JPS5955433A - フアインパタ−ン導電体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は高密１１１［ｕ配線で比較的大きな宜汗、値を
イ↓ることが出来るパターン導電体に係り、更にｎηし
くに互いに隣接する元Ｊ「台紐酸物製のレリーフと導を
性基板とにより４ｔ￥成されろパターン部分に勇′Ｌセ
１体を１「蓋形成し１こ後で該導′屯性基板を除去して
作成し１こ厚膜ファインパターン導電体の前「１）シレ
リーフｔｙ＞　２Ｂ面形状かはｙ矩形でありかつレリー
フの高さが２０μ以上であり史にこのレリーフを構成す
る光重合性組成物の光重合開始ハリの吸光係数が励起波
長域において比較的小さいことを特徴としｆこファイン
パターン導電体に関丁２−ものである。 ？、Ｔ−米のフォトレジストやスクリーン印刷技術を利
用し１こファインパターン加工ではル゛Ａ　Ｊ’ｉに限
界があり、第１図に示す如（基板１−Ｆに＋１＜成され
１こレリーフ２の篩さ１１は１０μ以下であり、又一部
には６０〜５０μの厚膜レジストもあるが、この場合に
はレリーフ２の断面寸法σ月Ｔｌ　ａど高さｈとの比は
１／１がＪ′ケ小であり、通常はレリーフ２の１わａは
レジスト膜厚（レリーフ２０高さ１１に相当）以下であ
つ１こ。史に凸版印刷用版Ｉのレリーフ２′は第２図に
示す如く印刷時に力が加わった時の変形を防ぐ１こめに
富士型の断面形状火イ１しており、このものは＋ＩＩｆ
ｉ接１−るレリーフとの間隔がｆ部に於て接近してい１
こ。従ってこれ等の従来のパターン導電体はレリーフ巾
に対してレリーフ高さの高いかつ１０１面形状が矩形状
を有し１こ厚膜４ファインパターンが得られない為に篩
性能及び小ノ１す化欠すｙ；Ｐ、される各種電子部品等
には使用することが出−，４１，ない欠点があつ１こ。 本発明は従来の之等の欠点に鑑み開発しＴこ全（新規な
技術であって、特に巾に比較して高さが高くかつ断面形
状かはｇ矩形のレリーフｆ？：持つ１こ厚膜ファインパ
ターン導電体に関するもので、！７．ろ。 本発明は上述のパターン導電体ケＩＥト６為に感光性樹
脂組成物の中で、特に活性光肪の照５ト１により光重合
皮ｌちを起こし、光硬化しｌθ状から１、）］状となる
か又は各種溶剤に対するｆ：解性がδに少てろ％件？持
つ１こ光重合性組成物ケ便用シ、１、−０一般の感光（
′を樹脂組成物の内でもフォトレジストとして良く用い
られる光二重駁化組成物、ジアゾ糸組成物、光”Ｊ　（
Ｒ性ＩＪＩ酸物寺は厚膜を硬化さ一忙ることか浦かしく
、前述の！ＩＩＩぎ本発明の厚）１ｑフアインパターン
を８１１造−［る為に用いることは困帷である。 木兄四階ら＆ｊ仙々検討し１こ結果、光ｆ「合性組成物
の５ら特定の）Ｙ：、ｉｌｃ合開合剤始剤い１こものに
よりレリーフｌｌ　Ｋ対してレリーフ高さが高くかつレ
リーフの断面かはｙ矩形のものが得られることを見い出
し、本発明ケ完ｌｉｄさせ１こ。丁／、Ｃわ１）、本発
明は光重合４′トχ１１成物に必須成分として加えられ
る元止合開始削のりも、比較的吸光係数の小、）いべ、
のを用い１こ光重合性組成物を用いることにより達成で
きること化Ｗ八・出し１こものである。光１１

【合性組
成物は前述の１１１！の系統の感光１’Ｆ　＋Ｑ１１１
Ｍ組成物に較べて一般にレリーフ高さの高いものが得ら
れ易いが本願σ）目的とする２０μ以上のレリーフ高さ
を持ち、かつレリーフｌ】に対して高さｈ）高く、さら
にレリーフ断面が矩形であるようなし１１−フッくター
ンを得るためには本ｋＣ１のごとく光１［合開始削の１
１支尤係叔の小さいものを用いる８曹がある。 厚イモのは硬化できず、レリーフ高８１ＣｐＪｔ　’Ｊ
ｆ−力ゝあり、まＴこレリーフ「１“６さの、犠いもの
欠ｉｔ）る１こめに１通光１片を多くシ１こ１ｌｊ）合
は、し１１−フ［１］が原版σ）ノくターン巾に較べ太
ってしまい、結果としてしＩノ−フ巾に対してレリーフ
高さの高いものがイヘ［も北な（・。 比較的吸光係数の小さい光ｊ７Ｔ合開始削とは６００１
１１μ〜４２０ｍμの範１ｊ１１での吸収極大における
モル吸光係数が１０００　ｇ／ｍｐ　ｌ・備以下υ）も
σ）でル、す、特ニア　００　ｌ／１ｎｏｌ−、ｚ以下
のものが好ましく・。 このような）’Ｃ；　１１４．合開始ｉｌｌの例として
