JPS6248217B2 - - Google Patents
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- JPS6248217B2 JPS6248217B2 JP58024794A JP2479483A JPS6248217B2 JP S6248217 B2 JPS6248217 B2 JP S6248217B2 JP 58024794 A JP58024794 A JP 58024794A JP 2479483 A JP2479483 A JP 2479483A JP S6248217 B2 JPS6248217 B2 JP S6248217B2
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- Japan
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- layer
- type
- amorphous
- thickness
- film
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ・プリンタや電子写真装置にお
いて電荷潜像形成、現像、転写を行なうために使
用する光導電膜に関する。
いて電荷潜像形成、現像、転写を行なうために使
用する光導電膜に関する。
レーザ・プリンタや電子写真装置において、電
荷潜像形成、現像、転写を行なうために使用する
記録用部品は金属、半導体等からなる基体電極の
表面に光導電膜を被着させたものである。従来、
この光導電膜用材料として、有機系材料では
PVK−TNFやピラリゾン−シアニン色素系、銅
フタロシアニン系などが、無機系材料では非晶質
セレン系、多結晶硫化カドミウム系などが用いら
れている。
荷潜像形成、現像、転写を行なうために使用する
記録用部品は金属、半導体等からなる基体電極の
表面に光導電膜を被着させたものである。従来、
この光導電膜用材料として、有機系材料では
PVK−TNFやピラリゾン−シアニン色素系、銅
フタロシアニン系などが、無機系材料では非晶質
セレン系、多結晶硫化カドミウム系などが用いら
れている。
しかし、有機系材料は一般に耐摩擦性に劣ると
共に光感度が低く、とくに波長が650nｍ以上の
光に対しては急激に感度が低下する。また、無機
材料においても、非晶質セレン系材料では波長
550nｍ以上、多結晶硫化カドミウム材料でも波
長700nｍ以上で急激に感度が低下するほか、最
近の高速化された機器においては耐摩擦性が問題
となつている。
共に光感度が低く、とくに波長が650nｍ以上の
光に対しては急激に感度が低下する。また、無機
材料においても、非晶質セレン系材料では波長
550nｍ以上、多結晶硫化カドミウム材料でも波
長700nｍ以上で急激に感度が低下するほか、最
近の高速化された機器においては耐摩擦性が問題
となつている。
一方、小型、高効率、直接高速変調可能などの
特徴を有する半導体レーザの出現により、光導電
材料についても、長波長（〜770nｍ）まで光感
度を有し、かつ耐摩擦性に優れた新しい光導電膜
の出現が望まれている。
特徴を有する半導体レーザの出現により、光導電
材料についても、長波長（〜770nｍ）まで光感
度を有し、かつ耐摩擦性に優れた新しい光導電膜
の出現が望まれている。
本発明は、水素を多量に含有する非晶質のシリ
コン−カーボン−ゲルマニウム（以下、ａ−Si−
Ｃ−Geと略記する。）系材料が (1) ドーピングおよび生成条件の制御により導電
型および比抵抗値を大幅に変えることができる
こと、 (2) ａ−Si−Ｃ−Geの組成を変えることによ
り、バンドギヤツプが可変であり、容易にヘテ
ロ接合が形成できること（第１図参照）、 (3) 強い共有性結合をもつ、耐摩擦性の高い材料
であること、 の３点に着目し、この材料系を用いたヘテロ接合
を有する膜構造を形成することにより、上記の問
題点のない新しい光導電膜を提供するものであ
る。
コン−カーボン−ゲルマニウム（以下、ａ−Si−
Ｃ−Geと略記する。）系材料が (1) ドーピングおよび生成条件の制御により導電
型および比抵抗値を大幅に変えることができる
こと、 (2) ａ−Si−Ｃ−Geの組成を変えることによ
り、バンドギヤツプが可変であり、容易にヘテ
ロ接合が形成できること（第１図参照）、 (3) 強い共有性結合をもつ、耐摩擦性の高い材料
であること、 の３点に着目し、この材料系を用いたヘテロ接合
を有する膜構造を形成することにより、上記の問
題点のない新しい光導電膜を提供するものであ
る。
以下に、本発明を実施例により詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
第２図は本発明の一つの実施例の断面図であ
り、１はｐ形のａ−Si1-x-yCxGey膜（0.3＞ｘ≧
０、１＞ｙ≧０、比抵抗1014Ω・cm、厚さｆμ
ｍ、ボロン・ドープ）、２はｐ形またはｎ形のａ
