JPH0344432B2 - - Google Patents
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- JPH0344432B2 JPH0344432B2 JP61163097A JP16309786A JPH0344432B2 JP H0344432 B2 JPH0344432 B2 JP H0344432B2 JP 61163097 A JP61163097 A JP 61163097A JP 16309786 A JP16309786 A JP 16309786A JP H0344432 B2 JPH0344432 B2 JP H0344432B2
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- copper
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- resin composition
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- photosensitive resin
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/164—Coating processes; Apparatus therefor using electric, electrostatic or magnetic means; powder coating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/0076—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は印刷配線板の製造方法に関する。更に
詳しくはフオトレジストを用い、無電解めつきに
よつて配線パターンを形成する印刷配線板の製造
方法に関する。
詳しくはフオトレジストを用い、無電解めつきに
よつて配線パターンを形成する印刷配線板の製造
方法に関する。
(従来の技術)
従来、印刷配線板の製造方法としては、銅張り
積層板を用い、配線パターン以外の部分の銅をエ
ツチングにより除去する方法(エツチドフオイル
法といわれている)が主であるが、これに対し銅
張り積層板を使用せず、絶縁性の積層板上に無電
解めつきで配線パターンを直接形成する方法(ア
デイテイブ法といわれている)が、不用の銅を除
去する不経済がなく製造コストが低いため最近注
目されている。しかし無電解銅めつきの析出速度
は非常に遅いため、長時間(通常5〜60時間)、
高温度(通常60〜80℃)、高アルカリ性(通常PH
11〜13.5)のめつき浴に浸漬しておかなければな
らず、このようなきびしい条件に耐えるような無
電解めつき用のレジストが必要である。
積層板を用い、配線パターン以外の部分の銅をエ
ツチングにより除去する方法(エツチドフオイル
法といわれている)が主であるが、これに対し銅
張り積層板を使用せず、絶縁性の積層板上に無電
解めつきで配線パターンを直接形成する方法(ア
デイテイブ法といわれている)が、不用の銅を除
去する不経済がなく製造コストが低いため最近注
目されている。しかし無電解銅めつきの析出速度
は非常に遅いため、長時間(通常5〜60時間)、
高温度(通常60〜80℃)、高アルカリ性(通常PH
11〜13.5)のめつき浴に浸漬しておかなければな
らず、このようなきびしい条件に耐えるような無
電解めつき用のレジストが必要である。
従来、この目的のレジストはエポキシ樹脂と硬
化を主成分とするインクをスクリーン印刷し、熱
硬化することにより形成されているが、印刷では
ラインの寸法が制限されるため、高密度パターン
の印刷配線板はアデイテイブ法では製造困難であ
つた。高密度パターンの形成にはフオトレジスト
が適しており、アデイテイブ法用のフオトレジス
トの提案が、特開昭50−43468号公報、特開昭54
−770号公報、特開昭58−199341号公報、特開昭
59−12434号公報、特開昭60−101532号公報など
でなされている。しかしながら、従来提案されて
いるフオトレジストあるいはすでに市販されてい
るフオトレジストを用い、フオトアデイテイブ法
によつて印刷配線板を量産した場合、フオトレジ
スト組成物の一部が無電解めつき浴中に徐々に溶
け出し、次第にめつき浴を汚染して析出させるべ
き無電解めつき銅の物性を低下させる問題点があ
つた。銅の物性の低下は印刷配線板の信頼性に対
して致命的であるため、一度使用しためつき浴は
連続再使用できず、量産には向かなかつた。
化を主成分とするインクをスクリーン印刷し、熱
硬化することにより形成されているが、印刷では
ラインの寸法が制限されるため、高密度パターン
の印刷配線板はアデイテイブ法では製造困難であ
つた。高密度パターンの形成にはフオトレジスト
が適しており、アデイテイブ法用のフオトレジス
トの提案が、特開昭50−43468号公報、特開昭54
−770号公報、特開昭58−199341号公報、特開昭
59−12434号公報、特開昭60−101532号公報など
でなされている。しかしながら、従来提案されて
いるフオトレジストあるいはすでに市販されてい
るフオトレジストを用い、フオトアデイテイブ法
によつて印刷配線板を量産した場合、フオトレジ
スト組成物の一部が無電解めつき浴中に徐々に溶
け出し、次第にめつき浴を汚染して析出させるべ
き無電解めつき銅の物性を低下させる問題点があ
つた。銅の物性の低下は印刷配線板の信頼性に対
して致命的であるため、一度使用しためつき浴は
連続再使用できず、量産には向かなかつた。
(発明の目的)
本発明の目的はフオトアデイテイブ法による、
めつき銅の物性の良好の高精度の印刷配線板の製
造方法を提供することにある。また、同時に量産
性のある製造方法を提供することでもある。
めつき銅の物性の良好の高精度の印刷配線板の製
造方法を提供することにある。また、同時に量産
性のある製造方法を提供することでもある。
(発明の構成)
本発明は
(1) 無電解めつき銅をその所要部分に析出させる
べき基板の表面に、(a)(イ)端末メタクリロイル基
を少なくとも1個有し、分子内に水素原子と直
接共有結合した窒素原子を有しない1種以上の
不飽和化合物59〜99重量%と(ロ)末端アクリロイ
ル基を少なくとも1個有し、分子内に水素原子
と直接共有結合した窒素原子を有しない1種以
上の不飽和化合物95〜1重量%からなる光重合
可能な成分100重量部に対し、(b)分子内に水素
原子と直接共有結合した窒素原子を有さず、側
鎖にテトラヒドロフルフリル基を有する線状高
分子化合物20〜400重量部並びに(c)活性光によ
り遊離ラジカルを生成する増感剤又は(及び)
増感剤系0.5〜20重量部 を含有する感光性樹脂組成物の層を形成する工
程 (2) 像的な活性光照射および現像により該基板の
表面上に感光性樹脂組成物のネガテイブパター
ンを形成する工程 ならびに (3) 該基板の表面上の該感光性樹脂組成物のネガ
テイブパターンをめつきレジストとして無電解
銅めつきにより配線パターンを形成する工程 を経る印刷配線板の製造方法に関する。
べき基板の表面に、(a)(イ)端末メタクリロイル基
を少なくとも1個有し、分子内に水素原子と直
接共有結合した窒素原子を有しない1種以上の
不飽和化合物59〜99重量%と(ロ)末端アクリロイ
ル基を少なくとも1個有し、分子内に水素原子
と直接共有結合した窒素原子を有しない1種以
上の不飽和化合物95〜1重量%からなる光重合
可能な成分100重量部に対し、(b)分子内に水素