はθζ式で示されるものか、（りな。 ｔ１ １ｔ１−Ｃ−Ｃ−Ｒ２ １１ （Ｊ　　Ｒ３ ここでＩｔｌＨ：フェニル基又装置１ゾｔフェニル基、
Ｉｔ２はｌ■、水酸基、アルコキシ基、ハロケン、■（
３は水酸基、アルコキシ基を表わす。 例エバヘンツイン、ベンツインメチルエーテル、ベンゾ
インエチルエーテル、ペンゾインイノグロピルエーテル
、ベンゾイン−ｆｏビルエーテル、ベニ／ツインイソブ
チルエーテル エーテル、２．２−シヒビロキ７ー２ーフェニルアセト
フェノン、２．２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフ
ェノン、２．２−ジェトキシ−２−フェニルアセトフェ
ノン７Ｊ，どン挙げ句ことかでｐ　／Ｊ。 このような光Ｊｋ合開始削は組成物に対して０．０１〜
１　０　３．１（　ｊｆ（　４ｙの範囲で使用てること
ができる。 また前記の吸光係数はベンゼン及びエタノール中におけ
るものがいずれもが前記の範囲であれは、よい。 以上のような光重合開始Ｍｌｌにより光重合反応を起こ
し、光重合性組成物を構成するものとしては例えばエチ
レン性不飽和基を有するプレポリマーと必要によりエチ
レン性不飽和単陪体、ｔ＠合開始則、熱重合禁止剤とか
らなる組成物がある。上記プレポリマーとしては、不飽
相ポリエステル、不飽和ポリウレタン、オリゴエステル
アクリレート類、不飽相ポリアミド、不飽相ポリイミド
、不飽和ポリエーテル、不飽相ポリ（メタ）アクリレー
ト及びこれらの各オΦＶ注体、炭素−炭素二ｆｌｉ結合
乞イｉする名わセゴム化合物，ＪＰ　ｆ．例示１−るこ
とかできる。これらのプレポリマーの数平均分子量は、
火：ｊ４ｕりに５００以上のものケ用いるのが一般的で
ある。 さらｌｃ％’を体的ブＬ例タ示すと、不飽相ポリエステ
ル及びアルキシドとしては、例えばマレイン酸、フマル
ｒα、イタコン市のような不飽和二塩基酸また（゛よそ
の１１％　卯ｑ　７Ｋ　！ｌ刀とエチレングリコール、
プロピレングリコール、ジエチレンクリコール、トリエ
チレングリコール、グリセリン、トリノーＩ−

【」−ル
プロパン、ペンタエリトリット、末端水ｒ′伎基を有す
る１，　４　−　＝＋ｒリプタジエン、水添上たｔｉｔ
ル水添１、２−ポリブタジェン−アクリロニトリル共）
１（合体などの多１曲アルコールとのポリエステル、前
記酸成分の一部なコノ・り酸、アジピ／【貞、フタル＾
もイソフタルｒ＋９　、無水フタル酸，トリメリット１
便などの飽和多塩基酸に置き換えたポリエステルあるい
は乾性油脂肪酸または半乾性油脂肪酸で変性したポリエ
ステルなどが、不飽和ポリウレタンとしては、丁なわち
２　４１７１１以上の末端水酸基火打するポリオールと
ポリイソ７アネートから誘導されたウノタン基を介して
連結した化合物の末Ｖ！インシアネート基あるいは水酸
基Ｙ　ａｉＪ用して付加重合性不飽和基ン導入したもの
、例えば前０１′．した多価アルコール、ポリエステル
ポリオール、ポリエーテルポリオールなどのポリオール
末端水ＦＦＩＪＮを有する１．４−ボリンゝタジエン、
ｔｊＣ庫または非水添１．２−Ｍリプタジエン、ブタジ
ェン−スチレン共重合体、ブタジェン−アクリロニトリ
ル共ＭＣ合体とトルイレンジイソシアネート、シフ１−
１；ルメタンー１１．４’−ジイン／アネート、へＷリ
メチレンジイソシアネートなどのポリインシアネートと
の＋１ぎりウレタンの木端イソシアネートあるいは水酸
基の反応＋！ｒ、　？　Ａ１１用して不飽和基ｙ！′ｚ
ｆｆ人したもの、てなわち、前記した不飽和カルボン酸
又はそのエステルのうち水酸基、カルボキシル基、アミ
ノ基などの活性水素？イイする化合物とインシアネート
との反応により不飽和基を導入１−たり、カルボキシル
基火有するものと水酸基との反応により不飽和基ｆｉＰ
４人した化合物または前記の不飽和ポリエステル？ポリ
イソシアネートで連結した化合物などが、オリゴエステ
ルアクリレートフ４「１としては、１−なわち多ｊ福基
酸と多価アルコールのエステル反応糸にアクリル酸また
はメタクリル酸を共存させて、共ハ１１合させそれぞれ
のモル出欠７１Ｊ　Ｗして分子ｉｉｔ　２００〜５［Ｊ
ＯＯＸ呈１ｊ支としプこもの、１回えばア・ジヒ”ン酸
、フタル１没、イノフタル菌子［たは［・４７　；、ｌ
