JPS6043651A - 耐プラズマ性レジスト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体等の電子部品製造工程において使用する
耐プラズマ性レジストに関するものである０ 従来例の構成とその問題点 従来のノボラック樹脂を主成分とするポジレジストは、
耐熱性、耐プラズマ性に乏しく、ドライエツチングの際
にはレジスト膜の変色、レジスト膜厚の減少が生じると
いう欠点を有していた。

発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、ポジレジストの耐熱性及び耐
プラズマ性を向上させた耐プラズマ性レジストを提供す
るものである。

発明の構成 本発明は従来のポジレジストにシリル化剤を添加するこ
とＫよりレジストの主成分であるノボラで示される変化
をさせ、フェノールｆｉ−ＯＨ基のＨをＳｔに置換させ
たもので、耐熱性、耐プラズマ性を向上させるという特
有の効果を有するものである。

実施例の説明 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。

第１図は本発明の実施例における耐プラズマ性レジスト
を用いたウェハプロセスを示すものである。第１図Ａに
示す如くシリコン基板１上に被エツチング物２を形成し
、本発明による耐プラズマ性レジスト３を１ｏＯｏｏ八
程度塗へした。上記レジストは、○−ナフトキノンー１
，２−ジアジドスルホン酸エステルとノボラック樹脂と
からなるホトレジストに、シリル化剤であるヘキサメチ
ルジシランを添加したものである。つづいて、第１図Ｂ
に示す、如く耐プラズマ性レジスト３を紫外線６でマス
ク４を介して選択的に露光し、第１図Ｃに示す如く、ア
ルカリ性現象液を用いて現像した０ 次にＣＣｔ４＋６％０２ガスを流量１ｏＳαｙ、圧力０
．０８Ｔｏｒｒ　のもと、ＲＦパワー１２０Ｗでプラズ
マ放電させた。

第２図は従来のレジストと本発明による耐プラズマ性し
ジス＋とのプラズマ照射時間とレジスト膜減り量の関係
を比較した図である。この図より明らかなようにポジレ
ジストをシリル化することにより耐プラズマ性が向上す
ることがわかる。また従来のポジレジストではプラズマ
照射後５分でレジストの変′色が見られたが、本発明の
耐プラズマ性しジス゛トでは１０分照射の後も伺ら変色
はなく、耐熱性にも富んでいることがわかった。

発明の効果 以上のようにポジレジストをシリル化することにより耐
熱性及び耐プラズマ性を向上させることができる。これ
によりドライエ、ツテングにおいてＲＦ（高周波）パワ
ーを高め被エツチング物のエツチングレートを増加させ
ることができ、またレジストの膜厚が小さくて済むこと
より高解像度のパターンニングが可能となり、その実用
的効果は大なるものがある。

なお、上記実施例においてはノボラック樹脂を主成分と
するポジレジストについてのみ効果を示したが、レジス
トにおいてはシリル化が可能な化学組成も持つものなら
シリル化して耐プラズマ性を高めることができる。

また、本実施例としてシリル化剤にヘキサメチルジシラ
ンを用いたが、５ｔ−Ｘ結合（ｘ：）蔦ロゲン、Ｎ、Ｓ
などの電子吸引性原子）を持つシリコン化合物であれば
シリル化剤として使用が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ、Ｂ、Ｃは本発明の一実施例におけるウェハプ
ロセス中のウエノ１の断面図、第２図はプラズマ照射時
間とレジスト膜減り量の関係を示したグラフである。 １・・・・・・従来のポジレジスト、２・・・・・・従
来のレジスト１０溶に対し、シリル化剤０．６溶を添加
したレジスト、８・・・・従来のレジスト１ｏ溶に対し
、シリル化剤１溶を添加したレジスト。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. フェノール性−〇Ｈ基を有するノボラック樹脂を含むポ
   ジレジストにシリル化剤を添加した耐プラズマ性レジ・
   スト。