JPS5952827A - 積層セラミツクコンデンサの電極形成方法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサの電極形成方法Info
- Publication number
- JPS5952827A JPS5952827A JP57164641A JP16464182A JPS5952827A JP S5952827 A JPS5952827 A JP S5952827A JP 57164641 A JP57164641 A JP 57164641A JP 16464182 A JP16464182 A JP 16464182A JP S5952827 A JPS5952827 A JP S5952827A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- multilayer ceramic
- electroless
- electrode
- formation method
- Prior art date
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- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、積層セラミックコンデ／すの端子電極（外部
電極）を形成する積層セラミックコンデンサの電極形成
方法に関するものである。
電極）を形成する積層セラミックコンデンサの電極形成
方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、積層セラミックコンデンサの端子電極には、Ａｑ
−Ｐｄ電極を用いたもの、また半田耐熱性および半田
付は性を考慮したＡｑ電極形成後、電解メッキによりＮ
ｉ および５ｎ−ＰｂをメッキしたものかＬ般的であ
った。しかし、Ａｑ −Ｐｄ電極ではＰｄが２０〜３０
ｗｔ ％含有されコスト高であり、半田耐熱性を問題
にする場合には不安がつきまとうものであった。一方、
電解メッキによる方法では均一なメッキ厚を得ることが
難しく、電気特性の中でＱ不良が発生するものであった
。
−Ｐｄ電極を用いたもの、また半田耐熱性および半田
付は性を考慮したＡｑ電極形成後、電解メッキによりＮ
ｉ および５ｎ−ＰｂをメッキしたものかＬ般的であ
った。しかし、Ａｑ −Ｐｄ電極ではＰｄが２０〜３０
ｗｔ ％含有されコスト高であり、半田耐熱性を問題
にする場合には不安がつきまとうものであった。一方、
電解メッキによる方法では均一なメッキ厚を得ることが
難しく、電気特性の中でＱ不良が発生するものであった
。
発明の目的
本発明は上記のような欠点に鑑み、メッキ処理を前提と
してＱ不良を改善しようとする積層セラミックコンデン
サの電極形成方法を提供することを目的とする。
してＱ不良を改善しようとする積層セラミックコンデン
サの電極形成方法を提供することを目的とする。
発明の構成
そこでこの目的を達成するために本発明の積層セラミッ
クコンデンサの電極形成方法は、Ａｑ電極を塗布、焼付
は後、無電解Ｐｄ メ・ツキして活性化し、その後無電
解Ｎｉ メッキを行って置換した後、無電解まだは電
解による３１１ メッキか５ｎ−Ｐｂメッキを行うもの
であり、Ｑ不良の発生率を０にすることができるもので
ある０ 実施例の説明 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。まず、酸化チタン系材料を用いて得られた第１図で
示される積層セラミックコンデンサ素子１の端部に外部
電極としてＡｑ電極を塗布し、８００℃−２０分で焼付
ける。第１図で２は内部電極である。次に、このコンデ
ンサ素子１に無電解Ｐｄ メッキして活性化し、その後
無電解１”Ｊｉメッキを行って置換する。次に、このＮ
ｔ メッキ層の上に無電解Ｓｎ メッキまたは５ｎ−
Ｐｂメッキを実施して製造は終了する。ここで、 Ｓｎ
メッキの前に無電解Ｃｕ メッキを行い、これを
Ｓｎ メッキで置換してもよい。また、無電解Ｓｎ
メッキまたはＳｎ −Ｐｂメッキの代りに電解Ｓｎ メ
ッキまたはＳｎ −Ｐｂメッキを実施してもよいもので
ある。
クコンデンサの電極形成方法は、Ａｑ電極を塗布、焼付
は後、無電解Ｐｄ メ・ツキして活性化し、その後無電
解Ｎｉ メッキを行って置換した後、無電解まだは電
解による３１１ メッキか５ｎ−Ｐｂメッキを行うもの
であり、Ｑ不良の発生率を０にすることができるもので
ある０ 実施例の説明 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。まず、酸化チタン系材料を用いて得られた第１図で
示される積層セラミックコンデンサ素子１の端部に外部
電極としてＡｑ電極を塗布し、８００℃−２０分で焼付
ける。第１図で２は内部電極である。次に、このコンデ
ンサ素子１に無電解Ｐｄ メッキして活性化し、その後
無電解１”Ｊｉメッキを行って置換する。次に、このＮ
ｔ メッキ層の上に無電解Ｓｎ メッキまたは５ｎ−
Ｐｂメッキを実施して製造は終了する。ここで、 Ｓｎ
メッキの前に無電解Ｃｕ メッキを行い、これを
Ｓｎ メッキで置換してもよい。また、無電解Ｓｎ
メッキまたはＳｎ −Ｐｂメッキの代りに電解Ｓｎ メ
ッキまたはＳｎ −Ｐｂメッキを実施してもよいもので
ある。
第２図はこのようにして得られた積層セラミックコンデ
ンサを示しており、３はＡｑ電極、４はＮｉ メッキ
層、５はＳｎまたはＳｎ −Ｐｂメッキ層である。
ンサを示しており、３はＡｑ電極、４はＮｉ メッキ
層、５はＳｎまたはＳｎ −Ｐｂメッキ層である。
この本発明の方法で得られたものと従来の電解メッキで
得られたものとのＱの測定結果は、従来のものでＱ不良
発生数が３／１０００（個）であったものが、本発明方
法によるものでは○／１０００（個）となった。また、
