JPS5963580A - 半導体光位置検出器の位置補正装置 - Google Patents
半導体光位置検出器の位置補正装置Info
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- JPS5963580A JPS5963580A JP57174174A JP17417482A JPS5963580A JP S5963580 A JPS5963580 A JP S5963580A JP 57174174 A JP57174174 A JP 57174174A JP 17417482 A JP17417482 A JP 17417482A JP S5963580 A JPS5963580 A JP S5963580A
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- Japan
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- signal
- detector
- optical position
- position detector
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S3/00—Direction-finders for determining the direction from which infrasonic, sonic, ultrasonic or electromagnetic waves, or particle emission, not having a directional significance, are being received
- G01S3/78—Direction-finders for determining the direction from which infrasonic, sonic, ultrasonic or electromagnetic waves, or particle emission, not having a directional significance, are being received using electromagnetic waves other than radio waves
- G01S3/782—Systems for determining direction or deviation from predetermined direction
- G01S3/783—Systems for determining direction or deviation from predetermined direction using amplitude comparison of signals derived from static detectors or detector systems
- G01S3/784—Systems for determining direction or deviation from predetermined direction using amplitude comparison of signals derived from static detectors or detector systems using a mosaic of detectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光入射位置に応じた位置信号をアナログ出力
する半導体装置検出器用の位置補正装置に関する。
する半導体装置検出器用の位置補正装置に関する。
半導体表面抵抗層による充電流分割を行う半導体装置検
出器では、７オトダイオードアレイ等の光位置検出器と
比べて受光面上に不感部分がなく、連続した位置信号が
倚らｎるという長所がめる反面、位ｆ直線性は表向抵抗
層の特性によって決定さｎるため歪みがあり、個々の検
出器によってその歪み方が異るという欠点があった。
出器では、７オトダイオードアレイ等の光位置検出器と
比べて受光面上に不感部分がなく、連続した位置信号が
倚らｎるという長所がめる反面、位ｆ直線性は表向抵抗
層の特性によって決定さｎるため歪みがあり、個々の検
出器によってその歪み方が異るという欠点があった。
本発明の目的は、このような欠点を有する半導体装置検
出器の直線性を改善するための位置補正装置を提供する
ことにある。
出器の直線性を改善するための位置補正装置を提供する
ことにある。
以下、図面に示し“た実施例に基づいて本発明を説明す
