JPS595701A - コムライン形帯域通過ろ波器 - Google Patents
コムライン形帯域通過ろ波器Info
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- JPS595701A JPS595701A JP11377082A JP11377082A JPS595701A JP S595701 A JPS595701 A JP S595701A JP 11377082 A JP11377082 A JP 11377082A JP 11377082 A JP11377082 A JP 11377082A JP S595701 A JPS595701 A JP S595701A
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- Japan
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- resonators
- conductor
- bandpass filter
- combline
- gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マイクロ波用コムライン形帯域通過ろ波器に
関するものである。以下帯域通過ろ波器をＢＰＦ と略
記する。
関するものである。以下帯域通過ろ波器をＢＰＦ と略
記する。
本発明者は、さきに、構成が簡潔で耐圧特性に優れ、周
囲温度の変化の影響を受けることなく安定良好な電気的
特性を有し、大電力用に好適なマイクＯ波用コムライン
形ＢＰＦを提案した。（特願昭５７−６１３１５） 第１図は、その構成を示す断面図（第２図のＢ−８断面
図）、第２図は、第１図のＡ−Ａ断面図で、両図におい
で、ｌは電磁シールド用筐体、２Ｉ及び２コは入出力同
軸端子、３Ｉ及び３２は入出力結合素子、４Ｉ ないし
４６は棒状導体より成る共振素子で、共振波長のほぼ４
の軸長を有する。このＢＰＦにおいては共振素子に流れ
る共振電流によって生じた磁界によって結合が行われる
が、隣接する共振素子間における磁界結合減衰量らｈは
、筐体１の幅Ｈと遮断波長へ〇の開に ＾ｃ＝２８
なる関係がある場合には、 ＝す（１＜２Ｈ；）； ・・・州） Ｃ：隣接する共振素子の中心軸間陥 入 ： 共（辰、波長 ！（と＾の関係が Ｈ＜ｏ、 ２人 なる場合には、
ｔ、ｈ （ｄＢ）≠匹至 ・・・・・・（２）
Ｈ 隣接する共振素子間の磁界結合係数Ｍ。は、Ｌｈ（ばら
） 一］了− Ｍ、＝ＩＯ・・・・・１（３） で表わされる。
囲温度の変化の影響を受けることなく安定良好な電気的
特性を有し、大電力用に好適なマイクＯ波用コムライン
形ＢＰＦを提案した。（特願昭５７−６１３１５） 第１図は、その構成を示す断面図（第２図のＢ−８断面
図）、第２図は、第１図のＡ−Ａ断面図で、両図におい
で、ｌは電磁シールド用筐体、２Ｉ及び２コは入出力同
軸端子、３Ｉ及び３２は入出力結合素子、４Ｉ ないし
４６は棒状導体より成る共振素子で、共振波長のほぼ４
の軸長を有する。このＢＰＦにおいては共振素子に流れ
る共振電流によって生じた磁界によって結合が行われる
が、隣接する共振素子間における磁界結合減衰量らｈは
、筐体１の幅Ｈと遮断波長へ〇の開に ＾ｃ＝２８
なる関係がある場合には、 ＝す（１＜２Ｈ；）； ・・・州） Ｃ：隣接する共振素子の中心軸間陥 入 ： 共（辰、波長 ！（と＾の関係が Ｈ＜ｏ、 ２人 なる場合には、
ｔ、ｈ （ｄＢ）≠匹至 ・・・・・・（２）
Ｈ 隣接する共振素子間の磁界結合係数Ｍ。は、Ｌｈ（ばら
） 一］了− Ｍ、＝ＩＯ・・・・・１（３） で表わされる。
今、Ｍ（０，２λ なる関係において負荷Ｑを１００と
した場合における隣接共振素子の中心軸間隔Ｃを求める
と、 （３）式から 一崩μ回 Ｍ、＝ｌＯ二〇 であるから １ｏｇＭ、 ”−坦μ軒 ０ しｔ二がって Ｌｈ （ｄＢ） ＝−２０１ｏｇＭ。
した場合における隣接共振素子の中心軸間隔Ｃを求める
と、 （３）式から 一崩μ回 Ｍ、＝ｌＯ二〇 であるから １ｏｇＭ、 ”−坦μ軒 ０ しｔ二がって Ｌｈ （ｄＢ） ＝−２０１ｏｇＭ。
又、（２）式から
、 ５４．６０
ｒ、ｈ （ａｓ） 円 □
Ｈ
であるから
設定条件から
１
Ｍ、 ＝ −＝ −＝Ｏ，０Ｉ
ＱＬ １００
したがって
上式から明らかなように、このＢＰＦにおいては負荷Ｑ
を１００にするためには隣接する共振素子の中心軸間隔
Ｃを筐体１の幅Ｈのほぼ１．５倍に選ぶ必要があり、孔
結合形ＢＰＦ又は容量結合形ＢＰＲ’に比して大きさが
ほぼ５０％大となる。
を１００にするためには隣接する共振素子の中心軸間隔
Ｃを筐体１の幅Ｈのほぼ１．５倍に選ぶ必要があり、孔
結合形ＢＰＦ又は容量結合形ＢＰＲ’に比して大きさが
ほぼ５０％大となる。
尚、第３図は、（４）式で計算して得られたｉ（横軸、
等間隔目盛）と磁界結合係数ｙｏ （縦軸、対数目盛）
の関係を示す曲線図である。
等間隔目盛）と磁界結合係数ｙｏ （縦軸、対数目盛）
の関係を示す曲線図である。
本発明は、本発明者がぎきに提案した前記マイクロ波用
コムライン形ＢＰＦの長所に加えて、負荷Ｑを高くする
場合にも全体を小形に構成し得るマイクロ波用コムライ
ン形ＢＰＦを実現することを目的とする。
コムライン形ＢＰＦの長所に加えて、負荷Ｑを高くする