−Si1-u-vCuGev膜（0.3＞ｕ≧０、１＞ｖ≧０、
ただし、ｖ＞ｙ、比抵抗1014Ω・cm、厚さｇμ
ｍ）、３はｎ形のａ−Si1-s-tCsGet膜（0.3＞ｓ≧
０、１＞ｔ≧０、ただし、ｖ＞ｔ、比抵抗1014
Ω・cm、厚さｈμｍ、燐ドープ）、４は金属又は
半導体からなる基体電極である。
り、１はｐ形のａ−Si1-x-yCxGey膜（0.3＞ｘ≧
０、１＞ｙ≧０、比抵抗1014Ω・cm、厚さｆμ
ｍ、ボロン・ドープ）、２はｐ形またはｎ形のａ
−Si1-u-vCuGev膜（0.3＞ｕ≧０、１＞ｖ≧０、
ただし、ｖ＞ｙ、比抵抗1014Ω・cm、厚さｇμ
ｍ）、３はｎ形のａ−Si1-s-tCsGet膜（0.3＞ｓ≧
０、１＞ｔ≧０、ただし、ｖ＞ｔ、比抵抗1014
Ω・cm、厚さｈμｍ、燐ドープ）、４は金属又は
半導体からなる基体電極である。
ここで、ｘ＝ｙ＝０、ｆ＝50μｍ、ｕ＝０、ｖ
＝0.4、ｇ＝１μｍ、ｓ＝ｔ＝０、ｈ＝９μｍと
し、コロナ放電により層１の表面が負で、表面と
電極４との電位差600Vに帯電させる。これに、
層１の表面から、波長770nｍの半導体レーザー
光を照射すると、層１は通過し、層２で吸収され
る。そして、ここに正孔・電子対が発生するが、
正孔は表面へ、電子は電極４へ電界により引き出
され、上記の帯電を中和する。電位差が30％まで
減少するに要した光照射量は光照射時間0.1μｓ
〜0.1秒の範囲で照射時間によらず、約10ｍＪ／
cm2である。これは光導電キヤリアの発生効率30％
に相当する。なお、光を照射しない時の帯電電位
の減衰（暗減衰）率は、電位が10％低下するに要
する時間が11秒という割合である。
＝0.4、ｇ＝１μｍ、ｓ＝ｔ＝０、ｈ＝９μｍと
し、コロナ放電により層１の表面が負で、表面と
電極４との電位差600Vに帯電させる。これに、
層１の表面から、波長770nｍの半導体レーザー
光を照射すると、層１は通過し、層２で吸収され
る。そして、ここに正孔・電子対が発生するが、
正孔は表面へ、電子は電極４へ電界により引き出
され、上記の帯電を中和する。電位差が30％まで
減少するに要した光照射量は光照射時間0.1μｓ
〜0.1秒の範囲で照射時間によらず、約10ｍＪ／
cm2である。これは光導電キヤリアの発生効率30％
に相当する。なお、光を照射しない時の帯電電位
の減衰（暗減衰）率は、電位が10％低下するに要
する時間が11秒という割合である。
ｖの値は、１＞ｖ＞０の間で変えることができ
る。ｖの値を増すと、より長波長まで感光波長が
伸びるが、上記暗減衰率は増加するので、0.1〜
0.8の範囲内がより好ましい。
る。ｖの値を増すと、より長波長まで感光波長が
伸びるが、上記暗減衰率は増加するので、0.1〜
0.8の範囲内がより好ましい。
また、ｘとｓの値は、０から約0.3程度まで増
すことができ、照射光の透過性、膜の安定性、耐
摩擦性の向上がみられる。
すことができ、照射光の透過性、膜の安定性、耐
摩擦性の向上がみられる。
層１の導電型をｎ形、層３の導電型をｐ形とし
ても良い。この場合には、層１の表面は正に帯電
させて光を照射することにより、前記と同様の特
性を得ることができる。
ても良い。この場合には、層１の表面は正に帯電
させて光を照射することにより、前記と同様の特
性を得ることができる。
層１の厚さｆと層３の厚さｈは、その和が電子
写真におけるトナーを吸引するに要する帯電電位
差（約600〜800V）に対して、光導電膜がブレー
クダウンしない厚さ（約60μｍ以上）に選んであ
れば良く、各々の層の厚さは上記の例に限定され
ない。
写真におけるトナーを吸引するに要する帯電電位
差（約600〜800V）に対して、光導電膜がブレー
クダウンしない厚さ（約60μｍ以上）に選んであ
れば良く、各々の層の厚さは上記の例に限定され
ない。
実施例 ２
第３図は、帯電電位差に対する耐圧をａ−Si−
Ｃ−Ge以外の層の助けをかりて得るようにした
本発明の変形例である。第３図において、層１５
はｐ形非晶質Se層（比抵抗1014Ω・cm、厚さ50μ
ｍ）、層１１はｐ形ａ−Si層（比抵抗1013Ω・
cm、厚さ１μｍ）、層１２はｐ形又はｎ形のａ−
Si0.6Ge0.4層（厚さ１μｍ）、層１３はｎ形ａ−Si
層（比抵抗1013Ω・cm、厚さ１μｍ）、層１６は
ｎ形非晶質Se層（比抵抗1014Ω・cm、厚さ１μ
ｍ）、１４は電極である。なお、非晶質Se層は結
晶化を防止するために、一般に少量のAs、Te、
Sbなどが添加されている。この光導電膜の動
作、機能、特性は第２図のものと同様である。
Ｃ−Ge以外の層の助けをかりて得るようにした
本発明の変形例である。第３図において、層１５
はｐ形非晶質Se層（比抵抗1014Ω・cm、厚さ50μ
ｍ）、層１１はｐ形ａ−Si層（比抵抗1013Ω・
cm、厚さ１μｍ）、層１２はｐ形又はｎ形のａ−
Si0.6Ge0.4層（厚さ１μｍ）、層１３はｎ形ａ−Si
層（比抵抗1013Ω・cm、厚さ１μｍ）、層１６は