ｌｂ水物などとエチレングリコール、プロピレングリコ
ール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール
、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンダエリト
リットなどの多価アルコールとのエステル反応系にアク
リル酸またはメタクリルｉｊｌを共存さ一１ｊて縮合さ
一忙たもの、エポキシアクリレート類、例えば多価アル
コール、多重曲フェノールまたはポリフェノールとエピ
クロルヒト２１ンまたはアルキレンオキシド１とのｉＪ
ｒＭ合反応により得られるエボキ／）＾（！−有する化
合物とアクリル酸まだ（よメタクリル酸とのエステル、
１１（１１釦に付加重合性炭素−炭素二重結合火有する
高分子化合物、例えばポリビニルアルコール、セルロー
スのような水酸基をもつ１高分子化合物と不ｆＩ＋！相
カルボン酸士たはそのｒｉ夕無水物ど７反１，１；さ・
ヒてイシ）られる化合物や、アクリル「ｙまた（ｉメタ
クリル酸の重合体または共＋ｌｊ合体のようブ【カル；
１テキシル基をもつ、ｒも分子化イ↑Ｉ吻に小姑（１１
アルコール、グリシジルアクリレートまたはメタクリレ
−ト（でエステル粘合さ一猪だもの、無水マレインｌ’
Ｉ？　ａｊ　ｆ　打ｆる共、重合体とアリルアルコール
、ヒｌ−’ロキシアルキルアクリレートまたはメタクリ
レートとの反応物など、グリシジルアクリレートまたは
メクク１ル−ト火共朋合成分として含イ１するＪ１重合
体どアク１１ル酸ヨたはメタクリルｒｖ２との反応物］
、【とη（挙げることがでざるＣ、また、各種ゴム化合
物としては、ｔｌ＋　１．４　＝ｌτリプタジエン、１
．２−ポリブタジェン、ブタジェン−スチレン共車台体
、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、１’、ＰＤ
Ｍ、（【ｌ）上記（Ｉｌの水添化物、イソブチレーイソ
プレン共道合体、エチレンプロピレン共重合体そして＋
１１に示される各神ゴム以上の化合物に公知の技ｉ’１
；ｉによりエチレン性小姑相晶季・尋人した不ｊｉｉｌ
相変性ゴム等暑例示できる。＋１１の化合物はそのま止
でも使用できるが、該不飽和基ン２，１人１−るｂては
、末端ｌ能基欠打てる各伸イノ、化合物ケ用いるのが便
利である。〕ｒた、１．２−　ｓｒ　ｕブタジェンセグ
メントな有するゴム化合物のり】合は該化合物（て無水
マレイン酸知ヲ付加１−ることにより、該不ｆ’−ｔＱ
　（ＩＩ　４ゲ答易に導入できる。 上記以外のプレポリマーとして、エチレン１′←二ｊｊ
１結合の付加以外の機構により元東什１゛ろ該二車結合
ケ含−付しない化合物例えば、水可溶（ｊＦ−ナイロン
５，１℃リビニルアルコール及びそのｒＡ　ｉ！Ｐ　（
４：　？：用いても一回に）”、シシつかえブ１い。 エチレンｆト小１立相単量体としては、公知の種々の化
合′吻ヲ１ｐ用できイ）か、このよう１．ｒ化３７物の
例としては、アクリル＋Ｓ’２、メタクリルアミド賃の
、しりな不嘲相カルボンｔ１′９またはそのエステル、
　（９すえばアルギル−、シフ［」アルキル−、ハロゲ
ン化−ｒルキシー、アルコギンアルキル−、ヒドロギシ
アルキルー、アミノ−ｒルキシー、テトラ上１０フルフ
リル−、アリル−、クリシジルー、ベンジル−、フェノ
キシ−アクリレート及びメタクリレート、アルキレング
リコール、ポリオキシアルキレングリコールのモノまた
はジアクリレート及びメタクリレート、トリメチロール
プロパントリアクリレート及びメタクリレート、ペンタ
エリトリットテトラアクリレート及びメタクリレートな
ど、アクリルアミ１″′、メタクリルアミドまたはその
？Ａ　Ｊ７４体、例えばアルキル、ヒビロキシアルキル
でＮ−１〆（（勢また６１　Ｎ　、　Ｎ’−ｉ／、’、
ｌｆｇ＋したアクリルアミド及びメタクリルアミド、ジ
アセトンアクリルアミドゞ及びメタクリルアミド、Ｎ　
、　Ｎ’−アルギレンビスアクリルアミド及びメタクリ
ルアミドなど、アリル化合物、例えばアリルアルコール
、アリルイソシアネート、ジアリルフタレート、トリア
リルシアヌレートなど、マレイン酸、無水マレイン酸、
フマルｒ′（りまたはそのエステル、例えばアルキル、
ハロゲン化アルキル、アルコキシアルキルのモノまたは