場合にも全体を小形に構成し得るマイクロ波用コムライ
ン形ＢＰＦを実現することを目的とする。
第４図は、本発明の一実施例を示す断面図（第５図のＣ
−Ｃ断面図）、第５図は、第４図のＡ−Ａ断面図、第６
図は、第４図のＢ−８断面図で、各図において、１は電
磁シールド用筐体％ ２＋ 及び２Ｑは入出力同軸端子
、３Ｉ及び３λは入出力結合素子で、例えばストリップ
ラインより成る。ストリ・ンブラインを用いる代りにタ
ップ結合、ループ結合又１ｔリボン状導体と共振素子間
の容量を利用する結合等によって入出力結合を行うよう
に形成してもよい。４Ｉ ないし４ｙＬは棒状導体よ
り成る共振素子で、共振波長λに比し筐体１の幅（第６
図のＨ）及び共振素子の直径が比較的小（例えば０．１
人ないし０．２＾）なる場合には共振素子の軸長を電気
長で共振波長のはに選び、筐体ｌの幅Ｈ及び共振素子の
直径が共振波長に比し比較的大なる場合には共振素子の
軸長を電気長で共振波長の鳥よりも適当に短かくして各
共振素子における非接地側の端部を電気的に開放又はほ
ぼ開放状態に保っである。次に５＋ ないし５ｘ−、は
絞り形結合窓で、上縁、外側縁及び下縁を、隣接する共
振素子の中間、例えば中心軸間隔Ｃの％に対応する筐体
１の土壁、側壁及び底壁に密着すると共に共振素子の軸
方向に平行で筐体１の側壁に直角な２枚の対向導体板５
１ ないし５に−１の対向間鋳より成る。尚、２枚の
対向導体板の中、何れか一方の導体板を省いてもよく、
又、導体板の上縁は必ずしも筐体の土壁に密着せしめな
くともよい。
−Ｃ断面図）、第５図は、第４図のＡ−Ａ断面図、第６
図は、第４図のＢ−８断面図で、各図において、１は電
磁シールド用筐体％ ２＋ 及び２Ｑは入出力同軸端子
、３Ｉ及び３λは入出力結合素子で、例えばストリップ
ラインより成る。ストリ・ンブラインを用いる代りにタ
ップ結合、ループ結合又１ｔリボン状導体と共振素子間
の容量を利用する結合等によって入出力結合を行うよう
に形成してもよい。４Ｉ ないし４ｙＬは棒状導体よ
り成る共振素子で、共振波長λに比し筐体１の幅（第６
図のＨ）及び共振素子の直径が比較的小（例えば０．１
人ないし０．２＾）なる場合には共振素子の軸長を電気
長で共振波長のはに選び、筐体ｌの幅Ｈ及び共振素子の
直径が共振波長に比し比較的大なる場合には共振素子の
軸長を電気長で共振波長の鳥よりも適当に短かくして各
共振素子における非接地側の端部を電気的に開放又はほ
ぼ開放状態に保っである。次に５＋ ないし５ｘ−、は
絞り形結合窓で、上縁、外側縁及び下縁を、隣接する共
振素子の中間、例えば中心軸間隔Ｃの％に対応する筐体
１の土壁、側壁及び底壁に密着すると共に共振素子の軸
方向に平行で筐体１の側壁に直角な２枚の対向導体板５
１ ないし５に−１の対向間鋳より成る。尚、２枚の
対向導体板の中、何れか一方の導体板を省いてもよく、
又、導体板の上縁は必ずしも筐体の土壁に密着せしめな
くともよい。
今、絞り形結合窓５１ ないし５孔−１を設けていない
と仮足し、筐体１の幅Ｈと共振波長への間にＨ＜０．２
人なる関係がある場合、段間磁界結合減衰量Ｌｈは（２
）式から１ 、 ５４．６Ｇ Ｌｈ （ａｓ） ＝ − Ｈ 又、股間磁界結合係数Ｍ０は（３）式から、−窃足災 ０ Ｍ、＝ＩＯ ここで体積効率が最も良く、無負荷Ｑが良好となる条件
、Ｈ輪Ｃを与えると、 Ｌｈ （ｄＢ）鞠歴＝２７．３（ｄＢ）したがって、 となる。
と仮足し、筐体１の幅Ｈと共振波長への間にＨ＜０．２
人なる関係がある場合、段間磁界結合減衰量Ｌｈは（２
）式から１ 、 ５４．６Ｇ Ｌｈ （ａｓ） ＝ − Ｈ 又、股間磁界結合係数Ｍ０は（３）式から、−窃足災 ０ Ｍ、＝ＩＯ ここで体積効率が最も良く、無負荷Ｑが良好となる条件
、Ｈ輪Ｃを与えると、 Ｌｈ （ｄＢ）鞠歴＝２７．３（ｄＢ）したがって、 となる。
次に絞り形結合窓５１ ないし５ｔｔ−ｔ を設け
た場合における各絞り形結合窓部分の磁界は、共振素子
に平行な方向に対して９０″方向で、又、筐体１の側壁
に対しても９♂方向となる。よってこの場合の各股間に
おける磁界結合係数Ｍは、筐体１の幅Ｈと絞り幅Ｄ（第
６図）との比を変えることによって変化せしめることが
出来、 Ｄ Ｍ＝Ｍ６− ・・・・・・ （５）で表
わすことが出来る。
た場合における各絞り形結合窓部分の磁界は、共振素子
に平行な方向に対して９０″方向で、又、筐体１の側壁
に対しても９♂方向となる。よってこの場合の各股間に
おける磁界結合係数Ｍは、筐体１の幅Ｈと絞り幅Ｄ（第
６図）との比を変えることによって変化せしめることが
出来、 Ｄ Ｍ＝Ｍ６− ・・・・・・ （５）で表
わすことが出来る。
上式に前記 Ｍ、 ＝ ０．０４３１５ を代入する
と、Ｍ ＝０．０４３１５− ・・・・・・
（６）しだがって Ｄ ＝ −１（粍２３．２ＭＨ・・・・・・ （７）
０．０４３１５ 今、 Ｍ ＝Ｏ＋Ｏ１（Ｑ［＝＋００）、 Ｈ＝ １８
（ｍｍ）とすると、 （７）式から、 ｏ 輌２３．２ｘｏ、ｏ＋ ｘ ＋ｓ ＝ａ、２（ｍｍ
）即ち、筐体１の幅が１８ （ｍｍ）の場合、絞り幅り
をはＩＺ４．２ （ｍｍ）とすることによって負荷Ｑ（
Ｑｔ）を１００とすることが出来るが、この場合、Ｈ′
、Ｃなる条件を前提としていること前記の通りであるか
らＣ１＋またほぼ＋８ （ｍｍ）となる。負荷Ｑ （Ｑ