ｎ形非晶質Se層（比抵抗1014Ω・cm、厚さ１μ
ｍ）、１４は電極である。なお、非晶質Se層は結
晶化を防止するために、一般に少量のAs、Te、
Sbなどが添加されている。この光導電膜の動
作、機能、特性は第２図のものと同様である。
実施例 ３
第４図は、耐擦性向上のために、第３図と同じ
構造において、層５の非晶質Se層の表面に、厚
さ１μｍのｐ形ａ−Si0.7C0.3の層１７を形成した
ものである。
構造において、層５の非晶質Se層の表面に、厚
さ１μｍのｐ形ａ−Si0.7C0.3の層１７を形成した
ものである。
第３図、第４図において、層１５又は１６の厚
さを両者の和と同一にすれば、いずれか一方を省
いても良い。また、層１５，１６の両方又は一方
は、ポリビニールカルバゾール系やピラゾリン系
などの有機層であつても良い。
さを両者の和と同一にすれば、いずれか一方を省
いても良い。また、層１５，１６の両方又は一方
は、ポリビニールカルバゾール系やピラゾリン系
などの有機層であつても良い。
要するに、水素を多量（５〜30％）に含む非晶
質のSi−Ｃ−Ge系からなる材料の異種接合層を
光導電層として含むことを特徴とする本発明によ
る光導電膜は、禁止帯幅及び比抵抗を大幅に制御
できるため、長波長域まで高い感度を有し、か
つ、暗減衰の少ない耐擦性に優れた電子写真用光
導電膜として応用することができる。
質のSi−Ｃ−Ge系からなる材料の異種接合層を
光導電層として含むことを特徴とする本発明によ
る光導電膜は、禁止帯幅及び比抵抗を大幅に制御
できるため、長波長域まで高い感度を有し、か
つ、暗減衰の少ない耐擦性に優れた電子写真用光
導電膜として応用することができる。
なお、本発明で使用する非晶質の（Si、Ｃ、
Ge）膜は、リアクテイブ・スパツタリング法、
グロー放電法などで形成することができる。例え
ば、リアクテイブ・スパツタリング法では次の様
にして作製することができる。
Ge）膜は、リアクテイブ・スパツタリング法、
グロー放電法などで形成することができる。例え
ば、リアクテイブ・スパツタリング法では次の様
にして作製することができる。
すなわち、膜を被着すべき基板（例えば、Al
のドラム）と、スパツタ源となるターゲツト電極
材料（Si、Ｃ、Ge）とをスパツタ装置内に対向
して設置し、１×10-7Torr以下に排気したの
ち、ArおよびH2ガスを導入して約５×10-3Torr
の真空度とし、ターゲツト電極に高周波電力を入
力することにより、ターゲツト電極材料が雰囲気
ガス中のH2をとり込んで基板上に付着し、水素
を含むａ−（Si、Ｃ、Ge）膜が形成される。多層
膜形成における各層の厚さは、高周波電力およ
び／またはスパツタリング時間を調節することに
より制御される。また、各層の組成比は、ターゲ
ツト電極において、Si、Ｃ、Geの占める面積の
比を変えることにより任意に制御することができ
る。
のドラム）と、スパツタ源となるターゲツト電極
材料（Si、Ｃ、Ge）とをスパツタ装置内に対向
して設置し、１×10-7Torr以下に排気したの
ち、ArおよびH2ガスを導入して約５×10-3Torr
の真空度とし、ターゲツト電極に高周波電力を入
力することにより、ターゲツト電極材料が雰囲気
ガス中のH2をとり込んで基板上に付着し、水素
を含むａ−（Si、Ｃ、Ge）膜が形成される。多層
膜形成における各層の厚さは、高周波電力およ
び／またはスパツタリング時間を調節することに
より制御される。また、各層の組成比は、ターゲ
ツト電極において、Si、Ｃ、Geの占める面積の
比を変えることにより任意に制御することができ
る。
例えば、直径150mm、長さ500mmのAlドラム表
面上に、厚さ１μｍのａ−Si0.9C0.1、厚さ１μｍ
のａ−Si0.9Ge0.1、厚さ60μｍのａ−Si0.9C0.1か
らなる多層膜を形成するには、長さ550mm、幅80
mmのターゲツト電極において、最初にSi、Ｃの面
積比を７：３に選んで約４分間スパツタリングを
行ない、つぎに、Si、Geの面積比を9.4：0.6に選
んで約４分間スパツタリングを行ない、最後に、
再びターゲツト電極のSi、Ｃの面積比を７：３に
選んで約４時間スパツタリングを行なうことによ
り得られる。この場合における高周波入力電力は
約10kWで、Alドラムは回転させながらスパツタ
リングを行なう。ドラム上に形成される膜の組成
比と、ターゲツト電極上の各材料の面積比が異な
るのは、材料によりスパツタされる速度が異なる
ためであり、上記の面積比はこれを考慮して設定
されている。
面上に、厚さ１μｍのａ−Si0.9C0.1、厚さ１μｍ
のａ−Si0.9Ge0.1、厚さ60μｍのａ−Si0.9C0.1か
らなる多層膜を形成するには、長さ550mm、幅80
mmのターゲツト電極において、最初にSi、Ｃの面
積比を７：３に選んで約４分間スパツタリングを
行ない、つぎに、Si、Geの面積比を9.4：0.6に選
んで約４分間スパツタリングを行ない、最後に、
