JPS5960441A - メモリ−性多層感光体 - Google Patents
メモリ−性多層感光体Info
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- JPS5960441A JPS5960441A JP16960182A JP16960182A JPS5960441A JP S5960441 A JPS5960441 A JP S5960441A JP 16960182 A JP16960182 A JP 16960182A JP 16960182 A JP16960182 A JP 16960182A JP S5960441 A JPS5960441 A JP S5960441A
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- layer
- phthalocyanine
- vinyl chloride
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、メモリー性多層感光体に関し、更に詳しくは
、メモリー性に優れた多層構造の電子写真感光体に係る
ものである。
、メモリー性に優れた多層構造の電子写真感光体に係る
ものである。
電子7J貞による複写工程は、■感光体への帯電、■原
稿画像を介しての露光、■トナー粒子による現像、■複
転写体への転写の4工程から成って居り、多数枚の転写
を行う時にはこの工程の■から■をくり返し反覆する方
法が一般的な方法として採用されている。
稿画像を介しての露光、■トナー粒子による現像、■複
転写体への転写の4工程から成って居り、多数枚の転写
を行う時にはこの工程の■から■をくり返し反覆する方
法が一般的な方法として採用されている。
これに対し、多数枚の転写を行う方法として■の原稿画
像を介しての露光を行なうとこれが半永久的に記憶され
る現象を利用し、一旦露光した後帯型→トナー現像→転
写のくり返しによる多数枚転写が考えられている0 この様なンステムは露光工程の省略に伴う転写時間の短
縮、露光に伴う感光体の劣化防止などの点から興味がも
たれている。
像を介しての露光を行なうとこれが半永久的に記憶され
る現象を利用し、一旦露光した後帯型→トナー現像→転
写のくり返しによる多数枚転写が考えられている0 この様なンステムは露光工程の省略に伴う転写時間の短
縮、露光に伴う感光体の劣化防止などの点から興味がも
たれている。
この様な目的で開発された複写方法、及びこ第1に使用
する感光体として特開昭51−13242、特開昭51
−13245の様な酸化亜鉛感光体を用1,zる例、ま
た特開昭52−4839のようなロイコ色素と2、4.
7−)ジニトロ−9−フルオレ/ンカ)もなるメモリー
性感光体も知られている。更に、9′!開昭5 0−8
6 3 4 7では導電性支持体上に光導電性N(ポ
リNビニルカルバゾール層)を設け、この光導電性層の
表面をノ・ロゲン化ケト化合物及び/又はハロゲン化ア
ンlし化合物を含有する溶液で処理してなるメモリー性
感光体が、また、特開昭50−86348では導電性支
持体上に光導電性層(ボU NビニルカルバシーJし層
)を設け、この光導′重性層の表面を脂肪族ノ・ロゲン
化炭化水素で処理したメモリー性感光体が知られている
。
する感光体として特開昭51−13242、特開昭51
−13245の様な酸化亜鉛感光体を用1,zる例、ま
た特開昭52−4839のようなロイコ色素と2、4.
7−)ジニトロ−9−フルオレ/ンカ)もなるメモリー
性感光体も知られている。更に、9′!開昭5 0−8
6 3 4 7では導電性支持体上に光導電性N(ポ
リNビニルカルバゾール層)を設け、この光導電性層の
表面をノ・ロゲン化ケト化合物及び/又はハロゲン化ア
ンlし化合物を含有する溶液で処理してなるメモリー性
感光体が、また、特開昭50−86348では導電性支
持体上に光導電性層(ボU NビニルカルバシーJし層
)を設け、この光導′重性層の表面を脂肪族ノ・ロゲン
化炭化水素で処理したメモリー性感光体が知られている
。
しかし、この様なメモリー性感光体は感度が低く強い光
源での長時間の露光を必要とし、又、メモリー性も弱く
、数百枚の多数複写に耐えることができない、又、感光
体の再使用性(一度記憶された画像を消去し、別の画像
を記憶させる)も悪く数回の再使用で感光体が劣化して
しまうなどの問題がある。
源での長時間の露光を必要とし、又、メモリー性も弱く
、数百枚の多数複写に耐えることができない、又、感光
体の再使用性(一度記憶された画像を消去し、別の画像
を記憶させる)も悪く数回の再使用で感光体が劣化して
しまうなどの問題がある。
本発明者らはメモリー性に固れ、再使用性に優れたメモ
リー性感光体を得ることを目的として鋭意研究に努めた
結果導電性支持体と、前記導電性支持体上に設けたフタ
ロシアニン層と、さらにフタロシアニン層の上に設けた
脂肪族ハロゲン化炭化水素、ハロゲン化アシル化合物、
ハーロゲン化ケト化合物1水素供与性化合物の少なくと
も1種を含むケリビニルカルバゾール層とからなるメモ
リー性多層感光体がこの目的に合致することを先に見い
出した。
リー性感光体を得ることを目的として鋭意研究に努めた
結果導電性支持体と、前記導電性支持体上に設けたフタ
ロシアニン層と、さらにフタロシアニン層の上に設けた
脂肪族ハロゲン化炭化水素、ハロゲン化アシル化合物、
ハーロゲン化ケト化合物1水素供与性化合物の少なくと
も1種を含むケリビニルカルバゾール層とからなるメモ
リー性多層感光体がこの目的に合致することを先に見い
出した。
マタ、ケリビニルカルバゾール層及びフタロシアニン層
の導電性支持体層に対する接着強度を向上することを目
的として検討した結果為特定の樹脂を7タロシアニンと
共用することによりhメモリー性感度を低化させること