原子と直接共有結合した窒素原子を有さず、側
鎖にテトラヒドロフルフリル基を有する線状高
分子化合物20〜400重量部並びに(c)活性光によ
り遊離ラジカルを生成する増感剤又は(及び)
増感剤系0.5〜20重量部 を含有する感光性樹脂組成物の層を形成する工
程 (2) 像的な活性光照射および現像により該基板の
表面上に感光性樹脂組成物のネガテイブパター
ンを形成する工程 ならびに (3) 該基板の表面上の該感光性樹脂組成物のネガ
テイブパターンをめつきレジストとして無電解
銅めつきにより配線パターンを形成する工程 を経る印刷配線板の製造方法に関する。
本発明の提案する印刷配線板の製造方法につい
て以下に詳細に説明する。
て以下に詳細に説明する。
本発明の提案する印刷配線板の製造方法は、無
電解めつき銅をその所要部分に析出させるべき基
板の表面に感光性樹脂組成物の層を形成する工程
を含むものである。
電解めつき銅をその所要部分に析出させるべき基
板の表面に感光性樹脂組成物の層を形成する工程
を含むものである。
基板としては紙フエノール、ガラスエポキシ等
の積層板、鉄ホウロウ基板、アルミ板等の両面に
エポキシ樹脂絶縁層を形成した基板等の金属芯入
り基板などが使用できる。これらの基板は、穴あ
け後にめつき触媒を含む溶液に浸漬され、スルホ
ール内壁にめつき触媒をつけることもできる。こ
のようなめつき触媒溶液としては、日立化成工業
(株)製増感剤HS−101B等が使用できる。基板の表
面にはめつき触媒の付着を良好とするため、ある
いは析出する無電解めつき銅の基板に対する密着
性を良好とするため等のために接着剤層を塗布す
ることが好ましい。
の積層板、鉄ホウロウ基板、アルミ板等の両面に
エポキシ樹脂絶縁層を形成した基板等の金属芯入
り基板などが使用できる。これらの基板は、穴あ
け後にめつき触媒を含む溶液に浸漬され、スルホ
ール内壁にめつき触媒をつけることもできる。こ
のようなめつき触媒溶液としては、日立化成工業
(株)製増感剤HS−101B等が使用できる。基板の表
面にはめつき触媒の付着を良好とするため、ある
いは析出する無電解めつき銅の基板に対する密着
性を良好とするため等のために接着剤層を塗布す
ることが好ましい。
接着剤としては、フエノール変性ニトリルゴム
系接着剤等のアデイテイブ法用接着剤として知ら
れているものが使用できる。接着剤中にめつき触
媒となる化合物を含ませることもできる。めつき
触媒の付着性を良好とするため、あるいは析出す
る無電解めつき銅の密着性を良好とするため、無
電解めつき処理の前に接着剤層表面を粗化するこ
とが好ましい。粗化方法としては重クロム酸ソー
ダ、クロム酸等を含む酸性溶液等に浸漬する方法
があるが、公知の通り、粗化工程は無電解銅めつ
き工程の前であれば、次に述べる感光性樹脂組成
物の層を形成する前であつても、レジストパター
ン形成後であつてもかまわない。
系接着剤等のアデイテイブ法用接着剤として知ら
れているものが使用できる。接着剤中にめつき触
媒となる化合物を含ませることもできる。めつき
触媒の付着性を良好とするため、あるいは析出す
る無電解めつき銅の密着性を良好とするため、無
電解めつき処理の前に接着剤層表面を粗化するこ
とが好ましい。粗化方法としては重クロム酸ソー
ダ、クロム酸等を含む酸性溶液等に浸漬する方法
があるが、公知の通り、粗化工程は無電解銅めつ
き工程の前であれば、次に述べる感光性樹脂組成
物の層を形成する前であつても、レジストパター
ン形成後であつてもかまわない。
この他、基板として、紙フエノール、ガラスエ
ポキシ等の積層板、鉄ホウロウ基板、アルミ板等
の両面にエポキシ樹脂絶縁層を形成した基板等の
金属芯入り基板などの両面に銅箔を張り付けた銅
張り基板を使用しても良い。これらの基板は、穴
あけ後にめつき触媒を含む溶液に浸漬し、スルー
ホール内壁にめつき触媒をつけることができる。
また、めつきレジストと銅の密着性を改良するた
め、塩化第二銅等の酸化剤を含む酸性水溶液を用
いて銅箔の表面をエツチングすることができる。
銅張り基板を用いる場合、銅箔上に次に述べる感
光性樹脂組成物のネガテイブパターンを形成し、
このパターンのない部分に無電解銅めつきによつ
て配線パターンを形成し、レジストを除去した後
回路間の銅箔をエツチングによつて除去し、印刷
配線板を得ることができる。また、銅箔をあらか
じめエツチング配線パターンを形成した後、スル
ーホールおよび必要なランド部分を除いて次に述
べる感光性樹脂組成物のネガテイブパターンを形
成し、このパターンのない部分に無電解銅めつき
を行なつて配線パターンを形成し、印刷配線板を
得ることができる。
ポキシ等の積層板、鉄ホウロウ基板、アルミ板等
の両面にエポキシ樹脂絶縁層を形成した基板等の
金属芯入り基板などの両面に銅箔を張り付けた銅
張り基板を使用しても良い。これらの基板は、穴
あけ後にめつき触媒を含む溶液に浸漬し、スルー
ホール内壁にめつき触媒をつけることができる。
また、めつきレジストと銅の密着性を改良するた
め、塩化第二銅等の酸化剤を含む酸性水溶液を用
いて銅箔の表面をエツチングすることができる。
銅張り基板を用いる場合、銅箔上に次に述べる感
光性樹脂組成物のネガテイブパターンを形成し、
このパターンのない部分に無電解銅めつきによつ
て配線パターンを形成し、レジストを除去した後
回路間の銅箔をエツチングによつて除去し、印刷
配線板を得ることができる。また、銅箔をあらか
じめエツチング配線パターンを形成した後、スル
ーホールおよび必要なランド部分を除いて次に述
べる感光性樹脂組成物のネガテイブパターンを形
成し、このパターンのない部分に無電解銅めつき
を行なつて配線パターンを形成し、印刷配線板を
得ることができる。
本発明で使用する感光性樹脂組成物は(イ)末端メ
タクリロイル基を少なくとも1個有し、分子内に
水素原子と直接共有結合した窒素原子を有しない
1種以上の不飽和化合物5〜99重量%と(ロ)末端ア
クリロイル基を少なくとも1個有し、分子内に水
素原子と直接共有結合した窒素原子を有しない1
種以上の不飽和化合物95〜1重量%からなる光重
合可能な成分を必須成分として含有する。(イ)の末
端メタクリロイル基を少なくとも1個有し、分子
内に水素原子と直接共有結合した窒素原子を有し
ない不飽和化合物としては、例えばトリメチロー
ルプロパン、トリメチロールエタン、ペンタエリ
スリトール、ジペンタエリスリトール、1,6−
ヘキサンジオール、プロピレングリコール、テト
ラエチレングリコール、ジブロムネオペンチルグ
リコール等の多価アルコールのメタクリル酸エス
テル、ジシクロペンテニルオキシエチルメタクリ
レート、テトラヒドロフルフリルメタクリレー
ト、ベンジルメタクリレート等を挙げ得る。
タクリロイル基を少なくとも1個有し、分子内に
水素原子と直接共有結合した窒素原子を有しない
1種以上の不飽和化合物5〜99重量%と(ロ)末端ア
クリロイル基を少なくとも1個有し、分子内に水
素原子と直接共有結合した窒素原子を有しない1
種以上の不飽和化合物95〜1重量%からなる光重
合可能な成分を必須成分として含有する。(イ)の末
端メタクリロイル基を少なくとも1個有し、分子
内に水素原子と直接共有結合した窒素原子を有し
ない不飽和化合物としては、例えばトリメチロー
ルプロパン、トリメチロールエタン、ペンタエリ
スリトール、ジペンタエリスリトール、1,6−
ヘキサンジオール、プロピレングリコール、テト
ラエチレングリコール、ジブロムネオペンチルグ
リコール等の多価アルコールのメタクリル酸エス
テル、ジシクロペンテニルオキシエチルメタクリ
