JPH056587A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
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- JPH056587A JPH056587A JP21184191A JP21184191A JPH056587A JP H056587 A JPH056587 A JP H056587A JP 21184191 A JP21184191 A JP 21184191A JP 21184191 A JP21184191 A JP 21184191A JP H056587 A JPH056587 A JP H056587A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 充分に大きなカー回転角を得ることのできる
磁気光学記憶素子を提供することを目的とする。 【構成】 基板上に、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有する希土類−遷移金属系非晶質磁性体薄膜と、透明誘
電体膜と反射膜とを形成し、透明誘電体膜の膜厚を３０
ｎｍ〜６０ｎｍ程度とし、透明誘電体膜と反射膜との仮
想屈折率の実数部Ａを０＜Ａ≦０．５、虚数部Ｂを０≧
Ｂ≧−１．５とする。
磁気光学記憶素子を提供することを目的とする。 【構成】 基板上に、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有する希土類−遷移金属系非晶質磁性体薄膜と、透明誘
電体膜と反射膜とを形成し、透明誘電体膜の膜厚を３０
ｎｍ〜６０ｎｍ程度とし、透明誘電体膜と反射膜との仮
想屈折率の実数部Ａを０＜Ａ≦０．５、虚数部Ｂを０≧
Ｂ≧−１．５とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は情報の記録・再生・消去
が可能な磁気光学記憶素子に関する。
が可能な磁気光学記憶素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気光学記憶素子をメモリ素子と
して用いた場合の難点の一つは再生信号レベルが低いこ
とであった。特に、磁気光学記憶素子にレーザ光を照射
してその反射光によって情報の再生を行ういわゆるカー
効果再生方式では、一般的にカー回転角が小さいので信
号雑音比（Ｓ／Ｎ）を高める事が困難であった。その
為、従来では記録媒体である磁性材料の改良を行なった
り、記録媒体上にＳｉＯやＳｉＯ2 の誘電体膜を形成し
てカー回転角を高める工夫をしていた。
して用いた場合の難点の一つは再生信号レベルが低いこ
とであった。特に、磁気光学記憶素子にレーザ光を照射
してその反射光によって情報の再生を行ういわゆるカー
効果再生方式では、一般的にカー回転角が小さいので信
号雑音比（Ｓ／Ｎ）を高める事が困難であった。その
為、従来では記録媒体である磁性材料の改良を行なった
り、記録媒体上にＳｉＯやＳｉＯ2 の誘電体膜を形成し
てカー回転角を高める工夫をしていた。
【０００３】又この手法とは別にカー効果再生方式の磁
気光学記憶素子において、記録媒体の背後に反射膜を形
成することによって見かけのカー回転角を向上させる手
法を出願人は提案（特願昭５５−８５６９５）してい
る。この構造を反射膜構造という。
気光学記憶素子において、記録媒体の背後に反射膜を形
成することによって見かけのカー回転角を向上させる手
法を出願人は提案（特願昭５５−８５６９５）してい
る。この構造を反射膜構造という。
【０００４】この構造の特徴は記録媒体面で反射された
レーザ光と記録媒体を透過し次に反射膜にて反射された
レーザ光が合成される為に上記反射膜が存在しない構造
体に比べて見かけのカー回転角が大きく向上することで
ある。
レーザ光と記録媒体を透過し次に反射膜にて反射された
レーザ光が合成される為に上記反射膜が存在しない構造
