JPS5955414A - 全固体型エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク素子Info
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- JPS5955414A JPS5955414A JP57166085A JP16608582A JPS5955414A JP S5955414 A JPS5955414 A JP S5955414A JP 57166085 A JP57166085 A JP 57166085A JP 16608582 A JP16608582 A JP 16608582A JP S5955414 A JPS5955414 A JP S5955414A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
エレクトロクロミック現象とは、電圧を加えた時に酸化
還元反応により物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、飼えば数字
表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ、光学シャッ
タ、絞り機構等に応用できるもので、その材料で分類す
ると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全固
体型のエレクトロクロミック素子に関するものである。
還元反応により物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、飼えば数字
表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ、光学シャッ
タ、絞り機構等に応用できるもので、その材料で分類す
ると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全固
体型のエレクトロクロミック素子に関するものである。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミック素子の２つの従来例を第１図および第２図
に示す。
ロクロミック素子の２つの従来例を第１図および第２図
に示す。
第１図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
１の上に、透明導電体膜よりなる第１電極２、陰極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜からな
る絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積層し
て外るものである。
１の上に、透明導電体膜よりなる第１電極２、陰極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜からな
る絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積層し
て外るものである。
また、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第１
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陽極側発色層である第２の工レフト［〕クロミ
ック層６を積層したものである。
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陽極側発色層である第２の工レフト［〕クロミ
ック層６を積層したものである。
上記の構造におい１−１基板１は一般的にガラスＡＪＱ