ジマレエート及びフマレートなと、その他の不ｊ歳イｕ
化合’４勿例エバスチレン、ビニルトルエン、ジビニル
ベンゼン、Ｎ−ビニルカルバソール、Ｎ−ビニルピロリ
ドンなどを挙げることかできシ）。またこれらの単晴体
のＮ＋ｌｉ’／アジド糸化合物例えば４．４′−ジアジ
ビスチルペン、ｐ−フェニレン−ビスアジド、４．４′
−ジアジドベンゾフェノン、４．４’−ジアジビフェニ
ルメタン、　　４　、４’ジ°ｒジビカルコン、２．６
−ジ（４′−ジアジドペンザル）−シクロヘキ゛す′ノ
ン、４．４’−ジアジドスチルベン−（１−カルボｙｌ
＋Ｚ、４，４′−ジアジｌ−’ジフェニール、４　、４
’−ジアジドスチルベン−２，２’−ジスルホン酸ソー
ダなと゛にＩ白、きかえることができる。 これらの甲Ｌ　：ｉｉ１本＆エブレボリマ−１００重１
ｇ玲〜に対し、０〜２００　’ｊｌｊ　Ｆｄ部の範囲で
添加てれはよい。 その他、ｌｌｉ織中の′ｆ：定性乞増加せしめたり、熱
によるツバ、骨？１．Ｘ止するためのｐ！重合禁止刑と
して番工、ハイドロキノン、モノ第三ブチルハイドロキ
ノン、ベンゾキノン、２．５−ジフェニル−ｐ−ベンゾ
キノン、ピクリンｒｌ、ジーｐ−）“ルオロフェニルア
ミン、ｐ−メトキシフェノール、２，６−シ第三ブチル
−ｐ−クレゾールなどしあげろことができる。これらの
熱重合禁止ハ１ｊは、熱重合反応（暗反応）欠防止する
ものであることが一〇ましい。 したがって、熱重合禁止ハリの添加：、；ヲよ、プレポ
リマーと架橋刑との総Ｅ、Ｈに対し、０．００５〜５Φ
１・４鳴の範囲にあることが好ましい。 史に本発明に於ては面状光硬化性組成′向より液状光硬
化性組成物か好ましい。この理由は固状光（ｌ力比性組
成物が未硬化部分を除去＊−７，）のＩ／Ｃ各種淫１庁
１で未硬化部を溶解除去するためにレリーフパターンが
各線溶？ＩＪで未硬化部かを溶解除去するブこめにレリ
ーフパターンが溶剤で膨潤する欠点プ＾あるのに対し、
本発明に使用される液状元硬化性ｆｌ酸物はＪｐ紳１・
τ；ｌ：：　ｊｕ：化物ケ抗い流したり、場合によって
はエフブロー、シャワー等の機械的手段によっても旨ミ
去・することが司【市であり、かつ鮮明な輪＃ｌＳ　′
？：持ったレリーフパターンヶ得ることが出来る特徴ケ
持っているからである。 史に本発明のパターン２４電体のレリーフの断面形状及
び寸法は法の通りである。即ち第６図に示すり【１く、
導′−１ヤ性基板６上に老成されたレリーフ４は高さｈ
が２０μ以上（好ましく　＆’Ｊ、　５　！５μ以上）
、ＩＩＪａが５〜２００μ（好ましくは１０〜１００μ
）、巾ａと晶さ１１との比ａ／ｈが５以下（好ましくは
ル壬以下）かつレリーフ４の断面形状かはｇ矩形ン有し
、レリーフ４の側面と基＆６とのＩＬ丁角度θが９０″
±１０°（８０°〜１００°）、更に隣接レリーフ４の
相互間隔ｂ（この部分に′市λイされる尋′れＣ体パタ
ーンの巾）は１ＣＪｔｔｌ’Ｊ上である。 上記１電性基板５は２８雷１体でｋ）す、かつパターン
ケ形成する２４１（ｒ、体より除去ｉ’ｌ　ｈ１工もの
であれは長く、例えば金属薄板２例として挙げろことか
出来ろ。特に了ルミニウム、錫、＋ｌｌｊ鉛等の箔か好
ましく用いられる。これ゛がのものを用いた場合（Ｊエ
ツチングにより容易に除去が出来る。これ！卜のγ°ｉ
り板は１〜５００μＬ￥Ｐに１０〜１００　ｔｚが奸ヤ
しく用いられる。その他Ｑ　ｋｉｓラミネートプラスチ
ックス、金属蒸着プラスチックスがある。例えは°ｒル
ミニウム箔とポリエチレンフィルムのラミネートシート
やアルミニウム蒸箔ポリエステルフィルムを例として皐
げることが出来る。本発明で用いられる導１！性基板は
必要に応じて各種の表面処４ヶ行つ°〔も良い。例えは
洗浄、エツチング１１１面化、研磨、その１１゛シの１
店７ｒｙタ１ル理等の他に塗待蒸ｄ１等ケ行うことが出
Ｙ：イ島 ？Ｘ　ｖＬｊａｉｌ　、＋Ｊｅ、のｔ）ｇ　３　ｐｊ）
　ｔｉｔ、Ｒ，基板を除去’ｌ−Ｚ）ｉＣ堝ッてはこれ
乞１４１１ｃ　＋携侯的［（４１１離しても良いし、パ
ターンｔｆ１乃ｆｒ’ｒｉｉ、眉形１ｔ２　した導１１
↑体と異るエツチング特性ン→−￥つＪ、５電性〕、（
板ケ用いてエツチング除去する。 電、１゛霞゛１．電体ケＣｕ、　ｉ４７宙件基板なアル
ミニウノ１、錫、＋１ＦＱｌ　ｙ、＋用いて丁ルカＩｔ