レート、テトラヒドロフルフリルメタクリレー
ト、ベンジルメタクリレート等を挙げ得る。
(ロ)末端アクリロイル基を少なくとも1個有し、
分子内に水素原子と直接共有結合した窒素原子を
有しない不飽和化合物としては、例えばトリメチ
ロールプロパン、トリメチロールエタン、ペンタ
エリスリトール、ジペンタエリスリトール、1,
6−ヘキサンジオール、プロピレングリコール、
テトラエチレングリコール、ジブロムネオペンチ
ルグリコール等の多価アルコールのアクリル酸エ
ステル、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリ
レート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、
ベンジルアクリレート等を挙げ得る。
分子内に水素原子と直接共有結合した窒素原子を
有しない不飽和化合物としては、例えばトリメチ
ロールプロパン、トリメチロールエタン、ペンタ
エリスリトール、ジペンタエリスリトール、1,
6−ヘキサンジオール、プロピレングリコール、
テトラエチレングリコール、ジブロムネオペンチ
ルグリコール等の多価アルコールのアクリル酸エ
ステル、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリ
レート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、
ベンジルアクリレート等を挙げ得る。
本発明者らの詳細な検討によつて、窒素原子の
含有は銅の物性の低下を招く場合が多く、特に一
級及び二級のアミノ基、アミド基、ウレタン基等
の水素原子と直接共有結合した窒素原子を含む基
の含有は著しい銅の物性の低下を生じることが明
らかになつた。水酸基またはカルボキシル基のよ
うに水素原子と直接共有結合した酸素原子を含む
基の含有も好ましくない場合が多く、上記(イ)の不
飽和化合物として特に好ましい例としては、トリ
メチロールプロパントリメタクリレート、トリメ
チロールエタントリメタクリレート、ペンタエリ
スリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサメタクリレート、1,6−ヘキ
サンジオールジメタクリレートなどがある。ま
た、理由は不明であるが光重合性成分がアクリレ
ート系不飽和化合物だけの場合に比べてメタクリ
レート系不飽和化合物の併用あるいは単独使用に
よつてめつき浴の汚染が低減し、銅の物性が著し
く良好になることが明らかになつた。
含有は銅の物性の低下を招く場合が多く、特に一
級及び二級のアミノ基、アミド基、ウレタン基等
の水素原子と直接共有結合した窒素原子を含む基
の含有は著しい銅の物性の低下を生じることが明
らかになつた。水酸基またはカルボキシル基のよ
うに水素原子と直接共有結合した酸素原子を含む
基の含有も好ましくない場合が多く、上記(イ)の不
飽和化合物として特に好ましい例としては、トリ
メチロールプロパントリメタクリレート、トリメ
チロールエタントリメタクリレート、ペンタエリ
スリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサメタクリレート、1,6−ヘキ
サンジオールジメタクリレートなどがある。ま
た、理由は不明であるが光重合性成分がアクリレ
ート系不飽和化合物だけの場合に比べてメタクリ
レート系不飽和化合物の併用あるいは単独使用に
よつてめつき浴の汚染が低減し、銅の物性が著し
く良好になることが明らかになつた。
感光性樹脂組成物の光感度及びめつき銅の物性
の点から(イ)の成分は5〜99重量%、(ロ)の成分は95
〜1重量%の範囲とされるが、より好ましい範囲
は(イ)の成分が20〜95重量%、(ロ)の成分が80〜5重
量%の範囲である。
の点から(イ)の成分は5〜99重量%、(ロ)の成分は95
〜1重量%の範囲とされるが、より好ましい範囲
は(イ)の成分が20〜95重量%、(ロ)の成分が80〜5重
量%の範囲である。
本発明で使用する感光性樹脂組成物は上記(イ)成
分及び(ロ)成分の合計100重量部に対し、分子内に
水素原子と直接共有結合した窒素原子を有さず、
側鎖にテトラヒドロフルフリル基を有する線状高
分子化合物20〜400重量部含有する。線状高分子
化合物の含有量が400重量部をこえると光感度が
低く実用的でない。分子内に水素原子と直接共有
結合した窒素原子を有しない線状高分子化合物と
しては、例えばメタクリル酸メチル、アクリル酸
エチル、テトラヒドロフルフリルメタクリレー
ト、メタクリル酸、2−ヒドロキシエチルメタク
リレート、ベンジルメタクリレート、スチレン、
ビニルトルエン、酢酸ビニル、ブタジエン等のビ
ニル系単量体を重合又は共重合して得られるビニ
ル系高分子化合物、エチレングリコール、ジプロ
ピレングリコール、1,6−ヘキサンジオール等
の2価アルコールとマレイン酸、フタル酸などの
2価の酸とを縮合して得られるポリエステル系高
分子化合物などを挙げ得る。側鎖にテトラヒドロ
フルフリル基を有する線状高分子化合物の使用は
めつき銅の物性を向上させる。フイルム形成性の
点で分子内に水素原子と直接共有結合した窒素原
子を有さず、側鎖にテトラヒドロフルフリル基を
有する線状高分子化合物は、上記(a)光重合可能な
成分100重量部に対し、20〜400重量部含有され
る。
分及び(ロ)成分の合計100重量部に対し、分子内に
水素原子と直接共有結合した窒素原子を有さず、
側鎖にテトラヒドロフルフリル基を有する線状高
分子化合物20〜400重量部含有する。線状高分子
化合物の含有量が400重量部をこえると光感度が
低く実用的でない。分子内に水素原子と直接共有
結合した窒素原子を有しない線状高分子化合物と
しては、例えばメタクリル酸メチル、アクリル酸
エチル、テトラヒドロフルフリルメタクリレー
ト、メタクリル酸、2−ヒドロキシエチルメタク
リレート、ベンジルメタクリレート、スチレン、
ビニルトルエン、酢酸ビニル、ブタジエン等のビ
ニル系単量体を重合又は共重合して得られるビニ
ル系高分子化合物、エチレングリコール、ジプロ
ピレングリコール、1,6−ヘキサンジオール等
の2価アルコールとマレイン酸、フタル酸などの
2価の酸とを縮合して得られるポリエステル系高
分子化合物などを挙げ得る。側鎖にテトラヒドロ
フルフリル基を有する線状高分子化合物の使用は
めつき銅の物性を向上させる。フイルム形成性の
点で分子内に水素原子と直接共有結合した窒素原
子を有さず、側鎖にテトラヒドロフルフリル基を
有する線状高分子化合物は、上記(a)光重合可能な
成分100重量部に対し、20〜400重量部含有され
る。
本発明で使用する感光性樹脂組成物は上記(a)光
重合可能な成分100重量部に対し、活性光により
遊離ラジカルを生成する増感剤又は(及び)増感
剤系を0.5〜20重量部含有する。増感剤又は(及
び)増感剤系が0.5重量部未満では光感度が低く、
20重量部をこえると形成されるネガテイブパター
ンの形状が悪くなる。
重合可能な成分100重量部に対し、活性光により
遊離ラジカルを生成する増感剤又は(及び)増感
剤系を0.5〜20重量部含有する。増感剤又は(及
び)増感剤系が0.5重量部未満では光感度が低く、
20重量部をこえると形成されるネガテイブパター
ンの形状が悪くなる。
使用できる増感剤としては、置換または非置換
の多核キノン類、例えば、2−エチルアントラキ
ノン、2−t−ブチルアントラキノン、オクタメ
チルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキ
ノン、2,3−ジフエニルアントラキノン等、ジ