体に比べて見かけのカー回転角が大きく向上することで
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の反射
膜構造ではカー回転角の増大率が使用するレーザ光の波
長，磁性体膜の種類及び膜厚、反射膜の膜厚等によって
変化する上に、この構造でもなお充分な大きさのカー回
転角が得られないという問題があった。
膜構造ではカー回転角の増大率が使用するレーザ光の波
長，磁性体膜の種類及び膜厚、反射膜の膜厚等によって
変化する上に、この構造でもなお充分な大きさのカー回
転角が得られないという問題があった。
【０００６】そこで本発明の目的は充分な大きさのカー
回転角を得ることのできる磁気光学記憶素子を提供する
ことにある。
回転角を得ることのできる磁気光学記憶素子を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は基板と、３０ｎｍ程度以下の膜厚を有す
る、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類−遷
移金属系非晶磁性体薄膜と、透明誘電体膜と、反射膜と
を備え、前記透明誘電体膜の膜厚を３０ｎｍ乃至６０ｎ
ｍ程度とし、該透明誘電体膜と前記反射膜との仮想屈折
率の実数部Ａを０＜Ａ≦０．５、虚数部Ｂを０≧Ｂ≧−
０．５としたことを特徴とする磁気光学記憶素子であ
る。
めに、本発明は基板と、３０ｎｍ程度以下の膜厚を有す
る、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類−遷
移金属系非晶磁性体薄膜と、透明誘電体膜と、反射膜と
を備え、前記透明誘電体膜の膜厚を３０ｎｍ乃至６０ｎ
ｍ程度とし、該透明誘電体膜と前記反射膜との仮想屈折
率の実数部Ａを０＜Ａ≦０．５、虚数部Ｂを０≧Ｂ≧−
０．５としたことを特徴とする磁気光学記憶素子であ
る。
【０００８】
【作用】図１に本発明に係る反射膜構造の磁気光学記憶
素子の一実施例を示す。１はガラス等の基板、２はＧｄ
ＴｂＦｅ非晶質薄膜、３はＳｉＯ2 透明膜、４はＣｕ金
属膜である。この構造体においてＳｉＯ2 透明膜３の膜
厚を変化させるとカー回転角が大きく変化することを確
認している。図２はレーザ光の波長を６３２８ｎｍと
し、上記ＳｉＯ2 透明膜３の膜厚を変化した時のカー回
転角の変化する様子を示したグラフ図である。同図のカ
ー回転角とＳｉＯ2 透明膜３及びＣｕ金属膜４が無い時
のカー回転角０．２７°とを比較すればＣｕ金属膜４及
びＳｉＯ2 透明膜３の存在の重要性が判る。又、ＳｉＯ
2 透明膜３が無い場合のカー回転角は他の条件（磁性体
膜厚，反射膜膜厚等）を変えても最大で０．５°である
からＳｉＯ2 透明膜３の膜厚を適度に調整すればカー回
転角を大きく増加させることができるということも同図
からよく判る。
素子の一実施例を示す。１はガラス等の基板、２はＧｄ
ＴｂＦｅ非晶質薄膜、３はＳｉＯ2 透明膜、４はＣｕ金
属膜である。この構造体においてＳｉＯ2 透明膜３の膜
厚を変化させるとカー回転角が大きく変化することを確
認している。図２はレーザ光の波長を６３２８ｎｍと
し、上記ＳｉＯ2 透明膜３の膜厚を変化した時のカー回
転角の変化する様子を示したグラフ図である。同図のカ
ー回転角とＳｉＯ2 透明膜３及びＣｕ金属膜４が無い時
のカー回転角０．２７°とを比較すればＣｕ金属膜４及
びＳｉＯ2 透明膜３の存在の重要性が判る。又、ＳｉＯ
2 透明膜３が無い場合のカー回転角は他の条件（磁性体
膜厚，反射膜膜厚等）を変えても最大で０．５°である
からＳｉＯ2 透明膜３の膜厚を適度に調整すればカー回
転角を大きく増加させることができるということも同図
からよく判る。
【０００９】
【実施例】図３に本発明に係る磁気光学記憶素子の構成
説明図を示す。同図で５は空気でありこの部分にガラス
基板が配されてもよい。６はＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＤ
