JPS5954056A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
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- JPS5954056A JPS5954056A JP16588282A JP16588282A JPS5954056A JP S5954056 A JPS5954056 A JP S5954056A JP 16588282 A JP16588282 A JP 16588282A JP 16588282 A JP16588282 A JP 16588282A JP S5954056 A JPS5954056 A JP S5954056A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- refractive index
- rotation angle
- rare earth
- thickness
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は情報の記録・再生・消去が可能なメモリ素子と
して期待される磁気光学記憶素子に関する０ 〈従来技術〉 従来、磁気光学記憶素子をメモリ素子として用いた場合
の難点の一つは再生信号レベルが低いことであった。特
に磁気光学記憶素子にレーザ光を照射しその反射光によ
って情報の再生を行なう所謂カー効果再生方式では、一
般的にカー回転角が小さいので信号雑音比（Ｓ／Ｎ）を
高める事が困難であった０その為従来では記憶媒体であ
る磁性材料の改良を行なったシ、記憶媒体上にＳｉＯや
５ｉ（ｈの誘電体膜を形成してカー回転角を高める工夫
をしていた。
して期待される磁気光学記憶素子に関する０ 〈従来技術〉 従来、磁気光学記憶素子をメモリ素子として用いた場合
の難点の一つは再生信号レベルが低いことであった。特
に磁気光学記憶素子にレーザ光を照射しその反射光によ
って情報の再生を行なう所謂カー効果再生方式では、一
般的にカー回転角が小さいので信号雑音比（Ｓ／Ｎ）を
高める事が困難であった０その為従来では記憶媒体であ
る磁性材料の改良を行なったシ、記憶媒体上にＳｉＯや
５ｉ（ｈの誘電体膜を形成してカー回転角を高める工夫
をしていた。
又この手法とけ別にカー効果再生方式の磁気光学記憶素
子において、記録媒体の背後に反射膜を形成することに
よって見かけのカー回転角を向上させる手法を出願人は
提案（特願昭５５−８５６９５）している。この構造を
反射膜構造という。
子において、記録媒体の背後に反射膜を形成することに
よって見かけのカー回転角を向上させる手法を出願人は
提案（特願昭５５−８５６９５）している。この構造を
反射膜構造という。
この構造の特徴は記録媒体面で反射されたレーザ光と記
録媒体を透過し次に反射膜にて反射されたレーザ光が合
成される為に上記反射膜が存在しない構造体に比べて見
かけのカー回転角が大きく向上することである。この場
合カー回転角の増大率は使用するレーザ光の波長、磁性
体膜の種類及び膜厚、反射膜の膜厚等によって変化する
ことが盈認されている。
録媒体を透過し次に反射膜にて反射されたレーザ光が合
成される為に上記反射膜が存在しない構造体に比べて見
かけのカー回転角が大きく向上することである。この場
合カー回転角の増大率は使用するレーザ光の波長、磁性
体膜の種類及び膜厚、反射膜の膜厚等によって変化する
ことが盈認されている。
第１図に示すものは出願人が既に提案している反射膜構
造の磁気光学記憶素子の一例である。１はガラス等の基
板、２はＧ ｄ Ｔ ｂ Ｆ ｅ非晶質薄膜、３はＳｉ
Ｏ２透明膜、４はＣｕ金属膜である。この構造体におい
て５ｉＯｚ透明膜３の膜厚を変化させるとカー回転角が
大きく変化することを確認している。第２図はレーザ光
の波長を６３２．８ｎｒｎとし、上記ＳｉＯ２透明膜３
の膜厚を変化した時のカー回転角の変化する様子を示し
たグラフ図である。同図のカー回転角とＳｉＯ２透明膜
３及びＣｕ金属膜４が無い時のカー回転角０．２７°と
を比較すればＣｕ金属膜４及び５ｉＯｚ透明膜３の存在
の重要性が判る。又、５ｊＯ２透明膜３が無い場合のカ
ー回転角は他の条件（磁性体膜厚、反射膜膜厚等）を変
えても最大で０．５°であるから５ｉ（ｈ透明膜３の膜
厚を適度に調整すればカー回転角を大きく増加させるこ
とができるということも同図からよく判る。
造の磁気光学記憶素子の一例である。１はガラス等の基
板、２はＧ ｄ Ｔ ｂ Ｆ ｅ非晶質薄膜、３はＳｉ
Ｏ２透明膜、４はＣｕ金属膜である。この構造体におい
て５ｉＯｚ透明膜３の膜厚を変化させるとカー回転角が
大きく変化することを確認している。第２図はレーザ光
