００
〔■〕の帯電の場合、Ｅ ＝ １．２７ Ｘ １０’
（Ｖ／ｃｒｎ：） である。絶縁層を電流が流れるのは
、キャリアが絶縁膜の障壁高さを熱エネルギを得て飛び
こすか、電界によりこの障壁をトンネルするかのいずれ
かである。０〜４０℃でのエネルギでは絶縁膜のバリヤ
ーを飛びこせない。トンネルしても 〜Ｉ Ｘ １０’
［Ｖ／ｃｍ 〕では非常に確率は小である。従って温
度による影響は少ない。
本発明の感光体が露光により電位が低下し、電子写真用
感光体として使用できる理由は次の通シである。例えば
感光体層がＳＯでその表面上に正電葡の帯電が行われた
場合を考えると、露光により発生した電子とホールは感
光体層内部の電界によυ分離されて電子は表面へ、ホー
ルは基板側へ移動する。ブロッキング層にはこのため高
電界が生じてこの層のトンネル確率が上昇し、トンネル
電流が流れる。ブロッキング層の電界がトンネルを起さ
ない電界に下る壕で電流が流れる。この結果、予し面１
１）５位は減少する。このような過程で電、気潜像が形
成される。より効果を上げるには熱イオン１（イ、流を
増加しないように、禁止帯幅の大なる材料を選択し、ト
ンネル電導の起る電界を考慮し、ｉ″Ｆ容残留電位捷で
の厚みの絶縁膜を選択することである。電界によるトン
ネルを考えて膜厚を決めれば、実際にはほとんどの絶縁
膜は４０℃ではキャリアは障壁を越せず、Ｆｅｒｍｉ
−Ｄｉ ｒａｃの分布が変化してもトンネル電流によっ
て帯電電位に影響を及ばず程ではないから、はとんどの
絶縁物が使用可能である。膜厚を決める際には膜の諸物
件と感光ドラムとしての峙性をも考慮に入れるようにす
る。
感光体として使用できる理由は次の通シである。例えば
感光体層がＳＯでその表面上に正電葡の帯電が行われた
場合を考えると、露光により発生した電子とホールは感
光体層内部の電界によυ分離されて電子は表面へ、ホー
ルは基板側へ移動する。ブロッキング層にはこのため高
電界が生じてこの層のトンネル確率が上昇し、トンネル
電流が流れる。ブロッキング層の電界がトンネルを起さ
ない電界に下る壕で電流が流れる。この結果、予し面１
１）５位は減少する。このような過程で電、気潜像が形
成される。より効果を上げるには熱イオン１（イ、流を
増加しないように、禁止帯幅の大なる材料を選択し、ト
ンネル電導の起る電界を考慮し、ｉ″Ｆ容残留電位捷で
の厚みの絶縁膜を選択することである。電界によるトン
ネルを考えて膜厚を決めれば、実際にはほとんどの絶縁
膜は４０℃ではキャリアは障壁を越せず、Ｆｅｒｍｉ
−Ｄｉ ｒａｃの分布が変化してもトンネル電流によっ
て帯電電位に影響を及ばず程ではないから、はとんどの
絶縁物が使用可能である。膜厚を決める際には膜の諸物
件と感光ドラムとしての峙性をも考慮に入れるようにす
る。
第１図に概略を示す如き本発明の電子写真用感光体を作
るに際しては、基板１としてＡｔ、Ｃｕ。
るに際しては、基板１としてＡｔ、Ｃｕ。
Ｆｅ 或いはその他の金属、または導電性被覆を有す
る高分子フィルム等が用いられ、感光体層２（複数の層
からなっていてもよい）としてはＳｅ。
る高分子フィルム等が用いられ、感光体層２（複数の層
からなっていてもよい）としてはＳｅ。
５ｅ−Ｔｅ 、 ５ｅ−Ｔｏ−Ａｓ 、 Ｓｅ −
Ｔｎ −ハロゲン、 ＡＩＩ、 Ｓｅｓ。
Ｔｎ −ハロゲン、 ＡＩＩ、 Ｓｅｓ。
ａ−８ｉ 、 ＣｄＳ 、 ＺｎＯ等が用いられ、ブ
ロッキング層３としては絶縁膜、例えばｋｌ、０３．
Ｓｉｎ、 、 Ｓｉ、Ｎ、 。
ロッキング層３としては絶縁膜、例えばｋｌ、０３．
Ｓｉｎ、 、 Ｓｉ、Ｎ、 。
ＳｉＣ等、感光体層と同じ電導型で、一層不純物濃度が
高いかまたはその性質の強いものが用いられる。
高いかまたはその性質の強いものが用いられる。
本発明を一層よく理解できるように、第２図を参照して
実施例について述べる。
実施例について述べる。
実施例
ＪＩＳ ３００３ Ａｔドラム （φ１２０ｖｔｒｍ
Ｘ Ｌ ３００＋ｒ＋ｎ）を鏡面仕上げしたドラムを
基板とし、陽極酸化法によりドラム表面に酸化膜を形成
した。同条件で形成した５０Ｘ５０ｍｍの平板を検査し
たところ、屈折率は１．７．膜厚は約５００λ″であっ
た（ エリプツメトリーによる）。次いでこのドラムを
７０℃に保って、５ｏ５０／ｊ、及びＴｅ１ＯＸの５ｅ
−Ｔｏ金合金３μ蒸着して電子写真用感光体を作成した
。
Ｘ Ｌ ３００＋ｒ＋ｎ）を鏡面仕上げしたドラムを
