JPS5960425A - 光スイツチ - Google Patents
光スイツチInfo
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- JPS5960425A JPS5960425A JP17121882A JP17121882A JPS5960425A JP S5960425 A JPS5960425 A JP S5960425A JP 17121882 A JP17121882 A JP 17121882A JP 17121882 A JP17121882 A JP 17121882A JP S5960425 A JPS5960425 A JP S5960425A
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- Japan
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- optical
- electrode
- optical switch
- refractive index
- waveguides
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は、光回路素子に係り、とくに交差型光導波路を
用いる光スィッチに関する。
用いる光スィッチに関する。
（ｂ）技術の背景
現在実用化されている光回路においては、レンズ、フィ
ルター、アイソレーター、スイッチ等の回路部品はそれ
ぞれが独立しており、その小型化、集積化が困難である
と共に、回路形成時にこれら回路部品相互間における高
精度の光軸調整が必要であり、かつまた形成された光回
路に対する充分な耐震性が要求される。
ルター、アイソレーター、スイッチ等の回路部品はそれ
ぞれが独立しており、その小型化、集積化が困難である
と共に、回路形成時にこれら回路部品相互間における高
精度の光軸調整が必要であり、かつまた形成された光回
路に対する充分な耐震性が要求される。
上記従来の光回路部品にお１．ノる種々の難点を解決す
るものとして、基板上に形成された光導波路を用いる光
回路の開発が活発に行われている。
るものとして、基板上に形成された光導波路を用いる光
回路の開発が活発に行われている。
（ｃ）従来技術と問題点
光導波路を用いる光回路素子の基本となる光スィッチと
しては、従来、方向性結合型および全反射型のものが提
案されている。
しては、従来、方向性結合型および全反射型のものが提
案されている。
前者は素子長が長く、かつ高度の寸法精度を要求される
等の問題があり、一方、後者は動作電圧が高いという欠
点があった。
等の問題があり、一方、後者は動作電圧が高いという欠
点があった。
本発明者らは、すでに先導波路の交差部分におりる屈折
率を高くすることによって、動作電圧の低い光スイッチ
が得られることを見出している（特願昭５５−１６４０
！１１ ）。
率を高くすることによって、動作電圧の低い光スイッチ
が得られることを見出している（特願昭５５−１６４０
！１１ ）。
（ｄ）発明の目的
本発明は、交差型光導波路を用い、低電圧動作が可能な
新規な構造の光スイッチを提供することを目的とする。
新規な構造の光スイッチを提供することを目的とする。
（ｅ）発明の構成
本発明は、交差する１組の先導波路を用いた光スィッチ
において、光入射側導波路端辺がなす交差角頂点と光出
射側導波路端辺がなす交差角頂点とを結ぶ線に対して、
その長辺が平行にかつ原線に関して対称になるようにし
て長方形電極を該光導波路の交差ｉＪ１分に設け、かつ
該電極への電圧印加による導波路切換えが少なくとも屈
折率の増加によって行われるザイクルを含むことを特徴
とする。
において、光入射側導波路端辺がなす交差角頂点と光出
射側導波路端辺がなす交差角頂点とを結ぶ線に対して、
その長辺が平行にかつ原線に関して対称になるようにし
て長方形電極を該光導波路の交差ｉＪ１分に設け、かつ
該電極への電圧印加による導波路切換えが少なくとも屈
折率の増加によって行われるザイクルを含むことを特徴
とする。
（ｆ）発明の実施例
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は交差型光導波路を模式的に示しノこ図であり、
例えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ０３）等の電気光学
結晶から成る基板１の表面に、例えば２つの帯状チタン
’ＦｉＨｆＡｍ２を交差するように形成し、これを例え
ば１０４０℃で５時間、熱処理を行うことにより、前記
チタン薄膜層２が前記基板１に拡散し、該基板１より屈
折率が商い層３が形成され、これが光導波路として用い
られる。
例えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ０３）等の電気光学
結晶から成る基板１の表面に、例えば２つの帯状チタン
’ＦｉＨｆＡｍ２を交差するように形成し、これを例え
ば１０４０℃で５時間、熱処理を行うことにより、前記
チタン薄膜層２が前記基板１に拡散し、該基板１より屈
折率が商い層３が形成され、これが光導波路として用い
られる。
第２図は、上記のようにして形成された光導波路を用い
た本発明に係る光スィッチの１構成例の概要を示す図で
ある。
た本発明に係る光スィッチの１構成例の概要を示す図で
ある。
第２図において、２つの先導波路の交差部分に長方形の
電極４が、その長辺を該２つの先導波路の光入射側部分
３１および３２の端辺がなす交差角頂点Ｐと光出射側部
分３３および３４の端辺がなす交差角頂点Ｑを結んだ線
に対して平行に、かつ原線に関して対称になるようにし
て設けられている。
電極４が、その長辺を該２つの先導波路の光入射側部分
３１および３２の端辺がなす交差角頂点Ｐと光出射側部
分３３および３４の端辺がなす交差角頂点Ｑを結んだ線
に対して平行に、かつ原線に関して対称になるようにし
て設けられている。
ここで言う電極の形状とは、蔽密には電極そのものの形
状ではなく、該電極に対する信号電圧の印加によって該
電極下の先導波路部分に形成される屈折率変化領域の形
状を意味するものであって、以下の説明においても便利
上この表現を用いている。
状ではなく、該電極に対する信号電圧の印加によって該
電極下の先導波路部分に形成される屈折率変化領域の形
状を意味するものであって、以下の説明においても便利
上この表現を用いている。
上記の構成において、電極４に信号電圧を印加し、光導
波路の該電極４に対向する領域の屈折率を変化さ〜Ｌる
ことにより、矢印Ｘ方向から入射する光を矢印Ｙの方向
に直進、あるいは矢印２の方向に偏向（分岐）させる。
波路の該電極４に対向する領域の屈折率を変化さ〜Ｌる
ことにより、矢印Ｘ方向から入射する光を矢印Ｙの方向
に直進、あるいは矢印２の方向に偏向（分岐）させる。
この場合、信号電圧の極性と大きさに応じて、電極４に
対向する前記領域（屈折率変化領域）の屈折率は増加（
＋Δｎ効果）あるいは減少（−Δｎ効果）を示す。
対向する前記領域（屈折率変化領域）の屈折率は増加（
＋Δｎ効果）あるいは減少（−Δｎ効果）を示す。
本発明は、光が進行する先導波路を切り換える場合に、
少なくとも上記十Δｎ効果を用いる点において従来の全
反射型光スイッチとは異なっており、この点が本発明に
係る光スィッチの低電圧動作ならびに光導波路間の低ク
ロストークの実現を可能にするのである。
少なくとも上記十Δｎ効果を用いる点において従来の全
反射型光スイッチとは異なっており、この点が本発明に
係る光スィッチの低電圧動作ならびに光導波路間の低ク
ロストークの実現を可能にするのである。
第３図は、第２図に示した構成の光スィッチにおりる信
号電圧の印加にともなう屈折率の変化に対する直進光出
力（Ｓ）および分岐光出力（Ｂ）の変化の一例を示す図
である。
号電圧の印加にともなう屈折率の変化に対する直進光出
力（Ｓ）および分岐光出力（Ｂ）の変化の一例を示す図
である。
同図の光スイッチは、基板としてＬｉＮｂＯ３を用い、
これにチタンを拡散して光導波路を形成したもので、光
導波路幅７．５μｍ、交差角１．７°、電極幅４μｍ、
基板と光導波路の屈折率差（無信号時）は０．００４で
ある。
これにチタンを拡散して光導波路を形成したもので、光
導波路幅７．５μｍ、交差角１．７°、電極幅４μｍ、
基板と光導波路の屈折率差（無信号時）は０．００４で
ある。
第３図に示すように、本例の光スィッチにおい、では、
無信号時（Δｎ−０）には、直進光出力（Ｓ）と分岐光