に上って形成さノしるが、こハ、ｄガラス板に限らず、
プラスチック板脣たけアクリル根性の如く透明な板であ
ればよく、Ａた、その位１１′１にトｌニジても１、’
ｒ！ １電イ阪２の下てり；Ｊなく第２電栓５の土にπ
ｙけてイ）よいし、［１的に応じて（例えば、保１’Ｉ
カバーにするなどの目ｒ白で）両（ｌＩｌｌにｉンｆ＝
ｉでもよい。ただし、ζ、わらのす２）８−に応じで、
ａ ２Ｔｕ、ｌ’ｉｔ ５ ｔ ；％ Ｎｌ ’−’ｌ
’ ７０鴫にｊ〜たり、ｉｉｌ、ｉ １ｉｌｊの７ｐ＋
’、イ敬とイ）袴、明導ｈ＋、屑（にする８晃゛がある
。
に上って形成さノしるが、こハ、ｄガラス板に限らず、
プラスチック板脣たけアクリル根性の如く透明な板であ
ればよく、Ａた、その位１１′１にトｌニジても１、’
ｒ！ １電イ阪２の下てり；Ｊなく第２電栓５の土にπ
ｙけてイ）よいし、［１的に応じて（例えば、保１’Ｉ
カバーにするなどの目ｒ白で）両（ｌＩｌｌにｉンｆ＝
ｉでもよい。ただし、ζ、わらのす２）８−に応じで、
ａ ２Ｔｕ、ｌ’ｉｔ ５ ｔ ；％ Ｎｌ ’−’ｌ
’ ７０鴫にｊ〜たり、ｉｉｌ、ｉ １ｉｌｊの７ｐ＋
’、イ敬とイ）袴、明導ｈ＋、屑（にする８晃゛がある
。
Ｉ記の４固（、＋智ｊエレクトロクコミック喜−了に一
般的に用いらＪ７、ている膜の相打の代表例を列挙する
。ｇ Ｉ Ｉｊ’、 ４１２ ＆＋ＩＩＶ成−ｊ−ルＡ
明ｐｇｎｉ、 ｊｌ：’ニア、 ｙ：ｔ、Ｉ’ｒＯ膜
（Ｉｎ２Ｏ３中に５ ％ （１） ５ｎ０２を含むもの
）やネサｕ（ｈ、Ｖである。陰極側発色１イ６であるエ
レクトロクロミック層３シ１、二ｒ′Ｉぐ化タングステ
ン（ｗｏ２’）、三酸化タングステン（ＷＯ３）、二ｒ
イ；２化モリグデン（Ｍｏ０２）、三酸化モリブチ′ン
（ＭｏＯ２）、五〇９化バナノウム（Ｖ２Ｏ５）等を用
いて形成する。誘ｉ体股である＋Ｆ、４縁層４には、二
酸化ノルコン（Ｚｒ０２）、酸化ケイ素（Ｓｉ０ ）、
二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）、五酸化タンタル（Ｔａ２０
５ ）等に代表さノするｉ’＋：＞化物、あるいはフ；
化リチウム（ＬｉＦ ） 、フッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ２） ａに代表されるフッ化物が用いられる。
般的に用いらＪ７、ている膜の相打の代表例を列挙する
。ｇ Ｉ Ｉｊ’、 ４１２ ＆＋ＩＩＶ成−ｊ−ルＡ
明ｐｇｎｉ、 ｊｌ：’ニア、 ｙ：ｔ、Ｉ’ｒＯ膜
（Ｉｎ２Ｏ３中に５ ％ （１） ５ｎ０２を含むもの
）やネサｕ（ｈ、Ｖである。陰極側発色１イ６であるエ
レクトロクロミック層３シ１、二ｒ′Ｉぐ化タングステ
ン（ｗｏ２’）、三酸化タングステン（ＷＯ３）、二ｒ
イ；２化モリグデン（Ｍｏ０２）、三酸化モリブチ′ン
（ＭｏＯ２）、五〇９化バナノウム（Ｖ２Ｏ５）等を用
いて形成する。誘ｉ体股である＋Ｆ、４縁層４には、二
酸化ノルコン（Ｚｒ０２）、酸化ケイ素（Ｓｉ０ ）、
二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）、五酸化タンタル（Ｔａ２０
５ ）等に代表さノするｉ’＋：＞化物、あるいはフ；
化リチウム（ＬｉＦ ） 、フッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ２） ａに代表されるフッ化物が用いられる。
第２電極５には、例えｒｆＡｕの半透明導電膜が使用さ
ノ］、る。才だ、第２図に示すものにおいて、陽極側発
色層である第２のエレクトロクロミック層６ば、酸化ク
ロ、！、 （Ｃｒ２０ｘ ）、水酸化イリジウム（Ｉｒ
（Ｏｆ−０２）、水酸化ニッケル（Ｎ１（ＯＩＴ）２
）等を用いて形成する。
ノ］、る。才だ、第２図に示すものにおいて、陽極側発