なく、この目的を達成し得ることを見い出した0 更ニ、ポリビニルカルバゾール層の柔軟性、機械的強度
を向上することを目的として検討した結果、特定の可塑
剤又は/及び樹脂をホ゛リビニル力ルバゾール層に添加
することにより、メモリー性感度を低化させることなく
この目的を達成し得ることを見い出した。
の導電性支持体層に対する接着強度を向上することを目
的として検討した結果為特定の樹脂を7タロシアニンと
共用することによりhメモリー性感度を低化させること
なく、この目的を達成し得ることを見い出した0 更ニ、ポリビニルカルバゾール層の柔軟性、機械的強度
を向上することを目的として検討した結果、特定の可塑
剤又は/及び樹脂をホ゛リビニル力ルバゾール層に添加
することにより、メモリー性感度を低化させることなく
この目的を達成し得ることを見い出した。
しかして、本発明の第1は、導電性支持体と、前記導電
性支持体上に設けたフタロシアニン層と、更にフタロシ
アニン層の上に設けた脂肪族ノ・ロゲン化炭化水素、ノ
・ロゲン化アシル化合物、/・ロゲン化ケト化合物、水
素供与性化合物の少なくとも1種を含むポリビニルカル
バゾール かつ、フタロシアニン層がフタロシアニン100重量部
に対し、結着樹脂として5重量部から200重量部の範
囲で、ポリビニルブチラールニル−酢酸ビニル−マレイ
ン酸共重合樹脂、ボ1ノビニルピロリドンの群から選ば
れる少なくとも1種を含有することを特徴とするメモリ
ー性多層感光体である。
性支持体上に設けたフタロシアニン層と、更にフタロシ
アニン層の上に設けた脂肪族ノ・ロゲン化炭化水素、ノ
・ロゲン化アシル化合物、/・ロゲン化ケト化合物、水
素供与性化合物の少なくとも1種を含むポリビニルカル
バゾール かつ、フタロシアニン層がフタロシアニン100重量部
に対し、結着樹脂として5重量部から200重量部の範
囲で、ポリビニルブチラールニル−酢酸ビニル−マレイ
ン酸共重合樹脂、ボ1ノビニルピロリドンの群から選ば
れる少なくとも1種を含有することを特徴とするメモリ
ー性多層感光体である。
また、本発明の第2は、導電性支持体と、前記導電性支
持体上に設けたフタロンアニン層と、更にフタロシアニ
ン層の上に設けた脂肪族ハロケン化炭化水素、ハロゲン
化アシル化合物、ハロゲン化ケト化合物、水素供与性化
合物の少なくとも1種を含み、更に可塑剤(塩素化n−
パラフィン、β−メチルナフタレン、ビフェニールの群
かう選ばれる少なくとも1種)又は/及び樹脂(塩化ビ
ニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニ
ル−マレイン酸共重合樹脂、シリコン樹脂、キシレン樹
脂の群から選ばれる少なくとも1種)を含有するポリビ
ニルカルバゾール ことを特徴とするメモリー性多層感光体である。
持体上に設けたフタロンアニン層と、更にフタロシアニ
ン層の上に設けた脂肪族ハロケン化炭化水素、ハロゲン
化アシル化合物、ハロゲン化ケト化合物、水素供与性化
合物の少なくとも1種を含み、更に可塑剤(塩素化n−
パラフィン、β−メチルナフタレン、ビフェニールの群
かう選ばれる少なくとも1種)又は/及び樹脂(塩化ビ
ニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニ
ル−マレイン酸共重合樹脂、シリコン樹脂、キシレン樹
脂の群から選ばれる少なくとも1種)を含有するポリビ
ニルカルバゾール ことを特徴とするメモリー性多層感光体である。
更に、本発明の第3は、導電性支持体と、前記導電性支
持体上に設けたフタロシアニン層と1更にフタロンアニ
ン層の士に設けた脂肪族ハロゲン化炭化水素、ハロゲン
化アシル化合物、ハロゲン化ケト化合物、水素供与性化
合物の少なくとも1種を含み、更に可塑剤(塩素化パラ
フィン、βーメ△ チルナフタレン、ビフェニルの群から選ばれる少なくと
も1種)又は/及び樹脂(塩化ビニル樹脂入塩化ビニリ
デン樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合
樹脂、シリコン樹脂、キシレン樹脂の群から選ばれる少
なくとも1種)を含有するポリビニルカルバゾール シアニン層がフタロシアニン100重量部に対シ、結着
樹脂として5重量部から200重量部の範囲で、ポリビ
ニルブチラール、塩化ビニル−酢酸ビニル−マイレン酸
共重合樹脂、ポリビニルピロリドンの群から選ばれる少
なくとも1種を含有することを特徴とするメモリー性多
層感光体である。
持体上に設けたフタロシアニン層と1更にフタロンアニ
ン層の士に設けた脂肪族ハロゲン化炭化水素、ハロゲン
化アシル化合物、ハロゲン化ケト化合物、水素供与性化
合物の少なくとも1種を含み、更に可塑剤(塩素化パラ
フィン、βーメ△ チルナフタレン、ビフェニルの群から選ばれる少なくと
も1種)又は/及び樹脂(塩化ビニル樹脂入塩化ビニリ
デン樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合
樹脂、シリコン樹脂、キシレン樹脂の群から選ばれる少
なくとも1種)を含有するポリビニルカルバゾール シアニン層がフタロシアニン100重量部に対シ、結着
樹脂として5重量部から200重量部の範囲で、ポリビ
ニルブチラール、塩化ビニル−酢酸ビニル−マイレン酸
共重合樹脂、ポリビニルピロリドンの群から選ばれる少
なくとも1種を含有することを特徴とするメモリー性多
層感光体である。
まず、本発明の第1〜第3に共通する事項を説明する。
本発明の導電性支持体としては、アルミニウム、ニッケ
ルのような金属板、金属蒸着フィルム、導電処理紙のよ
うな導電性基板が使用される。
ルのような金属板、金属蒸着フィルム、導電処理紙のよ
うな導電性基板が使用される。
導電性支持体上にフタロシアニン層を設けるが、本発明
において使用できるフタロシアニンとしては1メタルフ
リーフタロシアニン、マグネシウムフタロシアニン、鉛