再びターゲツト電極のSi、Ｃの面積比を７：３に
選んで約４時間スパツタリングを行なうことによ
り得られる。この場合における高周波入力電力は
約10kWで、Alドラムは回転させながらスパツタ
リングを行なう。ドラム上に形成される膜の組成
比と、ターゲツト電極上の各材料の面積比が異な
るのは、材料によりスパツタされる速度が異なる
ためであり、上記の面積比はこれを考慮して設定
されている。
第１図は非晶質のSi−Ｃ−Geの組成比とバン
ドギヤツプの関係を示す図、第２図〜第４図は本
発明の実施例を示す断面図である。 図において、１……ｐ形の非晶質Si1-x-yCxGey
層、２……ｐ形又はｎ形の非晶質Si1-u-vCuGev
層、３……ｎ形の非晶質Si1-s-tCsGet層、４，１
４……金属又は半導体からなる基体電極、１１…
…ｐ形の非晶質Si層、１２……ｐ形又はｎ形の非
晶質Si0.6Ge0.4層、１３……ｎ形の非晶質Si層、
１５……ｐ形非晶質Se層、１６……ｎ形の非晶
質Se層、７……ｐ形の非晶質Si0.7C0.3層。
ドギヤツプの関係を示す図、第２図〜第４図は本
発明の実施例を示す断面図である。 図において、１……ｐ形の非晶質Si1-x-yCxGey
層、２……ｐ形又はｎ形の非晶質Si1-u-vCuGev
層、３……ｎ形の非晶質Si1-s-tCsGet層、４，１
４……金属又は半導体からなる基体電極、１１…
…ｐ形の非晶質Si層、１２……ｐ形又はｎ形の非
晶質Si0.6Ge0.4層、１３……ｎ形の非晶質Si層、
１５……ｐ形非晶質Se層、１６……ｎ形の非晶
質Se層、７……ｐ形の非晶質Si0.7C0.3層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属又は半導体からなる基体電極上に形成さ
れた５〜30原子％の水素を含むｎ形（又はｐ形の
非晶質Si1-s-tCsGet層、その上の５〜30原子％の
水素を含むｐ形（又はｎ形）又はｎ形（又はｐ
形）の非晶質Si1-u-vCuGev層、その上の５〜30原
子％の水素を含むｐ形（又はｎ形）の非晶質
Si1-x-yCxGey層（ここで、0.3＞ｘ≧０、１＞ｙ
≧０、0.3＞ｕ≧０、１＞ｖ≧０、0.3＞ｓ≧０、
１＞ｔ≧０、ｖ＞ｙ、ｖ＞ｔ）の三層からなる光
導電膜を有することを特徴とする記録用部品。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の記録用部品にお
いて、前記基体電極と前記ｎ形（又はｐ形）の非
晶質Si1-s-tCsGet層との間にｎ形（又はｐ形）の
非晶質Se層、前記ｐ形（又はｎ形）の非晶質
Si1-x-yCxGey層の上にｐ形（又はｎ形）の非晶質
Se層が設けられているか、もしくは、前記両Se
層のいずれか一方が設けられていることを特徴と
する記録用部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2479483A JPS58154850A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 記録用部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2479483A JPS58154850A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 記録用部品 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3293886A Division JPS61228457A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 非晶質Ｓｉ−Ｃ系層を有する記録用部品 |
| JP3293986A Division JPS61228455A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | Ｓｉ−Ｃ系層とＳｉ−Ｇｅ系層を有する記録用部品 |
| JP3293786A Division JPS61221755A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 非晶質Ｓｉ−Ｇｅ系層を有する記録用部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154850A JPS58154850A (ja) | 1983-09-14 |
