JPS595721A - 酸化亜鉛薄膜の電極構造 - Google Patents

酸化亜鉛薄膜の電極構造

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JPS595721A
JPS595721A JP11444682A JP11444682A JPS595721A JP S595721 A JPS595721 A JP S595721A JP 11444682 A JP11444682 A JP 11444682A JP 11444682 A JP11444682 A JP 11444682A JP S595721 A JPS595721 A JP S595721A
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zinc oxide
oxide film
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thin film
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Koji Nishiyama
浩司 西山
Takeshi Nakamura
武 中村
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は安定な特性を示ず酸化亜鉛M膜の電極構造に
関する。
酸化亜鉛薄膜は弾性表面波装置、音叉振動子、音片振動
子などの圧電体として使用されている。
この酸化亜鉛wJlpJの使用例を音叉振動子にもとづ
いて説明する。
第1図は音叉振動子の一例を示す側面図である。
図において、1は音叉振動子の本体、2.3はこの本体
1の脚部を示し、脚部2.3の側壁2a、3aには酸化
亜鉛薄膜4.5が形成されている。
この酸化亜鉛薄膜4.5は真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンブレーティング法などにより形成される。6
.7は酸化亜鉛薄膜4.5の上に形成されたへρ電極を
示ず。
このへρ電極6.7は安価でボンディングができること
から選ばれたもので、電子ビーム蒸着法などにより30
00〜100OOAの膜厚の範囲で形成される。
しかしながら、上記したような酸化亜鉛薄膜の電極構造
では次のような欠点が見られる。つまり、AIl電極そ
のものが高い親和性を示すため、酸化亜鉛薄膜中に八ρ
が拡散し、電気的特性が劣化するという欠点がある。す
なわち、2価の半導体である酸化亜鉛に3価であるAβ
が拡散することによって酸化亜鉛silの電気的特性、
たとえば振動周波数を大きく変化させるという現象が認
められた。また高温負荷寿命試験を行うと、さらに上記
した現象が促進され、電気的特性の劣化が一層大きなも
のとなった。
したがって、酸化亜鉛薄膜を形成するに当っては、電極
を含めた構成全体について考慮する必要があり、従来の
電極構成にさらに改良を施さなければならなかった。
この発明はかかる背景からなされたものであり、安定な
特性を示す酸化亜鉛薄膜の電極構造を提供することを目
的とづる。
以下この発明を実施例にもとづいて詳細に説明する。
第2図はこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を音
叉振動子に適用した例を示す側面図である。
11はエリンバなどからなる金属音叉、12は酸化亜鉛
薄膜、13はV2O3層、14は電極である。このうち
 7203層13は電子ビーム法、スパッタリング法、
イオンビーム法、抵抗加熱蒸着法などによって形成され
る。
第3図は屈曲振動モードの音片振動子にこの発明にかか
る酸化亜鉛薄膜の電極構造を適用した例を示した斜視図
である。
図において、21は振動子本体を示し、振動子22とこ
れを支持部24で支持している枠体23から構成されて
いる。25は酸化亜鉛薄膜で振動子22の表面に形成さ
れている。26は酸化亜鉛薄膜25の上に形成されたV
2O3層、27はV2O3層26の上に形成された/l
電極である。
第4図は同じくこの発明を他の屈曲振動モードの振動子
に適用した例の側面図である。
図において、31はセラミクス、プラスチック、ゴムな
どの基板、この基板31表面には、Aρ電極32、V2
03層33、酸化亜鉛薄膜34.7203層35、およ
11極36が順次形成されている。
第5図は同じくこの発明を拡がり振動モードの振動子に
適用した例を示す側面図である。
図において、41は酸化亜鉛薄膜、42は酸化亜鉛薄膜
41の両面に形成されたV2O3層、43はV2O3層
42の上に形成されたへρ電極である。
第6図は同じくこの発明を厚み振動モードの振動子に適
用した例を示す側面図である。
図において、51は3i1SiO2などからなる基板、
基板51の上にはAρ電極52、V203層53が順次
形成されている。ざらにV20G層53の上には酸化亜
鉛薄膜54が形成されている。この酸化亜鉛薄膜54が
形成されている位置に相当する基板51には空部51a
が形成されている。酸化亜鉛薄膜54の上にはV2O3
層55、およびAρ電極56が順次積層して形成されて
いる。
次に具体的な実施例として、第2図に示した音叉振動子
についてこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極構造を適
用した例を説明する。
第2図を参照して説明すれば、振動子11の上にスパッ
タリング法により酸化亜鉛薄膜12を形成し、その上に
V203を層13を抵抗加熱蒸着法により600Aの厚
みに形成し、さらにその上に厚みが1μからなる/l電
