JPS5954632A - 石英ガラス粉末の製造法 - Google Patents
石英ガラス粉末の製造法Info
- Publication number
- JPS5954632A JPS5954632A JP16443682A JP16443682A JPS5954632A JP S5954632 A JPS5954632 A JP S5954632A JP 16443682 A JP16443682 A JP 16443682A JP 16443682 A JP16443682 A JP 16443682A JP S5954632 A JPS5954632 A JP S5954632A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- acid
- silicate
- quartz glass
- glass powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
- C03C1/006—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels to produce glass through wet route
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/10—Forming beads
- C03B19/1005—Forming solid beads
- C03B19/106—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction
- C03B19/1065—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction by liquid phase reactions, e.g. by means of a gel phase
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は資源的に制限の少ない累原料を用い。
半導体単結晶引上げ用ルツボの製造用原料粉末並□びに
半導体大規模集48回路の封止剤用充填物として必要な
高純1建の石英ガラス粉末の製造法に関するものである
。
半導体大規模集48回路の封止剤用充填物として必要な
高純1建の石英ガラス粉末の製造法に関するものである
。
従来石英ガラス粉末はブラジル原石に代表される良質の
天然石英(水晶)をボール、ミル等妃よって粉砕して製
造されていたが、近年天然石英、の押庄と枯渇化団向に
基づく資源的制約に加え、て、上記の、使用目的の場合
にはさらに純度の、間、題が顕、在化してきた。
天然石英(水晶)をボール、ミル等妃よって粉砕して製
造されていたが、近年天然石英、の押庄と枯渇化団向に
基づく資源的制約に加え、て、上記の、使用目的の場合
にはさらに純度の、間、題が顕、在化してきた。
天然石英には良質:とはいえ、各種の重金属、不純物が
、含まれており、、半導体単結晶引上げ用ルツボとして
は上記M金属不純物の浸透により1.生成竺結晶の電子
物理的特性を低ドさせ、超LSI(大規模集積回路ンの
封止剤用充填物として微鎗ウラ、ン不純物から放射され
るアルファ、(α)線がデバイ子ノ作勲誤差(″/7ト
エラー)を引き起こすのηある。
、含まれており、、半導体単結晶引上げ用ルツボとして
は上記M金属不純物の浸透により1.生成竺結晶の電子
物理的特性を低ドさせ、超LSI(大規模集積回路ンの
封止剤用充填物として微鎗ウラ、ン不純物から放射され
るアルファ、(α)線がデバイ子ノ作勲誤差(″/7ト
エラー)を引き起こすのηある。
このため、ウラン含有量の低い、高純度粉末が要望さ、
れ、特に超LSI用封止剤の充填物としてはウランレベ
ルが1ppb以下の高軸度品が必要とされてい、慢すな
わち、資源的問題の少な【ぐ、原料を用い、しかも純度
Ωきやめて高い石英ガラス粉末を安価に提供しつる製造
方法がつよく要望されている。
れ、特に超LSI用封止剤の充填物としてはウランレベ
ルが1ppb以下の高軸度品が必要とされてい、慢すな
わち、資源的問題の少な【ぐ、原料を用い、しかも純度
Ωきやめて高い石英ガラス粉末を安価に提供しつる製造
方法がつよく要望されている。
本発明者等はかかる客蜆状’3にバックとし、天然に比
較的v1:富に存在する珪石を出発原料とす°る□。
較的v1:富に存在する珪石を出発原料とす°る□。
中1閾体であって門、!忙より梢換が、痒′易り、・、
あ、す、・ 、。
あ、す、・ 、。
いわゆるゾルグル法による石英ガラス素ノ一体ア′画造
に・利用されているI+□酸工身デル1ζfi目し、そ
の □加、水分解直り生成りグルを経由して高純1にの