フタロシアニン、バナジウムフタロシアニン1クロムフ
タロシアニン、アルミニウムフタロシアニン、鉄フタロ
シアニン、コバルトフタロシアニン、ニッヶルフタロシ
アニンナどのm 金属7タロシアニン、金属フタロシア
ニン及ヒハロゲン化、スルホン化フタロシアニン誘導体
などが挙げられ、又、その結晶形も特に制限されること
なく、α型、β型、γ型、δ型、ε型、χ(クシイ)型
、π型、ρ型、X(エックス)型・ の各種の結晶型
が採用される。これらの内で特に望マしいのはα−メタ
ルフリーフタロシアニンであるが本発明に於てα−メタ
ルフリーフタロシアニンに制限する必要はない。そして
このフタロシアニン層の厚さは0.01μから10μま
でが適当であり0.01μ以下ではメモリー性が弱くな
る傾向があり、10μ以上になると、カプリ現象が強く
なる傾向がある。このフタロシアニン層は蒸着、あるい
は、分散液からの塗布乾燥により製膜することができる
。この様にして製膜したフタロシアニン層の上にボリビ
こル力ルバゾールの膜を設ケるが、このポリビニルカル
バゾールに対しポリビニルカルバゾール100重量部に
対し好ましくは0、01重量部から10重量部の範囲で
、脂肪族ハロケン化炭化水素、ハロゲン化アシル化合物
、ハロゲン化ケト化合物、水素供与性化合物の少なくと
も一種を含ませる。含ませる方法としては1ポリビニル
カルバゾールの溶液を作成する際同時に溶かし込み均一
な溶液が若しくは懸濁液を作成し・塗布乾燥する。
において使用できるフタロシアニンとしては1メタルフ
リーフタロシアニン、マグネシウムフタロシアニン、鉛
フタロシアニン、バナジウムフタロシアニン1クロムフ
タロシアニン、アルミニウムフタロシアニン、鉄フタロ
シアニン、コバルトフタロシアニン、ニッヶルフタロシ
アニンナどのm 金属7タロシアニン、金属フタロシア
ニン及ヒハロゲン化、スルホン化フタロシアニン誘導体
などが挙げられ、又、その結晶形も特に制限されること
なく、α型、β型、γ型、δ型、ε型、χ(クシイ)型
、π型、ρ型、X(エックス)型・ の各種の結晶型
が採用される。これらの内で特に望マしいのはα−メタ
ルフリーフタロシアニンであるが本発明に於てα−メタ
ルフリーフタロシアニンに制限する必要はない。そして
このフタロシアニン層の厚さは0.01μから10μま
でが適当であり0.01μ以下ではメモリー性が弱くな
る傾向があり、10μ以上になると、カプリ現象が強く
なる傾向がある。このフタロシアニン層は蒸着、あるい
は、分散液からの塗布乾燥により製膜することができる
。この様にして製膜したフタロシアニン層の上にボリビ
こル力ルバゾールの膜を設ケるが、このポリビニルカル
バゾールに対しポリビニルカルバゾール100重量部に
対し好ましくは0、01重量部から10重量部の範囲で
、脂肪族ハロケン化炭化水素、ハロゲン化アシル化合物
、ハロゲン化ケト化合物、水素供与性化合物の少なくと
も一種を含ませる。含ませる方法としては1ポリビニル
カルバゾールの溶液を作成する際同時に溶かし込み均一
な溶液が若しくは懸濁液を作成し・塗布乾燥する。
この際のポリビニルカルバゾール
30μ好ましくは2〜20μが望ましく、1μ以下では
コントラスト不良、30μ以上では分解能が低下する。
コントラスト不良、30μ以上では分解能が低下する。
ここで使用する脂肪族ハロゲン化炭化水素としては四塩
化炭素、トリク四ルエタン、四臭化炭素、クロロホルム
、ヘキサクロルプロパン、トリクロルエチレン、テトラ
クロルエチレン、ジクロルジブロムエタン、ポリ塩化ビ
ニル、ポ°り塩化ビニリデン等が使用できる0 ハロゲン化ケト化合物としてクロルアセトン、ブロムア
セトン、ブロムアセトフェノン、トリブロムアセトフェ
ノンなどが使用できる。
化炭素、トリク四ルエタン、四臭化炭素、クロロホルム
、ヘキサクロルプロパン、トリクロルエチレン、テトラ
クロルエチレン、ジクロルジブロムエタン、ポリ塩化ビ
ニル、ポ°り塩化ビニリデン等が使用できる0 ハロゲン化ケト化合物としてクロルアセトン、ブロムア
セトン、ブロムアセトフェノン、トリブロムアセトフェ
ノンなどが使用できる。
ハロゲン化アシル化合物としてアセチルクロライド、ア
セチルブロマイド、クロルアセチルクロライド、ジクロ
ルアセチルクロライド、ブロムアセチルブロマイド、ク
ロルベンゾイルクロライドなどが使用できる。
セチルブロマイド、クロルアセチルクロライド、ジクロ
ルアセチルクロライド、ブロムアセチルブロマイド、ク
ロルベンゾイルクロライドなどが使用できる。
又、水素供与性化合物としては有機、無機の酸が使用さ
れ、有機酸として、酢酸、ジクロル酢酸、トリクロル酢
酸、安息香酸、ジニトロ安息香酸、フタル酸、テトラブ
ロムフタル酸、マレイン酸、7 工/ −/L/ 、ニ
トロフェノール、ピクリン酸、無水フタル酸、無水マレ
イン酸、臭素化無水マレイン酸などが使用でき、無機酸
としては塩酸、硫酸、リン酸、ホウ酸などが使用できる
。
れ、有機酸として、酢酸、ジクロル酢酸、トリクロル酢
酸、安息香酸、ジニトロ安息香酸、フタル酸、テトラブ
ロムフタル酸、マレイン酸、7 工/ −/L/ 、ニ
トロフェノール、ピクリン酸、無水フタル酸、無水マレ
イン酸、臭素化無水マレイン酸などが使用でき、無機酸
としては塩酸、硫酸、リン酸、ホウ酸などが使用できる
。
また、導電性支持体とフタロシアニン層の間に必要なら
ば絶縁性阻止層を設けても良い。
ば絶縁性阻止層を設けても良い。
次にフタロシアニン層に結着樹脂を用いる場合(第1の
発明及び第3の発明に関係する。)について説明する。
発明及び第3の発明に関係する。)について説明する。
結H’M 脂を用いたフタロシアニン層は1フタロシア
ニンが結着樹脂の中に分散された構造のものであり1メ
モリ一性感度を低下させずに、支持体に対する接着性の
向上する結合樹脂を種々検討した結果、最適な結合樹脂
を見い出したものである。