　７１＜帳液でエツーｆ゛ングでろ、この＆’、　仮の
除去妬１・話して＆ｒ、？’、）られｆ：導’＋Ｉｊ、
体ｙｒ−絶縁（’Ｒ−；板に８１イ、ゼに基板ケ上にし
て１４−り伺けた＜ｙ＜−行うことｌ＋′・望：）、　
Ｉ、　＜　、こうすることにより絶縁ノ、（板ヒＶ−σ
Ｉ’ｉｌ工１ｆ、パターン可Ｃ作成することが出来る。 こ〜で１９二川される杷ｆ４性基板としては１、フィル
ム基板、Ｂ１１″ｎ）、−５板、ガラ、ス基１反、セラ
ミック基板および絶縁層のコートされた金λ＜＋ｉ基板
などが使用出来、特にフィルム基板が好ましい。 フィルム状基板としては、ポリエステルフィルム、エポ
キシフィルム、ポリイミドフィルム、ポリパラバン酸フ
ィルム、トリアジンフィルムナトフィルム状のものはす
べて使用出来るが、可撓性、耐熱性の点からポリイミド
フィルム、ポリパラバン酸フィルム、トリアジンフィル
ムが好ましい、フィルム状基板のＩｆ／、％厚は１．；
もイｌ（ｊ化セい５４昧では出来るだけｒｉ）いものが
好ましい７ノ（、余りｒ”ｒ　ｊｆｌ’Ａ　キると作業
性が悲くなり、１友１７とし、てに５〜２００／Ｊ　Ｉ
ｎ、特に１０〜１５０　ａｍ、史ＶＣ１０〜１００μｒ
ｎが好ましい範囲である。 ａｋｃ＆ｅ板上にレジストでマスクして？（ｉ、　ｌ’
ｌＴメツキケ行ったものχ、上記Ｐ、縁注性基板金域１
１．γ仇欠ヒにして貼り付ける方法としては、接飛ハ１
１を用いて熱［沼て乙）方法が好ましく用いられる。ま
た、接着刹を用いる場合は、特に基板を使用せず、電解
メッキ層上に１胡滑ｉｌｌを塗布するだけでも良く、或
いはそれらをｌｆ′ＬＴｅｊ貼り合わせても良い。 接着剤としては、ポリエステル−イノシアネート糸、フ
ェノール槓１１財−プチラール糸、フェノール樹脂−二
トリルゴム糸、エポキシ−ナイロン系、エポキシ−ニト
リルゴム糸などがあり−１ｌＩＩＪ　Ｍ　ｌ／ｉ　ｓ耐
湿性、接ノＭ性の曖れたものが好：Ｅしく、特にエポキ
シ−ニド１）ルゴム糸およびフェノール樹脂−二トリル
コ゛ム糸接着削が好ましい。Ｄ５　Ｊ　？ｊｌの膜厚は
高密度化、接着性の点から、１〜２００μｍ、特に２〜
１００μｍが好ましい範囲である。 金属薄板をエツチング除去する方法としては、レー或い
は１などによりエツチング１−る方法が用いられる。ま
た、金属薄板としてアルミニウム、スズ、唾鉛を用いた
場合は、電１＋’ｌメッキ導電体をエツチングしない例
えばアルカリ水溶液て゛エツチングする牢が好ましい。 また、より４ｇ頼性を向上する為に、金Ｊ％薄板をエツ
チング除去した後、ポリマーなとの保護層を設けるなど
の処理が行われる。又必要によっては光重合性組成物の
光硬化ｉダよりなるし１）−７を除去することも行われ
る。 更に本発明の実施に当って導電体のｗ２石杉成する場合
、！解メッキの種類としては、導電体であれは何でも良
いが、銀、金、鋼、ニッケル、スズなどが好ましく、特
に導電性および経済性の点から銅が好ましい。銅の電庁
ｔメッキとしては、シアン比相メッキ、ビロリン酸銅メ
ッキ、硫酸銅メッキ、ホウフッ化銅メッキなどがあるが
、ｌＦ！？　Ｋピロリン酸２１４メッキが好ましい。こ
の場合電Ａ形成さセる心１゛１を体はレリーフ間に形成
させるが、％ｌｉ接の導電体パターンと１υ絡しない経
用Ｊでを１み出イ゛ことはさしつかえない。 ｉ光い“〔本発明のパターン導電体σ）１′「成力法ケ
図にヨＱ　工４’Ａ　１ｌｋ１Ｋ　、＋Ｑ　ｌ！’］　
”’１−　ルト次（’）　ＪＩＴｌ　’）　テＺ＋　６
゜即ち、本発明のパターン導電体を製造するに当っては
；“１４４図（Ａ）乃ノ＋５（ＩＩ或はｗ′乃至ｔｅｌ
　ｖｒ示１如く、上述の如き）９　ｄ健１基板３と光ｊ
（〔合ｔ’Ｉ　、ｔｒｉ成物酸物Ｊ對要のパターンを：
ｊｒつマスクとなる透明画１％！　、ＩＩ　ｊ　体６と
欠この１１Ｌ′山、に昂層した後、この坦体６１１＋１
１より活性光線７に照す１し〔ρ゛１す℃し、続いて１
１３体６と−）Ｙｊ、ｌ（合性組成物５の非点つｆ、部
を現稼散８を吹き付けて除去することによって前述の如
く基板６０表面に厚膜レリーフ４ヶ形成し、次にメム４
〃６のし１１−７４が形成され１ごＩＩ］１に市、気メ
ッキを）Ｊｌ！！てことによってレリーフ４の相互間に
パターン状σハ瞥′＃電体１０ノ’Ｊ、　＞ｒ’Ｔ形成