色層である第２のエレクトロクロミック層６ば、酸化ク
ロ、！、 （Ｃｒ２０ｘ ）、水酸化イリジウム（Ｉｒ
（Ｏｆ−０２）、水酸化ニッケル（Ｎ１（ＯＩＴ）２
）等を用いて形成する。
この様な構造をもつ伶固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５の間に電ＩＦを印加するこ
とにより電気化学的反応が起き発色、消色をする。この
発色機構は、向えば、第１のエレクトロクコミック層３
へのカチメンと電子のダブルインノエクションによるブ
ロンズ形成にあると一般的に稠われている。Ｋｌｌえば
、そのエレクトロクロミック物質にＷＯ５を用いる場合
には、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発
色する。
は、第１電極２と第２電極５の間に電ＩＦを印加するこ
とにより電気化学的反応が起き発色、消色をする。この
発色機構は、向えば、第１のエレクトロクコミック層３
へのカチメンと電子のダブルインノエクションによるブ
ロンズ形成にあると一般的に稠われている。Ｋｌｌえば
、そのエレクトロクロミック物質にＷＯ５を用いる場合
には、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発
色する。
ＷＯ３＋ ｘＨ十 十 ｘｅ ： ＨｘＷＯ３
（］）（１）式に従ってタングステンブロンズＨｘＷＯ
５が形成芒ノ１、発色するが、ここで印加電圧を逆転す
れは消色状、沖となる。
（］）（１）式に従ってタングステンブロンズＨｘＷＯ
５が形成芒ノ１、発色するが、ここで印加電圧を逆転す
れは消色状、沖となる。
し力１し、この様な構造の全ｒ、！、−１１型エレクト
ロクロミツク素了は、発色時に所望の着色濃度がＫ”Ｓ
らｉｔないなどの欠点な持っている。
ロクロミツク素了は、発色時に所望の着色濃度がＫ”Ｓ
らｉｔないなどの欠点な持っている。
本発明の目的は、王制のような従来の工１／りトロクロ
ミック素子における欠点を改善し、所望の着色で１冴度
ｑ）発色が得られる全固体型工１／クトロクロミ、り素
−ｆを得ることにある。
ミック素子における欠点を改善し、所望の着色で１冴度
ｑ）発色が得られる全固体型工１／クトロクロミ、り素
−ｆを得ることにある。
本発明による全固体型エレクトロクロミック素子の特徴
とするところは、上記の第１図および第２図に示すよう
な全固体型エレクトロクロミック素了において、陰極側
発色層である工１／りトロクロミ、り層がそ）１ぞれ吸
収バンドの異すっｆｌ 工し／クトロクロミック物質の
２以上の層を積層したものて゛月’＝ Ｄ’ｉ、 ’Ｊ
ノ１．／とことに・ある。
とするところは、上記の第１図および第２図に示すよう
な全固体型エレクトロクロミック素了において、陰極側
発色層である工１／りトロクロミ、り層がそ）１ぞれ吸
収バンドの異すっｆｌ 工し／クトロクロミック物質の
２以上の層を積層したものて゛月’＝ Ｄ’ｉ、 ’Ｊ
ノ１．／とことに・ある。
以Ｔ、本発明の実施態様について説明する。第３図（ｄ
、本発明を一上記の第１図に示す構ｊ告のエレクトロク
ロミック素子に適用した本発明の第１の実施態様を示す
。このエレクトロク［７ミツク素子は、第１図に示すも
のと同様に、透明な基板１の一上にＪ透明導電体膜より
なる第１屯極２、陰極１［１１１発色層であるエレクト
ロクロミック層３、＋Ｊ ７’ｌＬｈ膜からなる絶縁層
４、導電体膜上りなる第２屯（全５を順次にｔ！１層し
７てなるものであるが、陰極側発色層であるエレクトロ
クロミック層３は、−それぞれ吸収バンドの異なった２
再のエレクトロクロミック物質、例えばＷＯ３の層３１
とＢｉ２Ｏ３の層３２を順次に積層することによって構
成さＩしている。
