JPS5962865A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5962865A JPS5962865A JP17432182A JP17432182A JPS5962865A JP S5962865 A JPS5962865 A JP S5962865A JP 17432182 A JP17432182 A JP 17432182A JP 17432182 A JP17432182 A JP 17432182A JP S5962865 A JPS5962865 A JP S5962865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- photoconductive layer
- layer
- dark resistance
- electrophotographic photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はたとえは電子複写機や電子プリンタ等に用いら
れる電子写真感光体に関する。
れる電子写真感光体に関する。
従来電子写真感光体の光導電層を構成する材。
料として、Ｃｄ５ＸＺｎＯ１Ｓｅ 、 Ｓｅ −Ｔｅ
、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）等の無機材料や、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣ２）、トリニト
ロフルオレノン（ＴＮＦ ）等の有機材料が知られてい
る。しかしながら、これ等光導電材料を使用するには材
料として色々と問題があり、システムの特性をある程度
犠牲にして状況に応じてこれらの材料を使いわけしてい
るのが現状である。たとえば、Ｓｅ、ＣｄＳは本質的に
は人体に対して有害な材料であり、これらを製造するに
あたっては安全対策上特別の配慮が必要でそのだめ製造
装置が複雑になったシその製作に余分な費用を必扱とす
るし、またＳｅなどは回収の必要もありその費用も材料
コストにはねかえってくる。１だ、特性的にもたとえば
Ｓｅ（またはＳｅ −Ｔｅ系）では、結晶化温度が６５
℃と低いだめ複写を繰り返し行っている間に結晶化が起
り、残像その他の点で実用上問題が生じて来易く、結局
寿命が短いという欠点がある。また、ＺｎＯＶｃついて
は、利旧物件上、酸化還元が起りやすく環境唇囲気の影
響を著しくうけ易いだめに信頼性が低いという問題があ
る。さらに、有機光導電材料については、ｐｖｃやＴＮ
Ｆ等は、最近発がん性の疑いがもだれだりしており、丑
だ有機材料であるために熱安定性、耐摩耗性が悪くした
がって製品ライフｌｒｇ＜豆いという短所を有している
。アモルファスシリコン（ａ−８ｔ）ｉ、ｊ材料として
近年注目を集め、太陽電池への応用が活発に行なわれて
いるが、その他の応用として電子写真感光体の光導電材
料としても検討がなされている。このアモルファスシリ
コン材料は電子写真用としては前述の他の羽村にはない
長所を持っている。すなわち、無公害の材料で、従来の
材料より長波長域まで分光感度があり、根面硬度が高く
耐摩耗性に優れている等の長所で、電子写真用としても
期待されている材料である。
、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）等の無機材料や、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣ２）、トリニト
ロフルオレノン（ＴＮＦ ）等の有機材料が知られてい
る。しかしながら、これ等光導電材料を使用するには材
料として色々と問題があり、システムの特性をある程度
犠牲にして状況に応じてこれらの材料を使いわけしてい
るのが現状である。たとえば、Ｓｅ、ＣｄＳは本質的に
は人体に対して有害な材料であり、これらを製造するに