ゼしめ、かつこの４雷１体１０の外表面に接着剤１１ン
＠漸すると共にこの接層ハ１１１１ン介して絶縁性基板
１２を導電体１０１Ｃ次合固定し、次にレリーフ４及び
４徂１体１０のζ持基盤となっていた導′ｄｌ性基板５
を剥離除去して本発明のノ（ターン心１ｈ体を作成する
。 す３に上述の如く作成した）（ターンＭト市体１て於て
、レリーフ４を不要とする場合Ｋ　＆ｊ、第４シ田）に
示すνｕく、レリーフ４を除去し　ｐｆ７　「（（、体
１０の相互間に空間の存在するパターン７５　ｔｆｉ、
体を作成することか出ブ（、る。１）Ｊ中９をよフＩ；
、１１１合＋Ｌ組成（１ング！）と１１１体６とのｆｉ
ｌに介イイ三さ′れ１こ、巧１υツノラスー１−ツタス
ノイル人“（：ｈ　；、、。 ＋ｉｉＪ連の導ｉｉ１′、　Ｉｌｇ　Ｊ（！：　４ｋ、
１を市８合１１組成′；２〕１（以下４１１にｆ、１１
成′１勿という）及び、マＡ四画像用１体ゲ配Ｉｆｆ　
Ｔる方法として＆上該基４反に４’Ｃｒｌ　ｉｎｋ　’
１勿”ａ；’　Ｌ’ｉ’みが２０〜２１Ｊ００μに嬢布
又（【該−」１成物よりなる塗膜層７転写したイ々透用
内閣」１↓困１′・すえは銀塩法＆でよるマスクやクロ
ムマスク、活（’Ｉ：　）Ｙ；　線にダ＝Ｊ　して実質
的に、透明であるノ”ラスチックフィルムまたはシート
、透明ガラスシート、セロフーｒン寺にＩ’Ｊｒ　Ｉ葭
のパターンケ印刷等により、）りけだものなどを１、■
成！１勿上１１Ｃ４’＋’ｉ　Ｉ〆する。また４−ｕｔ
、これとはノ更に透明画１求１１１０体にＡ、１１成′
吻層を形成させたのち２！ネ゛、Ｋ（′ｉ：基板を密、
イを配置１°゛１して４、よく、さらには、基板と透明
画像坦体りＪ’／み規冊用スペーサーを用いて一足間帥
？設けて配置ｄ、シ、この間ＩＩｋに液状組成物ｙ！″
注入してもよい。粘帽１元岬、例えばアーク灯、水Ｘ１
＋Ｎ灯、ギセノンランプ、紫外皆用螢）［灯、太陽うし
白熱灯、レーザ一つし、Ｌ　Ｅ　ｌ）　７ｚどの光イシ
メの照射に１５Ａ　Ｌ、ては、組成物と透明画像」［］
体と７画像再現性の点から密着配置＋′ｆ″することか
好性しいが、該組成物が液状の場合には、誘明１１１！
１１１！旧体と該組成物との間に透明プラスチックフィ
ルム、例えばポリプロピレンフィルム、ポリカーボネー
トフィルム、承りエチレンテレフタレートフィルム、ア
セチルセルロースフィルム、ポリビニルアルコールフィ
ルム、セロファン等の中間１ｍ　を設けることは透明画
数坦体の保１、φや照りｌ　（＋　１明画像坦体と該組
成物層との接Ｍを防止する効果χ有てるので有効である
。また、画１里形成蕗・几し１このち該ＩＤ成酸物非３
１に元部を取除く方法としては、公知の方法、１＋１１
えは、像形成結電を９冬了いｈ川内１す坦体１（ｌｉｄ
除いたものケ元町合１４１．川成物而父外τ１１１にし
てドラムまたは平板に取り付け、ＪＩ＋’、Ｉす液？ス
プレーによって咳版面に吹きつけて非しメ）鱈迅父洗い
出て方法または現像液中にブラシを浸し、このブラシで
非点′ｙｔ、ｉ’ｉ１５欠除去する方法により行Ｊしる
。 レリーフパターンの断面のＪＫ状は活性光匈の照射１！
Ｙ間ケ調堅−［ることにより達成さすｔ４島この場合配
…）°自編σＭ工前ｄ己したもののう仁ンー平行九線に
近いものか望ましいが必ずしも限定さＪｌない。露光時
間の調整は同一のパターンＩＴＩ　ケ持つテストマスク
による試’ｊ’ｎ　ｒｔに几による方法が最とも確実で
ある。 てなわらレリーフパターンが台形であれば露光時１ｉｉ
１、−４＜じ、沖合ノにもしくは逆三角形であれば増加
さセる。 １ノに二ノｒｉｌｉ　例１゜ プロピレングリコール、ジエチレンクリコール、アジピ
／ｎ２．７−ｖ　／ｌ／　（ｆｊ　ｆ　＋　Ａ／比０．
１５１０．３５１０．５５１０．１５の割で縮合させて
得た不飽和ポリエステル憎脂（酸価３０）１００Ｍにジ
エチレング１１フールジメタクリレート１２部、テトラ
エチレンクリコールジメタアクＩ＋レート５０部、（ニ
ーヒト１０キシエチルメタクＩＩレート１８部、ペンゾ
インイソプグールエーテル２？ｊ１５．４　　ｔｃｒｔ
　７”チルカテコール０．０６部を加えて作成した光重
合ｉＥ組成物を用い次のどとく厚膜ファインパターンを
作成した。 尚、ベンゾインイソブチルエーテルのモル吸光係数はベ
ンゼン中で２２５　ｄ／ｍｏｂ−＋　（５４２ｍ　ｔｔ