アセチルおよびベンジル等のケトアルドニル化合
物、ベンゾイン、ピバロン等のα−ケタルドニル
アルコール類およびエーテル類、α−炭化水素置
換芳香族アシロイン類、例えばα−フエニルーベ
ンゾイン、α,α−ジエトキシアセトフエノン
等、ベンゾフエノン、4,4′−ビスジアルキルア
ミノベンゾフエノン等の芳香族ケトン類を例示で
き、これらは単独でも組合せてもよい。使用でき
る増感剤系としては2,4,5−トリアリールイ
ミダゾール二量体と2−メルカプトベンゾキナゾ
ール、ロイコクリスチルバイオレツト、トリス
(4−ジエチルアミノ−2−メチルフエニル)メ
タン等との組合せを例示できる。また、それ自体
で光開始性はないが、前述した物質と組合せて用
いることにより全体として光開始性能のより良好
な増感剤系となるような添加剤を用いることがで
きる。例えばベンゾフエノンに対するトリエタノ
ールアミン等の三級アミンなどがある。
の多核キノン類、例えば、2−エチルアントラキ
ノン、2−t−ブチルアントラキノン、オクタメ
チルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキ
ノン、2,3−ジフエニルアントラキノン等、ジ
アセチルおよびベンジル等のケトアルドニル化合
物、ベンゾイン、ピバロン等のα−ケタルドニル
アルコール類およびエーテル類、α−炭化水素置
換芳香族アシロイン類、例えばα−フエニルーベ
ンゾイン、α,α−ジエトキシアセトフエノン
等、ベンゾフエノン、4,4′−ビスジアルキルア
ミノベンゾフエノン等の芳香族ケトン類を例示で
き、これらは単独でも組合せてもよい。使用でき
る増感剤系としては2,4,5−トリアリールイ
ミダゾール二量体と2−メルカプトベンゾキナゾ
ール、ロイコクリスチルバイオレツト、トリス
(4−ジエチルアミノ−2−メチルフエニル)メ
タン等との組合せを例示できる。また、それ自体
で光開始性はないが、前述した物質と組合せて用
いることにより全体として光開始性能のより良好
な増感剤系となるような添加剤を用いることがで
きる。例えばベンゾフエノンに対するトリエタノ
ールアミン等の三級アミンなどがある。
本発明で使用する感光性樹脂組成物はさらに他
の副次的成分を含有することができる。副次的成
分としては熱重合防止剤、染料、顔料、塗工性向
上剤等であり、これらの選択は通常の感光性樹脂
組成物と同様の考慮のもとに行なわれる。
の副次的成分を含有することができる。副次的成
分としては熱重合防止剤、染料、顔料、塗工性向
上剤等であり、これらの選択は通常の感光性樹脂
組成物と同様の考慮のもとに行なわれる。
本発明の提案する印刷配線板の製造方法は無電
解めつき銅をその所要部分に析出させるべき基板
の表面に上記で詳細に説明した感光性樹脂組成物
の層を形成する工程を必ず含む。無電解めつき銅
を析出させるべき絶縁性基板の表面に感光性樹脂
組成物の層を形成する工程は常法で行なえる。た
とえば感光性樹脂組成物をメチルエチルケトン、
トルエン、塩化メチレン等の溶剤に均一に溶解又
は分散させ、デイツプコート法、フローコート法
等で無電解めつき銅を析出させるべき絶縁性基板
の表面上に塗布し、溶剤乾燥して行なわれる。感
光性樹脂組成物の溶液を基板上に直接塗布せず
に、この溶液を支持体フイルム上にナイフコート
法、ロールコート法等公知の方法で塗布乾燥し、
支持体フイルム上に感光性樹脂組成物の層を有す
る感光性エレメントを製造したのち、該感光性エ
レメントを無電解めつき銅を析出させるべき絶縁
性基板表面に公知の方法で加熱・加圧積層して、
該基板表面に感光性樹脂組成物の層を形成するこ
ともできる。支持体フイルムとしてはポリエステ
ルフイルム、ポリプロピレンフイルム、ポリイミ
ドフイルム、ポリスチレンフイルム等公知のフイ
ルムを使用できる。感光性エレメントによる方法
は塗布膜厚の均一化が容易であり、また耐溶剤性
の低い接着剤も使用できる等の点で好ましい。
解めつき銅をその所要部分に析出させるべき基板
の表面に上記で詳細に説明した感光性樹脂組成物
の層を形成する工程を必ず含む。無電解めつき銅
を析出させるべき絶縁性基板の表面に感光性樹脂
組成物の層を形成する工程は常法で行なえる。た
とえば感光性樹脂組成物をメチルエチルケトン、
トルエン、塩化メチレン等の溶剤に均一に溶解又
は分散させ、デイツプコート法、フローコート法
等で無電解めつき銅を析出させるべき絶縁性基板
の表面上に塗布し、溶剤乾燥して行なわれる。感
光性樹脂組成物の溶液を基板上に直接塗布せず
に、この溶液を支持体フイルム上にナイフコート
法、ロールコート法等公知の方法で塗布乾燥し、
支持体フイルム上に感光性樹脂組成物の層を有す
る感光性エレメントを製造したのち、該感光性エ
レメントを無電解めつき銅を析出させるべき絶縁
性基板表面に公知の方法で加熱・加圧積層して、
該基板表面に感光性樹脂組成物の層を形成するこ
ともできる。支持体フイルムとしてはポリエステ
ルフイルム、ポリプロピレンフイルム、ポリイミ
ドフイルム、ポリスチレンフイルム等公知のフイ
ルムを使用できる。感光性エレメントによる方法
は塗布膜厚の均一化が容易であり、また耐溶剤性
の低い接着剤も使用できる等の点で好ましい。
本発明の提案する印刷配線板の製造方法は像的
な活性光を照射後現像して無電解めつき銅をその
所要部分に析出させるべき絶縁性基板の表面上に
感光性樹脂組成物のネガテイブパターンを形成す
る工程を必ず含む。像的な活性光の照射は超高圧
水銀灯、高圧水銀灯等の光源を用い、ネガマスク
を通して像的に露光することで行なえる。また微
小断面積に絞つたレーザ光線等を像的にスキヤン
して行なうこともできる。現像は1,1,1−ト
リクロルエタン等の現像液に像的に活性光の照射
された感光性樹脂組成物の層を有する基板を浸漬
するか又は現像液をスプレーする等して行なえ
る。
な活性光を照射後現像して無電解めつき銅をその
所要部分に析出させるべき絶縁性基板の表面上に
感光性樹脂組成物のネガテイブパターンを形成す
る工程を必ず含む。像的な活性光の照射は超高圧
水銀灯、高圧水銀灯等の光源を用い、ネガマスク
を通して像的に露光することで行なえる。また微
小断面積に絞つたレーザ光線等を像的にスキヤン
して行なうこともできる。現像は1,1,1−ト
リクロルエタン等の現像液に像的に活性光の照射
された感光性樹脂組成物の層を有する基板を浸漬
するか又は現像液をスプレーする等して行なえ
る。
現像後にさらに活性光を再照射することは、感
光性樹脂組成物の光硬化をさらに進め、耐めつき
性が向上し、めつき浴の汚染がさらに低減するな
ど好ましい。活性光の再照射は超高圧水銀灯、高
圧水銀灯等の光源を用いて基板全面に照射するこ
とにより行なえる。
光性樹脂組成物の光硬化をさらに進め、耐めつき
性が向上し、めつき浴の汚染がさらに低減するな
ど好ましい。活性光の再照射は超高圧水銀灯、高
圧水銀灯等の光源を用いて基板全面に照射するこ
とにより行なえる。
本発明の提案する印刷配線板の製造方法は、上
記方法で得られた感光性樹脂組成物のネガテイブ
パターンをめつきレジストとして無電解銅めつき
により配線パターンを形成する工程を必ず含む。
無電解めつき液としては銅塩、錯化剤、還元剤及
びPH調整剤を含有するめつき液が使用できる。
記方法で得られた感光性樹脂組成物のネガテイブ
パターンをめつきレジストとして無電解銅めつき
により配線パターンを形成する工程を必ず含む。
無電解めつき液としては銅塩、錯化剤、還元剤及
びPH調整剤を含有するめつき液が使用できる。
銅塩としては例えば硫酸銅、硝酸銅、ギ酸銅、
塩化第2銅等が使用できる。錯化剤としては例え
