JPS5954666A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS5954666A JPS5954666A JP57162536A JP16253682A JPS5954666A JP S5954666 A JPS5954666 A JP S5954666A JP 57162536 A JP57162536 A JP 57162536A JP 16253682 A JP16253682 A JP 16253682A JP S5954666 A JPS5954666 A JP S5954666A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- ceramic composition
- composition
- high permittivity
- permittivity ceramic
- Prior art date
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- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
鉱業１−の利用分野
本発明はセラミ・ンクコンデンザ用椙］・１に適した焼
結１；ＩＷ度の低い高誘電率磁器組成物に関するもので
ある。
結１；ＩＷ度の低い高誘電率磁器組成物に関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点
誘電月Ｔ・（の具備′Ｊ−へき特性は用途により異なる
が、セラミックコノデンザでは誘電率が大きく、かつ焼
結温度の低いことが反末される。誘電率が大きいことは
素子の小形化にとって重要な条件である。焼結〃１度の
低いことは、磁器月利の焼成の際に、焼成炉の炉利に安
価なものを使用できるととおよび焼成のエネルギーが少
なくてすむことなと工業的価値が大きい。また、・積層
型セラミックコンデンサにおいて、焼結温度が低いと内
部電極として銀を主成分、とする比較的安価な電極材に
４を用いることができるため、コンデンサの価格をいち
じるしく下げると、、とができる。
が、セラミックコノデンザでは誘電率が大きく、かつ焼
結温度の低いことが反末される。誘電率が大きいことは
素子の小形化にとって重要な条件である。焼結〃１度の
低いことは、磁器月利の焼成の際に、焼成炉の炉利に安
価なものを使用できるととおよび焼成のエネルギーが少
なくてすむことなと工業的価値が大きい。また、・積層
型セラミックコンデンサにおいて、焼結温度が低いと内
部電極として銀を主成分、とする比較的安価な電極材に
４を用いることができるため、コンデンサの価格をいち
じるしく下げると、、とができる。
高誘電率のセラミソクコンデンザ用月４・１としては、
チタン酸バリウム系磁器が従来から用いられできた。し
かし、この利子」は焼結温度が１３００〜１４ＱＯ゛Ｃ
と高いため、積層セラミソクコンデンザ金製造する場合
には、その焼結温度に適した高価な白金捷たはバランラ
ムを主成分とする内部電極１１ ・ ′１１″
・ を使用しなければならない欠点かあ、つだ。
チタン酸バリウム系磁器が従来から用いられできた。し
かし、この利子」は焼結温度が１３００〜１４ＱＯ゛Ｃ
と高いため、積層セラミソクコンデンザ金製造する場合
には、その焼結温度に適した高価な白金捷たはバランラ
ムを主成分とする内部電極１１ ・ ′１１″
・ を使用しなければならない欠点かあ、つだ。
発明の目的
本発明は」二記の欠点を改善し、焼結温度が９６０°Ｃ
以下と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を提供する
ことを目的とする。
以下と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を提供する
ことを目的とする。
発明の構成
本発明の組成物は、Ｐｂ（Ｍｇ狛Ｎｂ％）工（Ｚｎし戸
ｂ％）ァ（Ｆｅ％Ｗ］Ａ）２０３で表わされる組成物に
おいて配合比が０．０１ ＜ｘ ＜、 ０，７Ｑ 、
０．１５≦−、、ｙ ＝；’；、 ０．４５ および０
．０６ 〈−Ｚ＜、、Ｏ，，６０（ただし、ｘ ＋ ｙ
＋ｚ−１）の範囲内にあることを特徴とする高誘電′
鼠磁□器絹成物である。 ： 実施例の説明 原料として、Ｐ ｂｏ 、、’ ＭｇＯ’ 、、、Ｚ’
、ｎＯ、Ｆ ｅ２０３．Ｎｂ２０６１ＷＯ３ｆ：用いて
、これらを下表に示した組成比に秤ｌｌシ湿式で混合し
、これを乾燥させた後７６０’Ｃで２時間仮焼した。得
シれた：仮″鳩物をボールミーで洋式粉砕した。その乾
燥後、、ボ１ノビニルアルコール水溶液をバインダとし
て直径１３嬰、長さ約８ 、ｑＢの円柱状に加圧成形し
、バインダを焼却した後、これをマグネシア磁器容器に
入れ、７８０〜１ｏ４０゛Ｃの温度で２・１時間焼成し
た。焼成し／こ・磁器を厚さ１賜に甲ノ断龜、どの両面
にＣｒ −Ａ ｕを蒸着したのち誘電率εｒ′、：誘電
正接りを１ ｋｌｌ＋”、 １ Ｖ／賜で室温に於いて
測定した。εｒの温度変化率に１．２０″Ｃを基阜とし
て一２５°Ｃ〜８５゛Ｃの範囲で測定し／こ。その結果
を下表に示す。
ｂ％）ァ（Ｆｅ％Ｗ］Ａ）２０３で表わされる組成物に
おいて配合比が０．０１ ＜ｘ ＜、 ０，７Ｑ 、
０．１５≦−、、ｙ ＝；’；、 ０．４５ および０
．０６ 〈−Ｚ＜、、Ｏ，，６０（ただし、ｘ ＋ ｙ
＋ｚ−１）の範囲内にあることを特徴とする高誘電′
鼠磁□器絹成物である。 ： 実施例の説明 原料として、Ｐ ｂｏ 、、’ ＭｇＯ’ 、、、Ｚ’
、ｎＯ、Ｆ ｅ２０３．Ｎｂ２０６１ＷＯ３ｆ：用いて
、これらを下表に示した組成比に秤ｌｌシ湿式で混合し
、これを乾燥させた後７６０’Ｃで２時間仮焼した。得
シれた：仮″鳩物をボールミーで洋式粉砕した。その乾
燥後、、ボ１ノビニルアルコール水溶液をバインダとし
て直径１３嬰、長さ約８ 、ｑＢの円柱状に加圧成形し
、バインダを焼却した後、これをマグネシア磁器容器に
入れ、７８０〜１ｏ４０゛Ｃの温度で２・１時間焼成し
た。焼成し／こ・磁器を厚さ１賜に甲ノ断龜、どの両面
にＣｒ −Ａ ｕを蒸着したのち誘電率εｒ′、：誘電
