JPS5962686A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
- Publication number
- JPS5962686A JPS5962686A JP12512283A JP12512283A JPS5962686A JP S5962686 A JPS5962686 A JP S5962686A JP 12512283 A JP12512283 A JP 12512283A JP 12512283 A JP12512283 A JP 12512283A JP S5962686 A JPS5962686 A JP S5962686A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- crystal composition
- alkyl
- alkoxy
- alkylazoxybenzene
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコレステリック液晶相を示す液晶の電界効果を
利用した表装置として用いた場合に有効な特性を示す液
晶組成物に関するものである。
利用した表装置として用いた場合に有効な特性を示す液
晶組成物に関するものである。
コレステリック液晶相”(以下Chと称す)の電界効果
にはグランシュアン(Grandjean)Mi織(す
、下Gjと称す。)がらフォーカル−コニック(Foc
a 1−con i c )m織(以下Fcと称す。)
への組織変化モードと、chからネマチック液晶相(以
下Nと称す。)への相転移モー ド(以下PTλ■と称
す。)かある。本発明は特にI) T Mに関するもの
である。
にはグランシュアン(Grandjean)Mi織(す
、下Gjと称す。)がらフォーカル−コニック(Foc
a 1−con i c )m織(以下Fcと称す。)
への組織変化モードと、chからネマチック液晶相(以
下Nと称す。)への相転移モー ド(以下PTλ■と称
す。)かある。本発明は特にI) T Mに関するもの
である。
このP T Mの電気光学特性は、低電界領域ではFC
による光散乱現象を示すが、ある臨界電界(Ec)J2
J、上てはホメ第1・ロピック配向のNとなり透明状態
となる。この光学的二状態を用いて表示を行なうのであ
る。このI) T Mの電気光学特性はE−c、Ecに
おける透過率Ts(ヴ)及び応答特性でその主な特徴を
表わすことかできる。上記の応答、特性としては、ch
からNへの応答を表わすτ。NINからC11への応答
を表わすτ。N 、E < IE cとなる保持電界を
印加した場合のNからchへの応答を表わすτ暑がある
。
による光散乱現象を示すが、ある臨界電界(Ec)J2
J、上てはホメ第1・ロピック配向のNとなり透明状態
となる。この光学的二状態を用いて表示を行なうのであ
る。このI) T Mの電気光学特性はE−c、Ecに
おける透過率Ts(ヴ)及び応答特性でその主な特徴を
表わすことかできる。上記の応答、特性としては、ch
からNへの応答を表わすτ。NINからC11への応答
を表わすτ。N 、E < IE cとなる保持電界を
印加した場合のNからchへの応答を表わすτ暑がある
。
ここて、τ。、は電界がE。(〈Ec)から2E。
(>Ec)へ変った時点より光学効果かその飽和値の9
0チに到達するまでの時間である。
0チに到達するまでの時間である。
τNは電界が2EoからE。へ変化した時点・より光学
効果が先の飽和値の90チまで10%だけ減少する時間
である。τ、。は電界か2Eo又はE。
効果が先の飽和値の90チまで10%だけ減少する時間
である。τ、。は電界か2Eo又はE。
からOへ変化した時点より光学効果か飽和値からその値
の10%値まで減少するに要する時間である。
の10%値まで減少するに要する時間である。
このP T MをマI−IJフックス示に応用すれば、
駆動電圧(VO)を低くすることかでき、特に低消費電
力駆動か可能なC/’MOSドライバーの耐圧を、μさ
ないようにすることか可能である。また、特性的には、