′1゜石英ガラス粉末を製造する方法を提案したが、原
料の珪酸エステルは’a格が高(、従ってνμ品コスト
が尚<ケるので、¥l+!;111iな原料の超択及び
それよ、。
に・利用されているI+□酸工身デル1ζfi目し、そ
の □加、水分解直り生成りグルを経由して高純1にの
′1゜石英ガラス粉末を製造する方法を提案したが、原
料の珪酸エステルは’a格が高(、従ってνμ品コスト
が尚<ケるので、¥l+!;111iな原料の超択及び
それよ、。
りの製造法が求められ刃する。 。
従来から安++lIiな工呆用イリカ源としては水ガラ
ス(畦淑ナトvウムの水癖液)があり、とれを鉱酸で中
和し、生成す占行水:珪酸全洗浄、乾燥して、乾燥剤矛
)るいは吸着剤用dシリ□カゲルが製造されCいる。こ
のシリカゲルの粉末を高温で一割戊¥れば、シリカ金主
体とするガラス粉末(高珪酸ガラス)がt”4られるが
、このシリカゲルにはナトリウムを始めとして各種の不
純物力楡昆人しており、半導体単結晶の引上げ用l:I
t堝材としては不向きであり、さらに該シリカゲルには
原料の1石に由来するアルファ線放射源のウランが数拾
ppb程度含ま□ れ−ノ鉱峻による洗浄だけでは十分
に除去できず5、、半、、、4田本坐−集遺回路、特に
ウランレベル1 ppb以下を必要とする超LSI用封
II:、剤の充填物として■、林r−効率のクラQ”M
’M技術の9が前提と、な゛る。
ス(畦淑ナトvウムの水癖液)があり、とれを鉱酸で中
和し、生成す占行水:珪酸全洗浄、乾燥して、乾燥剤矛
)るいは吸着剤用dシリ□カゲルが製造されCいる。こ
のシリカゲルの粉末を高温で一割戊¥れば、シリカ金主
体とするガラス粉末(高珪酸ガラス)がt”4られるが
、このシリカゲルにはナトリウムを始めとして各種の不
純物力楡昆人しており、半導体単結晶の引上げ用l:I
t堝材としては不向きであり、さらに該シリカゲルには
原料の1石に由来するアルファ線放射源のウランが数拾
ppb程度含ま□ れ−ノ鉱峻による洗浄だけでは十分
に除去できず5、、半、、、4田本坐−集遺回路、特に
ウランレベル1 ppb以下を必要とする超LSI用封
II:、剤の充填物として■、林r−効率のクラQ”M
’M技術の9が前提と、な゛る。
本発明者らは水ガラスを製溝とする安価、なシリ、力の
製造ルートについて、ナト:リウム、ウラン等□ の、何害不純物を除去して高純r′ibニジリカゲル粉
末1 とし1.これを高温焼成して高純度の石英ガラス粉末を
製造する靴しh方法を開光すべ(、試M研究金重ねた結
果、水ガラスと鉱酸の反応を、特定範囲の水素イオン濃
1yの条件でイテえば、固液分離極の良好な含氷珪iの
沈−物が生成し、1−分に洗d後、乾燥すればナトワウ
:1ムばもとよ□す、除去の困離な微誉iう〜も♀分に
一減イヒした・リカが傳られることを見出し1本発りJ
に到達した。すなわち本発明の決旨とするところは、ア
ルカリ倹属乃至アルカリ土類金属の珪酸塩と鉱酸の反応
全水素イオン濃度1.5以下の条件で行ない、含水珪+
、W k 沈澱させ、咳よ水珪酸の沈澱物を洗浄、乾燥
、焼成することを特徴とする石英ガラス粉末の製造法。
製造ルートについて、ナト:リウム、ウラン等□ の、何害不純物を除去して高純r′ibニジリカゲル粉
末1 とし1.これを高温焼成して高純度の石英ガラス粉末を
製造する靴しh方法を開光すべ(、試M研究金重ねた結
果、水ガラスと鉱酸の反応を、特定範囲の水素イオン濃
1yの条件でイテえば、固液分離極の良好な含氷珪iの
沈−物が生成し、1−分に洗d後、乾燥すればナトワウ
:1ムばもとよ□す、除去の困離な微誉iう〜も♀分に
一減イヒした・リカが傳られることを見出し1本発りJ
に到達した。すなわち本発明の決旨とするところは、ア
ルカリ倹属乃至アルカリ土類金属の珪酸塩と鉱酸の反応
全水素イオン濃度1.5以下の条件で行ない、含水珪+
、W k 沈澱させ、咳よ水珪酸の沈澱物を洗浄、乾燥
、焼成することを特徴とする石英ガラス粉末の製造法。
にあるう
本発明で使用される原料としては上記の水ガラス以外に
珪酸カリ、珪r讃カルシウム等のアルカリ金属、アルカ
リ土類金属の珪酸]4でも同様の結果が得られるが、工
業的には多量に□生産されでいる水ガラス6利用が有刊
であり1時に粘性bt比較的低く珪酸分の比較的高い2
号、3号か使用しやす鴎 また、鉱酸としては、一般にシリカゲルの製プ1に汎用
されている塩酸ンあるいは硝酸でもウラン除去の効果が
あり、用途によっては有効であるが、特に超LSIの封
止剤用充填物のようにウラン含有1’ppb以下を要す
る1合□には硝酸が有効である。
珪酸カリ、珪r讃カルシウム等のアルカリ金属、アルカ
リ土類金属の珪酸]4でも同様の結果が得られるが、工
業的には多量に□生産されでいる水ガラス6利用が有刊