Ｌ）ｔｌｏＯとする場合、第１図及び第２図に示したＢ
ＰＦにおいでは隣接する共振素子の中心軸間隔Ｃを筐体
の幅Ｈのほぼ１．５倍に選ぶ必要のあること前述の通り
であるから、本発明ＢＰＦ及び第１図及び第２図に示し
たＢＰＦにおける各筐体の幅Ｈを等しく選べば、本発明
ＢＰＦのＣは、第１図及び第２図に示したＢＰＦにおけ
るＣのほぼち となり、それだけ全体を小形化すること
が可能である。
と、Ｍ ＝０．０４３１５− ・・・・・・
（６）しだがって Ｄ ＝ −１（粍２３．２ＭＨ・・・・・・ （７）
０．０４３１５ 今、 Ｍ ＝Ｏ＋Ｏ１（Ｑ［＝＋００）、 Ｈ＝ １８
（ｍｍ）とすると、 （７）式から、 ｏ 輌２３．２ｘｏ、ｏ＋ ｘ ＋ｓ ＝ａ、２（ｍｍ
）即ち、筐体１の幅が１８ （ｍｍ）の場合、絞り幅り
をはＩＺ４．２ （ｍｍ）とすることによって負荷Ｑ（
Ｑｔ）を１００とすることが出来るが、この場合、Ｈ′
、Ｃなる条件を前提としていること前記の通りであるか
らＣ１＋またほぼ＋８ （ｍｍ）となる。負荷Ｑ （Ｑ
Ｌ）ｔｌｏＯとする場合、第１図及び第２図に示したＢ
ＰＦにおいでは隣接する共振素子の中心軸間隔Ｃを筐体
の幅Ｈのほぼ１．５倍に選ぶ必要のあること前述の通り
であるから、本発明ＢＰＦ及び第１図及び第２図に示し
たＢＰＦにおける各筐体の幅Ｈを等しく選べば、本発明
ＢＰＦのＣは、第１図及び第２図に示したＢＰＦにおけ
るＣのほぼち となり、それだけ全体を小形化すること
が可能である。
尚、第７図は、（６）式で計算して得られたｌ（横軸、
等間隔目盛）と磁界結合係数Ｍ（縦軸、対数目盛）の関
係を示す曲線図で、Ａ及びＢ点は理論値と実測値の一致
点である。
等間隔目盛）と磁界結合係数Ｍ（縦軸、対数目盛）の関
係を示す曲線図で、Ａ及びＢ点は理論値と実測値の一致
点である。
次に分布定数形ＢＰＦの設計に当っては、基準低域ろ波
器の素子値、即ち幾何係数を求めで設計するのが一般で
、例えばチェとシェフ形基準但域ろ波器の素子値は、 ２ａ＋ ６、＝−・・・・・・（８） γ ａａＸ−１ｅ ａＫ ｇに”” ｂＭ−１” ｇＨ−＋ ・・・・・
・（９）で表わされる。但し、 γ＝ Ｂｉｎｈ （−”−） ｎ β＝ｆｌｎ （ａｏｔｈ ” ） １７、３７ Ｓ二通過帯域内における許容電圧定在波比ａａｋπ ｂ３＝７＋５ｉｎｋ＝ｌ、２、・・・・・・ｎＩ）１Ｔ
） 共振素子４１に関連する素子値ｇ、は（８）式→参伜斡
幸六機鴫、共振素子４コに関連する素子値ｇ２は（９）
式のｋに２を代入してそれぞれ求め、以下４コないし４
．に関連する素子値ｇ□ないしｇｒＬは（９）式のｋに
３ないしｎを代入してそれぞれ求める。
器の素子値、即ち幾何係数を求めで設計するのが一般で
、例えばチェとシェフ形基準但域ろ波器の素子値は、 ２ａ＋ ６、＝−・・・・・・（８） γ ａａＸ−１ｅ ａＫ ｇに”” ｂＭ−１” ｇＨ−＋ ・・・・・
・（９）で表わされる。但し、 γ＝ Ｂｉｎｈ （−”−） ｎ β＝ｆｌｎ （ａｏｔｈ ” ） １７、３７ Ｓ二通過帯域内における許容電圧定在波比ａａｋπ ｂ３＝７＋５ｉｎｋ＝ｌ、２、・・・・・・ｎＩ）１Ｔ
） 共振素子４１に関連する素子値ｇ、は（８）式→参伜斡
幸六機鴫、共振素子４コに関連する素子値ｇ２は（９）
式のｋに２を代入してそれぞれ求め、以下４コないし４
．に関連する素子値ｇ□ないしｇｒＬは（９）式のｋに
３ないしｎを代入してそれぞれ求める。
次にチェビシェフ形ＢＰＦにおける各段間の磁界結合係
数 ＭＫ、にや、は、 ＭＫ、に＋ｌ ＝キ（ｔ・Ｌ）２ ・・・・・・（０
）で表わされる。但し、 ＢＷＦ ：許容通過帯域幅 ｆ、二通過帯域の中心周波数 共振器の数、即ちＢＰＦの次数ｎ１通過帯域幅Ｆ３ｙｐ
及び通過帯域の中心周波数ｆ。等を適宜設定すると共に
（６）式及び（ｌＯ）式の各磁界結合係数Ｍ及びＭ Ｋ
、に＋ Ｉが各段毎に等しくなるように絞り形結合窓５
１ ないし５１−１ の各絞り幅りを定める、即ち筐
体１の幅Ｈは共振波長λと挿入損失より与えられるから
このＨの寸法及び隣接共振素子の中心軸間隔Ｃをほぼ等
しく形成し、（６）式のＤを適宜定めることにより通過
域がチェビシェフ形、減衰域がワグナ形特性のコムライ
ン形ＢＰＰを構成することが出来、その伝送特性は次式
で表わされる。
数 ＭＫ、にや、は、 ＭＫ、に＋ｌ ＝キ（ｔ・Ｌ）２ ・・・・・・（０
）で表わされる。但し、 ＢＷＦ ：許容通過帯域幅 ｆ、二通過帯域の中心周波数 共振器の数、即ちＢＰＦの次数ｎ１通過帯域幅Ｆ３ｙｐ
及び通過帯域の中心周波数ｆ。等を適宜設定すると共に
（６）式及び（ｌＯ）式の各磁界結合係数Ｍ及びＭ Ｋ
、に＋ Ｉが各段毎に等しくなるように絞り形結合窓５
１ ないし５１−１ の各絞り幅りを定める、即ち筐
体１の幅Ｈは共振波長λと挿入損失より与えられるから
このＨの寸法及び隣接共振素子の中心軸間隔Ｃをほぼ等
しく形成し、（６）式のＤを適宜定めることにより通過
域がチェビシェフ形、減衰域がワグナ形特性のコムライ
ン形ＢＰＰを構成することが出来、その伝送特性は次式
で表わされる。
但し、
ム：減衰量
Ｔユ（Ｘ）はチェビシＩフの多項式で、ｘ＜１ の場合
、 ７Ｋ（Ｘ） ＝ｃｏｓ （ｎ ｃｏｓ−’ ｘ ）ｘ＞
Ｉの場合、 ＴｒＬ（ｘ） ＝ｃｏｅｈ （ｎ ｃａｓｈ’ ｘ ）
ｆａ ｆ ｆ。
、 ７Ｋ（Ｘ） ＝ｃｏｓ （ｎ ｃｏｓ−’ ｘ ）ｘ＞
