JPS5956580A - スパツタリング方法 - Google Patents
スパツタリング方法Info
- Publication number
- JPS5956580A JPS5956580A JP16791482A JP16791482A JPS5956580A JP S5956580 A JPS5956580 A JP S5956580A JP 16791482 A JP16791482 A JP 16791482A JP 16791482 A JP16791482 A JP 16791482A JP S5956580 A JPS5956580 A JP S5956580A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnets
- magnet
- sputtering
- sputtering method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はスパッタリング方法、詳しくはマグネトロン・
スパッタリング法においてスパッタリング・ターゲット
の使用効率を向」−させる方法に関する。
スパッタリング法においてスパッタリング・ターゲット
の使用効率を向」−させる方法に関する。
（２）技術の背景
例えばウェハ面、」二にアルミニウム（ｉ）の股を形成
する場合、それはスパッタリング法によ、ってなすこと
ができ、そのためには第１図の楯略断面図に示される装
置が用いられ、同図において、１はスパッタリング・チ
ェンバー、２は八βのターゲット、３はウェハ、４は電
源、５はマグネット、１ａはターゲット２を載置した電
極を不ず。
する場合、それはスパッタリング法によ、ってなすこと
ができ、そのためには第１図の楯略断面図に示される装
置が用いられ、同図において、１はスパッタリング・チ
ェンバー、２は八βのターゲット、３はウェハ、４は電
源、５はマグネット、１ａはターゲット２を載置した電
極を不ず。
チェンバー１内は１０ ”−２〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒの真
空に保たれ、内部にはアルゴン（Ａｒ）ガスが充填され
ている。マグネット５によって図にＦで示す磁場が形成
され、電源４によって高電圧を力４ノると、磁場Ｆ内の
計が電離化され活溌に動き回り、ターゲット２に衝突し
、ターゲットのｉ原子を弾きだし、この＾ｌ原子が飛散
してウェハ３」二に堆積し、他力、クーゲット２は図に
点線で示す如く削られる。なお電源としては、ターゲッ
トを−に保ち ４００〜５００νの直流（ＤＣ）電圧を
印加するか、または高周波（ＲＦ）電源を用いる。・な
お、かかる装置を用いるスパッタリング法はマグネトロ
ン・スパッタリング法と呼ばれる。
空に保たれ、内部にはアルゴン（Ａｒ）ガスが充填され
ている。マグネット５によって図にＦで示す磁場が形成
され、電源４によって高電圧を力４ノると、磁場Ｆ内の
計が電離化され活溌に動き回り、ターゲット２に衝突し
、ターゲットのｉ原子を弾きだし、この＾ｌ原子が飛散
してウェハ３」二に堆積し、他力、クーゲット２は図に
点線で示す如く削られる。なお電源としては、ターゲッ
トを−に保ち ４００〜５００νの直流（ＤＣ）電圧を
印加するか、または高周波（ＲＦ）電源を用いる。・な
お、かかる装置を用いるスパッタリング法はマグネトロ
ン・スパッタリング法と呼ばれる。
第１図はスパッタリングの原理を説明するための概略図
であるが、実際にスパッタリングに用いられる装置のタ
ーゲットと磁石の配置は第２図の平面図に示される如き
もので 同図において、１１はターゲノ１−１１２はマ
グ矛ソ１〜・ホルダ、１３はマグネットを示ず。マグネ
ッ１−１３は、第２図のＩＩＩ −ＩＩＩ線に沿う断面
図である第３図に示される如く、マグネット・ボルダ１
２内に埋め込まれ、マグネット・ホルダは偏心的に回転
軸１４に固着されている。
であるが、実際にスパッタリングに用いられる装置のタ
ーゲットと磁石の配置は第２図の平面図に示される如き
もので 同図において、１１はターゲノ１−１１２はマ
グ矛ソ１〜・ホルダ、１３はマグネットを示ず。マグネ
ッ１−１３は、第２図のＩＩＩ −ＩＩＩ線に沿う断面
図である第３図に示される如く、マグネット・ボルダ１
２内に埋め込まれ、マグネット・ホルダは偏心的に回転
軸１４に固着されている。
（３）従来技術と問題点
第２図と第３図に示される装置を用い゛ζスパッタリン
グを行う場合、回転軸１４は連続して回転し、その結果
、マグネット１３によって形成される磁場はターゲノｔ
ｌｌ”４こ相対的に偏心的に動き、その結果、ターゲッ