ニンが結着樹脂の中に分散された構造のものであり1メ
モリ一性感度を低下させずに、支持体に対する接着性の
向上する結合樹脂を種々検討した結果、最適な結合樹脂
を見い出したものである。
本発明の結合樹脂としては、ポリビニルブチラール、塩
化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合樹脂、ポリビ
ニルピロリドンである。
化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合樹脂、ポリビ
ニルピロリドンである。
フタロシアニン100重量部に対し5重量部力)ら20
0重量部の範囲で結合樹脂を使用することが好ましい。
0重量部の範囲で結合樹脂を使用することが好ましい。
5重量部未満では接着性の効果力i薄く、又200重量
部をこえると、メモリー性感度が低下するためである。
部をこえると、メモリー性感度が低下するためである。
より好ましい範囲としては、30重量部から100重量
部である。このフタロシアニン層は、フタロシアニン及
ヒ結合樹脂を含む分散溶媒からの塗布乾燥により製膜す
る事が出来る。
部である。このフタロシアニン層は、フタロシアニン及
ヒ結合樹脂を含む分散溶媒からの塗布乾燥により製膜す
る事が出来る。
次ニ、ポリビニルカルバゾール層に可塑剤又c1/及び
樹脂を用いる場合(第2の発明及び第3の発明が関係す
る)について説明する。
樹脂を用いる場合(第2の発明及び第3の発明が関係す
る)について説明する。
ここで使用する特定の可塑剤としては、単なるホリマ一
層の可塑化としてはポリビニルカルバゾールに対するi
7f塑剤として良く知られているものが、使用できるわ
けであるが、一般に可塑剤の混合と共にメモリー性感度
は大きく劣化する。本発明における有効な可塑剤すなわ
ちメモリー性感度を劣化させないものとしては、塩素化
n−パラフィン1β−メチルナフタレン、ビフェニル、
が見い出′された。
層の可塑化としてはポリビニルカルバゾールに対するi
7f塑剤として良く知られているものが、使用できるわ
けであるが、一般に可塑剤の混合と共にメモリー性感度
は大きく劣化する。本発明における有効な可塑剤すなわ
ちメモリー性感度を劣化させないものとしては、塩素化
n−パラフィン1β−メチルナフタレン、ビフェニル、
が見い出′された。
また、ここで使用する樹脂としては、メモリー性感度を
劣化しないものとして、塩化ビニル樹脂塩化ビニリデン
樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合樹脂
、シリコン樹脂、キンレン樹脂が見いだされた。
劣化しないものとして、塩化ビニル樹脂塩化ビニリデン
樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合樹脂
、シリコン樹脂、キンレン樹脂が見いだされた。
特定の可塑剤はポリビニルカルバゾール100爪■(部
に対し0.1重量部から20重量部の範囲で含ませるの
が好ましい。又特定の樹脂はポリビニルカルバゾール1
00重量部に対しO31重量部から20重量部の範囲で
含ませるのが好ましい。但し、可塑剤と樹脂を同時に混
合する場合は、カルバゾール100重量部に対し、2成
分の合計重量で0.2重量部から20重量部の範囲で含
ませるのが好ましい。
に対し0.1重量部から20重量部の範囲で含ませるの
が好ましい。又特定の樹脂はポリビニルカルバゾール1
00重量部に対しO31重量部から20重量部の範囲で
含ませるのが好ましい。但し、可塑剤と樹脂を同時に混
合する場合は、カルバゾール100重量部に対し、2成
分の合計重量で0.2重量部から20重量部の範囲で含
ませるのが好ましい。
また、本発明の感光体においては、必要とあらば1導電
性支持体とフタロシアニン層の間に絶縁性阻止層を設け
ても良い。
性支持体とフタロシアニン層の間に絶縁性阻止層を設け
ても良い。
本発明の第1〜第3においては、すでに述べた通り、導
電性支持体上にフタロシアニン層と、さらにこの上に脂
肪族ハロゲン化炭化水素、ハロゲン化アシル化合物、ハ
ロゲン化ケト化合物、水素供与性化合物の少なくとも1
種を含むポリビニルカルバゾール層を設けたメモリー性
多層感光体であり、高感度であり、良好なメモリー性く
り返し特性が得られる。
電性支持体上にフタロシアニン層と、さらにこの上に脂
肪族ハロゲン化炭化水素、ハロゲン化アシル化合物、ハ
ロゲン化ケト化合物、水素供与性化合物の少なくとも1
種を含むポリビニルカルバゾール層を設けたメモリー性
多層感光体であり、高感度であり、良好なメモリー性く
り返し特性が得られる。
また、本発明の第1及び第3にあっては、フタロシアニ
ン層に特定の結着樹脂を使用しているため、フタロシア
ニン層と、導電性支持体及びポリビニルカルバゾール層
との結合か強固になる。
ン層に特定の結着樹脂を使用しているため、フタロシア
ニン層と、導電性支持体及びポリビニルカルバゾール層
との結合か強固になる。
また1第2の発明及び第3の発明にあっては、ポリビニ
ルカルバゾール層に可塑剤又は/及び樹脂を含有せしめ
であるため、ポリビニルカルバゾール層の柔軟性、機械
的強度が向上する。
ルカルバゾール層に可塑剤又は/及び樹脂を含有せしめ
であるため、ポリビニルカルバゾール層の柔軟性、機械
的強度が向上する。
この様にして得られたメモリー性感光体はこれの特性を
評価するに次の様な方法が採用された。
評価するに次の様な方法が採用された。
■ 新しく作成したメモリー性感光体を150’C。
にて5秒加熱し1感光体をクリーンな状態にする。
■ ■で得られたクリーンな状態の感光体を暗所にて5
.5 kVのコロナ放電を行い負帯電を行いその時の帯
電圧を測定する。
.5 kVのコロナ放電を行い負帯電を行いその時の帯
電圧を測定する。
■ ■で得られたクリーンな状態の感光体を露光後5.