Ｉの場合、 ＴｒＬ（ｘ） ＝ｃｏｅｈ （ｎ ｃａｓｈ’ ｘ ）
ｆａ ｆ ｆ。
Ｘ ＝ ＝（−−−）
Ｂｗｒ ｆａ ｆ
第８図は、このＢＰＦ’の特性曲線図で、横軸は伝送周
波数ｔ （ＧＨ２） 、縦軸は減衰量Ｌ（（ＩＢ ＞で
ある。
波数ｔ （ＧＨ２） 、縦軸は減衰量Ｌ（（ＩＢ ＞で
ある。
第９図は、本発明の他の実施例を示す断面図（第１０図
のＣ−Ｃ断面図）、第１θ図は、第９図のＡ−Ａ断面図
、第１図は、第９図のＢ−８断面図で、各図において、
６１ ないし６７１は誘電体共振器で、例えば第１２図
に拡大断面図を示すようにチタン酸バリウム等の誘電体
より成る直方体＋２の中心軸にほぼ一致する貫通孔を穿
ち、その内壁面に共振器の内部導体を形成する銀又は銅
等の金属被ｌ１ｌＩ１１３を蒸着暮によって付着せしめ
、その軸長を電気長で共振波長の省に選び、その内部に
放熱用及び入出力結合容量素子等の部品取付用の棒状導
体＋４を嵌入し、その底部に固定用ねじの挿入用ねじ孔
１５を穿っである。誘電体より成る直方体１２の表面の
中、開放面と結合面（隣接する共振器と対向する側壁面
）を除いた表面に共振器の外部導体を形成する銀又は銅
等の金属被膜を設けである。即ち、初段共振器の場合は
第１３図に拡大平面図を示すように筐体１の端壁及び両
側壁に接する直方体１２の表面部分に金属被膜１６ない
し１８を付着し、終段共振器の場合は第１４図に拡大平
面図を示すように筐体１の端壁及び両側壁に接する直方
体＋２の表面部分に金属被膜１７ないし１９を付着し、
その他の共振器の場合には第１５図に拡大平面図を示す
ように筐体嘗の両側壁に接する直方体１２の表面部分に
金属被膜１７及び１８を付着しである。尚、各誘電体共
振器の底面にはすべて金属被膜２０（第１２図）を付着
しである。
のＣ−Ｃ断面図）、第１θ図は、第９図のＡ−Ａ断面図
、第１図は、第９図のＢ−８断面図で、各図において、
６１ ないし６７１は誘電体共振器で、例えば第１２図
に拡大断面図を示すようにチタン酸バリウム等の誘電体
より成る直方体＋２の中心軸にほぼ一致する貫通孔を穿
ち、その内壁面に共振器の内部導体を形成する銀又は銅
等の金属被ｌ１ｌＩ１１３を蒸着暮によって付着せしめ
、その軸長を電気長で共振波長の省に選び、その内部に
放熱用及び入出力結合容量素子等の部品取付用の棒状導
体＋４を嵌入し、その底部に固定用ねじの挿入用ねじ孔
１５を穿っである。誘電体より成る直方体１２の表面の
中、開放面と結合面（隣接する共振器と対向する側壁面
）を除いた表面に共振器の外部導体を形成する銀又は銅
等の金属被膜を設けである。即ち、初段共振器の場合は
第１３図に拡大平面図を示すように筐体１の端壁及び両
側壁に接する直方体１２の表面部分に金属被膜１６ない
し１８を付着し、終段共振器の場合は第１４図に拡大平
面図を示すように筐体１の端壁及び両側壁に接する直方
体＋２の表面部分に金属被膜１７ないし１９を付着し、
その他の共振器の場合には第１５図に拡大平面図を示す
ように筐体嘗の両側壁に接する直方体１２の表面部分に
金属被膜１７及び１８を付着しである。尚、各誘電体共
振器の底面にはすべて金属被膜２０（第１２図）を付着
しである。
金属被膜Ｉ６ないし２０の代りにシールド板を固着して
もよく、金属被膜瞥６ないし２０を付着する代りに、又
、シールド板を固着する代りに筐体１の端壁、両側壁及
び底壁を共振器の外部導体に兼用してもよい。誘電体よ
り成る直方体１２に穿った貫通孔の内壁面に金属被膜１
３を付着することなく、この貫通孔内に棒状導体１４を
直接嵌入し、この棒状導体１４を共振器の内部導体、放
熱体及び部品の支持体等に兼用するように形成してもよ
く、発熱の少ない場合には棒状導体１４を省き、貫通孔
の内壁面に付着した金属被１１１ｊ１３の一部に部品と
の接続用引出線を取付け、直方体１２の底壁にねじ孔を
穿つようにしてもよい。
もよく、金属被膜瞥６ないし２０を付着する代りに、又
、シールド板を固着する代りに筐体１の端壁、両側壁及
び底壁を共振器の外部導体に兼用してもよい。誘電体よ
り成る直方体１２に穿った貫通孔の内壁面に金属被膜１
３を付着することなく、この貫通孔内に棒状導体１４を
直接嵌入し、この棒状導体１４を共振器の内部導体、放
熱体及び部品の支持体等に兼用するように形成してもよ
く、発熱の少ない場合には棒状導体１４を省き、貫通孔
の内壁面に付着した金属被１１１ｊ１３の一部に部品と
の接続用引出線を取付け、直方体１２の底壁にねじ孔を
穿つようにしてもよい。
次に第９図ないし第１図において、７Ｉ ないし７ｇ
−＋は絞り形結合窓を形成する金属被膜で、誘電体共振
器６Ｉ ないし６ＦＬ−を形成する直方体＋２の各結合
面に銀又は銅等を蒸着等により付着せしめて形成する。
−＋は絞り形結合窓を形成する金属被膜で、誘電体共振
器６Ｉ ないし６ＦＬ−を形成する直方体＋２の各結合
面に銀又は銅等を蒸着等により付着せしめて形成する。
第１２図、第１３図及び第１５図における７Ｋ（ｋ＝１
．２、・・・・ｎ−１）は絞り形結合窓を形成する金属
被膜で、第１５図には一方の開放面にのみ絞り形結合窓
を設けた場合を例示しであるが、点線で示したように他
方の開放面にも設けてもよく、この場合には第１４図に
点線で示したように終段共振器の開放面にも設けるよう
にしてもよい。第９図ないし第１１図において８＋
