JPS5958863A - 横型トランジスタ - Google Patents
横型トランジスタInfo
- Publication number
- JPS5958863A JPS5958863A JP57169028A JP16902882A JPS5958863A JP S5958863 A JPS5958863 A JP S5958863A JP 57169028 A JP57169028 A JP 57169028A JP 16902882 A JP16902882 A JP 16902882A JP S5958863 A JPS5958863 A JP S5958863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- type
- semiconductor substrate
- collector
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は横型トランジスタに係り、特に半導体集積回路
に適する横型トランジスタに関する。
に適する横型トランジスタに関する。
集積回路用横型トランジスタは構造が簡単なため、従来
より多用されているが、エバツタ、コレクタ間の耐圧が
パンナスルーによって決定されているため、ベース幅を
狭くできず、従って特性的には直流電流増幅率ｈＦＥが
低いし周波数特性も悪いという欠点がある。
より多用されているが、エバツタ、コレクタ間の耐圧が
パンナスルーによって決定されているため、ベース幅を
狭くできず、従って特性的には直流電流増幅率ｈＦＥが
低いし周波数特性も悪いという欠点がある。
本発明の目的は前記のような従来の横型トランジスタの
欠点を解消した横型トランジスタを提供することにある
。
欠点を解消した横型トランジスタを提供することにある
。
本発明は、第１導電型の半導体基板の主表面に、第２導
電型のエミッタ領域と第２導電型のコレクタ領域とを備
えた横型トランジスタにおいて、前記コレクタ領域を取
り囲むように、かつ前記半導体基板よりも高濃度に設定
された第１導電型の拡散領域を形成したことを特徴とす
る横型トランジスタにある。
電型のエミッタ領域と第２導電型のコレクタ領域とを備
えた横型トランジスタにおいて、前記コレクタ領域を取
り囲むように、かつ前記半導体基板よりも高濃度に設定
された第１導電型の拡散領域を形成したことを特徴とす
る横型トランジスタにある。
以下図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図は従来の横型ＰＮＰ ）ランジスタの一例を示す
断面図であり、同図において、本ＰＮＰ ）ランジスタ
は、Ｎ−型半導体基板１の主表面にＰ型コレクタ領域３
とが拡散法により形成されたものである。
断面図であり、同図において、本ＰＮＰ ）ランジスタ
は、Ｎ−型半導体基板１の主表面にＰ型コレクタ領域３
とが拡散法により形成されたものである。
このような従来の横型ＰＮＰ ）ランジスタにおイテｉ
ｊ： 、逆バイアスされているコレクターベース接合（
Ｐ型コレクタ領域３と、ベース領域となるＮ−型半導体
基板１との境界）からベース領域に伸びる空乏層が、エ
ミッタ領域２に到達すると、パンチスルーにより降伏が
起こる。そのため、エミッターコレクタ間耐圧（Ｐ型エ
ミッタ領域２とＰ型コレクタ領域３との間の耐圧）が、
Ｐ型エミッタ領域２とＰ型コレクタ領域３との間の距離
で定寸る。この距離が、ベース幅であるが、このベース
幅を広くすると耐圧は向上するが、直流電流増幅率ｈＦ
Ｋ ｌ利得帯域幅積ｆＴが低下するという欠点がある。
ｊ： 、逆バイアスされているコレクターベース接合（
Ｐ型コレクタ領域３と、ベース領域となるＮ−型半導体
基板１との境界）からベース領域に伸びる空乏層が、エ
ミッタ領域２に到達すると、パンチスルーにより降伏が
起こる。そのため、エミッターコレクタ間耐圧（Ｐ型エ
ミッタ領域２とＰ型コレクタ領域３との間の耐圧）が、
Ｐ型エミッタ領域２とＰ型コレクタ領域３との間の距離
で定寸る。この距離が、ベース幅であるが、このベース
幅を広くすると耐圧は向上するが、直流電流増幅率ｈＦ
Ｋ ｌ利得帯域幅積ｆＴが低下するという欠点がある。
第２図は、本発明の一実施例の横型ＰＮＰトランジスタ
を示す断面図である。同図において、本ＰＮＰトランジ
スタは、Ｎ−型半導体基板１の主表面にＰ型エミッタ領
域２と、Ｐ型コレクタ領域３と、Ｎ型領域４とが拡散法
に形成されたものである。ここで、Ｎ型領域４は、前記
Ｐ型コレクタ領域３を表面を除き全て取り囲むＮ型拡散
層でちゃ１第１図に示す従来の横型ＰＮＰ ）ランジス
タには形成されていない領域である。
を示す断面図である。同図において、本ＰＮＰトランジ
スタは、Ｎ−型半導体基板１の主表面にＰ型エミッタ領