あたっては安全対策上特別の配慮が必要でそのだめ製造
装置が複雑になったシその製作に余分な費用を必扱とす
るし、またＳｅなどは回収の必要もありその費用も材料
コストにはねかえってくる。１だ、特性的にもたとえば
Ｓｅ（またはＳｅ −Ｔｅ系）では、結晶化温度が６５
℃と低いだめ複写を繰り返し行っている間に結晶化が起
り、残像その他の点で実用上問題が生じて来易く、結局
寿命が短いという欠点がある。また、ＺｎＯＶｃついて
は、利旧物件上、酸化還元が起りやすく環境唇囲気の影
響を著しくうけ易いだめに信頼性が低いという問題があ
る。さらに、有機光導電材料については、ｐｖｃやＴＮ
Ｆ等は、最近発がん性の疑いがもだれだりしており、丑
だ有機材料であるために熱安定性、耐摩耗性が悪くした
がって製品ライフｌｒｇ＜豆いという短所を有している
。アモルファスシリコン（ａ−８ｔ）ｉ、ｊ材料として
近年注目を集め、太陽電池への応用が活発に行なわれて
いるが、その他の応用として電子写真感光体の光導電材
料としても検討がなされている。このアモルファスシリ
コン材料は電子写真用としては前述の他の羽村にはない
長所を持っている。すなわち、無公害の材料で、従来の
材料より長波長域まで分光感度があり、根面硬度が高く
耐摩耗性に優れている等の長所で、電子写真用としても
期待されている材料である。
ところで、アモルファスシリコンを用いた電子写真感光
体は、導電性基板上にアモルファスシリコン層をＳｉＨ
４ガスのダロー放電分解によシ成膜してなる。しかしな
がら、純５ｊＨ４ガスを用いて成膜された水素化アモル
ファスシリコン（ａ −Ｓｊ；Ｈ）膜は暗中での比抵抗
が１０１１０ｃｍと小さいだめ、電子写真７０ロセス中
の直流コロナ帯電を行なっても充分な表面電位を保持す
るととができない。また、ＳｉＨガスと０２ガスの混合
ガスを用いて成膜されたアモルファスシリコン（ａ −
Ｓｊ ｊＩ＋Ｏ）膜は０２濃度をコントロールするとと
によシ暗中での抵抗を１０１３ｂ以上にするξとができ
るか、光照射時の抵抗が１０１１わ以上になってしまい
、充分な光感度が得られないため、電子写真用としては
使用できない。
体は、導電性基板上にアモルファスシリコン層をＳｉＨ
４ガスのダロー放電分解によシ成膜してなる。しかしな
がら、純５ｊＨ４ガスを用いて成膜された水素化アモル
ファスシリコン（ａ −Ｓｊ；Ｈ）膜は暗中での比抵抗
が１０１１０ｃｍと小さいだめ、電子写真７０ロセス中
の直流コロナ帯電を行なっても充分な表面電位を保持す
るととができない。また、ＳｉＨガスと０２ガスの混合
ガスを用いて成膜されたアモルファスシリコン（ａ −
Ｓｊ ｊＩ＋Ｏ）膜は０２濃度をコントロールするとと
によシ暗中での抵抗を１０１３ｂ以上にするξとができ
るか、光照射時の抵抗が１０１１わ以上になってしまい
、充分な光感度が得られないため、電子写真用としては
使用できない。
本発明は上記↓」１情にもとづいてなされたもので、そ
の目的とするところは、帯電特性、暗減衰特性および光
感度特性に優れる電子写真感光体を提供することにある
。
の目的とするところは、帯電特性、暗減衰特性および光
感度特性に優れる電子写真感光体を提供することにある
。
本発明は、導電性基板上にアモルファスシリコン光導電
性層を積Ｊクツしてなる電子写真感光体において、上記
アモルファスシリコン光１性層の上下に、このアモルフ
ァスシリコン光ＰｊＪ ｎＬ性層よりも光学的バンドギ
ャップが大きく、かつ暗抵抗が大きいアモルファスシリ
コン部材を設け／ζことを特徴とするものである。
性層を積Ｊクツしてなる電子写真感光体において、上記
アモルファスシリコン光１性層の上下に、このアモルフ
ァスシリコン光ＰｊＪ ｎＬ性層よりも光学的バンドギ
ャップが大きく、かつ暗抵抗が大きいアモルファスシリ
コン部材を設け／ζことを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。８ＰＪ１図中１は導′ｒＥ性基板で、この導電性基板