であり1時に粘性bt比較的低く珪酸分の比較的高い2
号、3号か使用しやす鴎 また、鉱酸としては、一般にシリカゲルの製プ1に汎用
されている塩酸ンあるいは硝酸でもウラン除去の効果が
あり、用途によっては有効であるが、特に超LSIの封
止剤用充填物のようにウラン含有1’ppb以下を要す
る1合□には硝酸が有効である。
これら、う1酸の酸濃度とCては、含永株酸の生成反応
中p H’ 1.5以乍を保持すればよぐ、I繰に限定
はなAが、炭)蓼な場合にはハシド□リング並びに装置
の耐食等の問題があり、一方、稀゛薄にすぎる場合には
該珪酸塩中のアルカリ金属乃至アルカリ土類金属との当
量比から必然的に多酸の液量を使用することになり、装
置容量を過大にするため、不利であって、実際上l現定
以上4規定以下の濃度が適当であるり また、本姑明は従来のシリカゲル製造法と関連があるの
で、その点について略述するみ従来のシリカゲル製・造
成は次の方法をとっているi・□ (1) シリカ収率を維持しつつ鉱酸の使用縦を極力
低減しかつり語水処理(中オロ)のj=を担を庸減する
ため、水ガラスに鉱酸全中和点まで加える。
中p H’ 1.5以乍を保持すればよぐ、I繰に限定
はなAが、炭)蓼な場合にはハシド□リング並びに装置
の耐食等の問題があり、一方、稀゛薄にすぎる場合には
該珪酸塩中のアルカリ金属乃至アルカリ土類金属との当
量比から必然的に多酸の液量を使用することになり、装
置容量を過大にするため、不利であって、実際上l現定
以上4規定以下の濃度が適当であるり また、本姑明は従来のシリカゲル製造法と関連があるの
で、その点について略述するみ従来のシリカゲル製・造
成は次の方法をとっているi・□ (1) シリカ収率を維持しつつ鉱酸の使用縦を極力
低減しかつり語水処理(中オロ)のj=を担を庸減する
ため、水ガラスに鉱酸全中和点まで加える。
(2)いわゆる沈a(粉末状)ではな(、ゲル塊と・す
るため・、水ガラ、ス中に鉱rtt・加えて・ゆき、ゾ
ルを経由してゲルとし、生成ゲルを適当な大きさに切り
崩して乾燥後あるいrま乾燥前に洗浄する。
るため・、水ガラ、ス中に鉱rtt・加えて・ゆき、ゾ
ルを経由してゲルとし、生成ゲルを適当な大きさに切り
崩して乾燥後あるいrま乾燥前に洗浄する。
しかしながら、いずれの方法も水ガラス中に含まれるウ
ランの共沈を招くのである。
ランの共沈を招くのである。
これに対し、本発明では鉱酸中に水ガラスを注入するこ
とにより、低pHで含水硅酸全生成させること忙なり、
沈澱状(粉末状)でかつウラン混入の極めて少・ないシ
リカ金主体「恰ること全骨子としてバる。
とにより、低pHで含水硅酸全生成させること忙なり、
沈澱状(粉末状)でかつウラン混入の極めて少・ないシ
リカ金主体「恰ること全骨子としてバる。
なお、沈降性(湿式)シリカ粉の製法として。
水ガラスにカルシ□ウムJ:M”k加剣て2 絖i圭#
撰カルシウムiA:、澱を生成させ、母液金分14Lξ
これに鉱酸ヶ作用させカフ9.つ、、:溶晶し、′含炭
4酸沈澱′ 金1捗る方晶も、bるが□、未発明のよ□
うに多う〜除去を目的とし老カルシウムj容IBのpr
(t1m定己だflJはないJ 次に、未発明を病J或する6エ(2)についぞ詳述す机 ′(1) 陰水珪112のit減学生成工程:、)エ
イゆ、は反応母液心、(ヶ1.5 Ja ’!’ It
Ci差、9゜つつ、アルカIJ ’Q属乃″至アル分り
””i 証金属の硅1貸噸と鉱峻金反応さ姦て含水珪酸
の沈澱全「成させ、1′1 具体的なlしqとして1票とえ一゛3)児系のン+F1
’e’fr攪拌しつつ、核硝酸に2号水ガラス全注入し
て行□き、含水珪酸を生成させるの”71’ h ”6
”Q(□、反応母液のI)Hがン5を越ムい14点で
jlJl”’7J’Cガラスの注入を停止して、次工程
に移る。あるいぼ、珪酸分ルシウムの粉末を反応後の母
液□の9口が1.5を′越えなし計算量の′24′定哨
酸中t’ixJ”□□え□!加温じ5つつ攪拌して該珪
虐カルシウムより□ガル□シウ弘を溶出させ。
撰カルシウムiA:、澱を生成させ、母液金分14Lξ
これに鉱酸ヶ作用させカフ9.つ、、:溶晶し、′含炭
4酸沈澱′ 金1捗る方晶も、bるが□、未発明のよ□
うに多う〜除去を目的とし老カルシウムj容IBのpr
(t1m定己だflJはないJ 次に、未発明を病J或する6エ(2)についぞ詳述す机 ′(1) 陰水珪112のit減学生成工程:、)エ
イゆ、は反応母液心、(ヶ1.5 Ja ’!’ It
Ci差、9゜つつ、アルカIJ ’Q属乃″至アル分り
””i 証金属の硅1貸噸と鉱峻金反応さ姦て含水珪酸
の沈澱全「成させ、1′1 具体的なlしqとして1票とえ一゛3)児系のン+F1
’e’fr攪拌しつつ、核硝酸に2号水ガラス全注入し
て行□き、含水珪酸を生成させるの”71’ h ”6