ばエチレンジアミン四酢酸、N−ヒドロキシエチ
ルエチレンジアミン三酢酸、N,N,N′,N′−
テトラキス−2−ヒドロキシプロピルエチレンジ
アミン、ロツシエル塩等が使用できる。還元剤と
してはホルマリンが好ましい。またPH調整剤とし
ては通常、水酸化アルカリが使用され、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム等がある。さらにめつ
き浴の安定性を増すため、あるいは析出する銅金
属の特性を良くするため等の目的で各種の添加剤
が加えられることもある。めつき浴の条件は、め
つき浴の安定性、析出する銅金属の特性等から銅
農度1〜15g/、PH10〜13.5、浴温度50〜90℃
が好ましい。無電解銅めつきにあたつては、必要
ならばめつき触媒の付着及び/あるいは活性化を
行なうことは勿論のことである。
塩化第2銅等が使用できる。錯化剤としては例え
ばエチレンジアミン四酢酸、N−ヒドロキシエチ
ルエチレンジアミン三酢酸、N,N,N′,N′−
テトラキス−2−ヒドロキシプロピルエチレンジ
アミン、ロツシエル塩等が使用できる。還元剤と
してはホルマリンが好ましい。またPH調整剤とし
ては通常、水酸化アルカリが使用され、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム等がある。さらにめつ
き浴の安定性を増すため、あるいは析出する銅金
属の特性を良くするため等の目的で各種の添加剤
が加えられることもある。めつき浴の条件は、め
つき浴の安定性、析出する銅金属の特性等から銅
農度1〜15g/、PH10〜13.5、浴温度50〜90℃
が好ましい。無電解銅めつきにあたつては、必要
ならばめつき触媒の付着及び/あるいは活性化を
行なうことは勿論のことである。
無電解銅めつきによる配線パターン形成後に、
めつきレジストとして用いた感光性樹脂組成物の
ネガテイブパターンを剥離・除去してもいいし、
これをそのまま永久レジストとして残してもよ
い。
めつきレジストとして用いた感光性樹脂組成物の
ネガテイブパターンを剥離・除去してもいいし、
これをそのまま永久レジストとして残してもよ
い。
配線パターン形成後に、銅表面を酸化から保護
するため、あるいはその部分が電気的接続部分と
なる場合は接触抵抗を低下させるため等の目的
で、半田レベラー等で配線パターン全体あるいは
所望部分に半田を被膜したり、あるいは金めつ
き、スズめつき等を行なうことができる。銅表面
を半田、金、スズ等の金属で覆つた後、あるいは
銅表面のまま基板上の必要な部分にソルダマスク
を形成することができる。配線パターンの所望部
分のみに半田等の被覆を行なう為のレジストとし
てこのソルダマスクを利用することもできる。ソ
ルダマスクの形成は、エポキシ樹脂系インクをス
クリーン印刷などで印刷し、硬化させて行なうこ
ともできるし、写真法で高精度のソルダマスクを
形成することもできる。このようにして製造され
る印刷配線板は公知の方法で種々の応用が可能で
あり、例えば電子部品を半田付けする等して利用
できるが、無電解銅めつき後の印刷配線板を多層
印刷配線板の内層板として使用することもでき
る。
するため、あるいはその部分が電気的接続部分と
なる場合は接触抵抗を低下させるため等の目的
で、半田レベラー等で配線パターン全体あるいは
所望部分に半田を被膜したり、あるいは金めつ
き、スズめつき等を行なうことができる。銅表面
を半田、金、スズ等の金属で覆つた後、あるいは
銅表面のまま基板上の必要な部分にソルダマスク
を形成することができる。配線パターンの所望部
分のみに半田等の被覆を行なう為のレジストとし
てこのソルダマスクを利用することもできる。ソ
ルダマスクの形成は、エポキシ樹脂系インクをス
クリーン印刷などで印刷し、硬化させて行なうこ
ともできるし、写真法で高精度のソルダマスクを
形成することもできる。このようにして製造され
る印刷配線板は公知の方法で種々の応用が可能で
あり、例えば電子部品を半田付けする等して利用
できるが、無電解銅めつき後の印刷配線板を多層
印刷配線板の内層板として使用することもでき
る。
(実施例)
次に本発明の実施例を示す。ここに示す実施例
によつて本発明が限定されるものではない。実施
例及び比較例中の「部」は重量部を示す。
によつて本発明が限定されるものではない。実施
例及び比較例中の「部」は重量部を示す。
実施例 1
トリメチロールプロパントリメタクリレート46部
トリメチロールプロパントリアクリレート 4部
メタクリル酸メチル・テトラヒドロフルフリルメ
タクリレート(80/20重量比)共重合物 50部 ベンゾフエノン 3部 4,4′−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフエノン
0.1部 ビクトリアピユアブルー 0.01部 メチルエチルケント 100部 第1図に示す装置を用いて上記配合の感光性樹
脂組成物の溶液10を25μm厚さのポリエチレン
テレフタレートフイルム16上に均一に塗布し80
〜100℃の熱風対流式乾燥機11で約10分間乾燥
した。感光性樹脂組成物の層の乾燥後の厚さは約
35μmであつた。感光性樹脂組成物の層の上に
は、更に第1図のようにして厚さ約25μmのポリ
エチレンフイルム17をカバーフイルムとして張
り合わせ、感光性エレメントを得た。
タクリレート(80/20重量比)共重合物 50部 ベンゾフエノン 3部 4,4′−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフエノン
0.1部 ビクトリアピユアブルー 0.01部 メチルエチルケント 100部 第1図に示す装置を用いて上記配合の感光性樹
脂組成物の溶液10を25μm厚さのポリエチレン
テレフタレートフイルム16上に均一に塗布し80
〜100℃の熱風対流式乾燥機11で約10分間乾燥
した。感光性樹脂組成物の層の乾燥後の厚さは約
35μmであつた。感光性樹脂組成物の層の上に
は、更に第1図のようにして厚さ約25μmのポリ
エチレンフイルム17をカバーフイルムとして張
り合わせ、感光性エレメントを得た。
第1図において、5はポリエチレンテレフタレ
ートフイルムくり出しロール、6,7,8はロー
ル、9はナイフ、12はポリエチレンフイルムく
り出しロール、13,14はロール、15は感光
性エレメント巻き取りロールである。
ートフイルムくり出しロール、6,7,8はロー
ル、9はナイフ、12はポリエチレンフイルムく
り出しロール、13,14はロール、15は感光
性エレメント巻き取りロールである。
一方、厚さ1.6mmのフエノール樹脂積層板(日
立化成(株)製、LP−461F)の両面にアクリロニト
リルブタジエンゴム変性フエノール樹脂を主成分
とする接着剤(ACIジヤパン(株)製、品番777)を
塗布した後、160℃で110分加熱して接着剤を硬化
し、厚さ約30μmの接着剤層付きの積層板を得
た。次いで必要個所にドリルにより穴をあけた
後、無水クロム酸及び硫酸を含む粗化液に浸漬し
て接着剤層の表面を粗化した。次に、化学めつき
の触媒として日立化成工業(株)製、増減剤HS101B
を含む酸性水溶液に10分間浸漬し、水洗を行なつ
た後、3.6重量%の希塩酸で5分間処理し、水洗
を行なつた後120℃で20分間乾燥した。次いでこ
れを16cm×10cmに切断して試験基板とした。
立化成(株)製、LP−461F)の両面にアクリロニト
リルブタジエンゴム変性フエノール樹脂を主成分
とする接着剤(ACIジヤパン(株)製、品番777)を
塗布した後、160℃で110分加熱して接着剤を硬化