１上には第１のアモルファスシリコン部月２、アモルフ
ァスシリコン光導電性層３および第２のアモルファスシ
リコン部材４がこの順に積層されている。上記アモルフ
ァスシリコン光導電性層３は層厚が５角ｎ以上、光学的
バンドギャップが１．６〜１．８ｅＶ、暗抵抗が１０９
ｎｃｍ以上たとえば１０１１ｒｋ、Ｍ＋、光照射暗抵抗
が波長Ｇ ５０ ｎｎｎ 、 １０１５ｐｈｏｔｏｎ
／ｃｎｚ２ｓｅｃの光を照射したとき１０８Ω７７１以
下たとえば１０’に胎ｎとなっている。−１だ、上記第
１および第２のアモルファスシリコン部材２，４は層厚
が５０〜２０００Ｘ 。
。８ＰＪ１図中１は導′ｒＥ性基板で、この導電性基板
１上には第１のアモルファスシリコン部月２、アモルフ
ァスシリコン光導電性層３および第２のアモルファスシ
リコン部材４がこの順に積層されている。上記アモルフ
ァスシリコン光導電性層３は層厚が５角ｎ以上、光学的
バンドギャップが１．６〜１．８ｅＶ、暗抵抗が１０９
ｎｃｍ以上たとえば１０１１ｒｋ、Ｍ＋、光照射暗抵抗
が波長Ｇ ５０ ｎｎｎ 、 １０１５ｐｈｏｔｏｎ
／ｃｎｚ２ｓｅｃの光を照射したとき１０８Ω７７１以
下たとえば１０’に胎ｎとなっている。−１だ、上記第
１および第２のアモルファスシリコン部材２，４は層厚
が５０〜２０００Ｘ 。
光学的バンドギャップが２０〜４．ＯＶ、暗抵抗が］、
Ｑ”、Ｑｚ以上たとえば１０”ｒｈとなっている。
Ｑ”、Ｑｚ以上たとえば１０”ｒｈとなっている。
しかして、このように＋１９成された電子写真感光体に
正極性の直流コロナチャージャによって正稜件の表面電
位を印加すると、第１と第２のアモルファスシリコン部
材２ 、４ ハ暗ｆｃ 抗ρ。−１，０１５社以上であ
るから、正極性の表面電荷および基板１に誘起された負
極性の電荷のアモルファスシリコン光導′屯性層３への
注入はそれぞれ阻止され、光分外表面電位がイｉＪられ
る。
正極性の直流コロナチャージャによって正稜件の表面電
位を印加すると、第１と第２のアモルファスシリコン部
材２ 、４ ハ暗ｆｃ 抗ρ。−１，０１５社以上であ
るから、正極性の表面電荷および基板１に誘起された負
極性の電荷のアモルファスシリコン光導′屯性層３への
注入はそれぞれ阻止され、光分外表面電位がイｉＪられ
る。
ついで、光像照射を行なうと、光学的・ぐンドギャッｆ
Ｅｇｏｐ廿の大きい表面の第２のアモルファスシリコ
ン部材４ではほとんど光が吸収されず、光学的バンドギ
ャップＥｇｏｐｔの小さいアモルファスシリコン光導電
性層３の表面層で光吸収が起こり、対をなす負極性と正
極性のキャリアすなわち１Ｌ子と正孔を発生する。この
光で誘起されたキャリアのうち負極性のキャリアは表面
の正電荷に引かれて表面層へ向かい、正極性のキャリア
は基板へ向かう。表面および基板１上の第１と＆４２の
アモルファスシリコン部材２゜４ｔよ３００Ｘ、９００
Ｘの）（（−膜であるから、発生した負４ｔｉＣ性と正
極１１三のキャリアは第１と第２のアモルファスシリコ
ン部Ａ７（２，４に注入されてそれぞれ表面電荷を中和
し、その結ＭＬ表面Ｗｊ荷は効果的に減温する。
Ｅｇｏｐ廿の大きい表面の第２のアモルファスシリコ
ン部材４ではほとんど光が吸収されず、光学的バンドギ
ャップＥｇｏｐｔの小さいアモルファスシリコン光導電
性層３の表面層で光吸収が起こり、対をなす負極性と正
極性のキャリアすなわち１Ｌ子と正孔を発生する。この
光で誘起されたキャリアのうち負極性のキャリアは表面
の正電荷に引かれて表面層へ向かい、正極性のキャリア
は基板へ向かう。表面および基板１上の第１と＆４２の
アモルファスシリコン部材２゜４ｔよ３００Ｘ、９００
Ｘの）（（−膜であるから、発生した負４ｔｉＣ性と正
極１１三のキャリアは第１と第２のアモルファスシリコ
ン部Ａ７（２，４に注入されてそれぞれ表面電荷を中和
し、その結ＭＬ表面Ｗｊ荷は効果的に減温する。