、本発明を一上記の第１図に示す構ｊ告のエレクトロク
ロミック素子に適用した本発明の第１の実施態様を示す
。このエレクトロク［７ミツク素子は、第１図に示すも
のと同様に、透明な基板１の一上にＪ透明導電体膜より
なる第１屯極２、陰極１［１１１発色層であるエレクト
ロクロミック層３、＋Ｊ ７’ｌＬｈ膜からなる絶縁層
４、導電体膜上りなる第２屯（全５を順次にｔ！１層し
７てなるものであるが、陰極側発色層であるエレクトロ
クロミック層３は、−それぞれ吸収バンドの異なった２
再のエレクトロクロミック物質、例えばＷＯ３の層３１
とＢｉ２Ｏ３の層３２を順次に積層することによって構
成さＩしている。
第４図は本発明全土ＲＣの第２し１に示す構ｊｚのエレ
クトロクロミック累子に適用した本発明の第２の実ノイ
！ｊ態様を示す。このエレクトロクロミック素子ｔま、
第３図に示すエレクトロクロミ、り素子における絶縁層
４とＫＴＪ２電極５との間に、さらに、陽極側発色層で
ある第２のエレクトロクロミック層６を積層したもので
、第３図に示すものと同様に、陰極（ｌｕｌ１発色層で
ある第１のＪレクトロクロミック層３ば、上述と同様に
、−ｆ：］主ぞカ、吸収バンドの界なった２釉のエレク
トロクロミック物質の層を順次積ｊシ）することによっ
て構成てれている。
クトロクロミック累子に適用した本発明の第２の実ノイ
！ｊ態様を示す。このエレクトロクロミック素子ｔま、
第３図に示すエレクトロクロミ、り素子における絶縁層
４とＫＴＪ２電極５との間に、さらに、陽極側発色層で
ある第２のエレクトロクロミック層６を積層したもので
、第３図に示すものと同様に、陰極（ｌｕｌ１発色層で
ある第１のＪレクトロクロミック層３ば、上述と同様に
、−ｆ：］主ぞカ、吸収バンドの界なった２釉のエレク
トロクロミック物質の層を順次積ｊシ）することによっ
て構成てれている。
第５［ツ１Ｉ７ｔ、本発明を上記の第１図に示す構造の
エレクトロクロミック素子に適用した本発明の第３の実
施態様を示す。このエレクトロクロミック素子（ｌこお
いては、第１図に示す陰極側発色層であるエレクトロク
ロミック層３ば、そ〕１．ぞノを吸収バンドの異すった
３棹のエレクトロクロミック物質、例えば、ＷＯ５（７
）層３１とＶ２Ｏ５（７）層３２とｒ１０２の層３３を
順次に「１層することによって構成ネわ、でいるＯ 第１図および第２図に示すように、第１エレクトロクロ
ミック層に従来の如く単一のエレクトロクロミック物質
例えばＷＯ３のみを用いる場合には、発色は青色にしか
着色しないが、第３図、第４図および第５１ゾに示すよ
うに、第１エレクトロクロミック層に、そｉｚぞれ吸収
バンドが異なっていて異なる色に着色するエレクトロク
ロミック物質を積層すれば、黒色に近い色が得られ、濃
い着色濃度の発色を得ることができる◎ 上述の実施態様においてし１ｊとして挙げたものについ
て説明すると、電圧を印加した時に、ＷＯ３は無色から
青色に着色し、Ｂ１２Ｏ３は無色から黒褐色に着色し、
Ｖ２Ｏ５け淡黄色から灰緑色に着色し、ＴｌＯ２にし無
色から灰緑色に着色し、こ１＋らのエレクトロクロミッ
ク物質を４ｉｔ層することによって、黒色に近い発色が
得らり、る。
エレクトロクロミック素子に適用した本発明の第３の実
施態様を示す。このエレクトロクロミック素子（ｌこお
いては、第１図に示す陰極側発色層であるエレクトロク
ロミック層３ば、そ〕１．ぞノを吸収バンドの異すった
３棹のエレクトロクロミック物質、例えば、ＷＯ５（７
）層３１とＶ２Ｏ５（７）層３２とｒ１０２の層３３を
順次に「１層することによって構成ネわ、でいるＯ 第１図および第２図に示すように、第１エレクトロクロ
ミック層に従来の如く単一のエレクトロクロミック物質
例えばＷＯ３のみを用いる場合には、発色は青色にしか
着色しないが、第３図、第４図および第５１ゾに示すよ