し、厚さ約30μmの接着剤層付きの積層板を得
た。次いで必要個所にドリルにより穴をあけた
後、無水クロム酸及び硫酸を含む粗化液に浸漬し
て接着剤層の表面を粗化した。次に、化学めつき
の触媒として日立化成工業(株)製、増減剤HS101B
を含む酸性水溶液に10分間浸漬し、水洗を行なつ
た後、3.6重量%の希塩酸で5分間処理し、水洗
を行なつた後120℃で20分間乾燥した。次いでこ
れを16cm×10cmに切断して試験基板とした。
この試験基板30枚の両面に上記で得た感光性エ
レメントを常法に従つてラミネートし、第2図に
示す試験用ネガマスクを通して、超高圧水銀灯で
400mJ/cm2の露光をした。第2図において21
はネガマスクの不透明部分、22はネガマスクの
透明部分を示し数字の単位はmmである。80℃で5
分間加熱し、20分間常温で放置後、支持体フイル
ムであるポリエステルフイルムをはがし、1,
1,1−トリクロルエタンを用いて70秒間スプレ
ー現像し、80℃で10分乾燥した。その後、高圧小
銀灯を用いて3J/cm2の量の紫外線を試験基板の全
面に再照射した。
レメントを常法に従つてラミネートし、第2図に
示す試験用ネガマスクを通して、超高圧水銀灯で
400mJ/cm2の露光をした。第2図において21
はネガマスクの不透明部分、22はネガマスクの
透明部分を示し数字の単位はmmである。80℃で5
分間加熱し、20分間常温で放置後、支持体フイル
ムであるポリエステルフイルムをはがし、1,
1,1−トリクロルエタンを用いて70秒間スプレ
ー現像し、80℃で10分乾燥した。その後、高圧小
銀灯を用いて3J/cm2の量の紫外線を試験基板の全
面に再照射した。
このようにして感光性樹脂組成物のネガテイブ
パターンを形成した試験基板30枚を、下記の組成
の化学銅めつき液に70℃で12時間浸漬して無電解
銅めつきを行ない、ネガテイブパターンのない部
分に厚さ約30μmの銅を析出させた。この時、
500番の研磨紙で研磨した16cm×10cmのステンレ
ス板を市販の触媒液(日立化成工業(株)製、
HS101B)で増感処理したものを同時に無電解銅
めつきし、めつき後、めつきにより得られた銅箔
をステンレス板から静かに引き剥がし、1cm幅に
切断し引張り試験用の試片を作成した。
パターンを形成した試験基板30枚を、下記の組成
の化学銅めつき液に70℃で12時間浸漬して無電解
銅めつきを行ない、ネガテイブパターンのない部
分に厚さ約30μmの銅を析出させた。この時、
500番の研磨紙で研磨した16cm×10cmのステンレ
ス板を市販の触媒液(日立化成工業(株)製、
HS101B)で増感処理したものを同時に無電解銅
めつきし、めつき後、めつきにより得られた銅箔
をステンレス板から静かに引き剥がし、1cm幅に
切断し引張り試験用の試片を作成した。
(化学銅めつき液組成)
硫酸銅 五水和物 10g/
エチレンジアミン四酢酸 30g/
37%ホルマリン 3m/
PH(水酸化ナトリウム調整) 12.5
ポリエチレングリコール(分子量600)
20m/ 2,2′−ジピリジル 30mg/ 30枚の試験基板には全て、用いたネガフイルム
のパターンを高精度に再現しためつき銅のパター
ンが得られた。また、ステンレス板にめつきした
銅箔を用い、(株)島津製作所製オートグラフDSS−
5000を使用さてチヤツク間隔50mmとして、引張速
度2mm/分で引張り試験を行ない、銅の機械的物
性を測定したところ、伸び率9.2%、折り曲げ可
能回数6回と良好であつた。
20m/ 2,2′−ジピリジル 30mg/ 30枚の試験基板には全て、用いたネガフイルム
のパターンを高精度に再現しためつき銅のパター
ンが得られた。また、ステンレス板にめつきした
銅箔を用い、(株)島津製作所製オートグラフDSS−
5000を使用さてチヤツク間隔50mmとして、引張速
度2mm/分で引張り試験を行ない、銅の機械的物
性を測定したところ、伸び率9.2%、折り曲げ可
能回数6回と良好であつた。
実施例 2
実施例1のトリメチロールプロパントリメタク
リレート46部及びトリメチロールプロパントリア
クリレート4部にかえて、トリメチロールプロパ
ントリメタクリレート25部及びトリメチロールプ
ロパントリアクリレート25部を用いた他は実施例
1と同様に行なつた。高精度のめつき銅のパター
ンが得られ、銅の伸び率7.5%、折り曲げ可能回
数5回と良好であつた。
リレート46部及びトリメチロールプロパントリア
クリレート4部にかえて、トリメチロールプロパ
ントリメタクリレート25部及びトリメチロールプ
ロパントリアクリレート25部を用いた他は実施例
1と同様に行なつた。高精度のめつき銅のパター
ンが得られ、銅の伸び率7.5%、折り曲げ可能回
数5回と良好であつた。
実施例 3
実施例1のトリメチロールプロパントリメタク
リレート46部及びトリメチロールプロパントリア
クリレート4部にかえてトリメチロールプロパン
トリメタクリレート20部、2,2′−ビス(4−メ
タクリロキシジエトキシフエニル)プロパン10部
及びKAYARAD R−604(日本化薬(株)製、アク
リレートモノマ)20部を用いた他は実施例1と同
様に行なつた。高精度のめつき銅のパターンが得
られ、銅の伸び率10.1%、折り曲げ可能回数6回
と良好であつた。
リレート46部及びトリメチロールプロパントリア
クリレート4部にかえてトリメチロールプロパン
トリメタクリレート20部、2,2′−ビス(4−メ
タクリロキシジエトキシフエニル)プロパン10部
及びKAYARAD R−604(日本化薬(株)製、アク
リレートモノマ)20部を用いた他は実施例1と同
様に行なつた。高精度のめつき銅のパターンが得
られ、銅の伸び率10.1%、折り曲げ可能回数6回
と良好であつた。
実施例 4
実施例1のトリメチロールプロパントリメタク
リレート46部及びトリメチロールプロパントリア
クリレート4部にかえてジペンタエリスリトール
ヘキサメタクリレート30部、テトラヒドロフルフ
リルメタクリレート10部及及びトリメチロールエ
タントリアクリレート10部を用いた他は実施例1
と同様に行なつた。高精度のめつき銅のパターン
が得られ、銅の伸び率9.5%、折り曲げ可能回数
6回と良好であつた。
リレート46部及びトリメチロールプロパントリア
クリレート4部にかえてジペンタエリスリトール
ヘキサメタクリレート30部、テトラヒドロフルフ
リルメタクリレート10部及及びトリメチロールエ
タントリアクリレート10部を用いた他は実施例1
と同様に行なつた。高精度のめつき銅のパターン
が得られ、銅の伸び率9.5%、折り曲げ可能回数
6回と良好であつた。
比較例 1
実施例1のトリメチロールプロパントリメタク
リレート46部及びトリメチロールプロパントリア
クリレート4部にかえてトリメチロールプロパン
トリアクリレート50部を用いた他は実施例1と同
様に行なつた。銅の伸び率3.2%、折り曲げ可能
回数3回と銅の物性はよくなつた。
リレート46部及びトリメチロールプロパントリア
クリレート4部にかえてトリメチロールプロパン
トリアクリレート50部を用いた他は実施例1と同
様に行なつた。銅の伸び率3.2%、折り曲げ可能
回数3回と銅の物性はよくなつた。
比較例 2
実施例1のトリメチロールプロパントリメタク
リレート46部及びトリメチロールプロパントリア
クリレート4部にかえてイソホロンジイソシアネ
ート1モルに2−ヒドロキシエチルアクリレート
2モルを反応させて得たウレタンジアクリレート
50部を用いた他は実施例1と同様に行なつた。銅
の伸び率1.5%、折り曲げ可能回数1回と銅物性
はよくなかつた。