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jlJl”’7J’Cガラスの注入を停止して、次工程
に移る。あるいぼ、珪酸分ルシウムの粉末を反応後の母
液□の9口が1.5を′越えなし計算量の′24′定哨
酸中t’ixJ”□□え□!加温じ5つつ攪拌して該珪
虐カルシウムより□ガル□シウ弘を溶出させ。
オ水珪酸を生)Mさせ本等の方法もあ□机:□□−こ”
t”r侯友宮水珪酸め屍澱□生成反応)」、5會越ンる
旨pH門域で行□な1らた場合には、t−bi或する會
永4酸中あウラン縦力値まり、洗浄VC上り壽千の除去
はできるものの十分な低減効果は□得られ′ないが□、
母液のpHの低下□と共に生成する含水□珪酸中のウラ
ン量は低ドし、pH1,5以下ではゲラン含有(壮i”
ppbレベル以下にもきるので本光明釦お□ける含水珪
酸の沈澱生成反応はp H1,5’JV、−Fでイー亭
なうこ□と力を必dである。 − このような゛反応中の′p′HIC−よる生Ji’A”
誉永珪′酸中のウラン含有量の変動をもたらす原因は明
らかでない示、・iH領領域は含水珪酸−の□ウランの
吸着のみなら′子!生成し′また含水珪酸沈澱□のネッ
トワーク中に共記によつぞウラン□がmみ込まれ、固定
化さKて酸洗全もってしても除去できなくカるが。
t”r侯友宮水珪酸め屍澱□生成反応)」、5會越ンる
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永4酸中あウラン縦力値まり、洗浄VC上り壽千の除去
はできるものの十分な低減効果は□得られ′ないが□、
母液のpHの低下□と共に生成する含水□珪酸中のウラ
ン量は低ドし、pH1,5以下ではゲラン含有(壮i”
ppbレベル以下にもきるので本光明釦お□ける含水珪
酸の沈澱生成反応はp H1,5’JV、−Fでイー亭
なうこ□と力を必dである。 − このような゛反応中の′p′HIC−よる生Ji’A”
誉永珪′酸中のウラン含有量の変動をもたらす原因は明
らかでない示、・iH領領域は含水珪酸−の□ウランの
吸着のみなら′子!生成し′また含水珪酸沈澱□のネッ
トワーク中に共記によつぞウラン□がmみ込まれ、固定
化さKて酸洗全もってしても除去できなくカるが。
pHの低下と□共に硝−根によ乞dランア―乍力が増し
て、ウランが溶液中に溶存する率が高まり、特KpHが
1.5以下の強酸性下でば含水珪酸の沈澱中ぺの′混入
がp、pbレベル以下に低下することに帰因する・もの
と推定され□る。鋼層以外の鉱酸。
て、ウランが溶液中に溶存する率が高まり、特KpHが
1.5以下の強酸性下でば含水珪酸の沈澱中ぺの′混入
がp、pbレベル以下に低下することに帰因する・もの
と推定され□る。鋼層以外の鉱酸。
たとえば硫を俊、塩駿等もpHの低減に基づ(効果はあ
るが、これら□の場陰にはつ・ランの溶解が硝酸より劣
るため、生成含水・珪′峻咽へのフランの混入率が増す
ものと考えられるロ ・ ・なお、禮含水珪酸生
成反応時のpHの下限については、特に限定されないが
、過度に低い場合にrIi強酸性反応残液として廃液処
′埋の・負担が増すので好ましくなく、田、′5程度I
K ’tl:、めておくことが望ましbI、′ ・
・ ・生成した含水珪酸は沈降後、大部
分の上澄液を廃水処理システムに流し去るか、またはP
4’fc行lてって大部分の反応母液と分離し1次の洗
浄工程にイ多す。
るが、これら□の場陰にはつ・ランの溶解が硝酸より劣
るため、生成含水・珪′峻咽へのフランの混入率が増す
ものと考えられるロ ・ ・なお、禮含水珪酸生
成反応時のpHの下限については、特に限定されないが
、過度に低い場合にrIi強酸性反応残液として廃液処
′埋の・負担が増すので好ましくなく、田、′5程度I
K ’tl:、めておくことが望ましbI、′ ・
・ ・生成した含水珪酸は沈降後、大部
分の上澄液を廃水処理システムに流し去るか、またはP
4’fc行lてって大部分の反応母液と分離し1次の洗
浄工程にイ多す。
(2)洗浄工程
この工程では大部分の該反応母液から分離した禮含水1
圭酸沈澱*は付着、残留する該反応母液を除いて純度を
保つため妃洸浄する。この洗浄釦は□、純度維持のため
脱イオン水乃至は蒸貿、水を用する・ が・、、・洗(
p操作の初期には、咳含水律酸沈澱物に付看、残留・・
する母液中に合波れるクラン等の不用物がpuの上昇i
c痒なh核訝水珪酸に吸着することがあるため―・pH
1,5以ドの酸でリンス後、水洗全十分にイJ′なうこ
とが′望ましvl、、 ”’:洗浄の程度は製品の
、、使用目的によるが、洗浄処理後の孜の電・気伝導度
で管理することができる。
圭酸沈澱*は付着、残留する該反応母液を除いて純度を
保つため妃洸浄する。この洗浄釦は□、純度維持のため