うに、第１エレクトロクロミック層に、そｉｚぞれ吸収
バンドが異なっていて異なる色に着色するエレクトロク
ロミック物質を積層すれば、黒色に近い色が得られ、濃
い着色濃度の発色を得ることができる◎ 上述の実施態様においてし１ｊとして挙げたものについ
て説明すると、電圧を印加した時に、ＷＯ３は無色から
青色に着色し、Ｂ１２Ｏ３は無色から黒褐色に着色し、
Ｖ２Ｏ５け淡黄色から灰緑色に着色し、ＴｌＯ２にし無
色から灰緑色に着色し、こ１＋らのエレクトロクロミッ
ク物質を４ｉｔ層することによって、黒色に近い発色が
得らり、る。
次に、本発明による全固体型エレクトロクロミック素子
の実施し１ｊを説、明する。
の実施し１ｊを説、明する。
実施例
第３図に示す構造の全固体型エレクトロクロミック素子
において、厚さ０７叫の硼硅酸ガラス製の基板１上に形
成した適当な引き出し電極部及びリード部を晧えたＩＴ
Ｏ膜から寿る第１電極２上に、真空蒸着法によりＷＯ３
の層３１及び旧２０５の層３２を順次積層してなる陰極
側発色層のエレクトロクロミック層３を形成し、更にこ
の上にＴａ２０５よりなる絶縁層４（厚さ３０００Ｘ）
及びＡｕの半透明導電膜（厚さ３００Ｘ）からなる第２
電極５ｆ：形成した。ここで、上記ＷＯ５層３１及びＢ
１２０５層３２Ｑ＞）！、Ｑ＠ｌｉ’ａ＃ｒ ２０００
Ｘ、８００ ＸとＩ、ｆｃ。また真空溜７にの条件は真
空度２．０ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０Ｘ／
ｓｅｃとした。
において、厚さ０７叫の硼硅酸ガラス製の基板１上に形
成した適当な引き出し電極部及びリード部を晧えたＩＴ
Ｏ膜から寿る第１電極２上に、真空蒸着法によりＷＯ３
の層３１及び旧２０５の層３２を順次積層してなる陰極
側発色層のエレクトロクロミック層３を形成し、更にこ
の上にＴａ２０５よりなる絶縁層４（厚さ３０００Ｘ）
及びＡｕの半透明導電膜（厚さ３００Ｘ）からなる第２
電極５ｆ：形成した。ここで、上記ＷＯ５層３１及びＢ
１２０５層３２Ｑ＞）！、Ｑ＠ｌｉ’ａ＃ｒ ２０００
Ｘ、８００ ＸとＩ、ｆｃ。また真空溜７にの条件は真
空度２．０ Ｘ １０ ’Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０Ｘ／
ｓｅｃとした。
この様にして得ら７″した全固体型エレクトロクロミ、
り素子を第１及び第２市極ｍ１に電圧２．２Ｖを開力Ｉ
Ｊ Ｌ、で駆動したところ、着色濃度がΔＯＤで０、４
．０の発色を得ることができた。こｈは、陰極ｆｉｌ＋
発色層のエレクトロクコミック層が）ｖｏ３のみのもの
よりも約１．３倍の着色濃度が得られたことになる。
り素子を第１及び第２市極ｍ１に電圧２．２Ｖを開力Ｉ
Ｊ Ｌ、で駆動したところ、着色濃度がΔＯＤで０、４
．０の発色を得ることができた。こｈは、陰極ｆｉｌ＋
発色層のエレクトロクコミック層が）ｖｏ３のみのもの
よりも約１．３倍の着色濃度が得られたことになる。
実施例２
第３図に示す構造の全固体型エレクトロクロミック素子
Ｐこおいて、厚さ０．７ ｍの硼硅酸ガラスよりなる基
板１上に適当な引き出し電極部及びリード７ｉ１ｊを（
ｒｉＮえたＩＴＯ膜より成る第１市極２を形成し、その
上に、３４空蒸着法によりＷＯ３の層３１及び’ｌ’１
０２の層３２を１順次積層してなる陰極側発色層のエレ
クトロクロミック層３を形成し、更にこの上Ｉｃ Ｔａ
２（Ｊ５ 、Ｊ： ９ ｆｌ ／）絶縁層４（厚す３０
００１ ）及び半ｊ〃明Ａｕ腋（厚さ３ｏｏＸ）妙・ら
なる第２電極５を形成した。ここで、上記のＷ０３層３
１及びＴｌＯ２Ｍ ３２ Ｃ’） Ｊｌ ８ Ｂ各々２
２００ Ｘ 、 ８００ Ｘトした。また、真空蒸着の