5 kVのコロナ帯電をくり返し負帯電させコロナM)
電くり返し、回数による負帯電圧の変化を観測し、先の
暗所に於ける値と比較する。
5 kVのコロナ帯電をくり返し負帯電させコロナM)
電くり返し、回数による負帯電圧の変化を観測し、先の
暗所に於ける値と比較する。
また、ポリマ一層の柔軟性及び機械的強度及び導電性支
持体との接着性に関しては、ポリマ一層及び顔料層の導
電性基板からのハガレの外観検査及び塗膜屈曲試験機に
より評価した。
持体との接着性に関しては、ポリマ一層及び顔料層の導
電性基板からのハガレの外観検査及び塗膜屈曲試験機に
より評価した。
以下、実施例をもって本発明を説明する。
800番のサンドペーパーで表面を荒らしたアルミニウ
ムシート(厚さ100μm)上にα−メタルフリーフタ
ロシアニン2It′を100mのジクロルエタン溶媒に
分散させ、さらに超音波により均一に分散させた後、ア
プリケーターにより、1〜2μm厚のα−メタルフリー
フタロシアニン層を設けた。次に、ポリビニルカルバシ
ー/L/ 10 iil、ジクロル酢酸900mg、可
塑剤としてビフェニール12を100m1のテトラヒド
ロフラン(THF)に溶解して得た混合溶液を、スリッ
ト巾200μmのアプリケーターで、上記α−メタルフ
リーフタロシアニン層上に塗布し、−昼夜暗所において
自然乾燥させ、厚さ15μmのポリビニルカルバゾール
層を形成した。このようにして得られた感光体を150
℃、1時間、乾燥語中で熱エージングを行い、メモリー
性電子写真感光体を得た。
ムシート(厚さ100μm)上にα−メタルフリーフタ
ロシアニン2It′を100mのジクロルエタン溶媒に
分散させ、さらに超音波により均一に分散させた後、ア
プリケーターにより、1〜2μm厚のα−メタルフリー
フタロシアニン層を設けた。次に、ポリビニルカルバシ
ー/L/ 10 iil、ジクロル酢酸900mg、可
塑剤としてビフェニール12を100m1のテトラヒド
ロフラン(THF)に溶解して得た混合溶液を、スリッ
ト巾200μmのアプリケーターで、上記α−メタルフ
リーフタロシアニン層上に塗布し、−昼夜暗所において
自然乾燥させ、厚さ15μmのポリビニルカルバゾール
層を形成した。このようにして得られた感光体を150
℃、1時間、乾燥語中で熱エージングを行い、メモリー
性電子写真感光体を得た。
又、可塑剤を使用しない生息外は上記と同様に行い、可
塑剤が添加されないメモリー性感光体を得た。塗膜屈曲
試験機により、クラックの入る角度1屈曲試験用の棒の
直径(TMnで表わす、たとえば直径6 mmの場合に
6φと記載する。以下同様に表わす。)を測定した所、
ビフェニール添加メモリー性感光体では6φにおいても
クランクは入らなかった。それに対し、可塑剤無添加メ
モリー性感光体では10φ、70°でクランクが入った
。またメモリー性の評価を次のように行った。
塑剤が添加されないメモリー性感光体を得た。塗膜屈曲
試験機により、クラックの入る角度1屈曲試験用の棒の
直径(TMnで表わす、たとえば直径6 mmの場合に
6φと記載する。以下同様に表わす。)を測定した所、
ビフェニール添加メモリー性感光体では6φにおいても
クランクは入らなかった。それに対し、可塑剤無添加メ
モリー性感光体では10φ、70°でクランクが入った
。またメモリー性の評価を次のように行った。
まず、感光体を150℃において5秒間加熱した後、帯
電特性の測定としてE/:ectro 5tatj、c
Paper Anatyzer (SP −428川口
電機社製)を用い、コロナ帯電圧−5,5kVにより負
帯電をo、25秒間行った後、未露光時の表面電位を測
定した。
電特性の測定としてE/:ectro 5tatj、c
Paper Anatyzer (SP −428川口
電機社製)を用い、コロナ帯電圧−5,5kVにより負
帯電をo、25秒間行った後、未露光時の表面電位を測
定した。
次に感光体を再び150℃、55秒間加熱した後、装置
付属のタングステンランプ(色温度2856°K)を使
用し、所定の露光を行った。光源の照度は装置付属の照
度計を使用した。白色光の露光量は一定の照度で露光時
間を変化させることにより、所定の露光量を得た。
付属のタングステンランプ(色温度2856°K)を使
用し、所定の露光を行った。光源の照度は装置付属の照
度計を使用した。白色光の露光量は一定の照度で露光時
間を変化させることにより、所定の露光量を得た。
露光後、前記と同様にコロナ帯電を行い、露光後の表面
電位を測定した。次に露光を再度行わず、前記コロナ帯
電及び表面電位のホ11臣のみをくり返し、コロナ帯電
のくり返しによる表面電位の復帰を測定し、メモリー特
性を評価した。
電位を測定した。次に露光を再度行わず、前記コロナ帯
電及び表面電位のホ11臣のみをくり返し、コロナ帯電
のくり返しによる表面電位の復帰を測定し、メモリー特
性を評価した。
メモリー性の評価として、メモリー性感度を次のように
定義した。即ち、コロナ帯電100回後における表面電
位の回復率(光照射後コロナ帯電を100回くり返した
後の表面電位と、150℃5秒間加熱後未露光の状態で
帯電させた時の初期表面帯電位との比)が、0.5とす
るに、必要な露光量(1ux−sec )で1 メモリ
ー性感度を定義した。
定義した。即ち、コロナ帯電100回後における表面電
位の回復率(光照射後コロナ帯電を100回くり返した
後の表面電位と、150℃5秒間加熱後未露光の状態で
帯電させた時の初期表面帯電位との比)が、0.5とす
るに、必要な露光量(1ux−sec )で1 メモリ
ー性感度を定義した。
ビフェニール添加感光体は 31001uX−8eC可
塑剤無添加感光体は 3000]−uX−8eCで
あり、メモリー性感度の劣化は見られなかった。
塑剤無添加感光体は 3000]−uX−8eCで
あり、メモリー性感度の劣化は見られなかった。
実施例2
実施例1において可塑剤としてビフェニールを使用する
かわりに、塩素化n−パラフィン、β−メチルナフタレ
ンをそれぞれ、1グ使用する以外は実施例1と同様に行
い、メモリー性電子写真感光体を得た。実施例1と同様
の評価を行った所、塩素化n−パラフィン添加感光体で
は、屈曲試験データとして 1. Oφ、120メモ’
J −性感度トして 34001ux−secβ−メチ
ルナフタレン添加感光体では、屈曲試験データとして
8φ、]、 20゜メモリー性感度として 3100
1ux−secのデータが得られた。
かわりに、塩素化n−パラフィン、β−メチルナフタレ
ンをそれぞれ、1グ使用する以外は実施例1と同様に行
い、メモリー性電子写真感光体を得た。実施例1と同様
の評価を行った所、塩素化n−パラフィン添加感光体で
は、屈曲試験データとして 1. Oφ、120メモ’
J −性感度トして 34001ux−secβ−メチ
ルナフタレン添加感光体では、屈曲試験データとして
8φ、]、 20゜メモリー性感度として 3100
1ux−secのデータが得られた。
比較例1
実施例1において可塑剤としてビフェニルを使用するか
わりに、リン酸トリフェニル、O−ターフェニル、フタ
ル酸ジーn−ブチル、それぞれ12を使用する以外は実