ないし８４は止めねじ、９Ｉ 及び９コは入出力同軸端
子、１０１ 及び１０２は入出力結合容量素子、１１＋
ないしＨｙ（−＋ は隣接誘電体共振器間におけ
る空隙である。
．２、・・・・ｎ−１）は絞り形結合窓を形成する金属
被膜で、第１５図には一方の開放面にのみ絞り形結合窓
を設けた場合を例示しであるが、点線で示したように他
方の開放面にも設けてもよく、この場合には第１４図に
点線で示したように終段共振器の開放面にも設けるよう
にしてもよい。第９図ないし第１１図において８＋
ないし８４は止めねじ、９Ｉ 及び９コは入出力同軸端
子、１０１ 及び１０２は入出力結合容量素子、１１＋
ないしＨｙ（−＋ は隣接誘電体共振器間におけ
る空隙である。
本実施例においては誘電体共振器の共振電流によって生
じた磁界の中、結合面からの漏れ磁界が隣接対向する誘
電体共振器の結合面を介して結合するが、その結合特性
は（１）式における八Ｃを２Ｈに（εは共振器を形成す
る直方体１２の誘電率）とおいて銹電体部分の磁界減衰
量を求めると共に（２）式から空隙部分の磁界減衰量を
求め、更に（３）式から磁界結合係数Ｍ０ を求めるこ
とにより第７図及び（６）式から磁界結合係数Ｍを求め
ることが出来、前実施例と同様、素子値から定まる磁界
結合係数と一致するように絞り形結合窓の絞り幅りを定
めることにより所要の伝送特性を得ることが出来る。
じた磁界の中、結合面からの漏れ磁界が隣接対向する誘
電体共振器の結合面を介して結合するが、その結合特性
は（１）式における八Ｃを２Ｈに（εは共振器を形成す
る直方体１２の誘電率）とおいて銹電体部分の磁界減衰
量を求めると共に（２）式から空隙部分の磁界減衰量を
求め、更に（３）式から磁界結合係数Ｍ０ を求めるこ
とにより第７図及び（６）式から磁界結合係数Ｍを求め
ることが出来、前実施例と同様、素子値から定まる磁界
結合係数と一致するように絞り形結合窓の絞り幅りを定
めることにより所要の伝送特性を得ることが出来る。
誘電体共振器の誘電体部分を直方体に形成する代りに肉
厚の円筒体に形成し、その外表面の中、開放面と結合面
を除いた部分に外部導体を形成する金属被膜を付着して
成る共振器を用いても本発明を実施することが出来る。
厚の円筒体に形成し、その外表面の中、開放面と結合面
を除いた部分に外部導体を形成する金属被膜を付着して
成る共振器を用いても本発明を実施することが出来る。
第１６図は、その−例を示す断面図（第１７図のＢ−Ｂ
断面図）、第１７図は、第１６０のＡ−Ａ断面図で、両
図において、６； ないし６′ユは円筒形誘電体共振器
で、他の符号は第９図ないし第１１図と同様である。
断面図）、第１７図は、第１６０のＡ−Ａ断面図で、両
図において、６； ないし６′ユは円筒形誘電体共振器
で、他の符号は第９図ないし第１１図と同様である。
この実施例における結合作用及び伝送特性は前実施例と
同様で、結合面の幅、即ち絞り形結合窓の絞り幅と誘電
体共振器の直径の比を変えることにより磁界結合係数を
調整することが出来る。図に示すように円筒形誘電体共
振器と接する筐体１の側壁及び端壁に断面弧状の溝状凹
部を設けることにより共振器を安定に保持し得ると共に
共振器の側壁との接触面積を大ならしめ得るから筐体１
を共振器の外部導体として利用する場合に好都合であり
、又、空隙１１１ ないしＵ−ｒＬ−、に対応する筐
体の側壁の肉厚、即ち断面弧状の溝状凹部の深ざを変え
ることにより絞り形結合窓の絞り幅を調整することが出
来る。
同様で、結合面の幅、即ち絞り形結合窓の絞り幅と誘電
体共振器の直径の比を変えることにより磁界結合係数を
調整することが出来る。図に示すように円筒形誘電体共
振器と接する筐体１の側壁及び端壁に断面弧状の溝状凹
部を設けることにより共振器を安定に保持し得ると共に
共振器の側壁との接触面積を大ならしめ得るから筐体１
を共振器の外部導体として利用する場合に好都合であり
、又、空隙１１１ ないしＵ−ｒＬ−、に対応する筐
体の側壁の肉厚、即ち断面弧状の溝状凹部の深ざを変え
ることにより絞り形結合窓の絞り幅を調整することが出
来る。
以上何れの実施例においても共振器を一列に配設した場
合を例示したが、コの字形に配設することによって全体
を更に小形化することが出来る。
合を例示したが、コの字形に配設することによって全体
を更に小形化することが出来る。
又、何れの実施例においても縦続接続関係にある共振器
の中、２個又はその整数倍の個数の共振器を隔てた共振
器相互を、例えば同軸線路、ループ又は共振器の内部導
体と容量結合する素子等を介して間接結合することによ
り有極形ＢＰＦを構成することが出来る。この場合には
縦続接続ざ−れた共振器より成る主回路を伝送する信号
の中、通過域より周波数の高い（低い）信号＋１１各共
振器において電圧電流の位相が９０°進み（δれ）、容
共（辰器開に形成される移相回路において位相が２７０
”進む（遅れる）から例えば第２段の共振器における信
号の位相と第５段の共振器における信号の位相は同相と
なるが、第２段及び第５段の共振器相互を間接結合する
参間接結合回路の定数を適当ならしめると共に共振器と
間接結合回路との結合極性を適当ならしめることにより
間接結合回路を介して第２段の共振器から第５段の共振
器へ伝送される信号は両共振器間において１８０’の位
相差を生ずる。したがって共振器と間接結合回路との結