1:2バイ゛アス電圧法で駆動し、1フレームことに一
旦N状態にする時間分割法を採ればマトリックス表示が
可能となり、そのライン数(N)の上限値は近似的に次
の関係式で表わされる。
駆動電圧(VO)を低くすることかでき、特に低消費電
力駆動か可能なC/’MOSドライバーの耐圧を、μさ
ないようにすることか可能である。また、特性的には、
1:2バイ゛アス電圧法で駆動し、1フレームことに一
旦N状態にする時間分割法を採ればマトリックス表示が
可能となり、そのライン数(N)の上限値は近似的に次
の関係式で表わされる。
M゛≦(τ脣−τ。N)÷τ、。 ・・・(1)
(])式より、マトリックスの本数Mを増加させるため
にはτ を増加さぜ、τ τ を減少させN
CNI NOればよい。
(])式より、マトリックスの本数Mを増加させるため
にはτ を増加さぜ、τ τ を減少させN
CNI NOればよい。
この内τ脣は主として液晶を保持する基板の表面処理に
依存し、Cb液晶材料にはあまり依存しない。
依存し、Cb液晶材料にはあまり依存しない。
一方、τ。8.τ、。は逆に基板の表面処理状態には依
存せす、Ch液晶材料に依存する。そしてτ。8.τN
OはCh液晶の粘性をη、ねじれ弾1生係数をIり22
+ピツチをPとすると、τcN 二 C1η p2
÷ Iく 、□
・・・(2)τNc ; C2η P2 ÷ Iぐ
2 □ −(31と
なる。ここでC] I ’−2it物質によらない定数
である。
存せす、Ch液晶材料に依存する。そしてτ。8.τN
OはCh液晶の粘性をη、ねじれ弾1生係数をIり22
+ピツチをPとすると、τcN 二 C1η p2
÷ Iく 、□
・・・(2)τNc ; C2η P2 ÷ Iぐ
2 □ −(31と
なる。ここでC] I ’−2it物質によらない定数
である。
またEcは誘電異方性をεa、誘電定数をE。
とすると、
Ec = yr2(K22÷εa’o)%十P
、、、、 +41となる。液晶層厚をdとすれば1.印
加電圧VcはV c = d E c
−−−151である
1、液晶層厚は素子の製造技術によって異なるが、現在
ではd≧6μmが一般的である。
、、、、 +41となる。液晶層厚をdとすれば1.印
加電圧VcはV c = d E c
−−−151である
1、液晶層厚は素子の製造技術によって異なるが、現在
ではd≧6μmが一般的である。
′以上のことから液晶材料としては、 8aか大きくη
が小さい値のものが望ましい。そのためにはN液晶に液
晶分子ツイスト力の強いch液晶を加えて作った混合型
のロングピッチなch液晶が適している。
が小さい値のものが望ましい。そのためにはN液晶に液
晶分子ツイスト力の強いch液晶を加えて作った混合型
のロングピッチなch液晶が適している。
本発明は以上の考案に基つき、上記諸条件を満足させる
液晶組成物を提供することを目的とする。
液晶組成物を提供することを目的とする。
本発明によるC I+液晶の組成は(a14−n−アル
コキシ−/L’−n−アルキルアゾキシベンゼン(4゛
−n−aIkoxy−4’ −n−aIkylazox
yl〕cnzen)、+1)+ 4−n−アルキル−4
′−シアノビフコニニール(4−n−alkyl−4’
−cyanobiphcnyl)及び(c)光学活性
物質よりなるものである。そして(a14 n−アル
コキシ−41−〇−アルキルアゾキシベンセンのアルコ
キシ基が例えばメゾキ、シ(Inet+10Xy)基で
あり、アルキル(alkyl)基の炭素数か例えば2又
は4てあり、+1)+ 4− n −アルキルー4′−
シアノビフェニールのアルキル基の炭素数が例えば5,
6又は7であり、FC+光学活性物質゛かコレステリー
ルクロライド、コレステリールオレイルノJ−ポネイト
又は2−メチルフチル〔N−P−メトキシベンジリデン
アミノシンナメイトであるC h液晶の組成を特徴とす
る。
コキシ−/L’−n−アルキルアゾキシベンゼン(4゛
−n−aIkoxy−4’ −n−aIkylazox
yl〕cnzen)、+1)+ 4−n−アルキル−4
′−シアノビフコニニール(4−n−alkyl−4’