測定した本発明方法による試料の無電解メッキ厚みは、
Ｎ’ｉ メッキが平均３μｍ 、 Ｓｎ メッキは
平均１．２μｍであり、半田耐熱性および半田付は性も
従来の電解メッキによるものと同様で良好であった０な
お、Ｑ不良発生メカニズムは現在詳細に検討中であるが
、電解メッキ時に電解をかけた際に、内部電極と外部電
極との界面にＡｑ電極中を通過し浸透したメッキ液成分
が析出するものと考えられる０ 発明の効果 以上のように本発明の方法によれば、半田耐熱性および
半田付は性を低下させることなく、Ｑ不良発生率を０に
することができ、産業上非常に有効なものである。
得られたものとのＱの測定結果は、従来のものでＱ不良
発生数が３／１０００（個）であったものが、本発明方
法によるものでは○／１０００（個）となった。また、
測定した本発明方法による試料の無電解メッキ厚みは、
Ｎ’ｉ メッキが平均３μｍ 、 Ｓｎ メッキは
平均１．２μｍであり、半田耐熱性および半田付は性も
従来の電解メッキによるものと同様で良好であった０な
お、Ｑ不良発生メカニズムは現在詳細に検討中であるが
、電解メッキ時に電解をかけた際に、内部電極と外部電
極との界面にＡｑ電極中を通過し浸透したメッキ液成分
が析出するものと考えられる０ 発明の効果 以上のように本発明の方法によれば、半田耐熱性および
半田付は性を低下させることなく、Ｑ不良発生率を０に
することができ、産業上非常に有効なものである。
第１図は本発明の詳細な説明するだめの積層セラミック
コンデンサ素子の断面図、第２図は本発明方法により得
られた積層セラミックコンデンサの断面図である。 １・・・・・・積層セラミックコンデンサ素子、３・・
・・・・Ａｑ電極、４・・・・・・Ｎｉ メッキ層、
５・・・・・・Ｓｎまたは５ｎ−Ｐｂメッキ層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図
コンデンサ素子の断面図、第２図は本発明方法により得
られた積層セラミックコンデンサの断面図である。 １・・・・・・積層セラミックコンデンサ素子、３・・
・・・・Ａｑ電極、４・・・・・・Ｎｉ メッキ層、
５・・・・・・Ｓｎまたは５ｎ−Ｐｂメッキ層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図
Claims (1)
- 積層セラミックコンデンサ素子の端部にＡｑ電極を塗布
し、焼付けた後、無電解Ｐｄ メッキして活性化し、そ
の後無電解Ｎｉ メッキを行って置換した後、無電解
または電解によるＳｎ メッキか５ｎ−ｐｂ メッキを
行うことを特徴とする積層セラミックコンデンサの電極
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164641A JPS5952827A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 積層セラミツクコンデンサの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164641A JPS5952827A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 積層セラミツクコンデンサの電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952827A true JPS5952827A (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=15797043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57164641A Pending JPS5952827A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 積層セラミツクコンデンサの電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952827A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62101014A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | 株式会社村田製作所 | セラミツクコンデンサ |
| JP2013084875A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
| JP2020061468A (ja) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその実装構造 |
-
1982
- 1982-09-20 JP JP57164641A patent/JPS5952827A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62101014A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | 株式会社村田製作所 | セラミツクコンデンサ |
| JP2013084875A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
| JP2017163168A (ja) * | 2011-10-06 | 2017-09-14 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
| JP2020061468A (ja) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその実装構造 |
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