）、エタノール中で２１９　／／ｍｏｌ・ｒＭ（５３０
ｍａｒ　）　テｒｔｒ＋つた。 マロ明７４１Ｘ５１　Ｉｒ、非透明８８７０μピツチの
’（５、気回路パターンの１伯を４１するネガフィルム
ケガラス４）２　上にｉｉ’ｔき、その上膜厚さ９μの
ポリプロピレンフイルノ・火’／Ｆｉ　／Ｉ！Ｙカバー
する。この七に、−ｌ：　＋＋８感光性耕成′１す’ｅ
　１ｒｉｒ、　Ｌ、こみ、次いでこのＪ二に厚さ５０　
ｔｔ、のＡｌ箔馨ｐ、（さ７０μのスベーツー７月−し
て、１１（ね合わせたのち、ネガフィルム（１１１１よ
り５　Ｋ　Ｗの水冷式超茜圧水銀灯にて１２０秒間露）
“ｅする。露光後、ｌｙ　１１ノロピレンフイルム？は
がして液温４５℃のホウ（’＋’ｌソーダ１％水溶液に
て非露光未硬化部を抗い流してへｉ箔上にｒｔＪ５０μ
、高さ７０μ、間ｈ″Ｆ＋７０μＦ＋７０μピツチのパ
ターンでかつレリーフ断面かｔｔ　ｒ矩形の厚ｊ漠ファ
インパターンχ作成【、た。この時側面とＡｌ板のな丁
角度は８７゜であった。この厚膜ファインノくターン’
ｒ　）’ＩＩ用して、仄の操作によりＩ’ｆ、Ｉｉ−＼
市、気回路な作成し１こ。 次いで、バーショウ杓ｕｌｌｌｉ：ンピロリンｒＮ′ｉ
１１リメツキ（（Ｎ’を用いて、Ａ　Ｉ　Ｒ５’、ｃ　
ｌｉＡ　Ｍとし、ｋｒ５４？ｙ　′ｒｌＪ、ｉＡｒ、　
Ｖｆｊ　ＩＷＩＡ／ｄｌｎ″のりセ件で劉＋ｉｌケレリ
ーフノくターンの間１’ｒｘにＩＨ成せしめた。その杖
・、デュポン社製ポ１１イミドフィルム スチック社製フェノール４ぐ４１倍−二トリルｊ　Ａ　
系４ｂ洛削ｒＸＡ５６４−４Ｊを乾燥後膜厚か５μｍｌ
ｒ／２るようＶＣ塗布した絶縁性基舌上に、上記型．Ｗ
（メッキ乞行ったもの何アルミニウム箔χ上にして１５
０℃で６０分間熱圧ＩＱ【２て貼り付け、次いで５Ｎ星
憾の水酸化ナトリウム水浴ｌよでＡ　１３　ｒｉｉｉを
エッチフグ除去して、配線密度１０本／冑寓、辱体厚７
０μ、［Ｄ７０μ、導体間１４に５０μの）す瞑′［′
ｆ．気ＩＬ１３ｖＲ　＊：＋Ｖ）　プこ。 ′実施１”１１　２。 実施例１，の）“１′：市合性組酸物のペンシイ／イソ
ブチルエーテルに代えて、２．２−ジメトキ／−２−フ
ェニル−゛ｒ−ヒトンフェノンヶ用い１．：九山舎汀ｊ
且酸物欠用いて回１．に１エノ！を膜ファインパターン
ヶ作成した。２．２−ジメトキシ−２−フＪニルー了セ
トフエノンの吸元係５牧にベンゼン中で２　５　５　／
／ｉｎｏｌｅ”Ｍ＜５４２…Ｉｔ　）エタノール中で１
　８　１　７／ｍｏｌ・ｍ（５ろＯ　Ｉｌｌ　／ｌ）で
あった。 ９菩施ｆζりろ。 ’ｓＱ　ノｎ’；ｉ　１’ｌｌ　１．のネガフィルムの
代りに透明Ｈａの巾２。 μ、不透明１；１；σ月Ｔ］８０μの渦巻状パターンを
打するネガフィルムに代えて、ｔ＋１（合性組成物の〜
さン６　Ｌ）ｔｔにして実施１ｆ１１　１と同（、・ト
な操作により、レリーフ巾２０μ、Ｉ情さ６　０　ｔｉ
、レリーフの間Ｖ活８０μの渦巻状レリーフパターンを
作成した。 ついで実施例１と同（λにしてメツキルびアルミニウム
のエツチング７行い、７Ｌ１，体１１Ｊ　８　０μ、導
体間隔２０μ、導体膜厚６ｏμの渦巻状パターンる・イ
ｊ１−るファインコイルケ作成し，た。 実施例 実施例ｉ．ＶＣおいて７０μのスペーサーに代え“乙１
５０μのスペーサーヲ用イテ、冗ｆ７Ｃ　合１’ｊ　＆
ｐ　Ｉｔ，ｌ＋：　ｑ％１０層のＪｒｆ．さケ１５０μ
とし、水？Ｍ式品ハソに銀月ＬτよるＮ％元時間ケ５４
０秒間とてる他は同様１，（う１い作Ｅより、丁ｎｔ　
ミ箔上Ｋ　ｆＴｌ　５　０　μ、ｌ’＋’Ｒ　＋’％　
１　５　Ｌｌ　／’、間隙７０μピツチの宙気回路状の
レリーフ断面行つ厚膜パターンを作成した。（この時の
ｊ）Ｉｌｌ而と支持基板のな丁角度は９２°であった。 ） このパターン２用いて、レリーフの間闇内に央＃ｉｌｉ
　１ｒｌｌ　１　ト同（＞ｌｉ　／Ｌ条件によ’）　ｉ
ｌ□４　’ｓ’、　’市ノｒＩさ−１このら、ふ アルミニウム１１゛１ケエツチング除ノそし、て、Ｊツ
膜′ＣＧ、回路？作成【７ブこ。 実施例５゜ ポリエチレンアンベート（ジオール、分子ｈ１２０００
）２００部にトリレンジイソ７アネー）　５５１−１ｓ
、ジブチルスズラウレート［Ｊ、　ｂ　ｆｉｌｓケ加え
て、７０＜〕−ご２２時間反さ・け、−）い゛にれにエ