| JPS6248217B2 true JPS6248217B2 (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=12148091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2479483A Granted JPS58154850A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 記録用部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154850A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01161618U (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-09 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH067270B2 (ja) * | 1983-12-16 | 1994-01-26 | 株式会社日立製作所 | 電子写真用感光体 |
| JPS6126055A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS6126054A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS6129847A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真感光体 |
| US4743522A (en) * | 1985-09-13 | 1988-05-10 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US4741982A (en) * | 1985-09-13 | 1988-05-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having undercoat layer of amorphous carbon |
| US5166018A (en) * | 1985-09-13 | 1992-11-24 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US4749636A (en) * | 1985-09-13 | 1988-06-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US4738912A (en) * | 1985-09-13 | 1988-04-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an amorphous carbon transport layer |
| JPS61221755A (ja) * | 1986-02-19 | 1986-10-02 | Hitachi Ltd | 非晶質Ｓｉ−Ｇｅ系層を有する記録用部品 |
| JPS61228455A (ja) * | 1986-02-19 | 1986-10-11 | Hitachi Ltd | Ｓｉ−Ｃ系層とＳｉ−Ｇｅ系層を有する記録用部品 |
| JPS62220012A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Fujitsu Ltd | 圧電振動素子 |
| EP0261653A3 (en) * | 1986-09-26 | 1989-11-23 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
| EP0262570A3 (en) * | 1986-09-26 | 1989-11-23 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
| EP0799495A4 (en) * | 1994-11-10 | 1999-11-03 | Lawrence Semiconductor Researc | Silicon-germanium-carbon compositions and processes thereof |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4126150A (en) * | 1977-03-28 | 1978-11-21 | Rca Corporation | Photovoltaic device having increased absorption efficiency |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP2479483A patent/JPS58154850A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01161618U (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58154850A (ja) | 1983-09-14 |
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