条件は真空度２． ＯＸ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ’、 蒸着
速度１ｏｘ７！（！ｃとした。
Ｐこおいて、厚さ０．７ ｍの硼硅酸ガラスよりなる基
板１上に適当な引き出し電極部及びリード７ｉ１ｊを（
ｒｉＮえたＩＴＯ膜より成る第１市極２を形成し、その
上に、３４空蒸着法によりＷＯ３の層３１及び’ｌ’１
０２の層３２を１順次積層してなる陰極側発色層のエレ
クトロクロミック層３を形成し、更にこの上Ｉｃ Ｔａ
２（Ｊ５ 、Ｊ： ９ ｆｌ ／）絶縁層４（厚す３０
００１ ）及び半ｊ〃明Ａｕ腋（厚さ３ｏｏＸ）妙・ら
なる第２電極５を形成した。ここで、上記のＷ０３層３
１及びＴｌＯ２Ｍ ３２ Ｃ’） Ｊｌ ８ Ｂ各々２
２００ Ｘ 、 ８００ Ｘトした。また、真空蒸着の
条件は真空度２． ＯＸ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ’、 蒸着
速度１ｏｘ７！（！ｃとした。
この様にして得ら力、た全固体型エレクトロクロミック
素子’を第１及び第２亀橡聞に電ＪＥ ２．２ Ｖを印
加して駆動したところ、着色濃度がΔＯＤで０．３９の
発色を得ることがて＠た。こ７’１． ｉｉ陰極側発色
層のエレクトロクロミ、り層がＷＯ３のみのものよりも
１．３倍の着色速度が待らえ７．たことになる。
素子’を第１及び第２亀橡聞に電ＪＥ ２．２ Ｖを印
加して駆動したところ、着色濃度がΔＯＤで０．３９の
発色を得ることがて＠た。こ７’１． ｉｉ陰極側発色
層のエレクトロクロミ、り層がＷＯ３のみのものよりも
１．３倍の着色速度が待らえ７．たことになる。
実施例
第５図に示す構造の全固体型エレクトロクコミック素子
において、厚さ０７順の６＋１１１硅酸ガラスよりなる
基板１上に適当な引きａｔ Ｌυ１極部及びリード部を
諦えたＩＴＯ膜より成る第１″Ｉａ極２を形成し、その
上に、真空蒸着法により、ＷＯ３の層３１及びＶ２Ｏ５
の層３２及びＴｌＯ２の層３３を順次積層してなる陰極
側発色層のエレクトロクコミック層３を形成し、更にこ
の土にＴａ２０５よりなる絶縁層４（厚さ３０００Ｘ）
及び半透明Ａｕ Ｍ（厚す３ Ｑ ＯＸ）からなる第２
１［４ｆｆｉ５を形成した。ここ−で、」１記のＷＯ２
層：３１及びＶ２Ｏ５１輯３２及びＴｉＯ２層３３の厚
嘔は各／２２０００λ、 ８００ Ｘ 、 ８００ Ｘ
とした。
において、厚さ０７順の６＋１１１硅酸ガラスよりなる
基板１上に適当な引きａｔ Ｌυ１極部及びリード部を
諦えたＩＴＯ膜より成る第１″Ｉａ極２を形成し、その
上に、真空蒸着法により、ＷＯ３の層３１及びＶ２Ｏ５
の層３２及びＴｌＯ２の層３３を順次積層してなる陰極
側発色層のエレクトロクコミック層３を形成し、更にこ
の土にＴａ２０５よりなる絶縁層４（厚さ３０００Ｘ）
及び半透明Ａｕ Ｍ（厚す３ Ｑ ＯＸ）からなる第２
１［４ｆｆｉ５を形成した。ここ−で、」１記のＷＯ２
層：３１及びＶ２Ｏ５１輯３２及びＴｉＯ２層３３の厚
嘔は各／２２０００λ、 ８００ Ｘ 、 ８００ Ｘ
とした。
１、＋、↓（空ｆｆｉ ７＆の条件は！（？、度２．
ＯＸ １． Ｏ” Ｔｏｒｒ蒸着速度ｌＯλ／ψＣとし
／ζ。
ＯＸ １． Ｏ” Ｔｏｒｒ蒸着速度ｌＯλ／ψＣとし
／ζ。
この様にして社１られた全円［本型エレクトロクロミッ
ク１子を第１及び第２市枢間に１１ｊ１圧２，２ｖを１
（］加して、駆％Ｉ したところ、着色濃度がΔＯＩ）
で０４２の発色會得ることができブξ。こノ１、は陰極
１ｔｌ１１発色層σ）エレクトロクロミック層がＷＯ２
のみのものよりも１４倍の着色濃度が？’Ｊらｊしたこ
とになる。
ク１子を第１及び第２市枢間に１１ｊ１圧２，２ｖを１
（］加して、駆％Ｉ したところ、着色濃度がΔＯＩ）
で０４２の発色會得ることができブξ。こノ１、は陰極