ト１１は最初は第２図に示す如く、最終的には第４図の
断面図に示す如く削られる。
グを行う場合、回転軸１４は連続して回転し、その結果
、マグネット１３によって形成される磁場はターゲノｔ
ｌｌ”４こ相対的に偏心的に動き、その結果、ターゲッ
ト１１は最初は第２図に示す如く、最終的には第４図の
断面図に示す如く削られる。
これらの図から理解される如く、ターゲット１１の中央
部分はほとんど削られることがなく、ターゲットの使用
効率は４０％程度である。この使用効率の向上は作業性
改善および資＋Ａの有効利用の観点から強く望まれてい
るとごろである。
部分はほとんど削られることがなく、ターゲットの使用
効率は４０％程度である。この使用効率の向上は作業性
改善および資＋Ａの有効利用の観点から強く望まれてい
るとごろである。
（４）発明の目的
本発明は」１記従来の問題点に鑑み、マグネトロン・ス
パッタリング法において、ターゲットの使用効率が向−
ヒーｌしめられうる方法を提供するごとを目「白とする
。
パッタリング法において、ターゲットの使用効率が向−
ヒーｌしめられうる方法を提供するごとを目「白とする
。
（５）発明の構成
そし”ζごの目的は本発明によれば、マグ２１・ロン・
スパッタリング法によるスパッタリングにおいて、ター
ゲットの下方に複数個の固定マグネットをターゲットの
外縁の近くに当該外縁に沿っ゛ζ円形に同し極を上向け
にして配置し、前記固定マグネットの上の極とは反対の
極を上にした可動マグネットをごれら固定マグネットの
内側で同心的に回転さ−ｌることを特徴とするスパッタ
リング力法を提供することによって達成される。
スパッタリング法によるスパッタリングにおいて、ター
ゲットの下方に複数個の固定マグネットをターゲットの
外縁の近くに当該外縁に沿っ゛ζ円形に同し極を上向け
にして配置し、前記固定マグネットの上の極とは反対の
極を上にした可動マグネットをごれら固定マグネットの
内側で同心的に回転さ−ｌることを特徴とするスパッタ
リング力法を提供することによって達成される。
（６）発明の実施例
以下、本発明実施例を図面によって詳述する。
本発明の方法においては、第５図と同図のＶｌ−Ｖｌ線
に沿う断面図である第６図に示されるマグネットを用い
、一方の極だりを回転さ・ける。すなわら、 へｌター
ゲソ１−２１の外縁に沿いこの外縁に可能な限り近伺り
で複数個の固定マグネ・ノド２２を円形に配列固定し、
これら固定マグネ・ノド２２はずべてＳ側を」二にして
配置し極性を揃えておく。
に沿う断面図である第６図に示されるマグネットを用い
、一方の極だりを回転さ・ける。すなわら、 へｌター
ゲソ１−２１の外縁に沿いこの外縁に可能な限り近伺り
で複数個の固定マグネ・ノド２２を円形に配列固定し、
これら固定マグネ・ノド２２はずべてＳ側を」二にして
配置し極性を揃えておく。
他方、可動マグネット２３を用意し、この可動マグネッ
ト２３はそのＮ側を上にしζ、すなわち極性を固定マグ
ネット２２の極性とは逆にして、固定マグネット２２の
内側を同心的に回動させる。かくして、マグネットのＳ
極の内側をＮ極が同心的に回転することになる。
ト２３はそのＮ側を上にしζ、すなわち極性を固定マグ
ネット２２の極性とは逆にして、固定マグネット２２の
内側を同心的に回動させる。かくして、マグネットのＳ
極の内側をＮ極が同心的に回転することになる。
かかる配置において、可動マグネット２３とマグネット
２２とによって形成される磁場は第６図に点線によって
示される如くになり、その結果ターゲット２１は最初は
第６図に示される如くに、また最終的には第７図に示さ
れる如くに削られる。本願発明者は、ターゲット２１が
中央部分においても第７図に示す如くに削られ、削られ
た量はターゲット全社の６０％にも達することを６（（
ＭＲ，シた。
２２とによって形成される磁場は第６図に点線によって
示される如くになり、その結果ターゲット２１は最初は
第６図に示される如くに、また最終的には第７図に示さ
れる如くに削られる。本願発明者は、ターゲット２１が
中央部分においても第７図に示す如くに削られ、削られ
た量はターゲット全社の６０％にも達することを６（（
ＭＲ，シた。
なお上記において、ターゲットはＡＮを例にとって説明
したが、ターゲットは八Ｎに限られるものではなく、モ
リブデン（Ｍｏ）等その他の金属のターゲットであって
もよく、マグネットの極性は」−記とは逆に配置しても
よく、電源はＩＩｃ、ＩＩＦ電源いずれでもよく、また
スパッタリング装置の全体は第１図に示される構成のも
のと同じ原理によっζ働くものである。
したが、ターゲットは八Ｎに限られるものではなく、モ
