JPS5961077A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
- Publication number
- JPS5961077A JPS5961077A JP57170770A JP17077082A JPS5961077A JP S5961077 A JPS5961077 A JP S5961077A JP 57170770 A JP57170770 A JP 57170770A JP 17077082 A JP17077082 A JP 17077082A JP S5961077 A JPS5961077 A JP S5961077A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- solar cell
- silicon solar
- layer
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
- H10F19/35—Structures for the connecting of adjacent photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、柔軟性を右するアモルファスシリコン太陽電
池に関する。
池に関する。
アモルファスシリコン太陽電池とは、フ号トンのエネル
ギーによりアモルファスシリコン（以下ｆ’ａ−８ｉＪ
と略す＞ 静ｙｉｔｉｍ内部に生成した電子、正孔対を
、ａ−３ｉ薄膜層の電界で加速して、外部回路を流れる
電流として取り出づ光電変ＩＬｊ！素子Ｃ゛ある。通常
かかるａ−３！太陽電池は、出力霜月−を６°ｈめるＩ
こめ、段数個直列に接続して使用されく） 。
ギーによりアモルファスシリコン（以下ｆ’ａ−８ｉＪ
と略す＞ 静ｙｉｔｉｍ内部に生成した電子、正孔対を
、ａ−３ｉ薄膜層の電界で加速して、外部回路を流れる
電流として取り出づ光電変ＩＬｊ！素子Ｃ゛ある。通常
かかるａ−３！太陽電池は、出力霜月−を６°ｈめるＩ
こめ、段数個直列に接続して使用されく） 。
ａ−８ｉ太陽電池は、低コスト、かつ大面積化が容易で
あるという利点を右づる。このため近年積極的に開Ｒｌ
＋Ｉｌ究が推進されＣいる。
あるという利点を右づる。このため近年積極的に開Ｒｌ
＋Ｉｌ究が推進されＣいる。
本発明１．Ｌ、かかるａ−８ｉ太陽電池に柔軟性をもた
け１自動車等の曲面をイｊ”ｌる物品に貼り付【ノて使
用ぐきるＪ：うにしたものである。
け１自動車等の曲面をイｊ”ｌる物品に貼り付【ノて使
用ぐきるＪ：うにしたものである。
従来、柔軟性を右ザるａ−８ｉ太陽電池どして（よ、耐
熱牲右１幾）ｒシム上にａ−３ｉ薄膜層を堆積さけたも
のが知られている。
熱牲右１幾）ｒシム上にａ−３ｉ薄膜層を堆積さけたも
のが知られている。
しかし、耐熱性有機フィルムを用いた従来のａ−３ｉ太
陽電池番よ、製造上以下の如き欠点を有する。
陽電池番よ、製造上以下の如き欠点を有する。
第１に耐熱性イｊｂ１フィルムと、ａ−８ｉとの熱膨張
率の差が大きいため、加熱した該耐熱性有機フィルム上
にグロー放電分解法によってａ −３ｉ薄膜層を堆積ざ
Ｕる際、剥離、クラック等が発生し易かった。
率の差が大きいため、加熱した該耐熱性有機フィルム上
にグロー放電分解法によってａ −３ｉ薄膜層を堆積ざ
Ｕる際、剥離、クラック等が発生し易かった。
第２にａ −３ｉ 薄膜を、加熱した耐熱性右Ｕ３１フ
ィルム上にグロー放電分解法によって堆積させる際、該
耐熱性有様フィルムからガスが光牛し、このためａ −
Ｓ ｉ Ｒ９ＦＪｆｆｆｆの物性特性が態化した。
ィルム上にグロー放電分解法によって堆積させる際、該
耐熱性有様フィルムからガスが光牛し、このためａ −
Ｓ ｉ Ｒ９ＦＪｆｆｆｆの物性特性が態化した。
本発明は、従来の柔軟性をイｊｖるａ３ｉ太陽電池のか
かる欠点を克服づることを目的どしで案出されたものｅ
ある。
かる欠点を克服づることを目的どしで案出されたものｅ
ある。
即ち、本発明のａ−８ｉ太陽電池は、金属箔と、該金属
箔の一面に一体的に形成された絶縁層と、該絶縁層上に
形成された少むくとも１つのａ −３１太陽電池素子と
から構成される。
箔の一面に一体的に形成された絶縁層と、該絶縁層上に
形成された少むくとも１つのａ −３１太陽電池素子と
から構成される。
金属箔はａ−３ｉ太陽電池素子を成長させる幕板として
の機能を有づる。金属箔としては、ステンレス箔、アル
ミニウム箭、鉄箔等を用いるどよい。なお、金ＦＳ箔の
厚さは、ａ−３ｉ太陽電池の柔軟性を増すためには博い
方が良＜１０μ−〜２５０μｍ程度がよい。
の機能を有づる。金属箔としては、ステンレス箔、アル
ミニウム箭、鉄箔等を用いるどよい。なお、金ＦＳ箔の
厚さは、ａ−３ｉ太陽電池の柔軟性を増すためには博い
方が良＜１０μ−〜２５０μｍ程度がよい。
絶縁層は、複数のａ−３ｉ太陽電池素子の下部電極が、
前記金属箔によって短絡することを紡Ｉ卜する機能ど、
前記金属箔中の不純物であるす１〜リウム、カリウ１１
、カルシウム等がａ−３ｉ太陽電池素ｊ′中へ浸透りる
ことを防止づる機１１シとをイｊづる。絶縁層としては
、アモルファス窒化珪素、アモルファス酸化珪素、アモ
ルファス炭化珪素、アモルフノ・スシリコン等を用いる
ことができる。なＪ３、絶縁層は、前記金属箔上に、グ
ロー放電分解法にＪ、ってＪｒｔ梢させることができる
。
前記金属箔によって短絡することを紡Ｉ卜する機能ど、
前記金属箔中の不純物であるす１〜リウム、カリウ１１
、カルシウム等がａ−３ｉ太陽電池素ｊ′中へ浸透りる
ことを防止づる機１１シとをイｊづる。絶縁層としては
、アモルファス窒化珪素、アモルファス酸化珪素、アモ
ルファス炭化珪素、アモルフノ・スシリコン等を用いる
ことができる。なＪ３、絶縁層は、前記金属箔上に、グ
ロー放電分解法にＪ、ってＪｒｔ梢させることができる
。
ａ−３ｉ太陽電池素子は、光起電力発生素子としての機
能を右づる。これは、電界領域を有するａ−３ｉ薄膜を
、下部電極と上部電極とでザンドイッヂ状にはさんだＩ
Ｍ Ｔｉをなす。下部型（セは、前記絶縁層上に、アル
ミニウム、ニッケルクロム、モリブデン、白金、パラジ
ウム、銀等を電子ビームあるい【、１スパツタリング等