の波長を６３２．８ｎｒｎとし、上記ＳｉＯ２透明膜３
の膜厚を変化した時のカー回転角の変化する様子を示し
たグラフ図である。同図のカー回転角とＳｉＯ２透明膜
３及びＣｕ金属膜４が無い時のカー回転角０．２７°と
を比較すればＣｕ金属膜４及び５ｉＯｚ透明膜３の存在
の重要性が判る。又、５ｊＯ２透明膜３が無い場合のカ
ー回転角は他の条件（磁性体膜厚、反射膜膜厚等）を変
えても最大で０．５°であるから５ｉ（ｈ透明膜３の膜
厚を適度に調整すればカー回転角を大きく増加させるこ
とができるということも同図からよく判る。
〈目的〉
本発明は以上の従来技術を踏まえて反射膜構造の磁気光
学記憶素子のより優れた構成を得ることを目的とする。
学記憶素子のより優れた構成を得ることを目的とする。
〈実施例〉
第３図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の構
成説明図である。同図で５は空気でありこの部分にガラ
ス基板が配されてもよい。６Ｉ−ｉＧｄＴｂＦｅ、Ｇｄ
ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＦｅ 。
成説明図である。同図で５は空気でありこの部分にガラ
ス基板が配されてもよい。６Ｉ−ｉＧｄＴｂＦｅ、Ｇｄ
ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＦｅ 。
１）ｙＦｅＣｏＳｎ等の希土類−遷移金属系非晶質薄膜
であシこの薄膜６は３０ｎｍ以下の膜厚、例えば１５ｎ
ｍの膜厚を備える。この程度の膜厚であれば入射レーザ
光が薄膜６を通過でき、上述したカー回転角の増大の効
果を得ることができる。７は金属膜からなる反射膜若し
くはＳ １０ ＋ Ｓ ｉ０２ ＋ ＭｇＦ２＋５ｉ３
１’Ｌ ＋ Ｔａ２０５ ＋ Ｔｉ０ｚ ＋ Ｃｅ０２
Ｔ Ｚｒ０ｚ ＋Ａｔ２０３等の透明膜とその下面にＣ
ｕ＋ Ａ ｇ ＋ Ａ ｕ＋Ａｔ等の金属膜とが層設さ
れてなる反射膜であって、この反射膜７の屈折率（上述
した様に透明膜と金属膜とが層設される場合は仮想屈折
率）の実数部ＡはＯ（Ａ≦０．５、虚数部Ｂは０≧Ｂ≧
−１，５の値含有する。
であシこの薄膜６は３０ｎｍ以下の膜厚、例えば１５ｎ
ｍの膜厚を備える。この程度の膜厚であれば入射レーザ
光が薄膜６を通過でき、上述したカー回転角の増大の効
果を得ることができる。７は金属膜からなる反射膜若し
くはＳ １０ ＋ Ｓ ｉ０２ ＋ ＭｇＦ２＋５ｉ３
１’Ｌ ＋ Ｔａ２０５ ＋ Ｔｉ０ｚ ＋ Ｃｅ０２
Ｔ Ｚｒ０ｚ ＋Ａｔ２０３等の透明膜とその下面にＣ
ｕ＋ Ａ ｇ ＋ Ａ ｕ＋Ａｔ等の金属膜とが層設さ
れてなる反射膜であって、この反射膜７の屈折率（上述
した様に透明膜と金属膜とが層設される場合は仮想屈折
率）の実数部ＡはＯ（Ａ≦０．５、虚数部Ｂは０≧Ｂ≧
−１，５の値含有する。
次に上記反射膜７の屈折率の適切な値が如何程かを理論
的に解明する。空気５の屈折率をｎ。、希土類−遷移金
属薄膜６の屈折率をｎｌ、反射膜７の屈折率をｎ２とす
る。ここで希土類−遷移金属薄膜６の屈折率ｎ１はその
膜の磁化の状態によって右まわりの円偏光と左まわシの
円偏光とで屈折率が相違する。上記一方の屈折率をｎ１
＋、他方の屈折率をｎｌ−とする。この時空気５と希土
類−金属箱膜６内部で干渉しその後界面Ａから表出する
左右の両日偏光をＲ”ｌＲ−とすれば、で表わされる。
的に解明する。空気５の屈折率をｎ。、希土類−遷移金
属薄膜６の屈折率をｎｌ、反射膜７の屈折率をｎ２とす
る。ここで希土類−遷移金属薄膜６の屈折率ｎ１はその
膜の磁化の状態によって右まわりの円偏光と左まわシの
円偏光とで屈折率が相違する。上記一方の屈折率をｎ１
＋、他方の屈折率をｎｌ−とする。この時空気５と希土
類−金属箱膜６内部で干渉しその後界面Ａから表出する
左右の両日偏光をＲ”ｌＲ−とすれば、で表わされる。
但しδ１＝４π旧＋ｄ／λ、δ−＝４π４λ゛、 （３
：磁性膜の膜厚、λ：光の波長である。
：磁性膜の膜厚、λ：光の波長である。
膜面に垂直に直線偏光が入射した場合光の進行方向をＺ
軸、振動面をＸ−２＋面にとると界面Ａから表出する左
右の両日偏光のｘ＋ｙ方向成分Ｒ＋ ）である。ここで
θｘ＝ａｒｇ（Ｒｘ）、θｙ＝ａｒｇ（Ｒｙ）と置けば
カー回転角αは次の式にて表わされる。
軸、振動面をＸ−２＋面にとると界面Ａから表出する左
右の両日偏光のｘ＋ｙ方向成分Ｒ＋ ）である。ここで
θｘ＝ａｒｇ（Ｒｘ）、θｙ＝ａｒｇ（Ｒｙ）と置けば
カー回転角αは次の式にて表わされる。
このカー回転角αの数式に次の各数値を代入する事によ
って反射膜の屈折率に対するカー回転角の変化の状態を
調べだ。希土類−遷移金属膜６はＧｄＴｂＦｅ磁性体膜
としてその屈折率的 は入射レーザ光の波長が６３２８