ｙＦｅ，ＴｂＤｙＦｅ，ＴｄＦｅ，ＤｙＦｅＣｏＳｎ等
の希土類−遷移金属系非晶質薄膜でありこの薄膜６は３
０ｎｍ以下の膜厚、例えば１５ｎｍの膜厚を備える。こ
の程度の膜厚であれば入射レーザ光が薄膜６を通過で
き、上述したカー回転角の増大の効果を得ることができ
る。７は金属膜からなる反射膜若しくはＳｉＯ，ＳｉＯ
2 ，ＭｇＦ2 ，Ｓｉ3Ｎ4 ,Ｔａ2Ｏ5 ，ＴｉＯ2 ,ＣｅＯ
2，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2Ｏ3 等の透明膜とその下面にＣｕ，
Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ等の金属膜とが層設されてなる反射膜
であって、この反射膜７の屈折率（上述した様に透明膜
と金属膜とが層設される場合は仮想屈折率）の実数部Ａ
は０＜Ａ≦０．５、虚数部Ｂは０≧Ｂ≧−１．５の値を
有する。
説明図を示す。同図で５は空気でありこの部分にガラス
基板が配されてもよい。６はＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＴｂＤ
ｙＦｅ，ＴｂＤｙＦｅ，ＴｄＦｅ，ＤｙＦｅＣｏＳｎ等
の希土類−遷移金属系非晶質薄膜でありこの薄膜６は３
０ｎｍ以下の膜厚、例えば１５ｎｍの膜厚を備える。こ
の程度の膜厚であれば入射レーザ光が薄膜６を通過で
き、上述したカー回転角の増大の効果を得ることができ
る。７は金属膜からなる反射膜若しくはＳｉＯ，ＳｉＯ
2 ，ＭｇＦ2 ，Ｓｉ3Ｎ4 ,Ｔａ2Ｏ5 ，ＴｉＯ2 ,ＣｅＯ
2，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2Ｏ3 等の透明膜とその下面にＣｕ，
Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ等の金属膜とが層設されてなる反射膜
であって、この反射膜７の屈折率（上述した様に透明膜
と金属膜とが層設される場合は仮想屈折率）の実数部Ａ
は０＜Ａ≦０．５、虚数部Ｂは０≧Ｂ≧−１．５の値を
有する。
【００１０】次に上記反射膜７の屈折率の適切な値が如
何程かを理論的に解明する。空気５の屈折率をｎ0 、反
射膜７の屈折率をｎ2 とする。ここで希土類−遷移金属
薄膜６の屈折率ｎ1 はその膜の磁化の状態によって右回
りの円偏光と左回りの円偏光とで屈折率が相違する。上
記一方の屈折率をｎ1 + ，他方の屈折率をｎ1 - とする。
この時空気５と希土類−遷移金属薄膜６との界面Ａでの
左右の両円偏光の反射率ｒ1 + ，ｒ1 - は数１で表され
る。
何程かを理論的に解明する。空気５の屈折率をｎ0 、反
射膜７の屈折率をｎ2 とする。ここで希土類−遷移金属
薄膜６の屈折率ｎ1 はその膜の磁化の状態によって右回
りの円偏光と左回りの円偏光とで屈折率が相違する。上
記一方の屈折率をｎ1 + ，他方の屈折率をｎ1 - とする。
この時空気５と希土類−遷移金属薄膜６との界面Ａでの
左右の両円偏光の反射率ｒ1 + ，ｒ1 - は数１で表され
る。
【００１１】
【数１】
【００１２】又希土類−遷移金属薄膜６と反射膜７との
界面Ｂでの左右の両円偏光の反射率ｒ2 + ，ｒ2 - は数２
で表される。
界面Ｂでの左右の両円偏光の反射率ｒ2 + ，ｒ2 - は数２
で表される。
【００１３】
【数２】
【００１４】これより希土類−遷移金属薄膜６内部で干
渉しその後界面Ａから表出する左右の両円偏向Ｒ+ ，Ｒ
- は数３となる。
渉しその後界面Ａから表出する左右の両円偏向Ｒ+ ，Ｒ
- は数３となる。
【００１５】
【数３】
【００１６】但しδ+ ＝４πｎ1 +ｄ／λ ，δ-＝４πｎ
1 -ｄ／λ ,ｄ：磁性膜の膜厚、λ：光の波長である。
1 -ｄ／λ ,ｄ：磁性膜の膜厚、λ：光の波長である。
【００１７】膜面に垂直に直線偏光が入射した場合光の