−cyanobiphcnyl)及び(c)光学活性
物質よりなるものである。そして(a14 n−アル
コキシ−41−〇−アルキルアゾキシベンセンのアルコ
キシ基が例えばメゾキ、シ(Inet+10Xy)基で
あり、アルキル(alkyl)基の炭素数か例えば2又
は4てあり、+1)+ 4− n −アルキルー4′−
シアノビフェニールのアルキル基の炭素数が例えば5,
6又は7であり、FC+光学活性物質゛かコレステリー
ルクロライド、コレステリールオレイルノJ−ポネイト
又は2−メチルフチル〔N−P−メトキシベンジリデン
アミノシンナメイトであるC h液晶の組成を特徴とす
る。
表−1は本発明を創出するにあたって測定した各種液晶
材料1.n、]I、IVの特性データを示すもの−であ
る。
材料1.n、]I、IVの特性データを示すもの−であ
る。
表−1
この表〜]のテ〜りは25℃で測定小、圧の周波をl
K Hzに設定した→寺の41c工である。
K Hzに設定した→寺の41c工である。
液bt’+ I if シッフベース系液晶に10%の
コレステリールノナノエイト(CN)を加えた混合液晶
である。シッフベース系液晶はn −C3H7裔CH=
N +CN (29,9wt % )とn −C61
−113+c n = N −@)−CN (70,1
w t%)の混合物である。
コレステリールノナノエイト(CN)を加えた混合液晶
である。シッフベース系液晶はn −C3H7裔CH=
N +CN (29,9wt % )とn −C61
−113+c n = N −@)−CN (70,1
w t%)の混合物である。
液晶11はエステル士ピリミジン系液晶に10%のCN
を加えた混合液晶である。このエステル士ピリミジン系
液晶は C3H7% Cs H]、II −17,2wt%C5
,H] ]’−@+ CN −= 9.9 wt%
C山裔coo裔CN−7,6wt % C6H13+C00+ CN−12,2W t %C7
H] 5+ COO+ CN ・= 13.9 W t
%N C(O”M C4H9−13,5W t %か
ら成る混合物である。
を加えた混合液晶である。このエステル士ピリミジン系
液晶は C3H7% Cs H]、II −17,2wt%C5
,H] ]’−@+ CN −= 9.9 wt%
C山裔coo裔CN−7,6wt % C6H13+C00+ CN−12,2W t %C7
H] 5+ COO+ CN ・= 13.9 W t
%N C(O”M C4H9−13,5W t %か
ら成る混合物である。
液晶■はビフェニール系液晶に10 % )CN ヲ加
えた混合液晶である。ヒフェニール系l(ン晶は、C5
Hl ] 4! CN −1081v+ *’−C51
−1..((公℃翔CN ・・・45.2込自C3)
1..0−CBα−CN =・+2.owtzC8I
−■170−■(瀘CN ・・・16゜(5〜1!自
C3I■70−@)+CN ・・・15,5〜■自か
ら成る混合物である。
えた混合液晶である。ヒフェニール系l(ン晶は、C5
Hl ] 4! CN −1081v+ *’−C51
−1..((公℃翔CN ・・・45.2込自C3)
1..0−CBα−CN =・+2.owtzC8I
−■170−■(瀘CN ・・・16゜(5〜1!自
C3I■70−@)+CN ・・・15,5〜■自か
ら成る混合物である。
液晶IVは次のA、+3.C及びI〕がら成るj([1
成物である。
成物である。
A : CH30−◇XN ” N 4−Ca f(9
B 二 CH30−(二=甲=巨I N = N
℃−C2115A:B:C:D=47:25:18:1
0(重バー、比) 表−】の結果より、液晶■は他の液晶1 、 I+■と
比較してτゝ1は略々間しであるがτ。、及びτ、0か
非常に小さいことかわかる。従って上述した(1)式よ
り、液晶1vはライン数Mを著しく多くすることのでき
る液晶相別であり、マトリックス表示の目的に合致して
シ号ることが認められる。更にこの液晶1〜′は一20
℃の保存試験でも結晶化せずlfν品状前状態ち、実用
液晶としての条件を備えている。
B 二 CH30−(二=甲=巨I N = N