によってｆ４ Ｗして形成づる。ａ ３ｉ薄模は、前
記下部電極上に、グロー放電分解法によって成長させる
。なお、ａ−８ｉ薄膜の電界領域は、ｎ層、ｉ層、ｐ層
の接合によって形成してもよく、あるいはショットキー
型として形成してもよい。要は、電子、正孔を加速して
分離し得る電界領域がａ−３ｉ薄膜層内に形成されれば
Ｊ：い。上部電極は、受光面側となるため、光透過性を
有しなければならない。上部電極としては、インジウム
酸化物と二酸化錫との混合物である［ＴＯ股、あるい（
よ、二酸化錫膜等の透明導電膜を用いることができる。
能を右づる。これは、電界領域を有するａ−３ｉ薄膜を
、下部電極と上部電極とでザンドイッヂ状にはさんだＩ
Ｍ Ｔｉをなす。下部型（セは、前記絶縁層上に、アル
ミニウム、ニッケルクロム、モリブデン、白金、パラジ
ウム、銀等を電子ビームあるい【、１スパツタリング等
によってｆ４ Ｗして形成づる。ａ ３ｉ薄模は、前
記下部電極上に、グロー放電分解法によって成長させる
。なお、ａ−８ｉ薄膜の電界領域は、ｎ層、ｉ層、ｐ層
の接合によって形成してもよく、あるいはショットキー
型として形成してもよい。要は、電子、正孔を加速して
分離し得る電界領域がａ−３ｉ薄膜層内に形成されれば
Ｊ：い。上部電極は、受光面側となるため、光透過性を
有しなければならない。上部電極としては、インジウム
酸化物と二酸化錫との混合物である［ＴＯ股、あるい（
よ、二酸化錫膜等の透明導電膜を用いることができる。
これら）１明導電膜は、ａ−３ｉ薄ｌり上に電子ビーム
あるい【よスパッタリング等によって蒸着して形成覆る
。なａ３透明ＭＩ電膜は、ａ −３ｉ ｉｉ９膜層側か
ら順に比較的薄い二酸化ｔ１３膜、比較的厚いＩ−ｒ
ｏ Ｉｌｂ；の二Ｆ７栴造としてもよい。なんとなれば
、二酸化錫はａ−３１簿膜を比較的劣化さけにりく、一
方、＋ ｌ’ Ｏは二酸化錫よりも低抵抗だからである
。したがって、透明導電膜を低抵抗とし、かつａ−３ｔ
Ｒ？紛を良質なものと−４るためには、前記二層椙造ど
づるのがよい。
あるい【よスパッタリング等によって蒸着して形成覆る
。なａ３透明ＭＩ電膜は、ａ −３ｉ ｉｉ９膜層側か
ら順に比較的薄い二酸化ｔ１３膜、比較的厚いＩ−ｒ
ｏ Ｉｌｂ；の二Ｆ７栴造としてもよい。なんとなれば
、二酸化錫はａ−３１簿膜を比較的劣化さけにりく、一
方、＋ ｌ’ Ｏは二酸化錫よりも低抵抗だからである
。したがって、透明導電膜を低抵抗とし、かつａ−３ｔ
Ｒ？紛を良質なものと−４るためには、前記二層椙造ど
づるのがよい。
かかるａ−３ｉ太陽電池累子は、出力電圧を増すために
通常複数個を同−基板上に作成して直列に接続する。た
とえば第１図に承りように、受光面側からｐ層、１ｌｐ
７．ｎ層が積層された、いわゆる順タイプａ−３ｉ太陽
電池素子を同−金属箔上に多数作成して、隣接Ｊる太陽
電池素子の上部電極と下部電極とをリード線によ−）で
接続してもよい。あるいは第２図に示りＪ、うに、順タ
イプａ−５ｉ太陽電池素子と、受光面側から０層、ｉ層
。
通常複数個を同−基板上に作成して直列に接続する。た
とえば第１図に承りように、受光面側からｐ層、１ｌｐ
７．ｎ層が積層された、いわゆる順タイプａ−３ｉ太陽
電池素子を同−金属箔上に多数作成して、隣接Ｊる太陽
電池素子の上部電極と下部電極とをリード線によ−）で
接続してもよい。あるいは第２図に示りＪ、うに、順タ
イプａ−５ｉ太陽電池素子と、受光面側から０層、ｉ層
。
ＩＩ ｈ’７の順に偵に’ｉされｌコいわゆる逆タイプ
ａ −３ｉ太陽電池素子とを相Ｎに隣接して配置し、上
部電極どうし、下部電極どうしをぞれぞれ１つおきにづ
゛らして接続しくもＪ、い。
ａ −３ｉ太陽電池素子とを相Ｎに隣接して配置し、上
部電極どうし、下部電極どうしをぞれぞれ１つおきにづ
゛らして接続しくもＪ、い。
かかる構成の木梵明のａ−３ｉ太陽電池は、基板どしＣ
全１＋ｌＳ箔を用いているため柔軟である。したがって
自動中等の曲面を何する物品に貼り（＝Ｊ ｆＪて使用
ｒニーきるためｈ用である。金属箔及び絶縁層の熱膨張
率と、ａ−３１薄股の熱膨張率の差は小さいため、基板
として耐熱性有償フィルムを用いたａ−３ａ人陽電池の
ような、製造時における刺部、クラックの発生といった
問題も生じない。また、金属箔から１よ、耐熱↑り有機
フィルムのようなガスも発生しないため、ａ−３ａ薄膜
層の物性特性も悪化しづ゛、したがって太陽電池として
の効率し良い。
全１＋ｌＳ箔を用いているため柔軟である。したがって
自動中等の曲面を何する物品に貼り（＝Ｊ ｆＪて使用
ｒニーきるためｈ用である。金属箔及び絶縁層の熱膨張
率と、ａ−３１薄股の熱膨張率の差は小さいため、基板
として耐熱性有償フィルムを用いたａ−３ａ人陽電池の
ような、製造時における刺部、クラックの発生といった
問題も生じない。また、金属箔から１よ、耐熱↑り有機
フィルムのようなガスも発生しないため、ａ−３ａ薄膜
層の物性特性も悪化しづ゛、したがって太陽電池として
の効率し良い。
なお、類タイプと逆タイプのａ−３ｉ太陽電池素子を相
互に隣接して配置した場合は、電極を接続づるリード線
の蒸着は容易であり、かつ有効受光面ｆ１’ｔが１１１
１−０また、任意の出力電圧を取り出づこともできる。
互に隣接して配置した場合は、電極を接続づるリード線
の蒸着は容易であり、かつ有効受光面ｆ１’ｔが１１１
１−０また、任意の出力電圧を取り出づこともできる。
以下、本発明の詳細な説明りる。
第１図は以下の実施例で作成したａ−３ｉ太陽電？ｌ！
！ ９の断面模式図であり、第４図はａ−３ｉ太陽電池
９の平面図であり、第５図（Δ）は第４図に＋３ける△
−Ａ′断面図、第５図（１３）はＢ−１３′ｐｉ面図、
第５図（Ｃ）はＣｒ−Ｃ−１ｔｌｉ面図であり、第３図
は、該ａ−３ｉ太陽電池９を自動中に狭看した状態を表
わす図である。
！ ９の断面模式図であり、第４図はａ−３ｉ太陽電池
９の平面図であり、第５図（Δ）は第４図に＋３ける△
−Ａ′断面図、第５図（１３）はＢ−１３′ｐｉ面図、
第５図（Ｃ）はＣｒ−Ｃ−１ｔｌｉ面図であり、第３図
は、該ａ−３ｉ太陽電池９を自動中に狭看した状態を表
わす図である。
第１実施例
以下の手順によって第１図、第４図、第５図に承りよう
なａ−３ｉ太陽電池９を作成した。
