JPS6041108B2 - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
- Publication number
- JPS6041108B2 JPS6041108B2 JP10864077A JP10864077A JPS6041108B2 JP S6041108 B2 JPS6041108 B2 JP S6041108B2 JP 10864077 A JP10864077 A JP 10864077A JP 10864077 A JP10864077 A JP 10864077A JP S6041108 B2 JPS6041108 B2 JP S6041108B2
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- tables
- formulas
- chemical formulas
- crystal composition
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコレステリック相を有した液晶の電界効果を利
用した表示装置に関するもので、特にコレステリック相
を示す液晶の組成に係る。
用した表示装置に関するもので、特にコレステリック相
を示す液晶の組成に係る。
コレステリック相（以下Ｃｈという。
）の電界効果にはグラジュアン（Ｇｒａｎｄｊｅａｎ）
組織（以下Ｇｊと言う。）からフオーカルーコミツク（
ｆｏｃａｌ−ｃｏｎｉｃ）組識（以下にと言う。）への
組織変化モ−ドと、Ｃｈからネマチツク相（以下Ｎと言
う。）への相転移モード（ｐｈａｓｅｔｒａｎｓｉｔｉ
ｏｎｍｏｄｅ）（以下ＰＴＭと言う。）がある。後者に
はＣｈのピッチ変化にる光学効果も含まれている。本発
明は特に後者のＰＴＭの材料に関するものである。この
ＰＴＭの電気光学特性は、低電界領域ではＣｈのｆｃに
よる光散乱現象を示すが、ある臨界電界Ｅｃ以上ではホ
メオトロピック配向のＮとなり透明状態となる。
組織（以下Ｇｊと言う。）からフオーカルーコミツク（
ｆｏｃａｌ−ｃｏｎｉｃ）組識（以下にと言う。）への
組織変化モ−ドと、Ｃｈからネマチツク相（以下Ｎと言
う。）への相転移モード（ｐｈａｓｅｔｒａｎｓｉｔｉ
ｏｎｍｏｄｅ）（以下ＰＴＭと言う。）がある。後者に
はＣｈのピッチ変化にる光学効果も含まれている。本発
明は特に後者のＰＴＭの材料に関するものである。この
ＰＴＭの電気光学特性は、低電界領域ではＣｈのｆｃに
よる光散乱現象を示すが、ある臨界電界Ｅｃ以上ではホ
メオトロピック配向のＮとなり透明状態となる。
この光学的二状態を用いて表示を行うのである。このＰ
ＴＭの電気光学特性はＥｃ，Ｅｃにおける透過率Ｔｓ（
％）及び応答特性でその主な特長を表わすことができる
。上記の応答特性としては、ＣｈからＮへの応答を表わ
す？ｃＮ，ＮからＣｈへの応答を表わす７Ｎｃ，ＥくＥ
ｃである保持電界Ｅ。を印加した場合のＮからＣｈへの
応答を表わす↑肋ミある。ここで７ｃＮは電界ＥがＥ。
ＴＭの電気光学特性はＥｃ，Ｅｃにおける透過率Ｔｓ（
％）及び応答特性でその主な特長を表わすことができる
。上記の応答特性としては、ＣｈからＮへの応答を表わ
す？ｃＮ，ＮからＣｈへの応答を表わす７Ｎｃ，ＥくＥ
ｃである保持電界Ｅ。を印加した場合のＮからＣｈへの
応答を表わす↑肋ミある。ここで７ｃＮは電界ＥがＥ。
（ミＥｃ）から班。（＞Ｅｃ）へ変った時点より光学効
果がその飽和値の９０％に到達するまでの時間であり、
第１図ａに電界Ｅの変化、第１図ｂに透過率Ｔｓ（％）
の変化を示し、丁。Ｎを図解する。丁鮒ま電界Ｅが波。
果がその飽和値の９０％に到達するまでの時間であり、
第１図ａに電界Ｅの変化、第１図ｂに透過率Ｔｓ（％）
の変化を示し、丁。Ｎを図解する。丁鮒ま電界Ｅが波。
からＥ。へ変った時点より光学効果が先の飽和値９０％
まで１０％だけ減少する時間であり、第２図ａに電界Ｂ
、第２図ｂに透過率Ｔｓ（％）の変化を示し、７母を図
解する。７Ｎｃは電界Ｅが斑。