脱イオン水乃至は蒸貿、水を用する・ が・、、・洗(
p操作の初期には、咳含水律酸沈澱物に付看、残留・・
する母液中に合波れるクラン等の不用物がpuの上昇i
c痒なh核訝水珪酸に吸着することがあるため―・pH
1,5以ドの酸でリンス後、水洗全十分にイJ′なうこ
とが′望ましvl、、 ”’:洗浄の程度は製品の
、、使用目的によるが、洗浄処理後の孜の電・気伝導度
で管理することができる。
洗浄した該含水珪酸I/i濾過等により固l夜分離、し
て次の乾燥工程に移す。
て次の乾燥工程に移す。
(3)乾燥工種 ・ ・ 。
・この工程では洗浄後の核含水珪酸TI′i乾燥して。
めわゆるシリカゲルとする。乾燥後、沈澱粒子間の凝集
が・起こり、塊状となることがあるが、押し潰す等の簡
単・な操作で、はぐすことができる。
が・起こり、塊状となることがあるが、押し潰す等の簡
単・な操作で、はぐすことができる。
・(4)・“完成工程
この上慢では乾燥により1→られた粉末状シリカゲルは
焼成により、緻密7よガラス伏粒子粉末とする。焼成i
度は該シリ・カグル状、勿末の製造itj!’歴にもよ
るが、1100°C以夫を要す今。但し、130fノ0
0以上の温IWでは粒子間?ンy夕IJ ンf がg生
L、再粉砕等の面倒な操作を礫する、よ:うになるため
。
焼成により、緻密7よガラス伏粒子粉末とする。焼成i
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るが、1100°C以夫を要す今。但し、130fノ0
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L、再粉砕等の面倒な操作を礫する、よ:うになるため
。
粒子間”′接触し′”心う′χ、分散、塔・、紬!°児
或を、行なうか、あるいンよ13oo7c未滴の温度で
燭、成することが望ましい。/:C:M、焼成時間、は
早産に依存するが、1100°C以上13oo0c、の
軸回では30分乃至11 2時間橿度である。
或を、行なうか、あるいンよ13oo7c未滴の温度で
燭、成することが望ましい。/:C:M、焼成時間、は
早産に依存するが、1100°C以上13oo0c、の
軸回では30分乃至11 2時間橿度である。
仄忙1本祐明を実施例に、よつCさらに長体的に説明す
るが1本発明はその要旨を+1:’Aえl、Cい限り以
下の4/la例によって1餞定されるものでは1よい・
処流量1 ジメチルペンテン製ビーカー(,2−Qlj’ KL
)に3規定硝酸(試薬特級)1eを人、れ、テフロンコ
ートしたインペラー型開!、攪拌俸:で撹拌しつつ、こ
り、に3号水ガラス400y−をゆっくりと注入し、沈
殿物全碍だ、母i夜のpHは0.6とl”1つ、ていた
。
るが1本発明はその要旨を+1:’Aえl、Cい限り以
下の4/la例によって1餞定されるものでは1よい・
処流量1 ジメチルペンテン製ビーカー(,2−Qlj’ KL
)に3規定硝酸(試薬特級)1eを人、れ、テフロンコ
ートしたインペラー型開!、攪拌俸:で撹拌しつつ、こ
り、に3号水ガラス400y−をゆっくりと注入し、沈
殿物全碍だ、母i夜のpHは0.6とl”1つ、ていた
。
上澄液を除いた後、e過して大部分の母液を切り。
次いで7i−ケーキをもとのビーカーに戻、シ、さらに
0.1規定の(+iJ1.5形、、を/ILIえてリパ
ルプして上11t J夜lJを除ぎ、このパルプに、孝
留水1eを加えて攪拌後、上澄液を除くデカンチージョ
ンj* +□e金2回繰返した後、槙貿水のみによる同
)ボのfカンデージョン燥1′r全7回繰返して、〃」
議した。
0.1規定の(+iJ1.5形、、を/ILIえてリパ
ルプして上11t J夜lJを除ぎ、このパルプに、孝
留水1eを加えて攪拌後、上澄液を除くデカンチージョ
ンj* +□e金2回繰返した後、槙貿水のみによる同
)ボのfカンデージョン燥1′r全7回繰返して、〃」
議した。
、、1キトられ、た?ノ4過□ケーキ乍に水30 OJ
W金注入してから水切り全行Iよい、0オープン中12
0.。Cで1昼夜乾禮してシリカゲル粉末約120y−
金得た0このシリカゲル材木を不透明石英ガラス製のボ
ーHC入れ、 1′txtd’中1100°Cで2時間
焼成を行ない、1039−の焼成粉末を得たi この′焼成粉末のさ比重は2.195.sin、含有量
は99.94以上であり、X線回折図9ま結晶tn有の
ピークを示さないことから1石英ガラス粉末とt’jつ
−Cいることがf4J明した。収率は95優に相尚する
。分析の結果、ナトリウム朦0.8ppmmウラン11
1ppb以下であり1発光分光分析では珪累以外の不純
物は検出されず、島純1(品であった。
W金注入してから水切り全行Iよい、0オープン中12
0.。Cで1昼夜乾禮してシリカゲル粉末約120y−