なａ−３ｉ太陽電池９を作成した。
（１）金属箔１として厚さ５０〜ε３０μｍ１而積が１
０ｃｍｘ １０ｃｍ角であるステンレス前を用意し、超
音波洗浄、電界研磨、再度の超音波洗浄を施した侵、１
３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いグｌ」−放電分解法
にＪ、って、該ステンレス箔上に絶れ層２どじて抵抗率
１０１０〜１０１３ΩＣ…のア−１： ／Ｌ／ −７７
’ ス窒化１．［克を０．０５〜０．２μｍ １（４ｆ
ｉ’ｔさぜた。ガスとしてはシラン（３１１−１ａ）、
及びシランし二／’（Ｎｌ＋３）ま１．、：は窒素（Ｎ
ｔ）を用い、真空［０、５〜１１−ｏｒｒ 、ａ’％周
波電力密度１−８０ ｍｗ／ ｃｍ２ 、ステンレス前
のｍＵ２７０〜３００℃の条ｆ；とした。
０ｃｍｘ １０ｃｍ角であるステンレス前を用意し、超
音波洗浄、電界研磨、再度の超音波洗浄を施した侵、１
３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いグｌ」−放電分解法
にＪ、って、該ステンレス箔上に絶れ層２どじて抵抗率
１０１０〜１０１３ΩＣ…のア−１： ／Ｌ／ −７７
’ ス窒化１．［克を０．０５〜０．２μｍ １（４ｆ
ｉ’ｔさぜた。ガスとしてはシラン（３１１−１ａ）、
及びシランし二／’（Ｎｌ＋３）ま１．、：は窒素（Ｎ
ｔ）を用い、真空［０、５〜１１−ｏｒｒ 、ａ’％周
波電力密度１−８０ ｍｗ／ ｃｍ２ 、ステンレス前
のｍＵ２７０〜３００℃の条ｆ；とした。
（２）前記アモルフＰス窒化珪素上にマスクを施し、電
子ビーム熱着法ににつで下部電極３１としてニッケルク
ロ１＼合金を朋さ５００〜２５００人魚ｉｕ／こ。前記
マスクの形状は、１．６ＣＩｌｌＸ４゜９ｃｍ角の電極
が１２個、前記ステンレス泊上に形成されるにうに多形
状である。
子ビーム熱着法ににつで下部電極３１としてニッケルク
ロ１＼合金を朋さ５００〜２５００人魚ｉｕ／こ。前記
マスクの形状は、１．６ＣＩｌｌＸ４゜９ｃｍ角の電極
が１２個、前記ステンレス泊上に形成されるにうに多形
状である。
（３）（２）と別のマスクを用い、グ［１−放電分解法
にＪ、っＩ前記下部電極３１上にｎ型ａ−３＋ ｓｐ膜
３２１ を３００〜５００Ａ成長さけた。ガスとしては
、シラン（ＳｉＨ４）：ホスフイン１）ｌ−１ａ＞：ア
ルゴン（Ａｒ ）〜１０：０．０１〜０．３：９０の混
合ガスを用い、真空度０． １〜１１ｏｒｒ、高周波電
力密度１〜８０ ｒｒｎｖ／ ｃｍ２、ステンレス前の
温度２７０−・３００℃の条イ′１どしＩＣ。
にＪ、っＩ前記下部電極３１上にｎ型ａ−３＋ ｓｐ膜
３２１ を３００〜５００Ａ成長さけた。ガスとしては
、シラン（ＳｉＨ４）：ホスフイン１）ｌ−１ａ＞：ア
ルゴン（Ａｒ ）〜１０：０．０１〜０．３：９０の混
合ガスを用い、真空度０． １〜１１ｏｒｒ、高周波電
力密度１〜８０ ｒｒｎｖ／ ｃｍ２、ステンレス前の
温度２７０−・３００℃の条イ′１どしＩＣ。
（４＞ （３＞と同一のマスクを用い、グ＋：＋ −
／Ｊ文電電分解法よってｉ型ａ−３ｉ薄膜３２２を前記
１）型ａ−３ｉ薄股３２１上に０．５〜０．εｓμｍ成
長させた。ガスとしてはシラン（Ｓ！ｌ−１ａ）：アル
ゴン（八ｒ）〜１０：９０の混合ガスを用い、’ｙ％’
１度、高周波電力密度及びステンレス箔の温度は（３〉
と同じとした。
／Ｊ文電電分解法よってｉ型ａ−３ｉ薄膜３２２を前記
１）型ａ−３ｉ薄股３２１上に０．５〜０．εｓμｍ成
長させた。ガスとしてはシラン（Ｓ！ｌ−１ａ）：アル
ゴン（八ｒ）〜１０：９０の混合ガスを用い、’ｙ％’
１度、高周波電力密度及びステンレス箔の温度は（３〉
と同じとした。
（５）＜３）と同一のマスクを用い、グロー放電分解法
によって、１）型ａ−３ｉ ｉｔ’？ｌｋ！３２３ヲｎ
ｉＪ記ｉ３すａ −３ｉ 薄膜３２２上に１００〜３０
０人成長さＵた。ガスとしてはシラン（Ｓｉ １１４
） ニジボラン（Ｂｚｌ−（ｅ）：メタン（Ｃｌ１４）
：アルゴン（Ａｒ ）〜１０：０．０１〜０．３：２〜
４：８６〜８８の混合ガスを用いた。真￥度、高周波電
力＋７度及びステンレス前のｆＲｆｔ３ｊは（３〉ど同
じとした。
によって、１）型ａ−３ｉ ｉｔ’？ｌｋ！３２３ヲｎ
ｉＪ記ｉ３すａ −３ｉ 薄膜３２２上に１００〜３０
０人成長さＵた。ガスとしてはシラン（Ｓｉ １１４
） ニジボラン（Ｂｚｌ−（ｅ）：メタン（Ｃｌ１４）
：アルゴン（Ａｒ ）〜１０：０．０１〜０．３：２〜
４：８６〜８８の混合ガスを用いた。真￥度、高周波電
力＋７度及びステンレス前のｆＲｆｔ３ｊは（３〉ど同
じとした。
（６）（２）、（３）とは別のマスクを用い、スパッタ
リング法にＪ、っ゛Ｃ１前記ｐ型ａ−３７薄膜３２３上
に、上部電極３３及びリード線４として透明Ｖ）電膜（
あるＩ ｌ’ ０ （イジウム酸化物と二酸化錫の混合
物）を１０００〜３０００ 人ｔａ積させた。
リング法にＪ、っ゛Ｃ１前記ｐ型ａ−３７薄膜３２３上
に、上部電極３３及びリード線４として透明Ｖ）電膜（
あるＩ ｌ’ ０ （イジウム酸化物と二酸化錫の混合
物）を１０００〜３０００ 人ｔａ積させた。
（７）前記リード線４上に、有１災フィル云製の保訛Ｉ
Ｉ！、！５を形成した。
Ｉ！、！５を形成した。
以上のよ・）にして、１２貼）の類タイプａ Ｓ １
人ｌ！１１電池崇子ζ３を同一のステンレス箔上に形成
して相Ｕに直列接続したａ−３７太陽電池９をｆ７′：
成した。
人ｌ！１１電池崇子ζ３を同一のステンレス箔上に形成
して相Ｕに直列接続したａ−３７太陽電池９をｆ７′：
成した。
本第１実施例のａ−３７太円電池９は、ΔＭ１照ＩＪ下
で開放電圧１０．５Ｖ、短絡充電流密度１３．５ｍＡ／
ｃｍｚ、トＦ０．５５、変挽交率６゜／′１６％であっ
た。また、出力特性は第６図のようであった。
で開放電圧１０．５Ｖ、短絡充電流密度１３．５ｍＡ／
ｃｍｚ、トＦ０．５５、変挽交率６゜／′１６％であっ
た。また、出力特性は第６図のようであった。
第２実施例
以下の手順で１２個の順タイプａ−３ｉ太陽７Ｇ池素了
３を同一のステンレス箔基板上に形成して、（］１ｕに
直タＩノ接続したａ−Ｂ＋太陽電池９を作成した。
３を同一のステンレス箔基板上に形成して、（］１ｕに