出力（Ｂ）とはほぼ等しい。すなわち、第２図において
矢印Ｘ方向から入射した光の約１／２が矢印Ｚの方向へ
分岐して出射されている。
無信号時（Δｎ−０）には、直進光出力（Ｓ）と分岐光
出力（Ｂ）とはほぼ等しい。すなわち、第２図において
矢印Ｘ方向から入射した光の約１／２が矢印Ｚの方向へ
分岐して出射されている。
いま、屈折率を増加させるように信号電圧を印加すると
、Δｎ ＝ ０．００１２付近で分岐光出力（Ｂ）は極
大となり、直進光出力（Ｓ）は極小となる。
、Δｎ ＝ ０．００１２付近で分岐光出力（Ｂ）は極
大となり、直進光出力（Ｓ）は極小となる。
一方、屈折率を減少させるように信号電圧を印加すると
、Δｎ ＝ −０，００１２付近で直進光出力（Ｓ’）
は極大となり、分岐光出力（Ｂ）は極小となる。
、Δｎ ＝ −０，００１２付近で直進光出力（Ｓ’）
は極大となり、分岐光出力（Ｂ）は極小となる。
これに対して従来の全反射型光スイッチの場合には、無
信号時（Δｎ＝０）において直進光出力が最大となり、
信号電圧印加時（Δｎく０）において分岐光出力が最大
となるように設計されている。
信号時（Δｎ＝０）において直進光出力が最大となり、
信号電圧印加時（Δｎく０）において分岐光出力が最大
となるように設計されている。
また、本発明の光スイッチが従来の全反射型のものと異
なる他の重要な点は、本発明の光スィッチは第２図に示
すように対称構造の電極を有するために、１つの光スイ
ツチ素子が２×２型のスイッチ（１つのスイッチ素子に
関して入射光方向弁よび出射光方向が２方向ずつあり、
いずれの入射光力向と出射光力向の組合せに対してもス
イッチ機能を有するもの）として機能することができる
点である。これに対し、従来の全反射型光スイッチはＩ
ＸＺ型のスイッチ（入射光方向１方向と出射光力向２方
向を有し、これらの組合せ方向は２つであるもの）とし
ての機能しか持たせることができず、２×２型と同等の
機能とするためには光スイツチ素子を４つ必要とした。
なる他の重要な点は、本発明の光スィッチは第２図に示
すように対称構造の電極を有するために、１つの光スイ
ツチ素子が２×２型のスイッチ（１つのスイッチ素子に
関して入射光方向弁よび出射光方向が２方向ずつあり、
いずれの入射光力向と出射光力向の組合せに対してもス
イッチ機能を有するもの）として機能することができる
点である。これに対し、従来の全反射型光スイッチはＩ
ＸＺ型のスイッチ（入射光方向１方向と出射光力向２方
向を有し、これらの組合せ方向は２つであるもの）とし
ての機能しか持たせることができず、２×２型と同等の
機能とするためには光スイツチ素子を４つ必要とした。
このことから、本発明の光スイッチによれば、光回路素
子の集積化においても有利となる。
子の集積化においても有利となる。
」−記から推測されるように、本発明の光スィッチは従
来の全反射型光スイッチとは異った動作機構にもとづく
ものであって、以下両者の動作を比較して説明する。
来の全反射型光スイッチとは異った動作機構にもとづく
ものであって、以下両者の動作を比較して説明する。
本発明の光スィッチは、第２図に示すように電極４は光
導波路交差部中央に対称に配置され、その幅は光導波路
の幅および交差角等の導波路の形状、光の波長等の条件
に応じて最適値を有し、一般に先導波路の幅より小さい
値をとる。
導波路交差部中央に対称に配置され、その幅は光導波路
の幅および交差角等の導波路の形状、光の波長等の条件
に応じて最適値を有し、一般に先導波路の幅より小さい
値をとる。
これに対して全反射型光スイッチでは、電極４は第４図
に示すように、一般に交差部中心線Ｌ−Ｌを越えないよ
うにして、光入射側（矢印Ｘ）と反対側に偏って配置さ
れる。また、その幅は光を分岐側（矢印Ｚ）に完全に分
岐さ−Ｕ゛るために、できるだり大きくし、これによっ
て全反射を行うための障壁を′厚くすることが行われる
。
に示すように、一般に交差部中心線Ｌ−Ｌを越えないよ
うにして、光入射側（矢印Ｘ）と反対側に偏って配置さ
れる。また、その幅は光を分岐側（矢印Ｚ）に完全に分
岐さ−Ｕ゛るために、できるだり大きくし、これによっ
て全反射を行うための障壁を′厚くすることが行われる
。
上記本発明および従来の全反射型の光スイッチ内におけ