正接りを１ ｋｌｌ＋”、 １ Ｖ／賜で室温に於いて
測定した。εｒの温度変化率に１．２０″Ｃを基阜とし
て一２５°Ｃ〜８５゛Ｃの範囲で測定し／こ。その結果
を下表に示す。
※印を付した試料は比較例である。
第１表で汚１．３，７．１８．１９の試料は本発明の範
囲外のものであり、４．２ 、４ ’〜６，８〜１７の
試料は本発明の範囲内の実施例である。
囲外のものであり、４．２ 、４ ’〜６，８〜１７の
試料は本発明の範囲内の実施例である。
これらから明らかなように本発明の範囲内の組成物より
なる磁器は大きな誘電率（ｅ ３ｓ’ｏ〜１１８２０）
を示すとともに、焼成語度が７８０°Ｃ〜９６０ ＴＥ
てあり、低い温度で焼結が可能なものである。せター、
誘電正接りが小さい（２３６Ｘ１０ 以下）こと、誘電
率εｒの温度変化率が小さいことなどの′特長を示して
いる。 □なお、Ｘ〈○、ｏ１．
ｙ ＜ ｏ、１５’＋ ｙ＞ ０．４５およびｚ）０．
６０の範囲の組成は誘電率が比較的小さい用 工 率が６０００以上の組成に限定した。
なる磁器は大きな誘電率（ｅ ３ｓ’ｏ〜１１８２０）
を示すとともに、焼成語度が７８０°Ｃ〜９６０ ＴＥ
てあり、低い温度で焼結が可能なものである。せター、
誘電正接りが小さい（２３６Ｘ１０ 以下）こと、誘電
率εｒの温度変化率が小さいことなどの′特長を示して
いる。 □なお、Ｘ〈○、ｏ１．
ｙ ＜ ｏ、１５’＋ ｙ＞ ０．４５およびｚ）０．
６０の範囲の組成は誘電率が比較的小さい用 工 率が６０００以上の組成に限定した。
発明の効果
本発明の組成物は誘電率が大きく、誘電率の温度変化率
と誘電圧接が比較的小さいためセラミ・ノクコンデンザ
用拐才・１に適しているとともに、９６０°Ｃ以下の低
い温度で焼成できるため、焼成炉の炉材に安価なものを
使用できること汲び焼成のエネルギーが少なくてすむこ
となど工業的価値が大きい。積層型セラミックコンデン
サに用いた場合には、焼結温度が低いため、比較的安価
な銀系などの内部電極を用いることができるためコンデ
ンサの価格を下げることができるので工業」二の利益は
大きい。
と誘電圧接が比較的小さいためセラミ・ノクコンデンザ
用拐才・１に適しているとともに、９６０°Ｃ以下の低
い温度で焼成できるため、焼成炉の炉材に安価なものを
使用できること汲び焼成のエネルギーが少なくてすむこ
となど工業的価値が大きい。積層型セラミックコンデン
サに用いた場合には、焼結温度が低いため、比較的安価
な銀系などの内部電極を用いることができるためコンデ
ンサの価格を下げることができるので工業」二の利益は
大きい。
Claims (1)
- Ｐｂ （Ｍ（ＪＩＡ Ｎｂｙ、、 ）、（ＺｎｙＦ几％
） 、、（Ｆｔ４，５Ｗ４ ） ρ３で表わされる組
成物において配合比がＱ 、Ｑ １．１＜’： ｘ〈０
．７０，０．１５く’、ｙ＜：＋０．４５および０．０
５≦、ｚ ＜、Ｑ、＋３０（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ−１）
の範囲、内にあ・る・ことを特徴とする高誘電率磁器組
成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162536A JPS5954666A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高誘電率磁器組成物 |
| US06/532,911 US4555494A (en) | 1982-09-17 | 1983-09-16 | Dielectric ceramic compositions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162536A JPS5954666A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954666A true JPS5954666A (ja) | 1984-03-29 |
| JPS6152098B2 JPS6152098B2 (ja) | 1986-11-12 |
Family
ID=15756472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57162536A Granted JPS5954666A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954666A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008057A1 (en) * | 1994-09-07 | 1996-03-14 | Nippon Carbide Kogyo Kabushiki Kaisha | Electric filter adapter |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61197200U (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-09 | ||
| JPH0628199U (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | 新日軽株式会社 | 門扉とヒンジ金具との取付装置 |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP57162536A patent/JPS5954666A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008057A1 (en) * | 1994-09-07 | 1996-03-14 | Nippon Carbide Kogyo Kabushiki Kaisha | Electric filter adapter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6152098B2 (ja) | 1986-11-12 |
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