直タＩノ接続したａ−Ｂ＋太陽電池９を作成した。
（１）金属箔１として第１実施例ど同じステンレス箔を
用い、該ステンレス箔を第１実施例と同様にして洗浄し
た後、該ステンレス箔上に、グ［１−Ｍ？ｔ！分解法に
よって、絶縁層２どしてアモルファス酸化■１素を０．
０５〜０．２μｍ Ｈｔ槓さｌ！ Ａ：。
用い、該ステンレス箔を第１実施例と同様にして洗浄し
た後、該ステンレス箔上に、グ［１−Ｍ？ｔ！分解法に
よって、絶縁層２どしてアモルファス酸化■１素を０．
０５〜０．２μｍ Ｈｔ槓さｌ！ Ａ：。
ガスとしてはシラン（Ｓｉ ｌｌａ ） 、酸化窒素（
Ｎ２０）を用い、真空度、高周波電力密度及びステンレ
ス箔の滌亀は第１実施例と同じとした。
Ｎ２０）を用い、真空度、高周波電力密度及びステンレ
ス箔の滌亀は第１実施例と同じとした。
（２）前記アモルファス酸化Ｉ！素土に第１実施例と同
じマスクを施し、スパッタリング法によって、下部型Ｉ
に３１としてアルミニウムを１０００〜２０００ Ａ
Ｉｆｆ積させた。
じマスクを施し、スパッタリング法によって、下部型Ｉ
に３１としてアルミニウムを１０００〜２０００ Ａ
Ｉｆｆ積させた。
（３）（２）と別のマスクを用い、グロー放電分解法に
よ−〕で第１実施例と同様にしてｎ型ａ −３１薄膜３
２１を３００〜５００△成Ｉ（さけ、ついでｉ型ａ−８
ｉＲ９躾３２２を０．５〜０．８μｎ成長さけた。
よ−〕で第１実施例と同様にしてｎ型ａ −３１薄膜３
２１を３００〜５００△成Ｉ（さけ、ついでｉ型ａ−８
ｉＲ９躾３２２を０．５〜０．８μｎ成長さけた。
（４）（３）と同じマスクを用い、グロー放電分解法に
よって、前記ｉ型ａ−３ｉ薄躾３２２十に１）ヘリｎ
３！ＲＶＩＩシ！ ３２３を１００〜３００△成１（
８せた。ガスどしてはシラン（３ｉＨ４）：ジボ”；ｒ
ン（１：３２ ＬＩ Ｇ ） ：アルゴン（Δｒ）−１
０：０゜０゛１〜０．３：９０の１１，１１合で混合し
たガスを用いた。真空度、高周波電力密度及びステンレ
ス箔の）１．Δ麿は第１実施例と同じとした。
よって、前記ｉ型ａ−３ｉ薄躾３２２十に１）ヘリｎ
３！ＲＶＩＩシ！ ３２３を１００〜３００△成１（
８せた。ガスどしてはシラン（３ｉＨ４）：ジボ”；ｒ
ン（１：３２ ＬＩ Ｇ ） ：アルゴン（Δｒ）−１
０：０゜０゛１〜０．３：９０の１１，１１合で混合し
たガスを用いた。真空度、高周波電力密度及びステンレ
ス箔の）１．Δ麿は第１実施例と同じとした。
（！１）（２）、（３）と別のマスクを用い、スパッタ
リング法にＪ、って前記Ｐ型ａ−３ｉＭＩＩ９３２３上
に上部電極３３及びリード線４として二酸化錫を５００
〜１０００△Ｈｆ積させ、継い′Ｃ′Ｉ ＴＯを５００
□〜・３０００△堆積させた。
リング法にＪ、って前記Ｐ型ａ−３ｉＭＩＩ９３２３上
に上部電極３３及びリード線４として二酸化錫を５００
〜１０００△Ｈｆ積させ、継い′Ｃ′Ｉ ＴＯを５００
□〜・３０００△堆積させた。
（６）前記リード線上に、イ１機フィルム製の保護膜Ｆ
）を形成した。
）を形成した。
以上のＪ、うにして、第２実施例のａ−５ｉ太陽電池を
作成した。
作成した。
本第２実施例のａ−３ｉ太陽電池はΔＭ１照射１； ｒ
：１７ｆｌ放’１３）工１０．２Ｖ、短絡充電流密度１
３゜２１１１ Ａ／Ｃｍ２ 、ＦＦ０．５７、変換効率
６．４０％Ｃあった。また、出力特性は第７図のようで
あつ ｌこ 。
：１７ｆｌ放’１３）工１０．２Ｖ、短絡充電流密度１
３゜２１１１ Ａ／Ｃｍ２ 、ＦＦ０．５７、変換効率
６．４０％Ｃあった。また、出力特性は第７図のようで
あつ ｌこ 。
第３実施例
第３３実施例は、第１実施例と略同じである。第３実施
例が第１実施例と異なる点は、金Ｉｉ′１箔１として厚
さく３０〜１２０μｍの鉄箔を用い、絶縁Ｆ、Ｆ２とし
てアモルファス炭化珪素を用いた点でおる。
例が第１実施例と異なる点は、金Ｉｉ′１箔１として厚
さく３０〜１２０μｍの鉄箔を用い、絶縁Ｆ、Ｆ２とし
てアモルファス炭化珪素を用いた点でおる。
なお該炭化珪素は、グｏ −ｂ’ｉ電分解法によって、
ガスとしではシラン（３ｉｔｌａ）：メタン〈Ｃ１１ａ
） ： フルボン（Δｒ ）＝１０：４〜１０：８０
〜８６の混合ガスを用いて鉄箔上にＨＬ積させた。
ガスとしではシラン（３ｉｔｌａ）：メタン〈Ｃ１１ａ
） ： フルボン（Δｒ ）＝１０：４〜１０：８０
〜８６の混合ガスを用いて鉄箔上にＨＬ積させた。
本第３実施例のａ−８ｉ太陽’ｉＵ池ｔよΔＭ１照Ｇｎ
下Ｃ間放電圧１０．６Ｖ、短絡光電流Ｖ度１３゜４ｍＡ
／ｃｍ２ 、Ｆｆ”Ｏ，，５１、変換効率６．０１％で
あった。
下Ｃ間放電圧１０．６Ｖ、短絡光電流Ｖ度１３゜４ｍＡ
／ｃｍ２ 、Ｆｆ”Ｏ，，５１、変換効率６．０１％で
あった。
以上凹りるに本発明のａ−３ｉ太陽？Ｉｉ池とは金属箔
と、該金属箔上に一体的に形成された絶縁層と、該絶縁
層上に形成された少なくとも１つのａ−３ｉ太陽電池素
子から成る。またａ−３ｉ太陽電池素子が複数あるとき
は、それらは直列に接続されている。
と、該金属箔上に一体的に形成された絶縁層と、該絶縁
層上に形成された少なくとも１つのａ−３ｉ太陽電池素
子から成る。またａ−３ｉ太陽電池素子が複数あるとき
は、それらは直列に接続されている。
本発明のａ−３ｉ太陽電池は基板として金Ｉｉｌ箔を用
いているため柔軟である。また、金属箔の熱膨張率と、
絶縁層の熱膨張率、及びａ−３ｉ傳股の熱膨張１７には
、あまり差がないため、製造時に金属箔を加熱してＩＪ
＆、ｌＩ離、クラックは発生しない。
いているため柔軟である。また、金属箔の熱膨張率と、
絶縁層の熱膨張率、及びａ−３ｉ傳股の熱膨張１７には
、あまり差がないため、製造時に金属箔を加熱してＩＪ
＆、ｌＩ離、クラックは発生しない。
また、金属箔からはガスは発生じないためａ −３１前
膜の物性特ｆトの悪化は防止される。その結果、ａ
３！太陽電池の特性は、実施例に詳述したように良好で
ある。
膜の物性特ｆトの悪化は防止される。その結果、ａ
３！太陽電池の特性は、実施例に詳述したように良好で
ある。
さらに、ａ−３ｉ太陽電池素子として、順タイプのムの
と逆タイプのものを相互に隣接して配置した場合は、こ
れらの接続は容易であり、有効受光面積は大きくなる。
と逆タイプのものを相互に隣接して配置した場合は、こ