進行方向をＺ軸、振動面をＸ−Ｚ平面にとると界面Ａか
ら表出する左右の両円偏光のｘ，ｙ方向成分Ｒｘ，Ｒｙ
は数４である。
進行方向をＺ軸、振動面をＸ−Ｚ平面にとると界面Ａか
ら表出する左右の両円偏光のｘ，ｙ方向成分Ｒｘ，Ｒｙ
は数４である。
【００１８】
【数４】
【００１９】ここでθｘ＝ａｒｇ（Ｒｘ）、θｙ＝ａｒ
ｇ（Ｒｙ）と置けばカー回転角αは数５にて表される。
ｇ（Ｒｙ）と置けばカー回転角αは数５にて表される。
【００２０】
【数５】
【００２１】このカー回転角α の数式に次の各数値を
代入する事によって反射膜の屈折率に対するカー回転角
の変化の状態を調べた。希土類−遷移金属膜６はＧｄＴ
ｂＦｅ磁性体膜としてその屈折率ｎ1 +、ｎ1 -は入射レー
ザ光の波長が６３２８Åの時数６とした。
代入する事によって反射膜の屈折率に対するカー回転角
の変化の状態を調べた。希土類−遷移金属膜６はＧｄＴ
ｂＦｅ磁性体膜としてその屈折率ｎ1 +、ｎ1 -は入射レー
ザ光の波長が６３２８Åの時数６とした。
【００２２】
【数６】
【００２３】上記ｎ1は磁性体膜の左右の円偏光に対す
る屈折率平均値、δｎは左右の円偏光に対する上記屈折
率平均値からのずれを示す。そして上記希土類−遷移金
属膜６の膜厚ｄを３０ｎｍと１５ｎｍとして夫々の膜厚
ｄについて調べた。以上の各数値を用いて上記カー回転
角αの数式より図４に示すグラフを得た。同図（ａ）は
希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが３０ｎｍの時のグラフ
であり同図（ｂ）は希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが１
５ｎｍの時のグラフである。同図に示すものは言わば反
射膜の屈折率に関するカー回転角の等高線である。横軸
が屈折率の実数部、縦軸が屈折率偶数部である。同図か
ら希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが３０ｎｍの時は反射
膜７の屈折率ｎ2 の実数部Ａが０＜Ａｌ≦０．５、虚数
部Ｂが０≧Ｂ≧−３の時にカー回転角が最も大きく、希
土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが１５ｎｍの時は反射膜７
の屈折率ｎ2 の実数部Ａが０＜Ａ≦０．３、虚数部Ｂが
０．２≧Ｂ≧−８の時にカー回転角が最も大きいことが
判る。これらの図４に図示した結果及び他の図示しない
結果から希土類−遷移金属膜６の膜厚が略３０ｎｍ以下
の時においては上記反射膜の屈折率は実数部Ａが０＜Ａ
≦０．５、虚数部Ｂが０≧Ｂ≧−１．５の時に実用上満
足し得るカー回転角が得られる事が判明した。 さて一
般的な金属膜、例えばスパッテリングによって形成され
たＣｕ膜の屈折率は大体０．２５−３．１ｉであって、
その値は上記結論として得られた反射膜の好ましい屈折
率の範囲内に存在しない場合が多い。この様な場合は次
の手法によって反射膜の屈折率を制御する事ができる。
即ち金属膜の代わりにＳｉＯ2等の透明誘電体膜と金属
膜とを層設してなる２層膜を反射膜とする事によって上
記金属膜の屈折率を見かけ上大きく変化させる事ができ
る。この見かけ上の屈折率をここでは仮想屈折率と呼称
する。例えば、希土類−遷移金属膜６の裏面にＳｉＯ2
透明誘電体膜とＣｕ膜とをこの順にて層設した構造体の
素子において、上記ＳｉＯ2透明誘電体膜の膜厚を変化
させた時の屈折率の変化（仮想屈折率の変化）を図５に
示す。図５（ａ）はその一部拡大図である。図５に示す
様にＳ2 時誘電体膜の膜厚が０ｎｍ，５０ｎｍ，１００
ｎｍ，１５０ｎｍ，２００ｎｍと増加していくにつれ屈
折率の値は複素平面上で円を描く。又図５（ａ）によれ
ばＳｉＯ2透明誘電体膜の膜厚が３０乃至６０ｎｍ程度
で屈折率の値が０．１−１．２ｉ乃至０．０５−０．３
ｉ程度の値を占めており、ＳｉＯ2透明誘電体膜の存在