まで１０％だけ減少する時間であり、第２図ａに電界Ｂ
、第２図ｂに透過率Ｔｓ（％）の変化を示し、７母を図
解する。７Ｎｃは電界Ｅが斑。
又はＥ。から０へ変った時点より光学効果が飽和値から
その１０％値まで減少するに要する時間であり第３図ａ
に電界Ｅ、第３図Ｂに透過率Ｔｓ（％）の変化を示し、
７Ｎｃを図解する。また第４図ＰＴＭの電界Ｅに対する
透過率Ｔｓ（％）の変化の特性を示す。このＰ．ＴＭを
マトリックス表示に応用する際には、特性として、駆動
電圧（Ｖ。
その１０％値まで減少するに要する時間であり第３図ａ
に電界Ｅ、第３図Ｂに透過率Ｔｓ（％）の変化を示し、
７Ｎｃを図解する。また第４図ＰＴＭの電界Ｅに対する
透過率Ｔｓ（％）の変化の特性を示す。このＰ．ＴＭを
マトリックス表示に応用する際には、特性として、駆動
電圧（Ｖ。
＝ｄ・Ｅ。）が低くすることが出来、特にその値がＣ／
ＭＯＳ型ドライバーの耐圧以下であることが望ましい。
ここでｄは液晶層厚であり、この値は、素子製作面より
最少限度があり、約５ｒ机程度である。従がつてＶ。を
下げる為にはＥ。の上限値となるＥｃを下げなければな
らない。こＥｃは、液晶材料により決定され、その、物
性定数依存性は次式で表わされる。
ＭＯＳ型ドライバーの耐圧以下であることが望ましい。
ここでｄは液晶層厚であり、この値は、素子製作面より
最少限度があり、約５ｒ机程度である。従がつてＶ。を
下げる為にはＥ。の上限値となるＥｃを下げなければな
らない。こＥｃは、液晶材料により決定され、その、物
性定数依存性は次式で表わされる。
ＥＣ＝汀２（Ｋ滋÷ごａご。
）裏÷Ｐ ……‘・）‘１１においてＰはＣｈのらせん
ピッチであり、Ｋ２２はねじり弾性率、どａは誘電異方
性であり、ごｏは真空定数である。ところで１：２バイ
アス電圧で駆動し、一旦Ｎ状態にしてＣｈのｆｃで書込
む表示方式をとればマトリックス駆動が出釆るライン数
Ｍの上限値は近似値的に先の応答特性の値を用いて次の
ように書きことが出来る。
ピッチであり、Ｋ２２はねじり弾性率、どａは誘電異方
性であり、ごｏは真空定数である。ところで１：２バイ
アス電圧で駆動し、一旦Ｎ状態にしてＣｈのｆｃで書込
む表示方式をとればマトリックス駆動が出釆るライン数
Ｍの上限値は近似値的に先の応答特性の値を用いて次の
ように書きことが出来る。
Ｍミ（７母−↑ｃＮ）÷↑Ｎｃ …・・・｛
２）すなわち第｛２）式よりＭを増加させる為には、７
３を増加させ、一方７ｃＮ，丁Ｎｃを減少させることが
望ましい。
２）すなわち第｛２）式よりＭを増加させる為には、７
３を増加させ、一方７ｃＮ，丁Ｎｃを減少させることが
望ましい。
この内↑母‘ま主として液晶層を保持している基板の表
面処理状態に依存すると共に、Ｃｈ液晶組成物も少なか
らず関係する。逆に７Ｍ，丁ｃＮは表面状態よりもむし
ろＣｈ液晶材料に依存しＣｈ液消の粘度をりとすると次
のようになる。
面処理状態に依存すると共に、Ｃｈ液晶組成物も少なか
らず関係する。逆に７Ｍ，丁ｃＮは表面状態よりもむし
ろＣｈ液晶材料に依存しＣｈ液消の粘度をりとすると次
のようになる。
丁ＣＮ＝Ｃ，り平÷Ｋ２２ ……【３’
７ＮＣ＝Ｃ２り平÷Ｋ２２ …・・・【
４’となる。ここでＣ，，Ｃ２は物質によらない定数で
ある。さて■式にｍ及び｛３｝、■を代入するとＭ 丁
群・ごａＥ２／り …‐‐‐（５１となる。
７ＮＣ＝Ｃ２り平÷Ｋ２２ …・・・【
４’となる。ここでＣ，，Ｃ２は物質によらない定数で
ある。さて■式にｍ及び｛３｝、■を代入するとＭ 丁
群・ごａＥ２／り …‐‐‐（５１となる。
すなわちＭを増加させるためには７篭が大きくなる様な
表面処理（例えば垂直配向処理）を行ない、ごよ叉びＥ
ｃの大きな値を有しりの小さな値を有した液晶材料を選
定すればよい。
表面処理（例えば垂直配向処理）を行ない、ごよ叉びＥ
ｃの大きな値を有しりの小さな値を有した液晶材料を選
定すればよい。
ここでＭは、Ｅｃを含んでおり、Ｖ。
の低下とＭの増大とは、相反する面を有している。従っ
て、Ｖ。を高くしないで、かつＭを増加させる方法はど