合度を調整して間接結合回路を介して第５段の共振器に
到る信号の大きさと、主回路を介して第５段の共振器に
到る信号の大きさを等しくすることにより、この信号の
周波数位置に減衰極を生せしめることが出来る。尚、共
振器の数を任意に選んで本発明を実施し得るのと同を策
、間接結合される共振器の組数も任意に選んで本発明を
実施することが出来る。
の中、２個又はその整数倍の個数の共振器を隔てた共振
器相互を、例えば同軸線路、ループ又は共振器の内部導
体と容量結合する素子等を介して間接結合することによ
り有極形ＢＰＦを構成することが出来る。この場合には
縦続接続ざ−れた共振器より成る主回路を伝送する信号
の中、通過域より周波数の高い（低い）信号＋１１各共
振器において電圧電流の位相が９０°進み（δれ）、容
共（辰器開に形成される移相回路において位相が２７０
”進む（遅れる）から例えば第２段の共振器における信
号の位相と第５段の共振器における信号の位相は同相と
なるが、第２段及び第５段の共振器相互を間接結合する
参間接結合回路の定数を適当ならしめると共に共振器と
間接結合回路との結合極性を適当ならしめることにより
間接結合回路を介して第２段の共振器から第５段の共振
器へ伝送される信号は両共振器間において１８０’の位
相差を生ずる。したがって共振器と間接結合回路との結
合度を調整して間接結合回路を介して第５段の共振器に
到る信号の大きさと、主回路を介して第５段の共振器に
到る信号の大きさを等しくすることにより、この信号の
周波数位置に減衰極を生せしめることが出来る。尚、共
振器の数を任意に選んで本発明を実施し得るのと同を策
、間接結合される共振器の組数も任意に選んで本発明を
実施することが出来る。
更に以上何れの実施例においても、棒状導体より成る共
揄素子間の空隙又は誘電体共振器間の空隙に対応する筐
体の上壁又は底壁或は上壁及び底壁の双方から結合調整
ねじを共振器の内部導体と平行に空跨部分に挿入し、任
意の挿入長において固定し得るように形成することによ
り、結合調整ねじの挿入長に応じてカットオフ導波管モ
ードの電界成分によって結合調整ねしに電界が集中して
電界が強くなり、これに応じて結合磁束密度も大となる
ので結合調整ねじの挿入長に応じて段開結合劇を密なら
しめることが出来る。
揄素子間の空隙又は誘電体共振器間の空隙に対応する筐
体の上壁又は底壁或は上壁及び底壁の双方から結合調整
ねじを共振器の内部導体と平行に空跨部分に挿入し、任
意の挿入長において固定し得るように形成することによ
り、結合調整ねじの挿入長に応じてカットオフ導波管モ
ードの電界成分によって結合調整ねしに電界が集中して
電界が強くなり、これに応じて結合磁束密度も大となる
ので結合調整ねじの挿入長に応じて段開結合劇を密なら
しめることが出来る。
以上の説明から明らかなように、本発明はコムライン形
ＢＰＦを置設する共振器間に絞り形結合窓を介在せしめ
ることにより負荷Ｑの高（＼場合でも小形化が可能で、
設計が容易なばかりでなく孔結台形ＢＰＦ又は容量結合
形ＢＰＦに較べて構成が簡潔で、製作に当って筐体内壁
面及び結合窓形成用導体板面等の表面処理、組立調整が
容易であるから信頼性の高いものを低コストを以て製作
し得るものでその効果甚だ大である。
ＢＰＦを置設する共振器間に絞り形結合窓を介在せしめ
ることにより負荷Ｑの高（＼場合でも小形化が可能で、
設計が容易なばかりでなく孔結台形ＢＰＦ又は容量結合
形ＢＰＦに較べて構成が簡潔で、製作に当って筐体内壁
面及び結合窓形成用導体板面等の表面処理、組立調整が
容易であるから信頼性の高いものを低コストを以て製作
し得るものでその効果甚だ大である。
第１図及び第２図は、本発明者がききに提案した帯域通
過ろ波器を示す断面図、第３図は、共振素子間隔と磁界
結合係数の関係を示す図、第４図ないし第６図は、本発
明の一実施例を示す断面図、第７図は、絞り形結＋窓の
絞り幅と磁界結合係数の関係を示す図、第８図は、本発
明ろ波器の伝送特性の一例を示す図、第９図ないし第１
１図、第１６図及び第１７図は、本発明の他の実施例を
示す断面図、第１２図ないし第１５図は、要部素子の一
例を示す図で、１：電磁シールド用筐体、２１ ％ ２
ａ。 ９Ｉ 及び９コニ入出力同軸端子、３ｔ ％ ３ａ ％
＋０１ 及び１０コニ入出力結合素Ｔ１４１ ないし
４ユニ共振素子、５Ｉ ないし５ｒＬ−＋ ：絞り形
結合窓、５１ ないし５′ルーｌ：絞り形結合窓の形
成用導体板、６ｔ ないし６７Ｌ及び６−ないし６；Ｉ
：誘電体共振器、７Ｉ ないし７に−Ｉ 及び７に：
絞り形結合窓形成用金属被艙、８１ ないし８ｒＬ：止
めねじ、１１ ないしｌ１１ｔ−、：空隙、１２：誘電
体より成る直方体、１３及び１６ないし２ｏ：金属被膜
、１４：棒駄 状導体、１５：ｉねしいである。 代理人清沢宗司 第１図 第３図 第４図 第５図 第６図 ２゜ 第７図 Ｕ 日 第８図 ｆ。 ｆ□ 第９図 第１０図 第１１図
過ろ波器を示す断面図、第３図は、共振素子間隔と磁界
結合係数の関係を示す図、第４図ないし第６図は、本発
明の一実施例を示す断面図、第７図は、絞り形結＋窓の
絞り幅と磁界結合係数の関係を示す図、第８図は、本発
明ろ波器の伝送特性の一例を示す図、第９図ないし第１
１図、第１６図及び第１７図は、本発明の他の実施例を
示す断面図、第１２図ないし第１５図は、要部素子の一