次に実験例を説明する。寸ず、導電性基板であるＡｔ−
ドラム基板１を真空チャンバー内に設け、チャンバー内
を１０−６ｔ ｏ ｒ ｒまで真空にひくとともにＡｔ
ドラム基板１を２ｏｏ℃に加熱しておく。ついで、流）
、；比で０２．／ ５ｉｌＩ４ ＝ ４ヴの混合ガスを
チャンバー内へ２ｉｉ人し、圧力を０Ａｔｏｒｒの状態
に保ってＡｔドラム基板に対向した電極Ｋ １３．５６
ＭＨｇのラジオフレクエンシーパワー２５Ｗを印加し
、３分間（約９０ｏλ）第１のアモルファスシリコン部
材（ａ −Ｓｉ：Ｈ＋ ０膜） ２ 全成膜する。つい
で、０２ガスを止めて純５ＩＨ４；／７スをパワーだけ
を１００Ｗに変えて５時間（約１５μ７ｎ）アモルファ
スシリコン光導電性層（ａ−３ｉ；Ｈ膜）３を成膜する
。ついで、再度ｏ２ガス全導入し、流量比で０２／５ｉ
Ｈ４＝４％の混合ガスを４入し、第２のアモルファスシ
リコン部材（ａ−Ｓｉ；Ｈ＋Ｏ膜）４を３００Ｘ成膜す
る。各膜の光学的パンドギャッ７°Ｅｇｏｐｔ 、暗抵
抗ρＤおよび光照射時抵抗ρ、１１は予め別々に作成さ
れたザンノ０ルで測定すると、アモルファスシリコン光
導１１ｚ性ｆｉ （ａ−８ｔ；Ｈ膜）３はＥｇｏｐｔ
＝ １．７８ ｅＶ ％ρ■）＝ １０ ｎｒｍ、ρ
、ｈ＝１０．０ｍであり、第１と第２のアモルファスシ
リコン部材（ａ −Ｓｌ ；Ｈ＋０膜）２．４はＥｇｏ
ｐｔ ＝ ２．６ ｅＶ 、ρｏ ＝ １０ ”Ｋｋｍ
。
ドラム基板１を真空チャンバー内に設け、チャンバー内
を１０−６ｔ ｏ ｒ ｒまで真空にひくとともにＡｔ
ドラム基板１を２ｏｏ℃に加熱しておく。ついで、流）
、；比で０２．／ ５ｉｌＩ４ ＝ ４ヴの混合ガスを
チャンバー内へ２ｉｉ人し、圧力を０Ａｔｏｒｒの状態
に保ってＡｔドラム基板に対向した電極Ｋ １３．５６
ＭＨｇのラジオフレクエンシーパワー２５Ｗを印加し
、３分間（約９０ｏλ）第１のアモルファスシリコン部
材（ａ −Ｓｉ：Ｈ＋ ０膜） ２ 全成膜する。つい
で、０２ガスを止めて純５ＩＨ４；／７スをパワーだけ
を１００Ｗに変えて５時間（約１５μ７ｎ）アモルファ
スシリコン光導電性層（ａ−３ｉ；Ｈ膜）３を成膜する
。ついで、再度ｏ２ガス全導入し、流量比で０２／５ｉ
Ｈ４＝４％の混合ガスを４入し、第２のアモルファスシ
リコン部材（ａ−Ｓｉ；Ｈ＋Ｏ膜）４を３００Ｘ成膜す
る。各膜の光学的パンドギャッ７°Ｅｇｏｐｔ 、暗抵
抗ρＤおよび光照射時抵抗ρ、１１は予め別々に作成さ
れたザンノ０ルで測定すると、アモルファスシリコン光
導１１ｚ性ｆｉ （ａ−８ｔ；Ｈ膜）３はＥｇｏｐｔ
＝ １．７８ ｅＶ ％ρ■）＝ １０ ｎｒｍ、ρ
、ｈ＝１０．０ｍであり、第１と第２のアモルファスシ
リコン部材（ａ −Ｓｌ ；Ｈ＋０膜）２．４はＥｇｏ
ｐｔ ＝ ２．６ ｅＶ 、ρｏ ＝ １０ ”Ｋｋｍ
。
ρｐｈ−１０１２齢である。このような電子写真感光体
を電子写真ノロセスに適用すると、正極性の直流コロナ
チャーツヤ−によって＋５００Ｖ以上の表面電位を得る
ことができだ。まだ、光像照射による表面電位の光減衰
を半減露光力にで測定したところ、０．８／！、、ｓ、
の高感度を示しだ。以上のような良好な帯電特性および
高感度を示すだめの条件は、アモルファスシリコン光導
電性層（ａ−３ｉ；Ｈ膜）３のＥｇｏｐｔが１．６〜１
．８ ｅＶ 。
を電子写真ノロセスに適用すると、正極性の直流コロナ
チャーツヤ−によって＋５００Ｖ以上の表面電位を得る
ことができだ。まだ、光像照射による表面電位の光減衰
を半減露光力にで測定したところ、０．８／！、、ｓ、
の高感度を示しだ。以上のような良好な帯電特性および
高感度を示すだめの条件は、アモルファスシリコン光導
電性層（ａ−３ｉ；Ｈ膜）３のＥｇｏｐｔが１．６〜１
．８ ｅＶ 。
ρＤか１０”、０ｍ以上、ρ、ｈが１． Ｏｎｔｙｎ以
下、第１と第２のアモルファスシリコン部材（＋１−
Ｓｉ：Ｈ。
下、第１と第２のアモルファスシリコン部材（＋１−
Ｓｉ：Ｈ。