ａが大きくりが小さい材料を選ぶ必要がある。本発明は
、この点に関してなされたものであり従来得られなかっ
た７ｃＮ， ７Ｎｃの小さな値を有する液晶材料の発見
によるものである。表一１は、各種液晶材料の混合糸に
おける諸特性である。測定条件交流、ＩＫＨｚ、２５０
０、セル厚：６仏の、配向処理：Ｓｉ０２ラビング、７
ｃＮ，７Ｎｃ，ヶ母、Ｔｓ値はＥｏ＝Ｅｃの場合Ａ： Ｂ： Ｄ： Ｅ： この表からサンプル○、Ｅは本発明の組成の１例であり
一定Ｅｃ値においてヶＮｃが非常に小さく、？母も同等
か極めて大きな数値を示し、マトリックス走査可能ライ
ン数Ｍを■式より求めた場合、従来例Ａ、Ｂ、Ｃよりも
極めて大きな値を示している。
て、Ｖ。を高くしないで、かつＭを増加させる方法はど
ａが大きくりが小さい材料を選ぶ必要がある。本発明は
、この点に関してなされたものであり従来得られなかっ
た７ｃＮ， ７Ｎｃの小さな値を有する液晶材料の発見
によるものである。表一１は、各種液晶材料の混合糸に
おける諸特性である。測定条件交流、ＩＫＨｚ、２５０
０、セル厚：６仏の、配向処理：Ｓｉ０２ラビング、７
ｃＮ，７Ｎｃ，ヶ母、Ｔｓ値はＥｏ＝Ｅｃの場合Ａ： Ｂ： Ｄ： Ｅ： この表からサンプル○、Ｅは本発明の組成の１例であり
一定Ｅｃ値においてヶＮｃが非常に小さく、？母も同等
か極めて大きな数値を示し、マトリックス走査可能ライ
ン数Ｍを■式より求めた場合、従来例Ａ、Ｂ、Ｃよりも
極めて大きな値を示している。
これは、次のような理由によるのであろう。
サンプルＤにおいて、比較的大きいごａ（ごａ＞０）を
持っているｐーシアノフエニル−ｐ′−ｎ一アルキルベ
ンゾェィト系液晶混合物に、極めて大きなごａ（ごａ＞
０）を持ち、上記ェステル系液晶より粘性りが比較的低
いピリミジン誘導体液晶組成物を添加することにより得
られる液晶組成物は全体として高いごａ′り値をもたら
していると考えられる。そして、液晶をコレステリック
相とする為に添加される光学活性物質としては、極めて
高いれ（ごａ＞０）を持つ、Ｗ−ｐ−２ーメチルブチル
ベンゾイルオキシｐ′−シアノベンゼンを用いることに
より、液晶系全体のごａ／り値を大中に低くすることが
ないので、従来例Ａ、Ｂ、Ｃよりマトリックス可能走査
ライン数が多くなっている。
持っているｐーシアノフエニル−ｐ′−ｎ一アルキルベ
ンゾェィト系液晶混合物に、極めて大きなごａ（ごａ＞
０）を持ち、上記ェステル系液晶より粘性りが比較的低
いピリミジン誘導体液晶組成物を添加することにより得
られる液晶組成物は全体として高いごａ′り値をもたら
していると考えられる。そして、液晶をコレステリック
相とする為に添加される光学活性物質としては、極めて
高いれ（ごａ＞０）を持つ、Ｗ−ｐ−２ーメチルブチル
ベンゾイルオキシｐ′−シアノベンゼンを用いることに
より、液晶系全体のごａ／り値を大中に低くすることが
ないので、従来例Ａ、Ｂ、Ｃよりマトリックス可能走査
ライン数が多くなっている。
又サンプルＥにおいて、比較的大きなごａ（ム＞０）を
持ち、比較的小さなり値を持つｐ−ｎ−アルキルｐ′ー
シアノビフエニールとｐ−ｎ−アルコキシーｐ′−シア
ノピフェニールの混合液晶系に極めて大きなごａ（ごａ
＞０）を持ち、比較的粘性刀の低いピリミジン誘導体液
晶組成物を添加することにより得られる液晶組成物は全
体として高いごａ／り値をもたらすと考えられる。
持ち、比較的小さなり値を持つｐ−ｎ−アルキルｐ′ー
シアノビフエニールとｐ−ｎ−アルコキシーｐ′−シア
ノピフェニールの混合液晶系に極めて大きなごａ（ごａ
＞０）を持ち、比較的粘性刀の低いピリミジン誘導体液
晶組成物を添加することにより得られる液晶組成物は全
体として高いごａ／り値をもたらすと考えられる。
そして上記液晶組成物をコレステリツク相とする為に添
加する光学活性物質Ｗ一ｐ−２−メチルプチルベンゾイ
ルオキシｐ′ーシアノベンゼンごａ（ごａ＞０）が大き
く混合液晶系のどａノリを大中に低くすることなく、従
来Ａ、Ｂ、Ｃよりマトリックス可能走査ライン数が極め
て多くなっている。