例を示す図で、１：電磁シールド用筐体、２１ ％ ２
ａ。 ９Ｉ 及び９コニ入出力同軸端子、３ｔ ％ ３ａ ％
＋０１ 及び１０コニ入出力結合素Ｔ１４１ ないし
４ユニ共振素子、５Ｉ ないし５ｒＬ−＋ ：絞り形
結合窓、５１ ないし５′ルーｌ：絞り形結合窓の形
成用導体板、６ｔ ないし６７Ｌ及び６−ないし６；Ｉ
：誘電体共振器、７Ｉ ないし７に−Ｉ 及び７に：
絞り形結合窓形成用金属被艙、８１ ないし８ｒＬ：止
めねじ、１１ ないしｌ１１ｔ−、：空隙、１２：誘電
体より成る直方体、１３及び１６ないし２ｏ：金属被膜
、１４：棒駄 状導体、１５：ｉねしいである。 代理人清沢宗司 第１図 第３図 第４図 第５図 第６図 ２゜ 第７図 Ｕ 日 第８図 ｆ。 ｆ□ 第９図 第１０図 第１１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１ン共振波長のほぼなの軸長を有する内部導体を備え
た複数個の共振器を電磁シールド用筐体内において同一
極性を保ち空隙を介しで縦続的に配設すると共に前記空
隙に絞り形結合悲を介在せしめたことを特徴とするコム
ライン形帯域通過ろ、皮器。 （２）共振波長のほぼ匂の軸長を有する内部導体を備え
た複数個の共振器を電磁シールド用筐体内において同一
極性を保ち空隙を介して縦続的に配設し、ｉ１ｊ記空隙
に絞り形結合窓を介在せしめると共に前記複数個の共振
器の中、２個又はその整数倍の個数の共振器を隔てた共
振器相互を間接結合せしめたことを特徴とするコムライ
ン形帯域通過ろ波器。 （３）共振波長のほぼ４の軸長を有する内部導体を備え
た複数個の共振器を電磁シールド用買体内において同一
極性を保ち空隙を介して縦続的に配設し、前記空隙に絞
り形結合窓を介在せしめると共に挿入長を変化せしめ得
る結合調整ねじを前記空隙に挿入したことを特徴とする
コムライン形帯域通過ろ波器。 （４）複数個の共振器が一列に配設された特許請求の範
囲第１項ないし第３項の何れかに記載のコムライン形帯
域通過ろ波器。 （５）複数個の共振器がコの字形信号伝送路を形成する
ように配設された特許請求の範囲第１項ないし第３項の
何れかに記載のコムライン形帯域通過ろ波器。 （６）共振器が内部導体を形成する棒状導体及び外部導
体を形成する電磁シールド用筐体とより成る特許請求の
範囲第１項ないし第３項の何れかに記載のコムライン形
帯域通過ろ波器。 （７）共振器が内部導体と外部導体間に誘電体より成る
直方体を介在せしめて形成した特許請求の範囲第１項な
いし第３項の何れかに記載のコムライン形帯域通過ろ波
器。 （８）共振器が内部導体と外部導体間に誘電体より成る
円筒体を介在せしめて形成した特許請求の範囲第１項な
いし第３項の何れかに記載のコムライン形帯域通過ろ波
器。 （９）絞り形結合窓が外側縁及び下縁を電磁シールド用
筐体の側壁及び底壁に密着せしめられ、共振器の内部導
体に平行で、電磁シールド用筐体の側壁に直角な導体板
によって形成される特許請求の範囲第１項ないし第３項
の何れかに記載のコムライン形帯域通過ろ波器。 （１０）絞り形結合窓が共振器における誘電体部分の結
合面に付着せしめ、側縁及び下縁を外部導体に密着せし
めた金属被膜によって形成される特許請求の範囲第１項
ないし第３項の何れかに記載のコムライン形帯域通過ろ
波器。 （１１）絞り形結合窓が内部導体の外周に誘電体より成
る円筒体を設けた共振器間の空隙に対応する電磁シール
ド用筐体の側壁によって形成される特許請求の範囲第１
項ないし第３項の何れかに記載のコムライン形帯域通過
ろ波器。 （１２）共振器が内部導体の外周に設けた誘゛亀体より
成る円筒体と、この円筒体の側面に接する内壁面に断面
弧状の溝状凹部を設けた電磁シールド用筐体とより成る
特許請求の範囲第１項ないし第３項の何れかに記載のコ
ムライン形帯域通過ろ波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11377082A JPS595701A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | コムライン形帯域通過ろ波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11377082A JPS595701A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | コムライン形帯域通過ろ波器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595701A true JPS595701A (ja) | 1984-01-12 |
Family
ID=14620688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11377082A Pending JPS595701A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | コムライン形帯域通過ろ波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595701A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62170573A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-27 | 彦坂 宏 | 連続布無張力処理装置 |