域２と、Ｐ型コレクタ領域３と、Ｎ型領域４とが拡散法
に形成されたものである。ここで、Ｎ型領域４は、前記
Ｐ型コレクタ領域３を表面を除き全て取り囲むＮ型拡散
層でちゃ１第１図に示す従来の横型ＰＮＰ ）ランジス
タには形成されていない領域である。
本構成によると、逆バイアスされるコレクターベース接
合からの空乏層は、Ｎ型拡散層４が存在するため、Ｎ−
型半導体基板１からなるベース側にはほとんど拡がらな
い。従ってパンチスルーによって決定される耐圧は大幅
に上る。一方、コレクターベース接合のアバランシェ降
伏によって決定される耐圧は下がるが、パンチスルー側
圧と同等以上になるようにＮ型拡散領域４の不純物濃度
を選べば良い。このようにして得られた横型ＰＮＰトラ
ンジスタは、エミッターコレクタ間のパンチスルー耐圧
が大幅に向上するため、ベース幅を狭くすることができ
る。
合からの空乏層は、Ｎ型拡散層４が存在するため、Ｎ−
型半導体基板１からなるベース側にはほとんど拡がらな
い。従ってパンチスルーによって決定される耐圧は大幅
に上る。一方、コレクターベース接合のアバランシェ降
伏によって決定される耐圧は下がるが、パンチスルー側
圧と同等以上になるようにＮ型拡散領域４の不純物濃度
を選べば良い。このようにして得られた横型ＰＮＰトラ
ンジスタは、エミッターコレクタ間のパンチスルー耐圧
が大幅に向上するため、ベース幅を狭くすることができ
る。
従って、本発明によれば、高い直流電流増幅率ｈｐｇと
良好な周波数特性（ｆＴ）が得られ、回路設計上の自由
度が増す等の効果が得られる。
良好な周波数特性（ｆＴ）が得られ、回路設計上の自由
度が増す等の効果が得られる。
なお、直流電流増幅率ｈＦＥ１周波数特性が従来の横型
トランジスタと同等で良いのであればより高耐圧の横型
トランジスタが本発明によれば容易に夾現可能である。
トランジスタと同等で良いのであればより高耐圧の横型
トランジスタが本発明によれば容易に夾現可能である。
寸だ、本発明の詳細な説明においてはＰＮＰトランジス
タを例にあげたが、導電型を互いに入れ換えてもよいこ
とは言うまでもない。
タを例にあげたが、導電型を互いに入れ換えてもよいこ
とは言うまでもない。
第１図は従来の横型トランジスタの一例を示す断面図、
第２図は本発明の実施例の横型トランジスタを示す断面
図である。 同図において、１・・・・・・Ｎ−型半導体基板（ベー
ス領域）、２°°゛°°°Ｐ型エミツタ領域、３・・・
・・・Ｐ型コレクタ領域、４・・・・・・Ｎ型領域。 第２図
第２図は本発明の実施例の横型トランジスタを示す断面
図である。 同図において、１・・・・・・Ｎ−型半導体基板（ベー
ス領域）、２°°゛°°°Ｐ型エミツタ領域、３・・・
・・・Ｐ型コレクタ領域、４・・・・・・Ｎ型領域。 第２図
Claims (1)
- 第１４電型の半導体基板の主表面に、第２導電型のエミ
ッタ領域と、前記エミッタ領域とは重複部を持たない第
２導電型のコレクタ領域とを備えり横型トランジスタに
おいて、前記コレクタ領域を取り囲むようにかつ前記半
導体基板よりも高濃度に設定された第１導電型の拡散領
域を形成したことを特徴とする横型トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57169028A JPS5958863A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 横型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57169028A JPS5958863A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 横型トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5958863A true JPS5958863A (ja) | 1984-04-04 |
Family
ID=15878978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57169028A Pending JPS5958863A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 横型トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5958863A (ja) |
-
1982
- 1982-09-28 JP JP57169028A patent/JPS5958863A/ja active Pending
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