Ａの時、旧＝ｎｌ±δｎ（ｎ、＝２．３二３．Ｏｌ＋δ
ｎ＝−（０，０５−０，０２ｔ ） ）としだ。上記旧
は磁性体膜の左右の円偏光に対する屈折率平均値、δｎ
は左右の円偏光に対する上記屈折率平均値からのずれを
示す。そして上記希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄを３０
ｎｍと１５ｎｍとして人々の膜厚ｄについて調べた。以
上の各数値を用いて上記カー回転角αの数式より第４図
に示すグラフを得た。同図（ａ）は希土類−遷移金属膜
６の膜厚ｄが３０ｎｍの時のグラフであシ同図（ｂ）は
希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが１５ｎｍの時のグラフ
である。同図に示すものは言わば反射膜の屈折率に関す
るカー回転角の等高線である。横軸が屈折率の実数部、
縦軸が屈折率の虚数部である。
って反射膜の屈折率に対するカー回転角の変化の状態を
調べだ。希土類−遷移金属膜６はＧｄＴｂＦｅ磁性体膜
としてその屈折率的 は入射レーザ光の波長が６３２８
Ａの時、旧＝ｎｌ±δｎ（ｎ、＝２．３二３．Ｏｌ＋δ
ｎ＝−（０，０５−０，０２ｔ ） ）としだ。上記旧
は磁性体膜の左右の円偏光に対する屈折率平均値、δｎ
は左右の円偏光に対する上記屈折率平均値からのずれを
示す。そして上記希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄを３０
ｎｍと１５ｎｍとして人々の膜厚ｄについて調べた。以
上の各数値を用いて上記カー回転角αの数式より第４図
に示すグラフを得た。同図（ａ）は希土類−遷移金属膜
６の膜厚ｄが３０ｎｍの時のグラフであシ同図（ｂ）は
希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが１５ｎｍの時のグラフ
である。同図に示すものは言わば反射膜の屈折率に関す
るカー回転角の等高線である。横軸が屈折率の実数部、
縦軸が屈折率の虚数部である。
同図から希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが３０ｎｍの時
は反射膜７の屈折率ｎ２の実数部ＡがＯ＜Ａｓ２，５、
虚数部Ｂが０≧Ｂ≧−３の時にカー回転角が最も大きく
、希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが１５ｎｍの時は反射
膜７の屈折率ｎ２の実数部ＡがＯ＜Ａｓ２．３、虚数部
Ｂが０．２≧Ｂ≧−０，８の時にカー回転角が最も大き
い事が判る。これらの第４図に図示した結果及び他の図
示しない結果から希土類−遷移金属膜６の膜厚が略３０
ｎｍ以下の時においては上記反射膜の屈折率は実数部Ａ
がＯ〈Ａｓ２，５、虚数部Ｂが０≧Ｂ≧−１，５の時に
実用上満足し得るカー回転角が得られる事が判明した０ さて一般的な金属膜、例えばスパッタリングによって形
成されだＣｕ膜の屈折率は大体０．２５−３．１１であ
って、その値は上記結論として得られた反射膜の好まし
い屈折率の範囲内に存在しない場合が多い。乙の様な場
合は次の手法によって反射膜の屈折率を制御する事がで
きる。即ち金属膜の代わりに５ｉ０２等の透明誘電体膜
と金属膜とを層設してなる２層膜を反射膜とする事によ
って上記金属膜の屈折率を見かけ上大きく変化させる事
ができる。この見かけ上の屈折率をここでは仮想屈折率
と呼称する。例えば希土類−遷移金属膜６の裏面にＳｉ
Ｏ２透明誘電体膜とＣｕ膜とをこの順にて層設した構造
体の素子において、上記５ｉＯｚ透明誘電体膜の膜厚を
変化させた時の屈折率の変化（仮想屈折率の変化）を第
５図へに示す。第５図（ａ）はその一部拡大図である。
は反射膜７の屈折率ｎ２の実数部ＡがＯ＜Ａｓ２，５、
虚数部Ｂが０≧Ｂ≧−３の時にカー回転角が最も大きく
、希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが１５ｎｍの時は反射
膜７の屈折率ｎ２の実数部ＡがＯ＜Ａｓ２．３、虚数部
Ｂが０．２≧Ｂ≧−０，８の時にカー回転角が最も大き
い事が判る。これらの第４図に図示した結果及び他の図
示しない結果から希土類−遷移金属膜６の膜厚が略３０
ｎｍ以下の時においては上記反射膜の屈折率は実数部Ａ
がＯ〈Ａｓ２，５、虚数部Ｂが０≧Ｂ≧−１，５の時に
実用上満足し得るカー回転角が得られる事が判明した０ さて一般的な金属膜、例えばスパッタリングによって形
成されだＣｕ膜の屈折率は大体０．２５−３．１１であ
って、その値は上記結論として得られた反射膜の好まし
い屈折率の範囲内に存在しない場合が多い。乙の様な場
合は次の手法によって反射膜の屈折率を制御する事がで
きる。即ち金属膜の代わりに５ｉ０２等の透明誘電体膜