| US4747722A (en) * | 1984-12-19 | 1988-05-31 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Metal-ceramic fitting assembly |
| US4942999A (en) * | 1987-08-31 | 1990-07-24 | Ngk Insulators, Inc. | Metal-ceramic joined composite bodies and joining process therefor |
| JPH03180568A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-06 | Hiroshi Hikosaka | 布導出装置 |
| JPH06272154A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-27 | Ito Batsuku Seisakusho:Yugen | 織布の自動浸漬処理装置 |
| KR20160054851A (ko) * | 2014-11-07 | 2016-05-17 | 주식회사 이너트론 | 필터 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227244A (en) * | 1975-08-26 | 1977-03-01 | Nec Corp | Microwave polarized bandpass filter |
| JPS5354943A (en) * | 1976-10-29 | 1978-05-18 | Nec Corp | Microwave filter |
| JPS54112144A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Nec Corp | Band-pass filter |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11377082A patent/JPS595701A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227244A (en) * | 1975-08-26 | 1977-03-01 | Nec Corp | Microwave polarized bandpass filter |
| JPS5354943A (en) * | 1976-10-29 | 1978-05-18 | Nec Corp | Microwave filter |
| JPS54112144A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Nec Corp | Band-pass filter |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4747722A (en) * | 1984-12-19 | 1988-05-31 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Metal-ceramic fitting assembly |
| JPS62170573A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-27 | 彦坂 宏 | 連続布無張力処理装置 |
| US4754621A (en) * | 1986-01-14 | 1988-07-05 | Hiroshi Hikosaka | Continuous tensionless treatment for cloth |
| US4942999A (en) * | 1987-08-31 | 1990-07-24 | Ngk Insulators, Inc. | Metal-ceramic joined composite bodies and joining process therefor |
| JPH03180568A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-06 | Hiroshi Hikosaka | 布導出装置 |
| JPH06272154A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-27 | Ito Batsuku Seisakusho:Yugen | 織布の自動浸漬処理装置 |
| KR20160054851A (ko) * | 2014-11-07 | 2016-05-17 | 주식회사 이너트론 | 필터 |
| WO2016072643A3 (ko) * | 2014-11-07 | 2016-06-30 | 주식회사 이너트론 | 필터 |
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