リブデン（Ｍｏ）等その他の金属のターゲットであって
もよく、マグネットの極性は」−記とは逆に配置しても
よく、電源はＩＩｃ、ＩＩＦ電源いずれでもよく、また
スパッタリング装置の全体は第１図に示される構成のも
のと同じ原理によっζ働くものである。
上記した可動マグネット２３は、第８図の断面図に示す
装置によって回転する。なお第８図において、２２と２
３は第７図の場合と同様固定マグネットと可動マグネッ
トを示し、固定マグネット２２は固定台２４に固定して
取り付け、可動マグネット２３はホルダ２５に固定し、
ホルダ２５は固定台２４の中心に開口した孔２６を通る
回転軸２４に固定され、−回転軸２７ば図示しないモー
タに連結されて図に矢印に示す如く回転可能であり、回
転軸２７の回転に対応してホルダ２５、従って可動マグ
ネット２３は第５図に矢印に示す方向にターゲット２１
と同心的に回動し、マグネットの一方の極すなわち可動
マグネット２３のＮのみが回転することになり、その結
果り−ゲノト２１は第７し１に示される如くに削られる
。
装置によって回転する。なお第８図において、２２と２
３は第７図の場合と同様固定マグネットと可動マグネッ
トを示し、固定マグネット２２は固定台２４に固定して
取り付け、可動マグネット２３はホルダ２５に固定し、
ホルダ２５は固定台２４の中心に開口した孔２６を通る
回転軸２４に固定され、−回転軸２７ば図示しないモー
タに連結されて図に矢印に示す如く回転可能であり、回
転軸２７の回転に対応してホルダ２５、従って可動マグ
ネット２３は第５図に矢印に示す方向にターゲット２１
と同心的に回動し、マグネットの一方の極すなわち可動
マグネット２３のＮのみが回転することになり、その結
果り−ゲノト２１は第７し１に示される如くに削られる
。
（７）発明の効果
以」−１詳細に説明した如く、本発明の方法によるとき
は、マグネトロン・スパッタリング法において、マグネ
ットの一方の極だけを回転さセることにより中央部分の
ターゲットを有効に利用することが可能となり、ターゲ
ットの使用効率が６０％程度にまで向−トされるので、
作業性の向上、４に産性コストの低減に効果大である。
は、マグネトロン・スパッタリング法において、マグネ
ットの一方の極だけを回転さセることにより中央部分の
ターゲットを有効に利用することが可能となり、ターゲ
ットの使用効率が６０％程度にまで向−トされるので、
作業性の向上、４に産性コストの低減に効果大である。
第１図はマグネトロン・スパッタリング用装装置の概略
断面図、第２図は第１図の装置に用いられるターゲット
とマグネットの配置を示すための平面図、第３図は第２
図のｌＴｌ−１１１線に沿・）断面図、第４図は従来技
術により削られたターゲットの断面図、第５図は本発明
の方法を実施するターゲットとマグネットの配置を示す
ための平面図、第６図は第５図のＶｌ −Ｖｌ線に沿う
断面図、第７図は本発明の方法によって削られたターゲ
ットの断面図、第８図は第５図のマグネットの詳細な配
置を示すｗｉ面図である。
断面図、第２図は第１図の装置に用いられるターゲット
とマグネットの配置を示すための平面図、第３図は第２
図のｌＴｌ−１１１線に沿・）断面図、第４図は従来技
術により削られたターゲットの断面図、第５図は本発明
の方法を実施するターゲットとマグネットの配置を示す
ための平面図、第６図は第５図のＶｌ −Ｖｌ線に沿う
断面図、第７図は本発明の方法によって削られたターゲ
ットの断面図、第８図は第５図のマグネットの詳細な配
置を示すｗｉ面図である。
Claims (1)
- マグネ１司コン・スパッタリング法によるスパッタリン
グにおいて、クーゲットの下方に複数個の固定マグネッ
トをクーゲットの外縁の近くに当該外縁に沿って円形に
同じ極を上向ＬＪにし゛ζ配置し、前記固定マグネット
の」−の極とは反対の極を」−にした可動マグネットを
これら固定マグネソ１〜の内側で同心的に回転させるこ
とを特徴とするスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16791482A JPS5956580A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | スパツタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16791482A JPS5956580A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | スパツタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956580A true JPS5956580A (ja) | 1984-04-02 |