加する光学活性物質Ｗ一ｐ−２−メチルプチルベンゾイ
ルオキシｐ′ーシアノベンゼンごａ（ごａ＞０）が大き
く混合液晶系のどａノリを大中に低くすることなく、従
来Ａ、Ｂ、Ｃよりマトリックス可能走査ライン数が極め
て多くなっている。
このように本発明サンプルＤ及びＥは、マトリックス走
査ライン数をＡ、Ｂ、Ｃと比較し大中に増加させること
が出来る。
査ライン数をＡ、Ｂ、Ｃと比較し大中に増加させること
が出来る。
又、本発明サンプルＤ及びＥの液晶材料は、従来Ａ、Ｃ
と比較して、可視領域での光吸収が少ないので光に対し
て安定である。と共に表示品位も良好である。次に具体
的な本発明の組成（サンプルＤ、サンプルＥ）示してお
く。
と比較して、可視領域での光吸収が少ないので光に対し
て安定である。と共に表示品位も良好である。次に具体
的な本発明の組成（サンプルＤ、サンプルＥ）示してお
く。
（サンプルＤ）
（サンプルＥ）
※不斉炭素
なお本発明の組成はピリミジン誘導体液晶化合物を２０
〜４帆【％含有するものであるが、ピリミジン譲誘導体
液晶化合物とｐ型ネマティツク液晶＊組成物を形成する
為に次のような化合物を約２０〜６０％程度含まれても
良い。
〜４帆【％含有するものであるが、ピリミジン譲誘導体
液晶化合物とｐ型ネマティツク液晶＊組成物を形成する
為に次のような化合物を約２０〜６０％程度含まれても
良い。
（Ｒはｎ−ＣｍＨ机十，一又はｎ−ＣｍＨ２ｍ＋，０を
示し、ｎ＝１〜８である。
示し、ｎ＝１〜８である。
）表−１のサンプルＤ、中のＷｐ一２ーメチルブテルベ
ンゾィルオキシｐ′−シアノ（Ｃｈ液晶）ベンゼンのド
ープ量に対するＥｃ及び７ｃＮ，？Ｎｃの特性を第５図
、第６図に示す。
ンゾィルオキシｐ′−シアノ（Ｃｈ液晶）ベンゼンのド
ープ量に対するＥｃ及び７ｃＮ，？Ｎｃの特性を第５図
、第６図に示す。
Ｔ鮒まＣｈ液晶のドープ量に関係なくほとんど一定であ
る。又表−１のサンプルＥ中のＷｐ−２−メチルプチル
ベンゾイルオキシｐ′−シアノベンゼンのドープ量に対
するＥｃ及び↑ｃＮ，７Ｎｃの特性を第７図、第８図に
示す。
る。又表−１のサンプルＥ中のＷｐ−２−メチルプチル
ベンゾイルオキシｐ′−シアノベンゼンのドープ量に対
するＥｃ及び↑ｃＮ，７Ｎｃの特性を第７図、第８図に
示す。
７鮒まＣｈ液晶のドープ量と関係なくほとんど一定であ
る。
る。
第５図、第６図の結果によりサンプル○を表示素子に応
用する場合、Ｅｃとして３×１ぴｖ／肌以下が望ましく
↑ｃＮ，丁Ｎｃの値として１００ｍｓｅｃ（２５℃）以
下が望ましいので｛十ーーｐ−２−メチルプチルベンゾ
ィルオキシｐ′−シアノベンゼンの添加量は２５〜３肌
ｔ％程度が望ましい。
用する場合、Ｅｃとして３×１ぴｖ／肌以下が望ましく
↑ｃＮ，丁Ｎｃの値として１００ｍｓｅｃ（２５℃）以
下が望ましいので｛十ーーｐ−２−メチルプチルベンゾ
ィルオキシｐ′−シアノベンゼンの添加量は２５〜３肌
ｔ％程度が望ましい。
又非Ｃｈ液晶である、ピリミジン誘導体液晶化合物とｐ
−シアノフェニルーｐ′−ｎ−アルキルベンゾェイト液
晶化合物の組成比は、約２０％〜９０％の間で用除に応
じて変化することが出来る。第７図、第８図の結果より
サンプルＥを表示素子に応用する場合、Ｅｃとして３×
１ぴｖ／肌以下が望ましく、ヶｃＮ， ７Ｍの値として
１００肌ｓｅｃ（２５℃）以下が望ましいので川−ｐ−
２−メチルプチルーベンゾイルオキシｐ′ーシアノベン
ゼル添加量は、１５Ｍ％〜２５．５ｗｔ％程度が望まし
い。
−シアノフェニルーｐ′−ｎ−アルキルベンゾェイト液
晶化合物の組成比は、約２０％〜９０％の間で用除に応
じて変化することが出来る。第７図、第８図の結果より
サンプルＥを表示素子に応用する場合、Ｅｃとして３×
１ぴｖ／肌以下が望ましく、ヶｃＮ， ７Ｍの値として
１００肌ｓｅｃ（２５℃）以下が望ましいので川−ｐ−
２−メチルプチルーベンゾイルオキシｐ′ーシアノベン
ゼル添加量は、１５Ｍ％〜２５．５ｗｔ％程度が望まし
い。
又非Ｃｈ液晶であるピリミジン誘導体液晶化合物とｐ−