チレンオキシド９、プロピレンオキント０共用合体（エ
チ【／ンオキシド５５　ｗｔ％分有、ブロック共屯体ジ
オール、分子；ｔシ２０００）１００部を加えて反応せ
Ｉ７め、内床１・品にイン７アネート基を何するブロッ
ク共車イ１体を（−）　ｔこ。この重合体３００部にα
−ヒドロキシエチルメタクリレート２５部、ノ）イト°
ロキノｙ　０．１　ｔｓｌｓ　７加え、７０Ｃで２１４
ｊｒ間ル５応せしめてポリマー２作成した。 このポリマー５ｏ　Ｏ？５ｔｌに、α−ヒドロキシプロ
ピルメタアクリレート７５　Ｂｌｌ、　ｒχ−エチルへ
キシルアクリレ−）　１５？’：Ｌ　　ｎ−ブチルアク
リレート５０ｍ、ベンゾインエチルエーテル６部ケ加え
、混合して光重合性組成物乞作成、した。この組成物（
工水あめ状の組成物である。 ベンゾインエチルエーテルの吸う℃係み又はベンゼン中
で２４０　ｌ／ｍｏｌ・ｃ−（５４２ｍ　ｔｔ　）’、
エタノール中で６００　／／ｍｏｌ・眞（５２８ｍμ）
であった。 この光重合性組成物７厚さ１００　ｎのアルミニウム薄
板上に厚さ１５０μにＣ′Ｔ布し、この上を９１厚さの
ポリプロピレンフィルムで覆いケ１．て、透明部５０μ
、非運明部１００μピッチの電気ノくターンの図柄を、
仔するネガフィルムを１にねその上にガラス板ケｉ＋’
ｔいて、実施例１で用いた光（原で２４０秒間ｉ＝：４
　）’（−、する。露ブ（：、後ポリプロピレンフィル
ム？刊がして、ｒｌｌ　＋！！　４３℃のアルキルベン
ゼンスルフォンｒ４ンンーダ１噛水溶液にて非；に元未
硬化部χγ光い跪して、アルミニウム薄板上にｔｌ］５
　Ｑ　４、間隔１００μピツチで高さ１００　ｔｔのレ
リーフ苓：もつパターフケ作成した。 このパターンのレリーフ部分以外に実施ｊ＋０１と同様
にして５’ｐｉｌ　ｆ　’＋’＋３’、λ！したのら、
°ｒルミニウム板をひきはがし厚Ｉｔζ１電気回路を得
た。 比中′／、１り１１１ 実施トリ５のベンゾインエチルエーテルに代えて１−Ｃ
ｌ−アントラキノン（エタノールでの吸光係ｉ’！、　
１．９００　／／ｍｏｌ・ｅｎ　（５５４ｍ　ｐ　）　
）を用いる他は同様な操作を行ったかレリーフの形状が
先細りとなりアルミ面に接着しなかった。露光時間ケ６
倍増加させたがレリーフの巾が太り約７０μとなったが
アルミ面に接層せずレリーフの形成かできなかった。 ２−メチル−アントラキノン（エタノール中での吸光係
数ろ、８００７！／ｌｎｏｌ−ｃｗＩ（６２６ｍ　Ｉｉ
　）　ｆ用いた結果もはｇｌＩｌ′］様でレリーフケ作
成できなかった。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来のパターンケ示す説明図、第５
１２は本発明のパターンに示す説明図、２１１゜４１ｚ
１は本発明のパターンを製造する工程を示す説明図であ
る。 １．５は支持基板、　　２．２’、４はノくターン、５
（ニー２重合性組成物、　　６は坦体、　　ハ、Ｕ）’
ｌｌ、８は現像液、　　１０は心電体、　　１１は接着
剤、１２Ｇ−！絶Ｆ７：性基板である。 時計出願人　　旭化成工粟株式会社 第１図 第２図 第３図 ↓ＪＬＪ（ｏ）ＪＪＪト８ ■ （Ｅ） ｍ− １２（Ｇ） ■ （１）　　１２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｍ　　ｓ＞電性基板上に光重合組成物の−）Ｙ’、　ｌ
   ｌ’Ｊ！化物よりなるレリーフをパターン７ＳＢ　Ｊ’
   ｌ外の１７３分に形成し、互いに１ａ接するレリーフと
   導′１ユ性基板とにより４７．３成されるパターンｒ９
   １（分１ｃ／ル市体を１Ｒ府形成、ヒしめた後、導１１
   Ｔ、性基板ケ除去して作成しｔこ厚１ｉλファインパタ
   ーン尋渭５体に於て１．１イ、レリーフの断面が矩形で
   レリーフの高さが２　（Ｊ　ｔｔ　Ｄ）、、ｈであり、
   かっこのレリーフ乞構成する尤ｄ＋合１住組酸物の九月
   【合開始ｉｌｌの吸光係数かｈツノ起波長域において比
   較的小さいことを特徴とする厚膜ファインパターン４　
   ｉ（ｔ　体。 １２）　　４電性基板を除去し１こ後で史に光ノに合性
   組成物の元硬化物よりなるレリーフを除去して作成し１
   こことを特徴とする特ＷＦ誼求の範囲第１項記載のパタ
   ーン４電体。