Family
ID=15858384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16791482A Pending JPS5956580A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | スパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956580A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199673A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-17 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパツタ装置 |
| US4600492A (en) * | 1984-07-25 | 1986-07-15 | Kabushiki Kaisha Tokuda Seisakusho | Magnet driving method and device for same |
| EP0444658A3 (en) * | 1990-02-28 | 1992-02-26 | Anelva Corporation | Magnetron sputtering apparatus and thin film depositing method |
| US5284564A (en) * | 1991-07-30 | 1994-02-08 | Leybold Aktiengesellschaft | Magnetron sputtering cathode for vacuum coating apparatus |
| US5345207A (en) * | 1991-01-25 | 1994-09-06 | Leybold Aktiengesellschaft | Magnet configuration with permanent magnets |
| JP2009149927A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Ulvac Japan Ltd | 磁石装置、マグネトロンスパッタ装置 |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP16791482A patent/JPS5956580A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4600492A (en) * | 1984-07-25 | 1986-07-15 | Kabushiki Kaisha Tokuda Seisakusho | Magnet driving method and device for same |
| JPS6199673A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-17 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパツタ装置 |
| EP0444658A3 (en) * | 1990-02-28 | 1992-02-26 | Anelva Corporation | Magnetron sputtering apparatus and thin film depositing method |
| US5345207A (en) * | 1991-01-25 | 1994-09-06 | Leybold Aktiengesellschaft | Magnet configuration with permanent magnets |
| US5284564A (en) * | 1991-07-30 | 1994-02-08 | Leybold Aktiengesellschaft | Magnetron sputtering cathode for vacuum coating apparatus |
| JP2009149927A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Ulvac Japan Ltd | 磁石装置、マグネトロンスパッタ装置 |
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