JPS5954941U - 半導体装置の封止構造 - Google Patents

半導体装置の封止構造

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JPS5954941U
JPS5954941U JP1982139763U JP13976382U JPS5954941U JP S5954941 U JPS5954941 U JP S5954941U JP 1982139763 U JP1982139763 U JP 1982139763U JP 13976382 U JP13976382 U JP 13976382U JP S5954941 U JPS5954941 U JP S5954941U
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JP
Japan
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sealing structure
circuit board
semiconductor devices
semiconductor device
integrated circuit
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JP1982139763U
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English (en)
Inventor
金沢　秀興
Original Assignee
セイコーインスツルメンツ株式会社
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａは従来の半導体装置封止構造の平面図、第１図
すは従来の半導体装置封止構造の断面図、第２図ａは本
考案による半導体封止構造の一実施例平面図、第２図す
は本考案による半導体封止構造の一実施例断面図である
。 １・・・・・・回路基板、２・・・・・・パターン、３
・・・・・・集積回路、４・・・・・・封止樹脂、５・
・・・・・インナーリード形成窓、６−−−−−−イン
ナーリード、１′・・・・・・ブリッジ、２′・・・・
・・ブリッジパターン。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. インナーリードを有する回路基板に集積回路を電極接合
    したミニモツド等の半導体装置に於て、前記回路基板の
    インナーリード形成窓に回路基板の一部をブリッジとし
    て形成すると共に集積回路と回路基板とを封止剤により
    固定かつ封止することを特徴とする半導体装置の封止構
    造。
JP1982139763U 1982-09-14 1982-09-14 半導体装置の封止構造 Pending JPS5954941U (ja)

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