ｎーアルキルｐ′−シアノビフヱニール液晶化合物の組
成比は、約２０〜９０％の間で用途に応じて変化するこ
とが出来る。以上、述べた様に本発明は相転移をマトリ
ックス駆動に応用する液晶材料として可視領域で透明で
あり、比較的低粘性でメモリー特性も良好であるため効
果的な組成を提供するものである。
ｎーアルキルｐ′−シアノビフヱニール液晶化合物の組
成比は、約２０〜９０％の間で用途に応じて変化するこ
とが出来る。以上、述べた様に本発明は相転移をマトリ
ックス駆動に応用する液晶材料として可視領域で透明で
あり、比較的低粘性でメモリー特性も良好であるため効
果的な組成を提供するものである。
第１図は？ｃＮを説明する図で、第１図ａは電界Ｅ、第
１図ｂは透過率Ｔｓを示し、第２図ヶ母を説明する図で
第２図ａは電界Ｅ、第２図ｂは透過率Ｔｓを示し、第３
図は〜ｃを説明する図で、第３図ａは電界Ｅ、第３図ｂ
は透過率Ｔｓを示し、第４図は電界Ｅに対する透過率Ｔ
ｓの変化特性を表わす図、第５図、第６図、第７図、第
８図は本発明の液晶組成において、ある成分の濃度を変
化させたときの特性曲線図で、第５図及び第７図は臨界
電界Ｅｃの変化、第６図及び第８図は７ＮｃとヶｃＮの
変化を示す。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
１図ｂは透過率Ｔｓを示し、第２図ヶ母を説明する図で
第２図ａは電界Ｅ、第２図ｂは透過率Ｔｓを示し、第３
図は〜ｃを説明する図で、第３図ａは電界Ｅ、第３図ｂ
は透過率Ｔｓを示し、第４図は電界Ｅに対する透過率Ｔ
ｓの変化特性を表わす図、第５図、第６図、第７図、第
８図は本発明の液晶組成において、ある成分の濃度を変
化させたときの特性曲線図で、第５図及び第７図は臨界
電界Ｅｃの変化、第６図及び第８図は７ＮｃとヶｃＮの
変化を示す。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マトリツクス電極を有する液晶表示装置の前記マト
リツクス電極間に表示媒体として介挿される液晶組成物
を下記に示す各成分の混合物で構成したことを特徴とす
る液晶組成物。 （i） ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる化合物。 但し、置換期Ｘ、Ｙは次に示すものでＸ≠Ｙとする。 （ａ） ＣｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１、（ｎ＝１乃至８）（
ｂ）▲数式、化学式、表等があります▼ （ｎ＝１乃至８） （ｃ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｄ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｎ＝ １乃至８） （ｅ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｆ） −ＣＮ、（この場合、Ｘ、Ｙの他方は上記（ｂ
）又は（ｄ）である。 ）（ii） Ｐ−シアノフエニル−Ｐ′−ｎ−アルキルベ
ンゾエイト系液晶。 但し、ｎ−アルキル基はＣｍＨ＿２＿ｍ＿＋＿１（ｍ
＝１乃至８）で表わされる。 (iii） （＋）−Ｐ−２−メチルブチルベンゾイルオキ
シ−Ｐ′−シアノベンゼン。 ２ マトリツクス電極を有する液晶表示装置の前記マト
リツクス電極間の示媒体として介挿される液晶組成物を
下記に示す各成分の混合物で構成したことを特徴とする
液晶組成物。 （i） ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる化合物。 但し、置換基Ｘ、Ｙは次に示すものでＸ≠Ｙ、とする
。 （ａ） ＣｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１、（ｎ＝１乃至８）（