基板とし、陽極酸化法によりドラム表面に酸化膜を形成
した。同条件で形成した５０Ｘ５０ｍｍの平板を検査し
たところ、屈折率は１．７．膜厚は約５００λ″であっ
た（ エリプツメトリーによる）。次いでこのドラムを
７０℃に保って、５ｏ５０／ｊ、及びＴｅ１ＯＸの５ｅ
−Ｔｏ金合金３μ蒸着して電子写真用感光体を作成した
。
第２図に示すように、表面電位計プローブ■。
ｙ、５Ｖ４光用光源ＷＬ、 除電用光源ＦＬ 及び
荷電用装置ａｈを、その感光体りの周りに配置し、帯電
電位（Ｖｏ ）、露光（１，７１１１！、８１１（１）
後電位及び除電用照射後の電位を測定した。その結果を
下記の表に示す。
荷電用装置ａｈを、その感光体りの周りに配置し、帯電
電位（Ｖｏ ）、露光（１，７１１１！、８１１（１）
後電位及び除電用照射後の電位を測定した。その結果を
下記の表に示す。
混用 プローグＩ プローブ■ プローブ１
２０℃ ７００（Ｖ） ３２０（Ｖ）
２８（Ｖ）４０℃ ６９０（ｔ／） ３ｏｏ
（ｖ） ２６（Ｖ）」二記結果から明らかなよ
うに、本発明の電子写真感光体は温度に対して安定な′
１−１ｙ気特性を示すことが判る。
２０℃ ７００（Ｖ） ３２０（Ｖ）
２８（Ｖ）４０℃ ６９０（ｔ／） ３ｏｏ
（ｖ） ２６（Ｖ）」二記結果から明らかなよ
うに、本発明の電子写真感光体は温度に対して安定な′
１−１ｙ気特性を示すことが判る。
第１図は本発明の電子写真感光体の概略断面図。
第２図は本発明の実施例で用いられた試験装置の概略配
ｆ代図である。 １・・基板；２・・・感光体層；３・・・ブロッキング
層。 特許出願人： スタンレー電気株式会社代 理 人：
弁理士 海 津 保 三同 ： 弁理士
平 山 −幸第１ 図 □２ □５ ど−−Ｉ 第２図 手続抽正書（自発） 昭和５８年８月３０１１ 特許庁長官 若杉和夫殿 １ 事件の表示 １１７３ ｆｌｌ ５７年 特許願第１９０７２４号ｚ
発明ｔＤ名称 電子写真感光体 ３ 補正を→−る者 事件との関係 特許出願人 ４ 代 理 人 ８ 補止の内容 （１）明細書、第３頁第８〜９行の「（ハー７トーン電
位になるように光をｊ＄３択する）」を「（たとえばハ
ーフトーン電位になるように光量を選択する）」にＨｔ
正する。 （２）同書、第３頁宋ｉ′〜第４頁第１行の「特にＳｅ
系での使用状信；」を「°特にＳＱ系感光体の使用状態
」に訂正する。 （３）同γシ、第６頁末行〜第７頁第１行の「（エリプ
ソメトリ−による）。」をＩｆ’ （６３３ｎｍのＨｅ
−Ｎｅレーザを光源としたエリプソメーターによる）
。」に訂正する。
ｆ代図である。 １・・基板；２・・・感光体層；３・・・ブロッキング
層。 特許出願人： スタンレー電気株式会社代 理 人：
弁理士 海 津 保 三同 ： 弁理士
平 山 −幸第１ 図 □２ □５ ど−−Ｉ 第２図 手続抽正書（自発） 昭和５８年８月３０１１ 特許庁長官 若杉和夫殿 １ 事件の表示 １１７３ ｆｌｌ ５７年 特許願第１９０７２４号ｚ
発明ｔＤ名称 電子写真感光体 ３ 補正を→−る者 事件との関係 特許出願人 ４ 代 理 人 ８ 補止の内容 （１）明細書、第３頁第８〜９行の「（ハー７トーン電
位になるように光をｊ＄３択する）」を「（たとえばハ
ーフトーン電位になるように光量を選択する）」にＨｔ
正する。 （２）同書、第３頁宋ｉ′〜第４頁第１行の「特にＳｅ
系での使用状信；」を「°特にＳＱ系感光体の使用状態
」に訂正する。 （３）同γシ、第６頁末行〜第７頁第１行の「（エリプ
ソメトリ−による）。」をＩｆ’ （６３３ｎｍのＨｅ
−Ｎｅレーザを光源としたエリプソメーターによる）
。」に訂正する。
Claims (2)
- （１）基板と感光体層との間に２００λ〜１５０００人
のＪワみの絶縁層を設けたことを特徴とする電子写真感
光体。 - （２）前ｍｌ基板がＡｔ、前記絶縁層がＡ４０．、前記
感光体層がＳｅ である、特許請求の範囲第１項に記
載の市：子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19072482A JPS5981649A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19072482A JPS5981649A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5981649A true JPS5981649A (ja) | 1984-05-11 |