しない時即ちその膜厚が０ｎｍの時の屈折率の値０．２
５−３．１ｉから大きく変化している。そして反射膜の
屈折率が上記した好ましい屈折率の範囲内に移行してい
る事が判る。
る屈折率平均値、δｎは左右の円偏光に対する上記屈折
率平均値からのずれを示す。そして上記希土類−遷移金
属膜６の膜厚ｄを３０ｎｍと１５ｎｍとして夫々の膜厚
ｄについて調べた。以上の各数値を用いて上記カー回転
角αの数式より図４に示すグラフを得た。同図（ａ）は
希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが３０ｎｍの時のグラフ
であり同図（ｂ）は希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが１
５ｎｍの時のグラフである。同図に示すものは言わば反
射膜の屈折率に関するカー回転角の等高線である。横軸
が屈折率の実数部、縦軸が屈折率偶数部である。同図か
ら希土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが３０ｎｍの時は反射
膜７の屈折率ｎ2 の実数部Ａが０＜Ａｌ≦０．５、虚数
部Ｂが０≧Ｂ≧−３の時にカー回転角が最も大きく、希
土類−遷移金属膜６の膜厚ｄが１５ｎｍの時は反射膜７
の屈折率ｎ2 の実数部Ａが０＜Ａ≦０．３、虚数部Ｂが
０．２≧Ｂ≧−８の時にカー回転角が最も大きいことが
判る。これらの図４に図示した結果及び他の図示しない
結果から希土類−遷移金属膜６の膜厚が略３０ｎｍ以下
の時においては上記反射膜の屈折率は実数部Ａが０＜Ａ
≦０．５、虚数部Ｂが０≧Ｂ≧−１．５の時に実用上満
足し得るカー回転角が得られる事が判明した。 さて一
般的な金属膜、例えばスパッテリングによって形成され
たＣｕ膜の屈折率は大体０．２５−３．１ｉであって、
その値は上記結論として得られた反射膜の好ましい屈折
率の範囲内に存在しない場合が多い。この様な場合は次
の手法によって反射膜の屈折率を制御する事ができる。
即ち金属膜の代わりにＳｉＯ2等の透明誘電体膜と金属
膜とを層設してなる２層膜を反射膜とする事によって上
記金属膜の屈折率を見かけ上大きく変化させる事ができ
る。この見かけ上の屈折率をここでは仮想屈折率と呼称
する。例えば、希土類−遷移金属膜６の裏面にＳｉＯ2
透明誘電体膜とＣｕ膜とをこの順にて層設した構造体の
素子において、上記ＳｉＯ2透明誘電体膜の膜厚を変化
させた時の屈折率の変化（仮想屈折率の変化）を図５に
示す。図５（ａ）はその一部拡大図である。図５に示す
様にＳ2 時誘電体膜の膜厚が０ｎｍ，５０ｎｍ，１００
ｎｍ，１５０ｎｍ，２００ｎｍと増加していくにつれ屈
折率の値は複素平面上で円を描く。又図５（ａ）によれ
ばＳｉＯ2透明誘電体膜の膜厚が３０乃至６０ｎｍ程度
で屈折率の値が０．１−１．２ｉ乃至０．０５−０．３
ｉ程度の値を占めており、ＳｉＯ2透明誘電体膜の存在
しない時即ちその膜厚が０ｎｍの時の屈折率の値０．２
５−３．１ｉから大きく変化している。そして反射膜の
屈折率が上記した好ましい屈折率の範囲内に移行してい
る事が判る。
【００２４】因に原理上、屈折率ｎ′の膜上に屈折率
ｎ″の透明膜を層設した時その２層膜の仮想屈折率は複
素平面上において数７を中心とした半径数８の円を描く
ものである。但し│ｒ│は数９である。
ｎ″の透明膜を層設した時その２層膜の仮想屈折率は複
素平面上において数７を中心とした半径数８の円を描く
ものである。但し│ｒ│は数９である。
【００２５】
【数７】
【００２６】
【数８】
【００２７】
【数９】
【００２８】従って上記したＳｉＯ2 透明誘電体膜とＣ
ｕ膜との２層膜に限らず、反射膜の仮想屈折率を制御す
る為の透明誘電体膜としては，ＭｇＦ2 膜、Ｓｉ3Ｎ4
膜、Ｔａ2Ｏ5 膜、ＴｉＯ2 膜、ＣｅＯ2 膜、ＺｒＯ2
膜、Ａｌ2Ｏ2 膜等が使用できる。
ｕ膜との２層膜に限らず、反射膜の仮想屈折率を制御す
る為の透明誘電体膜としては，ＭｇＦ2 膜、Ｓｉ3Ｎ4