金得た0このシリカゲル材木を不透明石英ガラス製のボ
ーHC入れ、 1′txtd’中1100°Cで2時間
焼成を行ない、1039−の焼成粉末を得たi この′焼成粉末のさ比重は2.195.sin、含有量
は99.94以上であり、X線回折図9ま結晶tn有の
ピークを示さないことから1石英ガラス粉末とt’jつ
−Cいることがf4J明した。収率は95優に相尚する
。分析の結果、ナトリウム朦0.8ppmmウラン11
1ppb以下であり1発光分光分析では珪累以外の不純
物は検出されず、島純1(品であった。
比較のために、上り己3規足硝1れ3.号水ガラスの混
合峨のpHが4になるまで、核3号水ガラスを注入した
以外Fi実砲例1と全く同僚の操作を行なって焼成物1
059−を得た・。この焼成物のウラン含有量は52p
pbであって含水硅酸生成のpHの上祥により、ウラン
、の混入が′4増し、目(瑣値を大幅に上チわり不適当
であ番ごとが判明した。
合峨のpHが4になるまで、核3号水ガラスを注入した
以外Fi実砲例1と全く同僚の操作を行なって焼成物1
059−を得た・。この焼成物のウラン含有量は52p
pbであって含水硅酸生成のpHの上祥により、ウラン
、の混入が′4増し、目(瑣値を大幅に上チわり不適当
であ番ごとが判明した。
、繕榴例2,3,4,5
テフロンコ−カー(2,e容赦)にoc表にボす谷峡?
そノしぞfL 1.6入れ、テフロンコートしたイノペ
ラ型回転傷拌棒で攪拌しつつ、同じく画表に示す谷珪峻
塩の水浴液をゆ・つぐり、と注入し“Cjrテき。
そノしぞfL 1.6入れ、テフロンコートしたイノペ
ラ型回転傷拌棒で攪拌しつつ、同じく画表に示す谷珪峻
塩の水浴液をゆ・つぐり、と注入し“Cjrテき。
(昆台液のpH/J″−画表に4<シたイ直に、催した
とぎ、該1醒」゛バ水浴液の注入を止め、生成した沈澱
物勿前記の’−11−411i例1と全く同様に処理し
て(1)だ石英ガラス粉末のナトリウム及びウラン含有
域ばそノ1.ぞjtl ppm以ド及びpI)b台以F
となり、特に&鷹として硝1112を用いた場合にはウ
ラン址はl ppb以下となって、十分目的ra成しう
ろことが1明したう寿られた石英ガラス粉末の収率は9
2〜96俤の範囲で、hす、実施例1と同様に、いずれ
も高収率であった。
とぎ、該1醒」゛バ水浴液の注入を止め、生成した沈澱
物勿前記の’−11−411i例1と全く同様に処理し
て(1)だ石英ガラス粉末のナトリウム及びウラン含有
域ばそノ1.ぞjtl ppm以ド及びpI)b台以F
となり、特に&鷹として硝1112を用いた場合にはウ
ラン址はl ppb以下となって、十分目的ra成しう
ろことが1明したう寿られた石英ガラス粉末の収率は9
2〜96俤の範囲で、hす、実施例1と同様に、いずれ
も高収率であった。
実施例6.7及び比較例 。
+70ンビーカ−(213)lC2規定on +、t
1.2−e金入れ、5I!1Ir11′5・pI6では
これに三珪1波マグネシウム(Mg之813.06・5
H,o ) ?!−170?、対応する比べ例では13
0y−、実施例7ではIE畦酸カルシウム(Ca8i0
.−’l、2H70相当) k2001/−、対応する
比咬例では160ftそれぞれ加え、テフロンコートの
インペラー型攪拌憧で攪拌しつつ、JIllN度60°
Cで6時間加熱イ次、生成した沈誼物を実施例1の場せ
と同様に処理して乾燥シリカゲル粉末を得た。
1.2−e金入れ、5I!1Ir11′5・pI6では
これに三珪1波マグネシウム(Mg之813.06・5
H,o ) ?!−170?、対応する比べ例では13
0y−、実施例7ではIE畦酸カルシウム(Ca8i0
.−’l、2H70相当) k2001/−、対応する
比咬例では160ftそれぞれ加え、テフロンコートの
インペラー型攪拌憧で攪拌しつつ、JIllN度60°
Cで6時間加熱イ次、生成した沈誼物を実施例1の場せ
と同様に処理して乾燥シリカゲル粉末を得た。
この乾燥シリカゲル粉末を/に:IA/泄索炎中忙フ1
0し”C1++た・石残ガラス紛木中のナトリウム及び
ウラン含有域はド表に併記の億りであり、これら不純物
Haま十分に歌いfJ品が得らfLることか判明した。
0し”C1++た・石残ガラス紛木中のナトリウム及び
ウラン含有域はド表に併記の億りであり、これら不純物
Haま十分に歌いfJ品が得らfLることか判明した。
Claims (3)
- (1)アルカリ金属乃至アルカリ土類金属の珪酸塩と鉱
酸の反応を水累イオン濃度1.5以下の条件で行ない、
含水珪A2を沈殿させ、該含水珪酸の沈澱物を洗浄、屹
燥、ノ循成することを特徴とする石英ニガラス粉末の装
造、法。 □ - (2)前記アルカリ金属の珪酸塩は水ガラスである・特
許請求の範囲(1)圧11ピ域の製造法。 - (3) 前記鉱酸は硝酸である特許請求の範囲+1)