れらの接続は容易であり、有効受光面積は大きくなる。
また、任意の出力電圧を取り出づことができる。
第１図は順タイプのａ−３ｉ太陽電池素子のみを配置し
た本発明のａ−８（太陽電池の断面校式図、第２図は順
タイプ及び逆タイプのａ−３ｉ太陽電池素子を相７ｊに
隣接して配置した本発明のａ−３ｉ太陽電池の断面模式
図、第３図は本発明のａ−３ｉ人−陽電池を自動車に装
着した状態を表わず図、第４図は本発明のＷＳ１実施例
のａ−３ｉ太陽電池の平面図、第５図（Δ）は第４図に
Ｊ３りるΔ−Ａ′所面図、第５図（］３）は［３−［３
′断面図、第５図（Ｃ）はＣ−Ｃ−断面図、第６図は本
発明の第１実施例の出力特１１Ｌ図、群）７図は本発明
の第２実Ｍ例の出ツノ特性図である。 １・・・・・・金属箔 ２・・・・・・絶縁層３・・
・・・・ａ−３ｉ太陽電池素子 ３１・・・・・・下部電極 ３２１・・・・・・ｎ型ａ−８ｉ薄膜 ３２２・・・・・・ｉ型ａ−３７薄膜 ３２３２・・・・・・Ｐ型ａ−３ｉ醇膜３３・・・・・
・上部電極 ４・・・・・・リード線 ５・・・・・・保護税 特許出願人 口木電装株式会社 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理上 膝行 修 同 弁理士 丸山明夫 第５図 （Ａ） 第５図 （Ｂ） 第５図 （Ｃ）
た本発明のａ−８（太陽電池の断面校式図、第２図は順
タイプ及び逆タイプのａ−３ｉ太陽電池素子を相７ｊに
隣接して配置した本発明のａ−３ｉ太陽電池の断面模式
図、第３図は本発明のａ−３ｉ人−陽電池を自動車に装
着した状態を表わず図、第４図は本発明のＷＳ１実施例
のａ−３ｉ太陽電池の平面図、第５図（Δ）は第４図に
Ｊ３りるΔ−Ａ′所面図、第５図（］３）は［３−［３
′断面図、第５図（Ｃ）はＣ−Ｃ−断面図、第６図は本
発明の第１実施例の出力特１１Ｌ図、群）７図は本発明
の第２実Ｍ例の出ツノ特性図である。 １・・・・・・金属箔 ２・・・・・・絶縁層３・・
・・・・ａ−３ｉ太陽電池素子 ３１・・・・・・下部電極 ３２１・・・・・・ｎ型ａ−８ｉ薄膜 ３２２・・・・・・ｉ型ａ−３７薄膜 ３２３２・・・・・・Ｐ型ａ−３ｉ醇膜３３・・・・・
・上部電極 ４・・・・・・リード線 ５・・・・・・保護税 特許出願人 口木電装株式会社 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理上 膝行 修 同 弁理士 丸山明夫 第５図 （Ａ） 第５図 （Ｂ） 第５図 （Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）金属箔と、該金属箔の一面に一体的に形成された
絶縁ｈ′弓と、該絶縁層上に形成された少なくとも１つ
のア［ルフノ・スラリ：１ン太陽？（Ｈ池累子ど、かう
成ることを特徴とするアセルフ？スジζ〕−１ン人陽電
池。 （２）前記金属箔は、ステンレス箔、アルミニウム前、
鉄箔の１種であり、１ｆｒｌ ｉ’ｉｅ絶縁層を成り擾
４刊は、アモルファス窒化珪累、アモルフ７・ス酸化珪
素、アモルファス炭化珪素、アモルフ？スジ１ノ］ンの
１種である特許請求の範囲第１項記載のアモルファスシ
リコン太陽電池。 （３０前記アモルファスシリコン太陽電池素子は、前記
絶縁層上に順次下部電極、電界領域を有覆るアモルファ
スシリニ１ン］９、透明導電膜が形成された４Ｍ 造を
成し、かかるアモルファスシリコン太陽電池素子が複数
個形成され、該複数個のアモルフｊ・スシリニ１ン太陽
電池素了は直列に接続されているＬ’ｊＩ７１請求の範
囲第１ Ｔｎ記載のアモルファスシリ−１ン太陽電池。 （４）前記複数個のアモルファスシリ−」ン太陽電池素
子は、１１ｑ記電界領域を！ｊりるアモルファスシリコ
ン薄膜が受光面側／）Ｓ ｌう順次ｐＦ４、ｉ層、１１
層の構造を成す順タイプアモルファスシリニ１ン太陽電
池素子と、受光面側から順次ｎ層、ｉ層、１岡の構造を
成り逆タイブアモルフノ・スシリニ１ン人陽電ｉｔ！Ｉ
素子とから成り、これらが相互にＦΔ接して配置されて
いる特許請求の範囲第３３項記載のアモルファスシリコ
ン太陽電池。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57170770A JPS5961077A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
| DE19833334316 DE3334316A1 (de) | 1982-09-29 | 1983-09-22 | Solarbatterie mit amorphem silicium |
| US06/754,201 US4605813A (en) | 1982-09-29 | 1985-07-11 | Amorphous silicon solar battery |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57170770A JPS5961077A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961077A true JPS5961077A (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=15911046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57170770A Pending JPS5961077A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4605813A (ja) |
| JP (1) | JPS5961077A (ja) |
| DE (1) | DE3334316A1 (ja) |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0078541B1 (en) * | 1981-11-04 | 1991-01-16 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Flexible photovoltaic device |