膜、Ｔａ2Ｏ5 膜、ＴｉＯ2 膜、ＣｅＯ2 膜、ＺｒＯ2
膜、Ａｌ2Ｏ2 膜等が使用できる。
【００２９】以上の様にして反射膜の構造を変化させる
事でその屈折率を制御し得、その制御によって実用上満
足し得るカー回転角を得る事が判明した。
事でその屈折率を制御し得、その制御によって実用上満
足し得るカー回転角を得る事が判明した。
【００３０】磁気光学記憶素子を用いた場合読出信号の
大きさの目安となるものは反射率をＲ，カー回転角をα
としてＲα2 である。 従って上記読出信号の大きさは
殆どカー回転角α の大きさによって左右される。実験
によれば上記反射率Ｒの値はカー回転角α の大きくな
る領域で逆に小さくなるものであるが、上記読出信号の
大きさはカー回転角α の値による影響が強いので上記
読出信号の大なる範囲はカー回転角の大なる範囲と略一
致する。
大きさの目安となるものは反射率をＲ，カー回転角をα
としてＲα2 である。 従って上記読出信号の大きさは
殆どカー回転角α の大きさによって左右される。実験
によれば上記反射率Ｒの値はカー回転角α の大きくな
る領域で逆に小さくなるものであるが、上記読出信号の
大きさはカー回転角α の値による影響が強いので上記
読出信号の大なる範囲はカー回転角の大なる範囲と略一
致する。
【００３１】例えば希土類−遷移金属膜の膜厚ｄが１５
ｎｍ，反射膜の屈折率ｎ2 が０．２−０．４ｉの時反射
率Ｒは０．２２，カー回転角α は０．６２°でありＲ
α2は約０．０８５である。一方希土類−遷移金属膜の
膜厚ｄが１００ｎｍと比較的に厚く反射膜効果がない時
の反射率Ｒは０．５４，カー回転角α は０．２１°で
ありＲα2 は約０．０２４である。 以上の様に反射膜
の効果がある場合は読出信号が非常に大きいことが判
る。そしてその結果カー回転角が大きい程よい事が判
る。
ｎｍ，反射膜の屈折率ｎ2 が０．２−０．４ｉの時反射
率Ｒは０．２２，カー回転角α は０．６２°でありＲ
α2は約０．０８５である。一方希土類−遷移金属膜の
膜厚ｄが１００ｎｍと比較的に厚く反射膜効果がない時
の反射率Ｒは０．５４，カー回転角α は０．２１°で
ありＲα2 は約０．０２４である。 以上の様に反射膜
の効果がある場合は読出信号が非常に大きいことが判
る。そしてその結果カー回転角が大きい程よい事が判
る。
【００３２】又、磁気光学記憶素子を用いた場合記録感
度は希土類−遷移金属膜の吸収率によって左右される。
そしてこの吸収率の観点からすれば希土類−遷移金属膜
の膜厚を薄く且つ反射膜構造とした方が吸収率が大き
い。例えば希土類−遷移金属膜の膜厚ｄが１５ｎｍ、反
射膜の屈折率ｎ2 が０．２−０．４ｉの時は希土類−遷
移金属膜には入射光の７２％が吸収される。一方希土類
−遷移金属膜の膜厚ｄが１００ｎｍと比較的に厚く反射
膜効果がない時は希土類−遷移金属膜には入射光の４６
％だけが吸収されるのみである。以上の様に記録感度の
点においても反射膜構造の素子が優れている事が判る。
度は希土類−遷移金属膜の吸収率によって左右される。
そしてこの吸収率の観点からすれば希土類−遷移金属膜
の膜厚を薄く且つ反射膜構造とした方が吸収率が大き
い。例えば希土類−遷移金属膜の膜厚ｄが１５ｎｍ、反
射膜の屈折率ｎ2 が０．２−０．４ｉの時は希土類−遷
移金属膜には入射光の７２％が吸収される。一方希土類
−遷移金属膜の膜厚ｄが１００ｎｍと比較的に厚く反射
膜効果がない時は希土類−遷移金属膜には入射光の４６
％だけが吸収されるのみである。以上の様に記録感度の
点においても反射膜構造の素子が優れている事が判る。
【００３３】
【発明の効果】以上詳細に説明した如く本発明の磁気光
学記憶素子はカー回転角を大きくする事ができその事に
よって読出信号を大きくする事ができる。更に本発明の
磁気光学記憶素子は吸収率についても大きいので記録感
度を優れたものとする事ができる。
学記憶素子はカー回転角を大きくする事ができその事に
