JPS595486A - 磁気バブル素子の駆動方法 - Google Patents
磁気バブル素子の駆動方法Info
- Publication number
- JPS595486A JPS595486A JP57113771A JP11377182A JPS595486A JP S595486 A JPS595486 A JP S595486A JP 57113771 A JP57113771 A JP 57113771A JP 11377182 A JP11377182 A JP 11377182A JP S595486 A JPS595486 A JP S595486A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- bubble
- major loop
- rotating magnetic
- magnetic bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル菓子およびその駆動方式に関する。
磁気バブル素子としては、メジャループとマイナルーブ
からなるものが知られており、一般にパーマロイパター
ンによるものが実用されてきている。磁気バブル素子は
本質的にシリアルアクセスであり、大容量化を行なう場
合、同時に回転磁界駆動周波数を高くしなければ、アク
セス時間が遅くなる。しかし、周波数を高くすると、一
般に高周波損失が増加し、発熱が増加することになる。
からなるものが知られており、一般にパーマロイパター
ンによるものが実用されてきている。磁気バブル素子は
本質的にシリアルアクセスであり、大容量化を行なう場
合、同時に回転磁界駆動周波数を高くしなければ、アク
セス時間が遅くなる。しかし、周波数を高くすると、一
般に高周波損失が増加し、発熱が増加することになる。
この損失を下げる方法で最も効果的なのは、回転磁界強
度を下げることである。なぜならば、消費電力は、回転
磁界強度(すなわち、コイル電流)の二乗に比例するか
らである。しかl、、磁気バブル径を小さくして高密度
化し、駆動周波数を高くする場合、一般には、必要とす
る回転磁界強度は大きくなる。
度を下げることである。なぜならば、消費電力は、回転
磁界強度(すなわち、コイル電流)の二乗に比例するか
らである。しかl、、磁気バブル径を小さくして高密度
化し、駆動周波数を高くする場合、一般には、必要とす
る回転磁界強度は大きくなる。
この回転磁界強度がパーマロイパターンよりも小さくて
よい磁気バブル菓子として、イオンイノプランテーショ
ン(ion implantation)に」二るコン
テイギユアスディスク(contiguous dis
c)を用いたものがある。この素子は、転送路をイオン
インプランテーション(イオン打込み)により形成する
もので、コンテイギユアスディスクの形状のマスクを形
成して、コンテイギユアスディスクの外側の部分にイオ
ン打込み領域を形成するもので、パーマロイ系子と同様
に、コンテイギユアスディスクのふちに沿ってバブルが
転送される。
よい磁気バブル菓子として、イオンイノプランテーショ
ン(ion implantation)に」二るコン
テイギユアスディスク(contiguous dis
c)を用いたものがある。この素子は、転送路をイオン
インプランテーション(イオン打込み)により形成する
もので、コンテイギユアスディスクの形状のマスクを形
成して、コンテイギユアスディスクの外側の部分にイオ
ン打込み領域を形成するもので、パーマロイ系子と同様
に、コンテイギユアスディスクのふちに沿ってバブルが
転送される。
このコンテイギユアスディスクを用いたバブル菓子は回
転磁界強度が小さくてよく、高密度化に適し7ている。
転磁界強度が小さくてよく、高密度化に適し7ている。
しかしながらレプリケータ、ディテクタなどの機能がな
いため、デバイス化が難しいという問題をもっている。
いため、デバイス化が難しいという問題をもっている。
本発明の目的は消費電力の少ない磁気バブル素子とその
駆動方式を提供することにある。
駆動方式を提供することにある。
コンテイギユアスディスクとパーマロイパターンの長所
をとって両者を混在させた磁気バブル素子が考えられる
が、単に混在させた場合は、強い回転磁界を必要とする
パーマロイパターンがあるためにやはり強い回転磁界で
駆動する必要がある。
をとって両者を混在させた磁気バブル素子が考えられる
が、単に混在させた場合は、強い回転磁界を必要とする
パーマロイパターンがあるためにやはり強い回転磁界で
駆動する必要がある。
本発明は」二記目的を達成するために、メジャルーブの
うちトランスフアゲ−トを構成する部分とマイナループ
とをコンテイギユアスディスクの転送路とし、他をパー
マロイパターンの転送路とする。
うちトランスフアゲ−トを構成する部分とマイナループ
とをコンテイギユアスディスクの転送路とし、他をパー
マロイパターンの転送路とする。
この磁気バブル菓子の駆動方式として、磁気バブルがコ
ンテイギユアスディスク上に、6るときは、パーマロイ
パターン上にあるときより小さい強度の回転磁界を与え
る方式をとることにより、平均的な消費電力を小さくす
ることができる。
ンテイギユアスディスク上に、6るときは、パーマロイ
パターン上にあるときより小さい強度の回転磁界を与え
る方式をとることにより、平均的な消費電力を小さくす
ることができる。
以下本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す。図において、1はマ
イナループ、2はトランスファゲート、3はメジャルー