に記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16443682A JPS5954632A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 石英ガラス粉末の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16443682A JPS5954632A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 石英ガラス粉末の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954632A true JPS5954632A (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=15793124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16443682A Pending JPS5954632A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 石英ガラス粉末の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954632A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180911A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-14 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカおよびその製造法 |
| JPS60191016A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-28 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカゲル |
| JPS6117416A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-25 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカおよびその製造方法 |
| JPS6140811A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-27 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 溶融用水和シリカおよびこれを用いた溶融シリカの製造方法 |
| JPS6148421A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-10 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカおよびその製法 |
| JPS6148422A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-10 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカ及びその製法 |
| JPS61178414A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-11 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカおよびその製造方法 |
| JPS6212608A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカ及びその製造方法 |
| JPS6212609A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 改質溶融球状シリカおよびその製造方法 |
| JPS6283313A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | Kawatetsu Kogyo Kk | シリカの高純度化方法 |
| US4683128A (en) * | 1985-06-27 | 1987-07-28 | Nitto Chemical Industry Co., Ltd. | Process for manufacturing high purity silica |
| JPH01270530A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Nitto Chem Ind Co Ltd | ガラス成形体の製造方法 |
| JPH01275438A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-06 | Nitto Chem Ind Co Ltd | ガラス成形体の製造方法 |
| US7140201B2 (en) | 1999-12-28 | 2006-11-28 | M. Watanabe & Co., Ltd. | Method for producing silica particles |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP16443682A patent/JPS5954632A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180911A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-14 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカおよびその製造法 |
| JPS60191016A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-28 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカゲル |
| JPS6117416A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-25 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカおよびその製造方法 |
| JPS6140811A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-27 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 溶融用水和シリカおよびこれを用いた溶融シリカの製造方法 |
| JPS6148421A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-10 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカおよびその製法 |
| JPS6148422A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-10 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカ及びその製法 |
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| US4683128A (en) * | 1985-06-27 | 1987-07-28 | Nitto Chemical Industry Co., Ltd. | Process for manufacturing high purity silica |
| JPS6212608A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカ及びその製造方法 |
| JPS6212609A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 改質溶融球状シリカおよびその製造方法 |
| JPS6283313A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-16 | Kawatetsu Kogyo Kk | シリカの高純度化方法 |
| JPH01270530A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Nitto Chem Ind Co Ltd | ガラス成形体の製造方法 |
| JPH01275438A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-06 | Nitto Chem Ind Co Ltd | ガラス成形体の製造方法 |
| US7140201B2 (en) | 1999-12-28 | 2006-11-28 | M. Watanabe & Co., Ltd. | Method for producing silica particles |
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