ｂ）▲数式、化学式、表等があります▼ （ｎ＝１乃至８） （ｃ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｄ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｎ＝ １乃至８） （ｅ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｆ） −ＣＮ、（この場合、Ｘ、Ｙの他方は（ｂ）ま
たは（ｄ）である。 （ii） Ｐ−アルキル−Ｐ′−シアノビフエニール系液
晶 但し、ｎ−アルキル基はＣｍＨ＿２＿ｍ＿＋＿１（
ｍ＝１乃至８）で表わされる。 （iii） Ｐ−ｎ−アルコキシ−Ｐ′シアノビフエニー
ル系液晶 但し、ｎ−アルコキシ基はＣｉＨ＿２＿ｉ＿
＋＿１Ｏ（ｉ＝１乃至８）で表わされる。 （iv） （＋）−Ｐ−２−メチルブチルベンゾイルオキ
シ−Ｐ′−シアノベンゼン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10864077A JPS6041108B2 (ja) | 1977-09-08 | 1977-09-08 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10864077A JPS6041108B2 (ja) | 1977-09-08 | 1977-09-08 | 液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5441285A JPS5441285A (en) | 1979-04-02 |
| JPS6041108B2 true JPS6041108B2 (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=14489908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10864077A Expired JPS6041108B2 (ja) | 1977-09-08 | 1977-09-08 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041108B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5939876A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-05 | Chisso Corp | ピリミジン誘導体 |
| US4788000A (en) * | 1983-05-26 | 1988-11-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid-crystal composition |
| JPS59219381A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-10 | Sharp Corp | 液晶組成物 |
| EP0136480B1 (en) * | 1983-08-22 | 1990-01-17 | Chisso Corporation | 2,3-dicyano-5-substituted pyrazines and liquid crystal composition containing them |
| DE3401321A1 (de) * | 1984-01-17 | 1985-07-25 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Stickstoffhaltige heterocyclen |
-
1977
- 1977-09-08 JP JP10864077A patent/JPS6041108B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5441285A (en) | 1979-04-02 |
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