プ、4はレプリケータ、5はディテクタ、6はアナイレ
ータ、7はジェネレータである。ここで、マイナル−プ
1と、トランスファゲート2を構成するメジャル=プ3
の一部はコンテイギユアスディスクの転送路とされ、そ
の他のレプリケータ4、ディテクタ5等を含む残りのメ
ンャループ3の部分はパーマロイパターンの転送路とさ
れる。
イナループ、2はトランスファゲート、3はメジャルー
プ、4はレプリケータ、5はディテクタ、6はアナイレ
ータ、7はジェネレータである。ここで、マイナル−プ
1と、トランスファゲート2を構成するメジャル=プ3
の一部はコンテイギユアスディスクの転送路とされ、そ
の他のレプリケータ4、ディテクタ5等を含む残りのメ
ンャループ3の部分はパーマロイパターンの転送路とさ
れる。
第2図は第1図のトランスファゲート2の部分を示して
いる。この図から明らかなように、メジャル〜プ3のう
ちl・ランスファゲート2を構成している部分とマイナ
ループ1とがコンテイギユアスディスクの転送路が用い
られている。磁気バブルがティスフのふらに沿って転送
されることを示して℃・る。
いる。この図から明らかなように、メジャル〜プ3のう
ちl・ランスファゲート2を構成している部分とマイナ
ループ1とがコンテイギユアスディスクの転送路が用い
られている。磁気バブルがティスフのふらに沿って転送
されることを示して℃・る。
第:3図はメンャループ3のコンテイギユアスディスク
:31とパーマロイパターン32との接続部を示す。
:31とパーマロイパターン32との接続部を示す。
第4図はコンテイギユアスディスクとパーマロイパター
ンの動作JV、〒+Ilを示す。第4図に示すように、
パーマロイパターンヨリモコンテイキュアスディスクの
方が小さい回転磁界強度で駆動できることがわかる。従
って第1図のごとき・構成をとり、すべての磁気バブル
がマイナループや、メジャループのトランスファゲート
な構成する部分のコンテイギユアスディスク上にあると
きは小さい強度の回転磁界で駆動し、パーマロイパター
ン上にあるときのみ強い回転磁界とすることができ、平
均的な消費電力を小とすることかで・きる。
ンの動作JV、〒+Ilを示す。第4図に示すように、
パーマロイパターンヨリモコンテイキュアスディスクの
方が小さい回転磁界強度で駆動できることがわかる。従
って第1図のごとき・構成をとり、すべての磁気バブル
がマイナループや、メジャループのトランスファゲート
な構成する部分のコンテイギユアスディスク上にあると
きは小さい強度の回転磁界で駆動し、パーマロイパター
ン上にあるときのみ強い回転磁界とすることができ、平
均的な消費電力を小とすることかで・きる。
さらに動作を説明すると、バブルがマイナループ】−ヒ
にあるときは、小さい回転磁界強度で駆動する。書込み
、読1反りを行なう場合、所望のバブルがトランスファ
ゲート2に来ると、コンダクタにパルス電流が流され、
バブルはメジャループ3にとりこまれる。書込みの場合
は、アナイレータ6でバブル消去が行なわれ、同時に、
ジェネレータ7で必要情報が書き込まれ、トランスファ
ゲート2を介してマイナループ1に入れられる。読取り
の場合には、バブルがメジャループ3のパーマロイパタ
ーンを通るため、回転磁界を強くし、レプリケータ4で
バブルを分割し、一方をディテクタ5へ、他方はトラン
スファゲート2を介してマイナループ1に戻す。従って
、読取りの一部の時間を除き、回転磁界はコンテイギユ
アスディスクを駆動する強度で十分であり、平均的な消
費電力を小さくすることができる。
にあるときは、小さい回転磁界強度で駆動する。書込み
、読1反りを行なう場合、所望のバブルがトランスファ
ゲート2に来ると、コンダクタにパルス電流が流され、
バブルはメジャループ3にとりこまれる。書込みの場合
は、アナイレータ6でバブル消去が行なわれ、同時に、
ジェネレータ7で必要情報が書き込まれ、トランスファ
ゲート2を介してマイナループ1に入れられる。読取り
の場合には、バブルがメジャループ3のパーマロイパタ
ーンを通るため、回転磁界を強くし、レプリケータ4で
バブルを分割し、一方をディテクタ5へ、他方はトラン
スファゲート2を介してマイナループ1に戻す。従って
、読取りの一部の時間を除き、回転磁界はコンテイギユ
アスディスクを駆動する強度で十分であり、平均的な消
費電力を小さくすることができる。
以上、説明したように、本発明によればコンテイギユア
スディスクとパーマロイパターンを混在させた素子にお
いて、その回転磁界の強さをバブル位置に応じ変化させ
ることにより平均消費電力を少なくすることができる。
スディスクとパーマロイパターンを混在させた素子にお
いて、その回転磁界の強さをバブル位置に応じ変化させ
ることにより平均消費電力を少なくすることができる。
その結果、大容量化によるコイル形状の大型化や、高速
化による高周波損失の増大に対しても、平均駆動電流が
少なくてずみ、磁気バブルメモリの高速化、大容量化に
寄与することかできる。
化による高周波損失の増大に対しても、平均駆動電流が
少なくてずみ、磁気バブルメモリの高速化、大容量化に
寄与することかできる。
第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図は第1図の
トランスファゲートの部分を示す図、第3図はメジャル
ープにおけろコンテイギユアスディスクとパーマロイパ
ターンとの接続部を示す図、第4図は本発明を説明する
ための動作特性を示す図である。 トマイナループ、2・・・トランスファケート、3 ・
メジャル=グ、4 ・レプリケータ、5・ ディテクタ
、6 アナイレータ、7・・ジェネレータ。 代理人弁理−ト 鈴 木 誠 第1図 第2図