Family
ID=16262753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19072482A Pending JPS5981649A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5981649A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50142241A (ja) * | 1973-07-30 | 1975-11-15 |
-
1982
- 1982-11-01 JP JP19072482A patent/JPS5981649A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50142241A (ja) * | 1973-07-30 | 1975-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kasap et al. | Amorphous selenium and its alloys from early xeroradiography to high resolution X‐ray image detectors and ultrasensitive imaging tubes | |
| US3041166A (en) | Xerographic plate and method | |
| JPS6161383B2 (ja) | ||
| WO1985002691A1 (fr) | Organe photosensible pour electrophotographie | |
| JPS5981649A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS5860746A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH07120953A (ja) | 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成方法 | |
| CA1142789A (en) | Electrophotographic plate and process for preparation thereof | |
| US4010031A (en) | Electrophotographic system | |
| JPS5991447A (ja) | 電子写真複写工程で使用される光導電エレメント | |
| JPS62148966A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0514898B2 (ja) | ||
| US4619877A (en) | Low field electrophotographic process | |
| JPS60115941A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61138958A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2631413B2 (ja) | 電子写真用セレンテルル感光体 | |
| JPS6263939A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH058420B2 (ja) | ||
| JPS6248216B2 (ja) | ||
| JPS58223153A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6130269B2 (ja) | ||
| CA1249476A (en) | Low field electrophotographic process | |
| JPS60143355A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61138957A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS5952248A (ja) | 電子写真用感光体 |