施例1と同様に行い、メモリー性電子写真感光体を得た
。
わりに、リン酸トリフェニル、O−ターフェニル、フタ
ル酸ジーn−ブチル、それぞれ12を使用する以外は実
施例1と同様に行い、メモリー性電子写真感光体を得た
。
実施例1と同様の評価を行った所、
リン酸トリフェニル添加感光体では、
屈曲試験データとして 8φ、180
メモリ一性感度として 30,0001ux−secO
−ターフェニル添加感光体では、 屈曲試験データとして 10φ、105゜メモリー性感
度として 25,0001ux−secフタル酸ジーr
)−ブチル添加感光体では、メモリー性感度として 3
3,0001ux−secであった。可塑剤効果はあら
れれているが・メモリー性感度を低下させる。
−ターフェニル添加感光体では、 屈曲試験データとして 10φ、105゜メモリー性感
度として 25,0001ux−secフタル酸ジーr
)−ブチル添加感光体では、メモリー性感度として 3
3,0001ux−secであった。可塑剤効果はあら
れれているが・メモリー性感度を低下させる。
実施例3
実施例1においてビフェニルを使用するかわりに、塩化
ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合樹脂(商品名工
スレツクM)igを使用する以外はh実施例1と同様に
行い、メモリー性電子写真感光体を得た。実施例1と同
様の評価を行った所、屈曲試験データとして 10φ、
180゜メモリー性感度として 3000 ]、ux−
secであった。
ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合樹脂(商品名工
スレツクM)igを使用する以外はh実施例1と同様に
行い、メモリー性電子写真感光体を得た。実施例1と同
様の評価を行った所、屈曲試験データとして 10φ、
180゜メモリー性感度として 3000 ]、ux−
secであった。
実施例4
実施例3においてビフェニルを使用するかわりに、塩化
ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、シリコン樹脂、キシ
レン樹脂をそれぞれ、■vずつ使用する以外は、実施例
3と同様に行いメモリー性感光体を得た。実施例3と同
様の評価を行った所、塩化ビニル樹脂添加の場合 屈曲試験データ、メモリー性感度がそれぞれ10φ、
180ミ 28001ux−sec塩化ビニリデン樹脂
添加の場合・ 10φ、 180’s 29 Q Q 1ux−se
cシリコン樹脂添加の場合1 10φ、 90、31001ux″secキシレン樹
脂添加の場合、 10φ、 120.35001uX−secであった。
ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、シリコン樹脂、キシ
レン樹脂をそれぞれ、■vずつ使用する以外は、実施例
3と同様に行いメモリー性感光体を得た。実施例3と同
様の評価を行った所、塩化ビニル樹脂添加の場合 屈曲試験データ、メモリー性感度がそれぞれ10φ、
180ミ 28001ux−sec塩化ビニリデン樹脂
添加の場合・ 10φ、 180’s 29 Q Q 1ux−se
cシリコン樹脂添加の場合1 10φ、 90、31001ux″secキシレン樹
脂添加の場合、 10φ、 120.35001uX−secであった。
比較例2
実施例3において1塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン
酸共重合樹脂を使用するかわりに、ポリカーボネート、
ケトン樹脂、ポリビニルブチラール105′をそれぞれ
使用する以外は、実施例3と同様に行いメモリー性電子
写真感光体を得た。実施例3と同様の評価を行った所、 屈曲試験データ、メモリー性感度はそれぞれ、ポリカー
ボネート添加の場合、 10φ、 80°、30,0001ux−secケト
ン樹脂添加の場合、 10φ、 100、 35,0001uX−8eCホ
6リビニルプチラール 8φ、 120.40,0001ux−secであり、
メモリー性感度が大巾に低下する。
酸共重合樹脂を使用するかわりに、ポリカーボネート、
ケトン樹脂、ポリビニルブチラール105′をそれぞれ
使用する以外は、実施例3と同様に行いメモリー性電子
写真感光体を得た。実施例3と同様の評価を行った所、 屈曲試験データ、メモリー性感度はそれぞれ、ポリカー
ボネート添加の場合、 10φ、 80°、30,0001ux−secケト
ン樹脂添加の場合、 10φ、 100、 35,0001uX−8eCホ
6リビニルプチラール 8φ、 120.40,0001ux−secであり、
メモリー性感度が大巾に低下する。
実施例5
実施例1において可塑剤として使用するビフェニルを0
.5yに変更し、更に、塩化ビニル樹脂又Gt m 化
ビニルー酢酸ビニルーマレイン酸共重合樹脂を052、
それぞれ追加して使用する以外は実施例1と同様に行い
、メモリー性電子写真感光体を得た。実施例1と同様の
評価を行った所、屈曲試験データ、メモリー性感度はそ
れぞれ、ビフェニル、塩化ビニル樹脂添加の場合、8φ
、 90、 31001ux−secビフェニル、塩
化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合樹脂の場合 8φ、 13〇二 3000 ]、ux−seeであ
った0実施例6 表面を全く荒らしていない鏡面のアルミニウムシート(
厚さ100μm)上に、α−メタルフリー7タoシアニ
ン22及び結着樹脂として塩化ビニル−酢酸ビニル−マ
レイン酸共重合樹脂(商品名工スレツクM)2yを10
0+のクロロポルム溶媒に溶解分数させ1さらに超音波
により均一に分散させた後、アプリケーターにより、1
〜2μm厚のα−メタルフリーフタロシアニン層を設け
た。
.5yに変更し、更に、塩化ビニル樹脂又Gt m 化
ビニルー酢酸ビニルーマレイン酸共重合樹脂を052、
それぞれ追加して使用する以外は実施例1と同様に行い
、メモリー性電子写真感光体を得た。実施例1と同様の
評価を行った所、屈曲試験データ、メモリー性感度はそ
れぞれ、ビフェニル、塩化ビニル樹脂添加の場合、8φ
、 90、 31001ux−secビフェニル、塩
化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合樹脂の場合 8φ、 13〇二 3000 ]、ux−seeであ
った0実施例6 表面を全く荒らしていない鏡面のアルミニウムシート(
厚さ100μm)上に、α−メタルフリー7タoシアニ
ン22及び結着樹脂として塩化ビニル−酢酸ビニル−マ
レイン酸共重合樹脂(商品名工スレツクM)2yを10
0+のクロロポルム溶媒に溶解分数させ1さらに超音波
により均一に分散させた後、アプリケーターにより、1
〜2μm厚のα−メタルフリーフタロシアニン層を設け
た。
暗所において5時間自然乾燥させその後150℃、20
分乾燥器語中熱処理をした。次に、ポリビニルカルバゾ
ール102、ジクロル酢酸9oomt、を100m1の
テトラヒドロフラン(THF)に溶解して得た混合溶液
を、スリン)、111200μmのアプリケーターで1