る光の伝播状況を理論的解析法を用いて調べた結果を第
５図から第８図に示す。
る光の伝播状況を理論的解析法を用いて調べた結果を第
５図から第８図に示す。
第５図および第６図は全反射型光スイッチの動作機構を
示し、第５図は信号がオフの状態、第６図はオンの状態
である。
示し、第５図は信号がオフの状態、第６図はオンの状態
である。
全反射型光スイッチにおいては、オフ状態で光が直進し
、この状態における分岐側への光の漏れ（クト１ス１〜
−り）を十分小さくするために、交差角を太き（選ぶ等
が必要となる。第５図の例は交差角２°であり、大部分
の光パワーはほぼ交差部を直進して伝播しているが、分
岐側に僅かに光の漏れが認められる。一方、この光スィ
ッチのオン状態では、第６図に示すように、光パワーは
基本モード状態が保たれたままで伝播し、全反射障壁７
で反射されて分岐側へ進む。この光スイツチ機構におい
ては、通雷の光の全反射現象そのものが表現されている
。
、この状態における分岐側への光の漏れ（クト１ス１〜
−り）を十分小さくするために、交差角を太き（選ぶ等
が必要となる。第５図の例は交差角２°であり、大部分
の光パワーはほぼ交差部を直進して伝播しているが、分
岐側に僅かに光の漏れが認められる。一方、この光スィ
ッチのオン状態では、第６図に示すように、光パワーは
基本モード状態が保たれたままで伝播し、全反射障壁７
で反射されて分岐側へ進む。この光スイツチ機構におい
ては、通雷の光の全反射現象そのものが表現されている
。
これに対し、第７図および第８図は本発明の光スィッチ
の動作機構を示し、全反射型光スイッチのオフ状態に相
当（直進）するのが第７図、オン状態に相当（分岐）す
るのが第８図である。両図の場合においては、第３図の
例と異なって、光は、十Δｎ効果で直進、−Δｎ効果で
分岐する。
の動作機構を示し、全反射型光スイッチのオフ状態に相
当（直進）するのが第７図、オン状態に相当（分岐）す
るのが第８図である。両図の場合においては、第３図の
例と異なって、光は、十Δｎ効果で直進、−Δｎ効果で
分岐する。
第７図の場合、屈折率変化Δｎは＋０．００１であり、
また、光の軌跡は直線でなく２回蛇行して直進側の光導
波路を進んでいる。このように、第５図における直進の
場合とは、信号電圧を印加している点はもちろん、その
軌跡も異っている。また、第８図の場合は屈折率変化Δ
ｎは−０，０００５であり、光はほぼ１回の屈曲で分岐
側へ進む。しかしながら、この方向を転する場所が障壁
の手前ではなく、むしろ、光導波路の壁面近傍であり、
この点でも全反射型光スイッチの場合と異なっている。
また、光の軌跡は直線でなく２回蛇行して直進側の光導
波路を進んでいる。このように、第５図における直進の
場合とは、信号電圧を印加している点はもちろん、その
軌跡も異っている。また、第８図の場合は屈折率変化Δ
ｎは−０，０００５であり、光はほぼ１回の屈曲で分岐
側へ進む。しかしながら、この方向を転する場所が障壁
の手前ではなく、むしろ、光導波路の壁面近傍であり、
この点でも全反射型光スイッチの場合と異なっている。
これら本発明の光スイッチにおける光の伝播現象は、方
向性結合器におけるパワーの遷移と類似するものである
。
向性結合器におけるパワーの遷移と類似するものである
。
また、第３図に示した交差型先導波路（交差角１．７°
）の場合には、直進は一へ〇効果により、また分岐は＋
Δｎ効果によって実現されるのに対し、第７図および第
８図の場合（交差角１°）にはこれと逆の屈折率変化に
よって動作が行われることば注目すべき点である。
）の場合には、直進は一へ〇効果により、また分岐は＋
Δｎ効果によって実現されるのに対し、第７図および第
８図の場合（交差角１°）にはこれと逆の屈折率変化に
よって動作が行われることば注目すべき点である。
すなわら、本発明の光スィッチにおいては、先導波路お
よび電極の設計条件によって、スイノチ動作を行う電圧
の大きさおよびその極性を種々異なるように設定できる
のである。これは、本発明の光スィッチにおいては、第
９図に示すように、電極下の領域における屈折率変化（
Δｎ）に対し直進光出力（Ｓ）および分岐光出力ＣＢ）
が周期性を右し、このような周期上における０電圧状態
は、先導波路の設計条件（拡散物質濃度、光導波路幅、