よって読出信号を大きくする事ができる。更に本発明の
磁気光学記憶素子は吸収率についても大きいので記録感
度を優れたものとする事ができる。
【図１】本発明の反射膜構造の磁気光学記憶素子の構成
図である。
図である。
【図２】磁気光学記憶素子のカー回転角の特性を示す図
である。
である。
【図３】磁気光学記憶素子の構成説明図である。
【図４】反射膜の屈折率に対するカー回転角の特性を示
す図である。
す図である。
【図５】仮想屈折率の変化を示す図である。
１ 基板 ２ ＧａＴｂＦｅ非晶質薄膜 ３ ＳｉＯ2 透明膜 ４ Ｃｕ金属膜 ５ 空気 ６ 希土類−遷移金属系非晶質薄膜 ７ 反射膜
フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ 株式会社内 (72)発明者 山岡 秀嘉 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ 株式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板と、３０ｎｍ程度以下の膜厚を有す
る、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類−遷
移金属系非晶質磁性体薄膜と、透明誘電体膜と、反射膜
とを備え、前記透明誘電体膜の膜厚を３０ｎｍ乃至６０
ｎｍ程度とし、該透明誘電体膜と前記反射膜との仮想屈
折率の実数部Ａを０＜Ａ≦０．５、虚数部Ｂを０≧Ｂ≧
−１．５としたことを特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3211841A JP2908911B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3211841A JP2908911B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 磁気光学記憶素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16588282A Division JPS5954056A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056587A true JPH056587A (ja) | 1993-01-14 |
| JP2908911B2 JP2908911B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=16612475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3211841A Expired - Lifetime JP2908911B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2908911B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5954056A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-28 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP3211841A patent/JP2908911B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5954056A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-28 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2908911B2 (ja) | 1999-06-23 |
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