極14を電子ビーム法により形成した。このようにして
振動周波数32Kl−(zの撮動子を作成した。
この振動子に直流電圧20Vを印加し、100℃の温度
に 1oooo時間放置した。このときの振動周波数の
経時変化特性を試料数20個について測定したところ第
1図に示すような結果が得られた。図中実線はこの実施
例によるものである。また破線は従来例のAffi電極
のみからなるものについて、同様にして測定した結果を
示したものである。この振動周波数の経時変化特性(Δ
F/Fo)は次式より求めた。
また、直列共振抵抗(Ro )および並列共振抵抗(R
a )についてもそれぞれ同様に測定し、その結果を第
8図、第9図にそれぞれ示した。
第1図〜第9図から明らかなように、この発明にかかる
ものは、従来例にくらべて、振動周波数の経時変化が小
さく、またROの経時変化が小さくかつその値も小さく
、ざらにRaの経時変化も小さいなどの効果が得られて
いる。
ここで、Ro 1Raを測定したのは次のような理由に
よる。
まず、酸化亜鉛薄膜についてその等両回路を示せば第1
0図のようになる。図中、cdは並列容量を示し、酸化
亜鉛薄膜をコンデンサとして考えた場合の静電容量に近
い値である。ROは直列共振抵抗、Coは等価容量、[
0は等価インダクタンスである。
またRaは近似的に次式より求められるものである。
の関係から、直列共振周波数(fO)に対応し、このR
oが大きくなれば発振に大きな増幅度が必要となり、発
振条件の低下をもたらすことになることが伺える。
またRaは同じく第11図に示したインピーダンスと周
波数の関係から、反共振周波数(fa)に対応し、この
Raが小さくなれば発振に十分な位相変化がとれず、こ
れもまた発振条件の低下をもたらすことになる。
第8図、第9図から明らかなように、この発明の実施例
によれば、従来例のAρ電極のものにくらべ、Ro 、
Raの経時変化が小さく、このことからこの発明にかか
る酸化亜鉛薄膜の電極構造は安定な電気的特性を有する
とともに、高温負荷寿命試験に対しても安定した特性を
示すものであると理解することができ、安定した発振を
期待することができる。
以上この発明によれば、酸化亜鉛薄膜とへ!電極との間
に八ρの拡散防止層としてV203層を介在させたもの
であり、従来のものにくらべて実用上十分な特性を示す
酸化亜鉛薄膜を提供することができる。特にこの発明に
よれば、高温負荷寿命試験に対してRo 、Raの変化
が小さく、周波数変化が少ないなど信頼性の高い酸化亜
鉛薄膜が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は音叉振動子の一例を示す側面図、第2図は音叉
振動子にこの発明にかかる酸化亜鉛薄膜の電極m造を適
用した例を示す側面図、第3図は音片振動子にこの発明
にかかる酸化亜鉛N膜の電極構造を適用−した例の斜視
図、第4図〜第6図は同じくこの発明にかかる酸化亜鉛
薄膜の電極構造を各振動子に適用した例の側面図、第7
図はこの発明の具体的実施例にもとづく振動周波数の経
時変化特性図、第8図は同じくRoの経時変化特性図、
第9図は同じくRaの経時変化特性図、第10図は酸化
亜鉛薄膜の等両回略図、第11図はインピーダンスと周
波数の関係特性図Cある。 11・・・・・・基板、12・・・・・・酸化亜鉛薄膜
、13・・・・・・V2O3N、14・・・・・・A 
、0電極。 特  許  出  願  人 株式会社村田製作所 −1( 第4 図 第5図 吊る図 TIME、 t ll01)〜 TIME(〃O〃す

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 酸化亜鉛111f1表面とへ!電極との間にV203層
    を介在させたことを特徴とする酸化亜鉛1膜の電極構造
    。
JP11444682A 1982-06-30 1982-06-30 酸化亜鉛薄膜の電極構造 Granted JPS595721A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11444682A JPS595721A (ja) 1982-06-30 1982-06-30 酸化亜鉛薄膜の電極構造
US06/509,028 US4445066A (en) 1982-06-30 1983-06-29 Electrode structure for a zinc oxide thin film transducer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11444682A JPS595721A (ja) 1982-06-30 1982-06-30 酸化亜鉛薄膜の電極構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS595721A true JPS595721A (ja) 1984-01-12
JPH0115206B2 JPH0115206B2 (ja) 1989-03-16

Family

ID=14637932

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11444682A Granted JPS595721A (ja) 1982-06-30 1982-06-30 酸化亜鉛薄膜の電極構造

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JPH0115206B2 (ja) 1989-03-16

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