と金属膜とを層設してなる２層膜を反射膜とする事によ
って上記金属膜の屈折率を見かけ上大きく変化させる事
ができる。この見かけ上の屈折率をここでは仮想屈折率
と呼称する。例えば希土類−遷移金属膜６の裏面にＳｉ
Ｏ２透明誘電体膜とＣｕ膜とをこの順にて層設した構造
体の素子において、上記５ｉＯｚ透明誘電体膜の膜厚を
変化させた時の屈折率の変化（仮想屈折率の変化）を第
５図へに示す。第５図（ａ）はその一部拡大図である。
第５図（至）に示す様に５ｉ０２透明誘電体膜の膜厚が
Ｏｎｍ＋５０ｎｍ＋１００ｎｒｎ、１５’Ｏｎｍ＋２０
０ｎｍと増加していくにつれ屈折率の値は複素平面上で
円を描く。又第５図（（転）によれ［５ｉ０２透明誘電
体膜の膜厚が３０乃至６０ｎｍ程度で屈折率の値が０．
１−１．２ｉ乃至０．０５−０．３ｉ程度の値を占めて
おシ、５ｉ（ｈ透明誘電体膜の存在しない時即ちその膜
厚がＯｎｍの時の屈折率の値０．２５−３．１ｉから大
きく変化している。
Ｏｎｍ＋５０ｎｍ＋１００ｎｒｎ、１５’Ｏｎｍ＋２０
０ｎｍと増加していくにつれ屈折率の値は複素平面上で
円を描く。又第５図（（転）によれ［５ｉ０２透明誘電
体膜の膜厚が３０乃至６０ｎｍ程度で屈折率の値が０．
１−１．２ｉ乃至０．０５−０．３ｉ程度の値を占めて
おシ、５ｉ（ｈ透明誘電体膜の存在しない時即ちその膜
厚がＯｎｍの時の屈折率の値０．２５−３．１ｉから大
きく変化している。
そして反射膜の屈折率が上記した好ましい屈折率の範囲
内に移行している事が判る。
内に移行している事が判る。
因に原理上、屈折率ｎ′の膜上に屈折率ｎ・の透明Ｃｕ
膜との２層膜に限らず、反射膜の仮想屈折率を制御する
為の透明誘電体膜としてはＭｇＦ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜、
Ｔａ２０５膜、ＴｉＣｈ膜、 ＣｅＯ２膜。
膜との２層膜に限らず、反射膜の仮想屈折率を制御する
為の透明誘電体膜としてはＭｇＦ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜、
Ｔａ２０５膜、ＴｉＣｈ膜、 ＣｅＯ２膜。
Ｚ ｒＯｚ膜、Ａｔ２０３膜等が使用でき、又金属膜と
してはＭｇＦｚ ＋ Ｓｉ３Ｎ４＋ ＴａｚＯｓ ＋
Ｔｉ０ｚ ＋ Ｃｅ０ｚ ＋Ｚ ｒｏ２．ＡＡｚ ０３
等が使用できる。
してはＭｇＦｚ ＋ Ｓｉ３Ｎ４＋ ＴａｚＯｓ ＋
Ｔｉ０ｚ ＋ Ｃｅ０ｚ ＋Ｚ ｒｏ２．ＡＡｚ ０３
等が使用できる。
以上の様にして反射膜の構造を変化させる事でその屈折
計制御し得、その制御によって実用上満足し得るカー回
転角を得る事が判明した。
計制御し得、その制御によって実用上満足し得るカー回
転角を得る事が判明した。
磁気光学記憶素子を用いた場合読出信号の大きさの目安
と々るものは反射率をＲ，カー回転角をαとしてＲα２
である。従って上記読出信号の大きさは殆どカー回転角
αの大きさＫよって左右される。実験によれば上記反射
率Ｒの値はカー回転角αの大きくなる領域で逆に小さく
なるものであるが、上記読出信号の大きさはカー回転角
αの値による影響が強いので上記読出信号の大なる範囲
はカー回転角の大なる範囲と略一致する。
と々るものは反射率をＲ，カー回転角をαとしてＲα２
である。従って上記読出信号の大きさは殆どカー回転角
αの大きさＫよって左右される。実験によれば上記反射
率Ｒの値はカー回転角αの大きくなる領域で逆に小さく
なるものであるが、上記読出信号の大きさはカー回転角
αの値による影響が強いので上記読出信号の大なる範囲
はカー回転角の大なる範囲と略一致する。
例えば希土類−遷移金属膜の膜厚ｄが１５ｎｍ＋反射膜
の屈折率ｎ２が０．２−０．４ｉの時反射率Ｒは０．２
２ 、カー回転角αは０．６２°であシＲα２は約０．
０８５である。一方希土類一遷移金属膜の膜厚ｄが１１
００ｎと比較的に厚く反射膜効果がない時の反射率Ｒｖ
よ０．５４．カー回転角αは０．２１゜であｆｉＲα２
は約０．０２４である。以上の様に反射膜の効果がある
場合は読出信号が非常に大きいことが判る。そしてその
祐果カー回転角が大きい程よい事が判る。
の屈折率ｎ２が０．２−０．４ｉの時反射率Ｒは０．２
２ 、カー回転角αは０．６２°であシＲα２は約０．
０８５である。一方希土類一遷移金属膜の膜厚ｄが１１
００ｎと比較的に厚く反射膜効果がない時の反射率Ｒｖ
よ０．５４．カー回転角αは０．２１゜であｆｉＲα２
は約０．０２４である。以上の様に反射膜の効果がある
場合は読出信号が非常に大きいことが判る。そしてその
祐果カー回転角が大きい程よい事が判る。
又、磁気光学記憶素子を用いた場合記録感度は希土類−
遷移金属膜の吸収率によって左右される。
遷移金属膜の吸収率によって左右される。
そしてこの吸収率の観点からすれば希土類−遷移金属膜