リレート46部及びトリメチロールプロパントリア
クリレート4部にかえてイソホロンジイソシアネ
ート1モルに2−ヒドロキシエチルアクリレート
2モルを反応させて得たウレタンジアクリレート
50部を用いた他は実施例1と同様に行なつた。銅
の伸び率1.5%、折り曲げ可能回数1回と銅物性
はよくなかつた。
比較例 3
実施例1のトリメチロールプロパントリメタク
リレート46部及びトリメチロールプロパントリア
クリレート4部にかえてトリレンジイソシアネー
ト1モルに2−ヒドロキシエチルメタクリレート
2モルを反応させて得たウレタンジメタクリレー
ト50部を用いた他は実施例1と同様に行なつた。
銅の伸び率2.1%、折り曲げ可能回数1回と銅の
物性はよくなかつた。
リレート46部及びトリメチロールプロパントリア
クリレート4部にかえてトリレンジイソシアネー
ト1モルに2−ヒドロキシエチルメタクリレート
2モルを反応させて得たウレタンジメタクリレー
ト50部を用いた他は実施例1と同様に行なつた。
銅の伸び率2.1%、折り曲げ可能回数1回と銅の
物性はよくなかつた。
比較例 4
実施例1のメタクリル酸メチル、テトラヒドロ
フルフリルメタクリレート(80/20重量比)共重
合物50部にかえてポリメタクリル酸メチル50部を
用いた他は実施例1と同様に行つた。銅の伸び率
5.8%、折り曲げ可能回数4回と銅の物性はやや
劣つていた。
フルフリルメタクリレート(80/20重量比)共重
合物50部にかえてポリメタクリル酸メチル50部を
用いた他は実施例1と同様に行つた。銅の伸び率
5.8%、折り曲げ可能回数4回と銅の物性はやや
劣つていた。
(発明の効果)
実施例に示した様に本発明になる印刷配線板の
製造方法によつて、アデイテイブ法でめつき銅の
物性の良好な高精度の印刷配線板が得られる。
製造方法によつて、アデイテイブ法でめつき銅の
物性の良好な高精度の印刷配線板が得られる。
また、めつき浴の汚染がほとんどないので量産
化が可能になる。
化が可能になる。
尚、上記は本発明の実施例にすぎず、当然、本
発明の精神を逸脱しない範囲で種々の変形及び使
用方法が可能である。
発明の精神を逸脱しない範囲で種々の変形及び使
用方法が可能である。
第1図は実施例で用いた感光性エレメントの製
造装置の略図、第2図は実施例で用いた試験用ネ
ガマスクを示す図である。 符号の説明、5……ポリエチレンテレフタレー
トフイルムくり出しロール、6,7,8……ロー
ル、9……ナイフ、10……感光性樹脂組成物の
溶液、11……乾燥機、12……ポリエチレンフ
イルムくり出しロール、13,14……ロール、
15……感光性エレメント巻き取りロール、16
……ポリエチレンテレフタレートフイルム、17
……ポリエチレンフイルム、21……ネガマスク
の不透明部分、22……ネガマスクの透明部分。
造装置の略図、第2図は実施例で用いた試験用ネ
ガマスクを示す図である。 符号の説明、5……ポリエチレンテレフタレー
トフイルムくり出しロール、6,7,8……ロー
ル、9……ナイフ、10……感光性樹脂組成物の
溶液、11……乾燥機、12……ポリエチレンフ
イルムくり出しロール、13,14……ロール、
15……感光性エレメント巻き取りロール、16
……ポリエチレンテレフタレートフイルム、17
……ポリエチレンフイルム、21……ネガマスク
の不透明部分、22……ネガマスクの透明部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (1) 無電解めつき銅をその所要部分に析出さ
せるべき基板の表面に、(a)(イ)末端メタクリロイ
ル基を少なくとも1個有し、分子内に水素原子
と直接共有結合した窒素原子を有しない1種以
上の不飽和化合物5〜99重量%と(ロ)末端アクリ
ロイル基を少なくとも1個有し、分子内に水素
原子と直接共有結合した窒素原子を有しない1
種以上の不飽和化合物95〜1重量%からなる光
重合可能な成分100重量部に対し、(b)分子内に
水素原子と直接共有結合した窒素原子を有さ
ず、側鎖にテトラヒドロフルフリル基を有する
線状高分子化合物20〜400重量部並びに(c)活性
光により遊離ラジカルを生成する増感剤又は
(及び)増感剤系0.5〜20重量部 を含有する感光性樹脂組成物の層を形成する工
程 (2) 像的な活性光照射および現像により該基板の
表面上に感光性樹脂組成物のネガテイブパター
ンを形成する工程 ならびに (3) 該基板の表面上の該感光性樹脂組成物のネガ
テイブパターンをめつきレジストとして無電解
銅めつきにより配線パターンを形成する工程を
経ることを特徴とする印刷配線板の製造方法。 2 感光性樹脂組成物の層を形成する工程が、感
光性エレメントを積層する方法である特許請求の
範囲第1項記載の印刷配線板の製造方法。 3 現像後にさらに活性光を再照射する工程を含
む特許請求の範囲第1項又は第2項記載の印刷配
線板の製造方法。 4 (イ)の末端メタクリロイル基を少なくとも1個
有し、分子内に水素原子と直接共有結合した窒素
原子を有しない不飽和化合物が、水素原子と直接
共有結合した酸素原子も有しない化合物である特
許請求の範囲第1項、第2項又は第3項記載の印
刷配線板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163097A JPS6318692A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 印刷配線板の製造方法 |
| GB8715744A GB2193730B (en) | 1986-07-11 | 1987-07-03 | Production of printed circuit boards |
| DE3722749A DE3722749C2 (de) | 1986-07-11 | 1987-07-09 | Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Leiterplatte |
| KR1019870007457A KR900003848B1 (ko) | 1986-07-11 | 1987-07-10 | 인쇄 회로 기판의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163097A JPS6318692A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 印刷配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318692A JPS6318692A (ja) | 1988-01-26 |
| JPH0344432B2 true JPH0344432B2 (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=15767122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61163097A Granted JPS6318692A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 印刷配線板の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6318692A (ja) |
| KR (1) | KR900003848B1 (ja) |
| DE (1) | DE3722749C2 (ja) |