０月！、り２．４のＥｇｏｐｔが２．０〜４． ＯｅＶ
、ρＤが１０１３（ト）１７以上、膜厚が５０Ｘ〜２
０００Ｘであることが種々のザンプルの測定結果から判
明している。なお、その測定結果を第２図〜第４図に示
す。また、第１および第２のアモルファスシリコン部材
であるａ−３ｉ；Ｈ，０膜の代わりにＥｇｏｐｔが２〜
４ｅＶでρＤが１０１３ｎｎｎ以上のａ−３ｌ；ＩＩ、
Ｃ膜またはａ Ｓ ｒ ； ＩＩ＋ Ｎ ＩＩ！まだ
はこれらの組合わされたものを用いても同様の効果が得
られる。
、ρＤが１０１３（ト）１７以上、膜厚が５０Ｘ〜２
０００Ｘであることが種々のザンプルの測定結果から判
明している。なお、その測定結果を第２図〜第４図に示
す。また、第１および第２のアモルファスシリコン部材
であるａ−３ｉ；Ｈ，０膜の代わりにＥｇｏｐｔが２〜
４ｅＶでρＤが１０１３ｎｎｎ以上のａ−３ｌ；ＩＩ、
Ｃ膜またはａ Ｓ ｒ ； ＩＩ＋ Ｎ ＩＩ！まだ
はこれらの組合わされたものを用いても同様の効果が得
られる。
以上説明したように本発明によれば、導電性基板上にア
モルファスシリコン光導電性層を積層してなる電子写真
感光体において、上記アモルファスシリコン光導電性層
の上下に、このアモルファスシリコン光導電性層よりも
光学的バンドギャップが大きく、かつ暗抵抗が大きいア
モルファスシリコン部材を設けだから、優れた帯電特性
、暗減衰特性および光感度特性が得られる等優れた効果
を奏する。
モルファスシリコン光導電性層を積層してなる電子写真
感光体において、上記アモルファスシリコン光導電性層
の上下に、このアモルファスシリコン光導電性層よりも
光学的バンドギャップが大きく、かつ暗抵抗が大きいア
モルファスシリコン部材を設けだから、優れた帯電特性
、暗減衰特性および光感度特性が得られる等優れた効果
を奏する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図はアモ
ルファスシリコン光導電性層−の抵抗と表面電位および
感度とのそれぞれの関係を示す図、第３図は第１．第２
のアモルファスシリコン部利の暗抵抗および光学的バン
ドギャップと表面電位および感度とのそれぞれの関係を
示す図、第４図は第１．第２のアモルファスシリコン部
材の厚さと表面電位および残留電位とのそれぞれの関係
を示す図である。 １・・・２！ｉ電性基板、２・・・第１のアモルファス
シリコンＢｌ＜ ’７．３・・・アモルファスシリコン
光導電層、４・・・第２のアモルファスシリコン部材。 第１図 茅２ 図 ｉ・１ｇ畢（、醍、、、 １０５１０６ｔｏ”’ １
０７−ｆｉル ）、ｌ−り」ンＬ！ ’ｌＹ４（ＶＧ
１５ｕｍ）ｃＪＬｆｉ’Ｌ（Ａｃｍ）＜＄ １ｈ°Ｊ
４２ ｆｉ ｉ”ｂ＋Ｌ＝７アス； Ｉ＋−） ４ｎ丁
ｐｏ＝ １ｄｋｃｍ、Ｅｇｏｐｔ＝２５ｅｖ第３図 ′：ｌ３６９パ」〜′マーゲＥｇｏｐｔ２．０
２．３ ２，５５ ２．Ｂ
、！；ＬＶ”！ＩＦ １．％２ｔｔ＋４ｂレフフス
”Ａｔ”Ａｎ＄４千’Ｓａ２・、＋ｆｄ６９ノ、〉）Ａ
＼・、フ゛） （イ２，１−
７，１ンｑつ４ｉンｐ１．７ｊ４ＰＯ＝ｉｏ”ｉｃｍ、
、／’ｐｈ＝１０’ｎｃｍＪ４．１５ｑｒｎ）１、事件
の表示 特願昭５７−１７４３２１号 ２、発明の名ね・ 電子与真感光体 ３、補正をする者 事件との関係 時的 出願人 （３０７） 東京乏曲電気株式会社 ４、代理人 ７、補正の内容 明細書、第４頁第６行目の「耐摩耗性」を「可湿性」と
訂正する。
ルファスシリコン光導電性層−の抵抗と表面電位および
感度とのそれぞれの関係を示す図、第３図は第１．第２
のアモルファスシリコン部利の暗抵抗および光学的バン
ドギャップと表面電位および感度とのそれぞれの関係を
示す図、第４図は第１．第２のアモルファスシリコン部
材の厚さと表面電位および残留電位とのそれぞれの関係
を示す図である。 １・・・２！ｉ電性基板、２・・・第１のアモルファス
シリコンＢｌ＜ ’７．３・・・アモルファスシリコン