℃−C2115A:B:C:D=47:25:18:1
0(重バー、比) 表−】の結果より、液晶■は他の液晶1 、 I+■と
比較してτゝ1は略々間しであるがτ。、及びτ、0か
非常に小さいことかわかる。従って上述した(1)式よ
り、液晶1vはライン数Mを著しく多くすることのでき
る液晶相別であり、マトリックス表示の目的に合致して
シ号ることが認められる。更にこの液晶1〜′は一20
℃の保存試験でも結晶化せずlfν品状前状態ち、実用
液晶としての条件を備えている。
ここて、液晶I〜lの組成A、B、C,Dは、Aと■3
か[al 4− n−アルコキシ−4′−〇−アルキル
アゾキシベンセンに、Cが[+)+4’−11−アルキ
ル−4′−シアノビフェニールに、Dが(c )光学活
性物質に相当している、。
か[al 4− n−アルコキシ−4′−〇−アルキル
アゾキシベンセンに、Cが[+)+4’−11−アルキ
ル−4′−シアノビフェニールに、Dが(c )光学活
性物質に相当している、。
末完1y]は光学活性物質きして上記糾成り即ちコレス
テリール7ナノエイト以外の物質を用い、コレステリー
ルノナノエイトと同様な効果を得ることのできる液晶組
成物を創出したものである。コレステリール7ナノエイ
ト以外の光学活性物質としては第2表に示すものを用い
ている。表中の液晶名の欄に於いてXはアゾキシ系液晶
を示し、20 CP Bはシアンペンチルヒフェニール
スハ糸−320wt%添加されていることを表わしてい
る。
テリール7ナノエイト以外の物質を用い、コレステリー
ルノナノエイトと同様な効果を得ることのできる液晶組
成物を創出したものである。コレステリール7ナノエイ
ト以外の光学活性物質としては第2表に示すものを用い
ている。表中の液晶名の欄に於いてXはアゾキシ系液晶
を示し、20 CP Bはシアンペンチルヒフェニール
スハ糸−320wt%添加されていることを表わしてい
る。
CC、COC、MBMC活は光学活性物質を表わ才略d
であり、その直前の数値はこのX−20cP13に対す
る添加Qi(TV を係)を示すものである。尚測定温
度は25°C1駆動周波数はl K II zに設定し
た。
であり、その直前の数値はこのX−20cP13に対す
る添加Qi(TV を係)を示すものである。尚測定温
度は25°C1駆動周波数はl K II zに設定し
た。
ト
表−2
尚、組成C:C511,□−ΦX◇)CNの代りに、C
611,3−(可B唖))−CN又はC7IJ15べ◇
べO−Cきを同し1・−ブt1.加えてもf捏合液晶の
特性は殆んと変化しないことが確められている。そして
この成分の濃度は高くなればなる程、混合液晶のεaか
増加し、低臨界?1う圧死のためには望ましい結果か1
)lられる。しかしあまり濃度か旨くなると、メンモフ
ィックレンジか狭くなるので一定の限度(」ある。第1
図に縦軸にε、横軸に本実施例の混合液晶のCI) B
(シアンペンチルヒフエニール)濃度としてWL%を
単位にとり、混合液晶のεの[c p 133依存性を
示す。図中、白丸はε11、黒丸はξユ、X印はεaを
示す。表−3に組成比とメゾモフイソクレンンの関係を
示す。表−3の中でT e l+−1はコレステリック
液晶相からアイソトロピックi&晶相への転移i’A’
A度である。またTch−Tcはコレステリック液晶相
から同相への転移I:M度である。
611,3−(可B唖))−CN又はC7IJ15べ◇
べO−Cきを同し1・−ブt1.加えてもf捏合液晶の
特性は殆んと変化しないことが確められている。そして
この成分の濃度は高くなればなる程、混合液晶のεaか
増加し、低臨界?1う圧死のためには望ましい結果か1
)lられる。しかしあまり濃度か旨くなると、メンモフ
ィックレンジか狭くなるので一定の限度(」ある。第1
図に縦軸にε、横軸に本実施例の混合液晶のCI) B
(シアンペンチルヒフエニール)濃度としてWL%を
単位にとり、混合液晶のεの[c p 133依存性を
示す。図中、白丸はε11、黒丸はξユ、X印はεaを
示す。表−3に組成比とメゾモフイソクレンンの関係を
示す。表−3の中でT e l+−1はコレステリック