の膜厚を薄く且つ反射膜構造とした方が吸収率が大きい
。例えば希土類−遷移金属膜の膜厚ｄが１５ｎｒｎｓ反
射膜の屈折率ｈ２が０．２−０．４ｉの時は希土類−遷
移金属膜には入射光の７２％が吸収される。一方希土類
一遷移金属膜の膜厚ｄが１００ｍｍと比較的に厚く反射
膜効果がない時は希土類−遷移金属膜には入射光の４６
％だけが吸収されるのみである。以上の様に記録感度の
点においても反射膜構造の素子が優れている事が判る。
の膜厚を薄く且つ反射膜構造とした方が吸収率が大きい
。例えば希土類−遷移金属膜の膜厚ｄが１５ｎｒｎｓ反
射膜の屈折率ｈ２が０．２−０．４ｉの時は希土類−遷
移金属膜には入射光の７２％が吸収される。一方希土類
一遷移金属膜の膜厚ｄが１００ｍｍと比較的に厚く反射
膜効果がない時は希土類−遷移金属膜には入射光の４６
％だけが吸収されるのみである。以上の様に記録感度の
点においても反射膜構造の素子が優れている事が判る。
〈効果〉
以上詳細に説明した如く本発明の磁気光学記憶素子はカ
ー回転角を大きくする事ができその事によって読出信号
を大きくする事ができる。更に本発明の磁気光学記憶素
子は吸収率についても大きいので記録感度を優れたもの
とする事ができる０
ー回転角を大きくする事ができその事によって読出信号
を大きくする事ができる。更に本発明の磁気光学記憶素
子は吸収率についても大きいので記録感度を優れたもの
とする事ができる０
第１図は反射膜構造の磁気光学記憶素子の構成説明図、
第２図はそのカー回転角の特性のグラフ図、第３図は本
発明に係る磁気光学記憶素子の構成説明図、第４図はそ
の反射膜の屈折率に対するカー回転角の特性のグラフ図
、第５図はＳｉＯ□透明誘電体膜の膜厚を変化させた時
の仮想屈折率の変化を示すグラフ図である。 図中、１：基板 ２ ： ＧｄＴｂＦｅ非晶質薄膜３
：５ｉ（ｈ透明膜 ４ ： Ｃｕ金属膜 ５：空気
６；希土類−遷移金属系非品薄膜 ７：反射膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）Ｕ） 賊 寸 減
第２図はそのカー回転角の特性のグラフ図、第３図は本
発明に係る磁気光学記憶素子の構成説明図、第４図はそ
の反射膜の屈折率に対するカー回転角の特性のグラフ図
、第５図はＳｉＯ□透明誘電体膜の膜厚を変化させた時
の仮想屈折率の変化を示すグラフ図である。 図中、１：基板 ２ ： ＧｄＴｂＦｅ非晶質薄膜３
：５ｉ（ｈ透明膜 ４ ： Ｃｕ金属膜 ５：空気
６；希土類−遷移金属系非品薄膜 ７：反射膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）Ｕ） 賊 寸 減
Claims (1)
- １、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類−遷
移金属系非晶質磁性体薄膜の膜厚を３０ｎｍ程度以下と
し、前記磁性体薄膜の裏面に反射膜を設は該反射膜の屈
折率（仮想屈折率を含む）の実数部ＡをＯ＜Ａ≦０，５
、虚数部ＢをＯ≧Ｂ≧−１，５とした事を特徴とする磁
気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16588282A JPS5954056A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16588282A JPS5954056A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 磁気光学記憶素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3211841A Division JP2908911B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954056A true JPS5954056A (ja) | 1984-03-28 |
| JPH0479075B2 JPH0479075B2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=15820764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16588282A Granted JPS5954056A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954056A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4743502A (en) * | 1985-07-10 | 1988-05-10 | Mitsubishi Chemical Industries Limited | Magneto-optical medium |
| JPH01116942A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 磁気カー回転角の増大方法および磁気カー効果材料 |
| US4956243A (en) * | 1986-01-31 | 1990-09-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory element |
| JPH056587A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| US5521006A (en) * | 1992-10-29 | 1996-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
| EP0598377A3 (en) * | 1992-11-17 | 1996-08-21 | Mitsubishi Chem Ind | Magneto-optical recording medium and optical information recording and reading-out method. |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712428A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-22 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS5727494A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-13 | Sharp Corp | Magneto-optical storage element |
| JPS57120253A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-27 | Sharp Corp | Magnetooptical storage elemen |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP16588282A patent/JPS5954056A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712428A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-22 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
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| US4743502A (en) * | 1985-07-10 | 1988-05-10 | Mitsubishi Chemical Industries Limited | Magneto-optical medium |
| US4956243A (en) * | 1986-01-31 | 1990-09-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory element |
| JPH01116942A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 磁気カー回転角の増大方法および磁気カー効果材料 |
| JPH056587A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-01-14 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
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| EP0598377A3 (en) * | 1992-11-17 | 1996-08-21 | Mitsubishi Chem Ind | Magneto-optical recording medium and optical information recording and reading-out method. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0479075B2 (ja) | 1992-12-14 |
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