上記α−メタルフリーフタロシアニン層上に塗布し、−
昼夜暗所において自然乾燥させ、厚さ15μmのポリビ
ニルカルバゾール層を形成した。このようにして得られ
た感光体を150℃、1時間、乾燥語中で熱エージング
な行い、メモリー性電子写真感光体を得た。又、フタロ
シアニン層を形成する際に、結着樹脂を使用しない事以
外は」;記と同様に行い、結着樹脂を使用しないメモリ
ー性感光体を得た。
分乾燥器語中熱処理をした。次に、ポリビニルカルバゾ
ール102、ジクロル酢酸9oomt、を100m1の
テトラヒドロフラン(THF)に溶解して得た混合溶液
を、スリン)、111200μmのアプリケーターで1
上記α−メタルフリーフタロシアニン層上に塗布し、−
昼夜暗所において自然乾燥させ、厚さ15μmのポリビ
ニルカルバゾール層を形成した。このようにして得られ
た感光体を150℃、1時間、乾燥語中で熱エージング
な行い、メモリー性電子写真感光体を得た。又、フタロ
シアニン層を形成する際に、結着樹脂を使用しない事以
外は」;記と同様に行い、結着樹脂を使用しないメモリ
ー性感光体を得た。
又、フタロシアニン層を形成する際に、結着樹脂を使用
しない事、及び鏡面のアルミニウムシートのかわりに、
800番のサンドペーパーを使用する事、以外は上記と
同様に行い、荒面アルミ上に作成した結着樹脂を使用し
ないメモリー性感光体を得た。
しない事、及び鏡面のアルミニウムシートのかわりに、
800番のサンドペーパーを使用する事、以外は上記と
同様に行い、荒面アルミ上に作成した結着樹脂を使用し
ないメモリー性感光体を得た。
塗膜屈曲試験機によりクラックの入る角度、屈曲試験用
の棒の直径を測定した所鏡面のアルミシート上に作成し
た結着樹脂を使用した感光体は10φ、60°でクラン
クが入った。又、鏡面のアルミシート上に作成した結着
樹脂を使用しない感光体は、成膜乾燥後の状態で支持体
から、ハガしてしまった。又、表面を荒したアルミシー
ト上に作成した結着樹脂を使用しない感光体は10φ・
70゜でクラックが入った。
の棒の直径を測定した所鏡面のアルミシート上に作成し
た結着樹脂を使用した感光体は10φ、60°でクラン
クが入った。又、鏡面のアルミシート上に作成した結着
樹脂を使用しない感光体は、成膜乾燥後の状態で支持体
から、ハガしてしまった。又、表面を荒したアルミシー
ト上に作成した結着樹脂を使用しない感光体は10φ・
70゜でクラックが入った。
鏡面のアルミシート上に作成した結着樹脂を使シート上
に作成した、結着樹脂を使用しない感光体は、ハガレの
ため測定は不能であった。又、表面を荒らしたアルミシ
ート上に作成した結着樹脂を使用しない感光体は% 3
0001ux−seaであり1本実施例の結着樹脂の添
加によるメモリー性感度の劣化はない。
に作成した、結着樹脂を使用しない感光体は、ハガレの
ため測定は不能であった。又、表面を荒らしたアルミシ
ート上に作成した結着樹脂を使用しない感光体は% 3
0001ux−seaであり1本実施例の結着樹脂の添
加によるメモリー性感度の劣化はない。
実施例7
実施例6において、ジクロル酢酸のかわりにジニトロ安
息香酸な900 m!使用する以外は実施例6と同様に
行いメモリー性感光体を得た。
息香酸な900 m!使用する以外は実施例6と同様に
行いメモリー性感光体を得た。
実施例6と同様の評価を行った所、
屈曲試験データ、及びメモリー性感度は10φ、 6
0’z 3001ux−socであった。
0’z 3001ux−socであった。
実施例8
実施例6において結着樹脂として、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル−マレイン酸共重合樹脂を使用するかわりに、ポリ
ビニルピロリドン ルブチラール22をそれぞれ別々に使用する事以外は、
実施例6と同様に行い、それぞれメモリー性感光体を得
た。実施例6と同様の評価を行った所、屈曲試験データ
、及びメモリー性感度は、ポリビニルピロリドン使用の
場合ハ、 IOφ、 6 0’, 3 3 0 0 1ux−
secポリビニルブチラール使用の場合は) 10φ、 70、 3 3 0 0 1ux−sec
であった。
ニル−マレイン酸共重合樹脂を使用するかわりに、ポリ
ビニルピロリドン ルブチラール22をそれぞれ別々に使用する事以外は、
実施例6と同様に行い、それぞれメモリー性感光体を得
た。実施例6と同様の評価を行った所、屈曲試験データ
、及びメモリー性感度は、ポリビニルピロリドン使用の
場合ハ、 IOφ、 6 0’, 3 3 0 0 1ux−
secポリビニルブチラール使用の場合は) 10φ、 70、 3 3 0 0 1ux−sec
であった。
比較例3
実施例6において、結着樹脂として、ポリメタクリル酸
ブチル、ポリアミド、ボり酢酸ビニル、をそれぞれ2y
使用する以外は、実施例6と同様に行い、メモリー性感
光体を得た。
ブチル、ポリアミド、ボり酢酸ビニル、をそれぞれ2y
使用する以外は、実施例6と同様に行い、メモリー性感
光体を得た。
屈曲試験データ、メモリー性感度はそれぞれ、ポリメタ
クリル酸ブチル使用の場合は、10φ、 60、 1
1 0 0 0 1ux−secポリアミド使用の場
合は、 10φ、 70、90001uX−seC水°す酢酸ビ
ニル使用の場合は、 10φ、 70、 1 1 0 0 0 1ux−s
ecであった。
クリル酸ブチル使用の場合は、10φ、 60、 1
1 0 0 0 1ux−secポリアミド使用の場
合は、 10φ、 70、90001uX−seC水°す酢酸ビ
ニル使用の場合は、 10φ、 70、 1 1 0 0 0 1ux−s
ecであった。
実施例9
1[i例6において、ボリビ、ニルカルバゾール層に、
新たに、可塑剤として、ビフェニル052及び、添加樹
脂として、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合
樹脂を0.52追加して使用する以外は実施例6と同様
に行い、メモリー性感光体を得た。実施例6と同様の評
価を行った所、屈曲試験データ、メモリー性感度はそれ
ぞれ、8φ、 180°、 31001u、x−se
c であった。
新たに、可塑剤として、ビフェニル052及び、添加樹
脂として、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合
樹脂を0.52追加して使用する以外は実施例6と同様
に行い、メモリー性感光体を得た。実施例6と同様の評
価を行った所、屈曲試験データ、メモリー性感度はそれ
ぞれ、8φ、 180°、 31001u、x−se
c であった。
ポリビニルカルバゾール層の組成は上記と同じで、フタ
ロシアニン層に結着樹脂を使用しない場合は、 1oφ、 12o0 3ooo1uX・secであツタ
。
ロシアニン層に結着樹脂を使用しない場合は、 1oφ、 12o0 3ooo1uX・secであツタ
。
実施例10
各実施例によって得られた、メモリー性電子写真感光体
を、150℃、5秒間熱処理を行った後、光源がハロゲ
ンランプである、画像反射露光装置を使用し、露光量が
メモリー性感度露光鼠の3〜5倍とし、各感光体に対し