電極幅、交差角等）によってΔｎ軸」二の種々の点に設
定できるためである。したがって、この設計条件によっ
ては、０電圧状態（Δｎ ＝Ｏ）で直進状態とすること
も、あるいは、分岐状態とすることも可能であり、また
、同極性の大きさの異なる印加電圧によって隣り合う直
進光の極大と分岐光の極大を選択し、スイツチ動作を行
わせることも可能である。
よび電極の設計条件によって、スイノチ動作を行う電圧
の大きさおよびその極性を種々異なるように設定できる
のである。これは、本発明の光スィッチにおいては、第
９図に示すように、電極下の領域における屈折率変化（
Δｎ）に対し直進光出力（Ｓ）および分岐光出力ＣＢ）
が周期性を右し、このような周期上における０電圧状態
は、先導波路の設計条件（拡散物質濃度、光導波路幅、
電極幅、交差角等）によってΔｎ軸」二の種々の点に設
定できるためである。したがって、この設計条件によっ
ては、０電圧状態（Δｎ ＝Ｏ）で直進状態とすること
も、あるいは、分岐状態とすることも可能であり、また
、同極性の大きさの異なる印加電圧によって隣り合う直
進光の極大と分岐光の極大を選択し、スイツチ動作を行
わせることも可能である。
（ｇ）発明の効果
本発明によれば、動作電圧が低くクロストークの小さい
光スィッチを提供可能とし、また、２×２型の光スィッ
チを構成できるので、高集積度の光スイツチを提供可能
とする効果がある。
光スィッチを提供可能とし、また、２×２型の光スィッ
チを構成できるので、高集積度の光スイツチを提供可能
とする効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は光導波路の基本構造を示す図、第２図は本発明
に係る光スィッチの構成を示す図、第３図は本発明に係
る光スィッチにおける屈折率変化と光出力の関係の一例
を示す図、第４図は全反射型の光スイツチにおける電極
配置と動作を説明するための図、第５図および第６図は
全反射型の光スィッチの光導波路内における光の伝播状
況の一例を示す図、第７図および第８図は本発明の光ス
ィッチの光導波路内における光の伝播状況の一例を示す
図、第９図は本発明の光スィッチにおりる屈折率変化と
光出力の周期性の一例を示す図である。 図において、１は基板、２はチタン薄膜層、３は光導波
路、４は電極、７は全反射障壁、３１および３２は光導
波路の光入射側６３分、３３および３４ば光導波路の光
出射側部分、ＰおよびＱは光導波路の交差角頂点、Ｓば
直進光出力、Ｂは分岐光出力である。 蔦ｑ 図 屈酢卑聚化ひな） ｌ’、ｉ Ｊｌｌ ５η４′・２・２ｉｆ Ｉｌｌ
、事ｆ１の表ボ ３、 ｊｄｉ ＋１を４−るｈ ’Ｉｉｔ’ｌトＵＩ関ＨＩ ↑ｌ’、ｌ’ｌ
出願人１１ 所 神奈用県川崎山中１１；ｉ ｌズトｊ
・１）１中１０１５番地（５２２）名（ろ、富士通株式
会社 ４ 代 理 人 ＩＬ所 神全用県川崎山
中１１ｉｆｌ＜ ｌ）Ｉ山１中］０１５ｆｆ’ｉ地富士
通株式会社内 プ＼ 昭和 で１ 月 １１ よ仁（１）本願特許
請求の範囲を下記の如く補正する。 （２）電気光学結晶上に形成した交差型光導波路の交差
中央部に棒状の電極を設け、該電極に正および負の電圧
を切り換えて印加することによって光路青史を行うこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光スィッチ。 （３）交差する１組の光導波路を用いた光スィッチにお
いて、光入射側導波路端辺がなす交差角頂点と光出射側
導波路端辺がなす交差角頂点とを結ぶ線に対して、その
長辺が平行にかつ原線に関して対称になるようにして長
方形電極を紋光導波路の交差部分に設け、かつ訪電極へ
の電圧印加による導波路切換えが少なくとも屈折率の増
加によって行われるサイクルを含むことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光スィッチ。 （４）上記電気光学結晶上ト−力、トＬｉＮｂ０：＋板
で光スィッチ。」 （２）明細書第４頁１０行〜第１１行目「示す図である
。ｖ、２図に督いて」を［示す図であり、第２図（ａ）
は２−カット−ＬｉＮｂＯ３基板を用いた時の光スィッ
チの平面ツ１、第２図（ｂ）は斜視図であり、接地電ｗ
１５も示されている。第２図（ａ）において」と補正す