１ｔｌ１１発色層σ）エレクトロクロミック層がＷＯ２
のみのものよりも１４倍の着色濃度が？’Ｊらｊしたこ
とになる。
以に１階明したように本発明により、ば、７Ｊｉ望の着
色濱口ｆ（の発色を呈する全固体型エレクトロクロミッ
ク；包子を？４７ることができる。
色濱口ｆ（の発色を呈する全固体型エレクトロクロミッ
ク；包子を？４７ることができる。
４図１而のｆ’ｌｉ’ｌ ７１’な勝１１ｙ１第１図及
び第２図は全同体型エレクトロクロミック素７の二つの
従来例の断面構造を示−ｊ ｌン１、第３図、第４図外
よひ第５図は七ｉｔぞｈ本発明の全固体型エレクトロク
ロミック素イの実ｌ１ｌｊ 態様を示す断面構造図であ
る。
び第２図は全同体型エレクトロクロミック素７の二つの
従来例の断面構造を示−ｊ ｌン１、第３図、第４図外
よひ第５図は七ｉｔぞｈ本発明の全固体型エレクトロク
ロミック素イの実ｌ１ｌｊ 態様を示す断面構造図であ
る。
１・・・基板、 ２・・・第１電極。
３・・エレクトロクロミック層、
４・・・絶縁層、 ５・・・第２７１を極、
６・・・第２のエレクトロクロミック層第１図 １〜 第２１！１ （〜 ゛バ］′、゛、／°、゛。
６・・・第２のエレクトロクロミック層第１図 １〜 第２１！１ （〜 ゛バ］′、゛、／°、゛。
第３図
Ａ〆“°パ・°パ・°゛パパ
第４図
乙Ｊ −〜 −
Claims (1)
- 導電体膜より成る第１電極と、陰極側発色層であるエレ
クトロクロミック層と、誘一体膜からなる絶縁層と、導
電体膜よりなる第２電極を順次積層し、或いは上記の絶
縁層と第２電極の間にさらに陽極側発色層である第２の
エレクトロクロミック層を積層してなる全固体型エレク
トロクロミック素子において、陰極側発色層であるエレ
クトロクロミック層がそれぞれ吸収バンドの異なったエ
レクトロクロミック物質の２以上の触を積層したものか
らなることを％徴とする全固体型エレクトロクロミック
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57166085A JPS5955414A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57166085A JPS5955414A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5955414A true JPS5955414A (ja) | 1984-03-30 |
Family
ID=15824701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57166085A Pending JPS5955414A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5955414A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022141789A (ja) * | 2015-07-14 | 2022-09-29 | ビュー， インコーポレイテッド | エレクトロクロミックデバイス用の対電極 |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP57166085A patent/JPS5955414A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022141789A (ja) * | 2015-07-14 | 2022-09-29 | ビュー， インコーポレイテッド | エレクトロクロミックデバイス用の対電極 |
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