最適になるように露光を行った。原稿は電子写真学会の
テストチャートを使用した。露光を終ったメモリー性感
光体を、U−Bix 1500複写機(小西六株式会
社製)改造機に設置し、帯電、現像・転写、定着の操作
をくり返す実機評価を行った。各感光体とも、最大濃度
1.4、白地濃度006、解像度8本に以上の良好な画
質を示し、500枚以上の画質の変化しない複写物を得
た。次いで、上記と同様の熱処理を行うことにより、メ
モリー性潜像を消去し、(lf度新しい画像露光が可能
となり、上記複写プロセスをくり返すことにより、上記
と同数の複写物を得た。又1熱処理によるメモリー性感
光体の再使用回数は100回以上であった。
を、150℃、5秒間熱処理を行った後、光源がハロゲ
ンランプである、画像反射露光装置を使用し、露光量が
メモリー性感度露光鼠の3〜5倍とし、各感光体に対し
最適になるように露光を行った。原稿は電子写真学会の
テストチャートを使用した。露光を終ったメモリー性感
光体を、U−Bix 1500複写機(小西六株式会
社製)改造機に設置し、帯電、現像・転写、定着の操作
をくり返す実機評価を行った。各感光体とも、最大濃度
1.4、白地濃度006、解像度8本に以上の良好な画
質を示し、500枚以上の画質の変化しない複写物を得
た。次いで、上記と同様の熱処理を行うことにより、メ
モリー性潜像を消去し、(lf度新しい画像露光が可能
となり、上記複写プロセスをくり返すことにより、上記
と同数の複写物を得た。又1熱処理によるメモリー性感
光体の再使用回数は100回以上であった。
出願人 旭 ダ ウ 株 式 会社
Claims (3)
- (1)導電性支持体と、前記導電性支持体上に設けたフ
タロシアニン層と、更にフタロシアニン層の上に設けた
脂肪族ハロゲン化炭化水素、ハロゲン化アシル化合物、
ハロゲン化ケト化合物、水素供与性化合物の少なくとも
1種を含むポリビニルカルバゾール層とからなり、かつ
、フタロシアニン層が7タロシアニン100重量部に対
し、結着樹脂として5重量部から200重量部の範囲で
、ホ。 リビニルブチラール、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイ
ン酸共重合樹脂、ポリビニルピロリドンの群から選ばれ
る少なくとも1種を含有することを特徴とするメモリー
性多層感光体。 - (2)導電性支持体と、前記導電性支持体上に設けたフ
タロシアニン層と、更にフタロシアニン層の」−に設け
た脂肪族ハロゲン化炭化水素、ハロゲン化アシル化合物
)ハロゲン化ケト化合物1水素供与性化合物の少なくと
も1種を含み、更に百■塑剤(塩素化n−パラフィン、
β−メチルナフタレン、ビフェニルの群から選ばれる少
なくとも1種)又は/及び樹脂(塩化ビニル樹脂、塩化
ビニIJテン樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン
酸共重合樹脂、シリコン樹脂、キシレン樹脂の群から選
ばれる少なくとも1種)を含有するポリビニルカルバゾ
ール層とからなることを特徴とするメモリー性多層感光
体。 - (3)導電性支持体と、前記導電性支持体上に設けたフ
タロシアニン層と、更にフタロシアニン層の上に設けた
脂肪族ハロゲン化炭化水素、ハロゲン化アシル化合物、
ハロゲン化ケト化合物、水素供与性化合物の少なくとも
1種を含み、更に可塑剤(塩素化n ” ロ”” ン、
β−メチルナフタレン1ビフエニルの群から選ばれる少
なくとも1種)又は/及び樹脂(塩化ビニル樹脂、塩化
ビニリチン樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸
共重合樹脂、シリコン樹脂、キシレン樹脂の群から選ば
れる少なくとも1種)を含有するポリビニルカルバゾー
ル がフタロシアニン100重量部に対し、結着樹脂として
5重量部から200重量部の範囲で、ポリビニルブチラ
ール、塩化ビニル−酢酸1ニル−マレイン酸共重合樹脂
、ゲリビニルビロリドンの群から選ばれる少なくとも1
種を含有することを特徴とするメモリー性多層感光体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16960182A JPS5960441A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | メモリ−性多層感光体 |
| CA000417007A CA1176905A (en) | 1981-12-07 | 1982-12-03 | Persistent photoconductive element comprising pigment layer and polyvinyl carbazole layer |
| US06/446,668 US4444860A (en) | 1981-07-12 | 1982-12-03 | Layered persistent photoconductive element comprises pigment layer and polymer layer containing polyvinyl carbazole |
| AU91314/82A AU550214B2 (en) | 1981-12-07 | 1982-12-06 | Persistent photoconductive element |
| DE8282306471T DE3269730D1 (en) | 1981-12-07 | 1982-12-06 | A persistent photoconductive element |
| EP82306471A EP0081363B1 (en) | 1981-12-07 | 1982-12-06 | A persistent photoconductive element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16960182A JPS5960441A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | メモリ−性多層感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960441A true JPS5960441A (ja) | 1984-04-06 |
Family
ID=15889512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16960182A Pending JPS5960441A (ja) | 1981-07-12 | 1982-09-30 | メモリ−性多層感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5960441A (ja) |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP16960182A patent/JPS5960441A/ja active Pending
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