る。 （３）明細書第５頁１７行目［可能にするのである。１
を「町卵にするのである。上記例としては電気光学結晶
上板としてＺ−カット−ＬｉＮｂ０３．１用いルｆｉ１
を上げたが、本発明を適用して、基板としてＹ−カッ）
−ＬｉＮｂ０３を用い、電極に対する信号電圧の印加に
よって光導波路部分に形成される１１１）折率変化を起
こさせるには第２図（Ｏの如き’Ｆｆｆ、 １ｌｌｉｙ
４ 、 ５を交叉光導波路に対し？１Ｋｒｉ４． ５
間の間隔が光導波路中より狭くなるように形成する。な
お、第２図（Ｃ）けＹ−カッｌ−−Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏ
３基板を用いる本発明の光スィッチの斜視図である。」 代１人 弁理士 松 岡 宏ｖｑ１Ｈ １２４−
に係る光スィッチの構成を示す図、第３図は本発明に係
る光スィッチにおける屈折率変化と光出力の関係の一例
を示す図、第４図は全反射型の光スイツチにおける電極
配置と動作を説明するための図、第５図および第６図は
全反射型の光スィッチの光導波路内における光の伝播状
況の一例を示す図、第７図および第８図は本発明の光ス
ィッチの光導波路内における光の伝播状況の一例を示す
図、第９図は本発明の光スィッチにおりる屈折率変化と
光出力の周期性の一例を示す図である。 図において、１は基板、２はチタン薄膜層、３は光導波
路、４は電極、７は全反射障壁、３１および３２は光導
波路の光入射側６３分、３３および３４ば光導波路の光
出射側部分、ＰおよびＱは光導波路の交差角頂点、Ｓば
直進光出力、Ｂは分岐光出力である。 蔦ｑ 図 屈酢卑聚化ひな） ｌ’、ｉ Ｊｌｌ ５η４′・２・２ｉｆ Ｉｌｌ
、事ｆ１の表ボ ３、 ｊｄｉ ＋１を４−るｈ ’Ｉｉｔ’ｌトＵＩ関ＨＩ ↑ｌ’、ｌ’ｌ
出願人１１ 所 神奈用県川崎山中１１；ｉ ｌズトｊ
・１）１中１０１５番地（５２２）名（ろ、富士通株式
会社 ４ 代 理 人 ＩＬ所 神全用県川崎山
中１１ｉｆｌ＜ ｌ）Ｉ山１中］０１５ｆｆ’ｉ地富士
通株式会社内 プ＼ 昭和 で１ 月 １１ よ仁（１）本願特許
請求の範囲を下記の如く補正する。 （２）電気光学結晶上に形成した交差型光導波路の交差
中央部に棒状の電極を設け、該電極に正および負の電圧
を切り換えて印加することによって光路青史を行うこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光スィッチ。 （３）交差する１組の光導波路を用いた光スィッチにお
いて、光入射側導波路端辺がなす交差角頂点と光出射側
導波路端辺がなす交差角頂点とを結ぶ線に対して、その
長辺が平行にかつ原線に関して対称になるようにして長
方形電極を紋光導波路の交差部分に設け、かつ訪電極へ
の電圧印加による導波路切換えが少なくとも屈折率の増
加によって行われるサイクルを含むことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光スィッチ。 （４）上記電気光学結晶上ト−力、トＬｉＮｂ０：＋板
で光スィッチ。」 （２）明細書第４頁１０行〜第１１行目「示す図である
。ｖ、２図に督いて」を［示す図であり、第２図（ａ）
は２−カット−ＬｉＮｂＯ３基板を用いた時の光スィッ
チの平面ツ１、第２図（ｂ）は斜視図であり、接地電ｗ
１５も示されている。第２図（ａ）において」と補正す
る。 （３）明細書第５頁１７行目［可能にするのである。１
を「町卵にするのである。上記例としては電気光学結晶
上板としてＺ−カット−ＬｉＮｂ０３．１用いルｆｉ１
を上げたが、本発明を適用して、基板としてＹ−カッ）
−ＬｉＮｂ０３を用い、電極に対する信号電圧の印加に
よって光導波路部分に形成される１１１）折率変化を起
こさせるには第２図（Ｏの如き’Ｆｆｆ、 １ｌｌｉｙ
４ 、 ５を交叉光導波路に対し？１Ｋｒｉ４． ５
間の間隔が光導波路中より狭くなるように形成する。な
お、第２図（Ｃ）けＹ−カッｌ−−Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏ
３基板を用いる本発明の光スィッチの斜視図である。」 代１人 弁理士 松 岡 宏ｖｑ１Ｈ １２４−
Claims (1)
- （１）電気光学結晶上に形成した交差型光導波路の交差