光導電層、４・・・第２のアモルファスシリコン部材。 第１図 茅２ 図 ｉ・１ｇ畢（、醍、、、 １０５１０６ｔｏ”’ １
０７−ｆｉル ）、ｌ−り」ンＬ！ ’ｌＹ４（ＶＧ
１５ｕｍ）ｃＪＬｆｉ’Ｌ（Ａｃｍ）＜＄ １ｈ°Ｊ
４２ ｆｉ ｉ”ｂ＋Ｌ＝７アス； Ｉ＋−） ４ｎ丁
ｐｏ＝ １ｄｋｃｍ、Ｅｇｏｐｔ＝２５ｅｖ第３図 ′：ｌ３６９パ」〜′マーゲＥｇｏｐｔ２．０
２．３ ２，５５ ２．Ｂ
、！；ＬＶ”！ＩＦ １．％２ｔｔ＋４ｂレフフス
”Ａｔ”Ａｎ＄４千’Ｓａ２・、＋ｆｄ６９ノ、〉）Ａ
＼・、フ゛） （イ２，１−
７，１ンｑつ４ｉンｐ１．７ｊ４ＰＯ＝ｉｏ”ｉｃｍ、
、／’ｐｈ＝１０’ｎｃｍＪ４．１５ｑｒｎ）１、事件
の表示 特願昭５７−１７４３２１号 ２、発明の名ね・ 電子与真感光体 ３、補正をする者 事件との関係 時的 出願人 （３０７） 東京乏曲電気株式会社 ４、代理人 ７、補正の内容 明細書、第４頁第６行目の「耐摩耗性」を「可湿性」と
訂正する。
Claims (7)
- （１）４電性基板上にアモルファスシリコン光導電性層
を積層してなる電子写真感光体において、上記アモルフ
ァスシリコン光導電性層の上下に、このアモルファスシ
リコン光導電性層よりも光学的・２ンドギヤツプが大き
く、がっ暗抵抗が大きいアモルファスシリコン部材を設
けたことを特徴とする電子写真感光体。 - （２） アモルファスシリコン光導電性層は光学的バ
ンドギャップが１．６〜ｉ、８ｅＶであり、暗抵抗が１
０９ｈ以上である特許請求の範囲第１項記載の電子写真
感光体。 - （３） アモルファスシリコン部材ハ光学的バンドギ
ャップが２．０〜４．ＯｅＶであシ、暗抵抗が１０
ｎｃｒｎ以上である特許請求の範囲第１項まだは第２項
記載の１１コ１子写真感光体。 - （４） アモルファスシリコン光導電性層は光照射暗
抵抗が波長６５０ ｎｍ 、 ］、 ０１５ｐｈｏｔｏ
ｎ／ａｎ”ｓｅｃの光を照射したとき、１０”ｎｔｙｎ
以下である特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
かに記載の電子写真感光体。 - （５） アモルファスシリコン光導電性層は暗抵抗が
１ Ｏｎｏｎ、光照射暗抵抗が波長６５０ ｎｍ 。 １０１５ｐｈｏｔｏｎ／ｃｎ１２ｓｅｃの光を照射した
とき、１０．０ｍである特許請求の範囲第１項ないし第
４項のいずれかに記載の電子写真感光体。 - （６） アモルファスシリコン部材は層厚が５０〜２
０００Ｘである特許請求の範囲第１項ないし第５項のい
ずれかに記載の電子写真感光体。 - （７） アモルファスシリコン光導電性層は層厚が５
μ？ｎ以上である特許請求の範囲第１項ないし第６項の
いずれかに記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17432182A JPS5962865A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17432182A JPS5962865A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5962865A true JPS5962865A (ja) | 1984-04-10 |
Family
ID=15976595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17432182A Pending JPS5962865A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5962865A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61160754A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Hitachi Ltd | 電子写真感光体の製造法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717952A (en) * | 1980-07-09 | 1982-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1982