| US4753683A (en) * | 1985-09-09 | 1988-06-28 | Hughes Aircraft Company | Gallium arsenide solar cell system |
| DE3538986C3 (de) * | 1985-11-02 | 1994-11-24 | Deutsche Aerospace | Verfahren zur Herstellung eines Solargenerators |
| DE3619521A1 (de) * | 1986-06-10 | 1987-12-17 | Telefunken Electronic Gmbh | Solarmodul |
| US5155565A (en) * | 1988-02-05 | 1992-10-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for manufacturing an amorphous silicon thin film solar cell and Schottky diode on a common substrate |
| US4888061A (en) * | 1988-09-01 | 1989-12-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thin-film solar cells resistant to damage during flexion |
| US5391235A (en) * | 1992-03-31 | 1995-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module and method of manufacturing the same |
| US5326652A (en) * | 1993-01-25 | 1994-07-05 | Micron Semiconductor, Inc. | Battery package and method using flexible polymer films having a deposited layer of an inorganic material |
| US6045652A (en) * | 1992-06-17 | 2000-04-04 | Micron Communications, Inc. | Method of manufacturing an enclosed transceiver |
| US7158031B2 (en) | 1992-08-12 | 2007-01-02 | Micron Technology, Inc. | Thin, flexible, RFID label and system for use |
| US5350645A (en) * | 1993-06-21 | 1994-09-27 | Micron Semiconductor, Inc. | Polymer-lithium batteries and improved methods for manufacturing batteries |
| US5639314A (en) * | 1993-06-29 | 1997-06-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device including plural interconnected photoelectric cells, and method of making the same |
| US5538902A (en) * | 1993-06-29 | 1996-07-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of fabricating a photovoltaic device having a three-dimensional shape |
| JPH0779582A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-03-20 | Toshiba Corp | 光駆動モータ |
| JP3644075B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2005-04-27 | 日東紡績株式会社 | 遮音壁用太陽電池付板状体構造 |
| US5725062A (en) * | 1996-06-17 | 1998-03-10 | Fronek; Paul A. | Vehicle top solar power generator |
| US6339385B1 (en) * | 1997-08-20 | 2002-01-15 | Micron Technology, Inc. | Electronic communication devices, methods of forming electrical communication devices, and communication methods |
| JPH11186572A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Canon Inc | 光起電力素子モジュール |
| US6175075B1 (en) * | 1998-04-21 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module excelling in reliability |
| US8138413B2 (en) | 2006-04-13 | 2012-03-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8664030B2 (en) | 1999-03-30 | 2014-03-04 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8222513B2 (en) | 2006-04-13 | 2012-07-17 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