中央部に棒状の電極を設り、該電極に正および負の電圧
を切り換えて印加することによって光路変更を行うこと
を特徴とする光スィッチ（２）交差する１組の光導波路
を用いた光スィッチにおいて、光出射側導波路端辺がな
す交差角頂点と光出射側導波路端辺がなす交差角頂点と
を結ぶ線に対して、その長辺が平行にかつ該線に関して
対称になるようにして長方形電極を該光導波路の交差部
分に設り、かつ該電極への電圧印加による導波路切換え
が少なくとも屈折率の増加によって行われるサイクルを
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ス
ィッチ
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17121882A JPS5960425A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 光スイツチ |
| DE8383305761T DE3381598D1 (de) | 1982-09-30 | 1983-09-27 | Optischer bipolarschalter mit spannungssteuerung mittels sich kreuzenden wellenleitern. |
| EP83305761A EP0105693B1 (en) | 1982-09-30 | 1983-09-27 | Bipolar voltage controlled optical switch using intersecting waveguide |
| US06/890,974 US4730884A (en) | 1982-09-30 | 1986-07-29 | Bipolar voltage controlled optical switch using intersecting waveguides |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17121882A JPS5960425A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 光スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960425A true JPS5960425A (ja) | 1984-04-06 |
| JPH0449098B2 JPH0449098B2 (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=15919225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17121882A Granted JPS5960425A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5960425A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396853A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-24 | Thomson Csf | Photoconductive wave instrument |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17121882A patent/JPS5960425A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396853A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-24 | Thomson Csf | Photoconductive wave instrument |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0449098B2 (ja) | 1992-08-10 |
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