- 1982-10-04 JP JP17432182A patent/JPS5962865A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717952A (en) * | 1980-07-09 | 1982-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Electrophotographic receptor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61160754A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Hitachi Ltd | 電子写真感光体の製造法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61100759A (ja) | 光導電部材 | |
| US5159389A (en) | Electrostatic latent image apparatus | |
| US3685989A (en) | Ambipolar photoreceptor and method of imaging | |
| US3712810A (en) | Ambipolar photoreceptor and method | |
| JPS5962865A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS5860746A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6126054A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61110152A (ja) | 感光体 | |
| JPS6125154A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6194054A (ja) | 光導電部材 | |
| JPH058420B2 (ja) | ||
| JPS6022382A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS6122351A (ja) | アモルフアスシリコン感光体 | |
| JPS6197683A (ja) | 電子写真感光体の帯電電位安定化方法 | |
| JPH0760271B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JPS62156666A (ja) | 感光体 | |
| JPH0455309B2 (ja) | ||
| JPH02165162A (ja) | バイポーラ型静電潜像担持体 | |
| JPS62112166A (ja) | 光導電性感光体の製造方法 | |
| JPS6059364A (ja) | 非晶質半導体装置 | |
| JPH02106761A (ja) | 静電潜像担持体 | |
| JPS62156664A (ja) | 感光体 | |
| JPS61138957A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61126560A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS60149050A (ja) | 光導電部材 |