| US20090111206A1 (en) | 1999-03-30 | 2009-04-30 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
| US7507903B2 (en) * | 1999-03-30 | 2009-03-24 | Daniel Luch | Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| US8076568B2 (en) | 2006-04-13 | 2011-12-13 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8198696B2 (en) | 2000-02-04 | 2012-06-12 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| US7898054B2 (en) | 2000-02-04 | 2011-03-01 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| US7898053B2 (en) | 2000-02-04 | 2011-03-01 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
| SK12902002A3 (sk) * | 2000-03-09 | 2003-05-02 | ISOVOLTA �sterreichische Isolierstoffwerke Aktiengesellschaft | Spôsob výroby tenkovrstvového fotovoltaického modulu |
| ES2375607T3 (es) | 2003-07-07 | 2012-03-02 | Dow Corning Corporation | Encapsulación de células solares. |
| US7732229B2 (en) * | 2004-09-18 | 2010-06-08 | Nanosolar, Inc. | Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates |
| US8729385B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-05-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9006563B2 (en) | 2006-04-13 | 2015-04-14 | Solannex, Inc. | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9236512B2 (en) * | 2006-04-13 | 2016-01-12 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8884155B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-11-11 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9865758B2 (en) | 2006-04-13 | 2018-01-09 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8822810B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-09-02 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| KR101407941B1 (ko) * | 2007-04-16 | 2014-06-18 | 한라비스테온공조 주식회사 | 차량용 태양전지 시스템 및 그 제어방법 |
| US20090104342A1 (en) * | 2007-10-22 | 2009-04-23 | Applied Materials, Inc. | Photovoltaic fabrication process monitoring and control using diagnostic devices |
| US20090102502A1 (en) * | 2007-10-22 | 2009-04-23 | Michel Ranjit Frei | Process testers and testing methodology for thin-film photovoltaic devices |
| KR101000051B1 (ko) | 2008-01-09 | 2010-12-10 | 엘지전자 주식회사 | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
| US7597388B1 (en) | 2008-07-02 | 2009-10-06 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Electric charging roof on an automobile |
| EP2180526A2 (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photovoltaic device and method for manufacturing the same |
| JP2010251611A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Fujifilm Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
| EP2427913A4 (en) | 2009-05-04 | 2014-04-30 | Microlink Devices Inc | METHOD OF ASSEMBLING SOLAR CELL ARRAYS AND SOLAR CELLS SHAPED THEREIN |