液晶相からアイソトロピックi&晶相への転移i’A’
A度である。またTch−Tcはコレステリック液晶相
から同相への転移I:M度である。
表−3
ここで、第+n式は(2) 、 +3島14)式を用い
て書きなおすと、 MoCr ”’ ・ε2@ Ec/ r) −(
6)となる。この式よりMを増すためにはEcを大きく
すればよいことか分る。一方第1.5)式からVcを下
げるためにはECを下ける必要がある。これらのことが
らEcは適宜駆動条件に合わせることが必要である。参
考として第2図にEcと光学活性物質として[CH3を
用いた場合の関係を、横軸に[cN3、縦軸にEcをと
って示す。
て書きなおすと、 MoCr ”’ ・ε2@ Ec/ r) −(
6)となる。この式よりMを増すためにはEcを大きく
すればよいことか分る。一方第1.5)式からVcを下
げるためにはECを下ける必要がある。これらのことが
らEcは適宜駆動条件に合わせることが必要である。参
考として第2図にEcと光学活性物質として[CH3を
用いた場合の関係を、横軸に[cN3、縦軸にEcをと
って示す。
す、上述へたように本発明の組成を持つ混合液晶Di−
1:、記諸要求を(114だし、I’ T Mを、利用
したマトリックス表示に適した新規材料であり非常に有
効なもの−Cある。
1:、記諸要求を(114だし、I’ T Mを、利用
したマトリックス表示に適した新規材料であり非常に有
効なもの−Cある。
第1図は混合液晶のεのCI” B依存性を表わす図、
第2図(まEcのCN依存性、を表わす図である。 代叩人 弁理士 福′士 愛 彦(他2名)(CPB3
.717% ・ (C/IQ/wf%
第2図(まEcのCN依存性、を表わす図である。 代叩人 弁理士 福′士 愛 彦(他2名)(CPB3
.717% ・ (C/IQ/wf%
Claims (1)
- 】 4−n−アルコキシ−4′−〇−アルキルアゾキシ
ベンセン、4−n−アルキル−4′−シアノヒフエニー
ル及び光学活性物質としてコレステリールクロライド、
コレステリールオレイルカーホネイト又は2−メチルブ
チル−P−(N1)−メトキンベンジリゾ、ンアミ刀シ
ンナメイト を主成分として含有し、コレステリンク液
晶相を示す液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12512283A JPS5962686A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12512283A JPS5962686A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | 液晶組成物 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4804877A Division JPS6037154B2 (ja) | 1977-04-25 | 1977-04-25 | 液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5962686A true JPS5962686A (ja) | 1984-04-10 |
| JPS6254839B2 JPS6254839B2 (ja) | 1987-11-17 |
Family
ID=14902386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12512283A Granted JPS5962686A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5962686A (ja) |
-
1983
- 1983-07-07 JP JP12512283A patent/JPS5962686A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6254839B2 (ja) | 1987-11-17 |
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