トランスファゲートの部分を示す図、第3図はメジャル
ープにおけろコンテイギユアスディスクとパーマロイパ
ターンとの接続部を示す図、第4図は本発明を説明する
ための動作特性を示す図である。 トマイナループ、2・・・トランスファケート、3 ・
メジャル=グ、4 ・レプリケータ、5・ ディテクタ
、6 アナイレータ、7・・ジェネレータ。 代理人弁理−ト 鈴 木 誠 第1図 第2図
Claims (2)
- (1) マイナルーゾおよびメジャループからなる磁
気バブル素子において、上記メジャループのうちl・ラ
ノスファゲ−1・を構成する部分とマイナル−プとをコ
ンテイギユアスディスクの転送路とし、他をパーマロイ
パター7の転送路とすることを特徴とする磁気バブル素
子。 - (2) メジャルーズのうちトランスフアゲ−1・を
構成する部分とマイナーループとをコンティギュアテイ
スクの転送路とし、他をパーマロイパターンの転送路と
する磁気バブル素子の駆動方式であって、磁気バブルが
コンテイギユアスディスク上にあるときにはパーマロイ
パターン」二にあるときより小さい強度の回転磁界で駆
動することを特徴とする磁気バブル素子の駆動方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113771A JPS595486A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 磁気バブル素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113771A JPS595486A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 磁気バブル素子の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595486A true JPS595486A (ja) | 1984-01-12 |
| JPH059875B2 JPH059875B2 (ja) | 1993-02-08 |
Family
ID=14620712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57113771A Granted JPS595486A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 磁気バブル素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595486A (ja) |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP57113771A patent/JPS595486A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH059875B2 (ja) | 1993-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4086572A (en) | Magnetic bubble domain replicator | |
| JPH04500285A (ja) | 磁気光学メモリに記録するために磁界を変調するための制御回路 | |
| CA1149063A (en) | Ion-implanted bubble memory with replicate port | |
| JP2685093B2 (ja) | 光磁気ディスクの外部磁界印加装置および光磁気ディスク装置 | |
| CA1046635A (en) | Disk generator | |
| JPS6244354B2 (ja) | ||
| JPH059875B2 (ja) | ||
| US4561069A (en) | Magnetic bubble memory device gates | |
| JPS6249672B2 (ja) | ||
| JPH0520721A (ja) | 光磁気記録方式 | |
| JPS5816273B2 (ja) | エントウジクセイギヨソウチ | |
| JP2682672B2 (ja) | ブロッホラインメモリデバイス | |
| US4473891A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| JP2612561B2 (ja) | ブロツホラインメモリ | |
| JPS623508B2 (ja) | ||
| JPS5998375A (ja) | 書込みトランスフア−ゲ−ト | |
| JPS6050689A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS5947385B2 (ja) | 磁気バブル装置用転送パタ−ン | |
| JPS5982690A (ja) | 磁気バブルトランスフア−ゲ−ト | |
| JPS5965990A (ja) | 磁気バブルトランスフア−ゲ−ト | |
| EP0036929A1 (en) | A magnetic bubble device | |
| JPS5532261A (en) | Memory control system | |
| JPS6037547B2 (ja) | イオン注入磁気バブルメモリ素子のゲ−ト駆動方法 | |
| JPS60113302A (ja) | フロッピ−ディスク装置 | |
| JPS58200490A (ja) | コンテイギユアスデイスク型磁気バブル素子 |