| TWI497730B (zh) * | 2009-10-20 | 2015-08-21 | Iner Aec Executive Yuan | 一種薄膜光伏裝置及其製造方法 |
| CN102148270A (zh) * | 2011-01-05 | 2011-08-10 | 福建钧石能源有限公司 | 柔性薄膜太阳能电池及其制造方法 |
| CN113437221A (zh) * | 2021-05-21 | 2021-09-24 | 华为技术有限公司 | 电池组件以及用于制备电池组件的方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3370986A (en) * | 1963-12-10 | 1968-02-27 | Westinghouse Electric Corp | Photovoltaic series array comprising p/n and n/p cells |
| US3943726A (en) * | 1975-03-20 | 1976-03-16 | Lawrence Peska Associates, Inc. | Solar cooling system for an automobile |
| US4400409A (en) * | 1980-05-19 | 1983-08-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of making p-doped silicon films |
| US4410558A (en) * | 1980-05-19 | 1983-10-18 | Energy Conversion Devices, Inc. | Continuous amorphous solar cell production system |
| EP0309000B1 (en) * | 1981-07-17 | 1992-10-14 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Amorphous semiconductor and amorphous silicon photovoltaic device |
| US4442310A (en) * | 1982-07-15 | 1984-04-10 | Rca Corporation | Photodetector having enhanced back reflection |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP57170770A patent/JPS5961077A/ja active Pending
-
1983
- 1983-09-22 DE DE19833334316 patent/DE3334316A1/de not_active Withdrawn
-
1985
- 1985-07-11 US US06/754,201 patent/US4605813A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3334316A1 (de) | 1984-03-29 |
| US4605813A (en) | 1986-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5961077A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池 | |
| JP3349308B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH05243596A (ja) | 積層型太陽電池の製造方法 | |
| CN110400854A (zh) | 异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| TW302553B (ja) | ||
| JP2002076390A (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JPS61116883A (ja) | 金属配線付き透明電極 | |
| JPH0519990B2 (ja) | ||
| JPS6333308B2 (ja) | ||
| JPS5839073A (ja) | アモルフアス太陽電池 | |
| JPH0346377A (ja) | 太陽電池 | |
| JPS5955079A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JP2000277764A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP3278535B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2550888B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JPH0543306B2 (ja) | ||
| JPS59124175A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH04118975A (ja) | 光起電力装置及び製造方法 | |
| JP2846639B2 (ja) | 非晶質太陽電池 | |
| JPS6010788A (ja) | 太陽電池用基板 | |
| JP4220014B2 (ja) | 薄膜太陽電池の形成方法 | |
| JP2975751B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS63157484A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0376165A (ja) | 連続式太陽電池製造装置 | |
| JPS6193674A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池 |