| GB (1) | GB2193730B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US5004672A (en) * | 1989-07-10 | 1991-04-02 | Shipley Company Inc. | Electrophoretic method for applying photoresist to three dimensional circuit board substrate |
| CA2380683C (en) | 1991-10-28 | 2006-08-08 | Advanced Cardiovascular Systems, Inc. | Expandable stents and method for making same |
| US5352326A (en) * | 1993-05-28 | 1994-10-04 | International Business Machines Corporation | Process for manufacturing metalized ceramic substrates |
| TW290583B (ja) * | 1993-10-14 | 1996-11-11 | Alpha Metals Ltd | |
| JP4126793B2 (ja) * | 1998-10-09 | 2008-07-30 | チッソ株式会社 | カラーフィルター用樹脂組成物 |
| JP4715234B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2011-07-06 | 日立化成工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法並びに光硬化物の除去方法 |
| DE102020215812A1 (de) | 2020-12-14 | 2022-06-15 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leistungsmodul |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1548401A (ja) * | 1967-08-16 | 1968-12-06 | ||
| GB1414453A (en) * | 1971-09-03 | 1975-11-19 | Ici Ltd | Recording material |
| DE2406400B2 (de) * | 1973-02-14 | 1977-04-28 | Hitachi Chemical Co., Ltd., Tokio | Lichtempfindliche harzzusammensetzungen auf der basis von verbindungen mit epoxy- bzw. photopolymerisierbaren acrylgruppen |
| US4089686A (en) * | 1976-04-19 | 1978-05-16 | Western Electric Company, Inc. | Method of depositing a metal on a surface |
| JPS5619752A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-24 | Hitachi Chemical Co Ltd | Photosensitive resin composition laminate |
| US4394434A (en) * | 1980-12-08 | 1983-07-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Plating resist with improved resistance to extraneous plating |
| US4454219A (en) * | 1981-04-27 | 1984-06-12 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive resin composition comprised of a polymer obtained from an aliphatic amino group-containing monomer as a comonomer |
| US4411980A (en) * | 1981-09-21 | 1983-10-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the preparation of flexible circuits |
| JPS5888741A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂組成物積層体 |
| US4448804A (en) * | 1983-10-11 | 1984-05-15 | International Business Machines Corporation | Method for selective electroless plating of copper onto a non-conductive substrate surface |
| GB2150596A (en) * | 1983-11-30 | 1985-07-03 | Pa Consulting Services | Mesh structures especially for use in television camera tubes |
| JPH0642073B2 (ja) * | 1984-04-10 | 1994-06-01 | 三菱レイヨン株式会社 | 光重合性樹脂組成物 |
| JPH0731399B2 (ja) * | 1984-12-21 | 1995-04-10 | 三菱化学株式会社 | 光重合性組成物 |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP61163097A patent/JPS6318692A/ja active Granted
-
1987
- 1987-07-03 GB GB8715744A patent/GB2193730B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-09 DE DE3722749A patent/DE3722749C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-07-10 KR KR1019870007457A patent/KR900003848B1/ko not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6318692A (ja) | 1988-01-26 |
| DE3722749C2 (de) | 1994-09-15 |
| KR880002416A (ko) | 1988-04-30 |
| KR900003848B1 (ko) | 1990-06-02 |
| GB2193730A (en) | 1988-02-17 |
| GB8715744D0 (en) | 1987-08-12 |
| DE3722749A1 (de) | 1988-01-21 |
| GB2193730B (en) | 1991-04-03 |
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