る。
る。
第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明の詳細な説明するため
の図であり、第１図（ａ）は光位置検出器の受光面１上
をｎＸｎ （図では簡単のためｎ−６）の升目に別け、
はぼ等間隔な（ｎ＋１）”個（図では４９個）の基準点
を設定した図、第１図（ｂ）は上記各基準点に対応した
光位置検出器１からの出力信号を基に、受光面１′を再
現した場合の一例を示す図である。第１図（ａ）、（ｂ
）を比べｎば明らかな如く、光位置検出器１の出力信号
で表わさｎる升目は一般には歪んでしまうので（図では
歪みを拡大して示しであるが、この歪みはそ扛はど太き
いわけではない。しかしながら、極めて高精度に先位ｆ
ｌ検出したい場合に問題となる。）あらかじめ各基準点
と、各基準点に対応した光位置検出器１からの出力信号
とを１対１に関連付け、該出力信号から求めた座標Ｐ（
χｐ、 ′ｙｐ）に対応した基準点の座標Ｐ （Ｘｐ、
Ｙ’ｐ ）を求め０ことによって、上記各基準点の誤
差を無くしている。このように、光位置検出器１の受光
面を倣小領域に細分化し、累積誤差を減少前値）と４つ
の基準点で規定さｆる升目内部の点においては、歪みの
影響がなくそのため出力信号が座標位置に応じて一様に
変化すると仮定することにより補正座標を求める。
の図であり、第１図（ａ）は光位置検出器の受光面１上
をｎＸｎ （図では簡単のためｎ−６）の升目に別け、
はぼ等間隔な（ｎ＋１）”個（図では４９個）の基準点
を設定した図、第１図（ｂ）は上記各基準点に対応した
光位置検出器１からの出力信号を基に、受光面１′を再
現した場合の一例を示す図である。第１図（ａ）、（ｂ
）を比べｎば明らかな如く、光位置検出器１の出力信号
で表わさｎる升目は一般には歪んでしまうので（図では
歪みを拡大して示しであるが、この歪みはそ扛はど太き
いわけではない。しかしながら、極めて高精度に先位ｆ
ｌ検出したい場合に問題となる。）あらかじめ各基準点
と、各基準点に対応した光位置検出器１からの出力信号
とを１対１に関連付け、該出力信号から求めた座標Ｐ（
χｐ、 ′ｙｐ）に対応した基準点の座標Ｐ （Ｘｐ、
Ｙ’ｐ ）を求め０ことによって、上記各基準点の誤
差を無くしている。このように、光位置検出器１の受光
面を倣小領域に細分化し、累積誤差を減少前値）と４つ
の基準点で規定さｆる升目内部の点においては、歪みの
影響がなくそのため出力信号が座標位置に応じて一様に
変化すると仮定することにより補正座標を求める。
すなわち、いま、−例として４つの基準点Ｔ ｌ ｊ
＋Ｔｉ＋ｔ、 Ｊ、 Ｔｉ＋ｌ 、 ｊ＋＋ 、 ’ｌ
’ｌ、 Ｉ ＋＋で囲ま扛る升目内部の点Ｐ（Ｘｐ、Ｙ
’ｐ）に対応する光位置検出器１の出力信号から求めた
座標をｐ＜Ｘｐ、 ｙｐ）とすれば、座標ｐ（Ｘｐ、
Ｙｐ ）のＸ座標Ｘｐ及びｙ座標ｙｐは一意的に式１式
％ 但し、ＸＩ）、Ｙ＋）は点ＰのＸ座標、Ｙ座標、Ｌは、
升目を形成する正方形の一辺の長さ、ＸＩ１３’＠は基
準点１”ｉ Ｊ（Ｄ座標（Ｘ、 、 Ｙ、 ）Ｋ： 対
応−ｆ ；ｂ 座ｔａ、ＸＩ、ｙｌは基準点Ｔｌ＋＋
＋ Ｉの座標（Ｘ、 ＋ ｔ、 Ｙ、 Ｊに対応する座
標、ＸＩ、ｙｒは基準点Ｔｉ＋ｌ ＋ Ｉ”ｌの座標（
凡＋ｔ 、 Ｙ＊ ＋ ｔ ）に対応する座標、ＸＩ
、 ’／＋は基準点Ｔ＋、 ４＋＋の座標（Ｘ、。
＋Ｔｉ＋ｔ、 Ｊ、 Ｔｉ＋ｌ 、 ｊ＋＋ 、 ’ｌ
’ｌ、 Ｉ ＋＋で囲ま扛る升目内部の点Ｐ（Ｘｐ、Ｙ
’ｐ）に対応する光位置検出器１の出力信号から求めた
座標をｐ＜Ｘｐ、 ｙｐ）とすれば、座標ｐ（Ｘｐ、
Ｙｐ ）のＸ座標Ｘｐ及びｙ座標ｙｐは一意的に式１式
％ 但し、ＸＩ）、Ｙ＋）は点ＰのＸ座標、Ｙ座標、Ｌは、
升目を形成する正方形の一辺の長さ、ＸＩ１３’＠は基
準点１”ｉ Ｊ（Ｄ座標（Ｘ、 、 Ｙ、 ）Ｋ： 対
応−ｆ ；ｂ 座ｔａ、ＸＩ、ｙｌは基準点Ｔｌ＋＋
＋ Ｉの座標（Ｘ、 ＋ ｔ、 Ｙ、 Ｊに対応する座
標、ＸＩ、ｙｒは基準点Ｔｉ＋ｌ ＋ Ｉ”ｌの座標（
凡＋ｔ 、 Ｙ＊ ＋ ｔ ）に対応する座標、ＸＩ
、 ’／＋は基準点Ｔ＋、 ４＋＋の座標（Ｘ、。
Ｙ’Ｌ ＋ ｔ ）に対応する座伸、ｍはＸ座標ｘ、
、 Ｘ、間及びＸ座標ｘ、 、 ｘ、間の分割比、１１
はｙ座標ｙ、 、 ｙｒ聞及びｙ座標’ｆｉ 、 Ｙｓ
間の分割比である。
、 Ｘ、間及びＸ座標ｘ、 、 ｘ、間の分割比、１１
はｙ座標ｙ、 、 ｙｒ聞及びｙ座標’ｆｉ 、 Ｙｓ
間の分割比である。
上述の式（１）から、分割比ｍ、 ｎの値を求めるこ
とによって第１図（ａ）の点Ｐの座標（ｘｐ、 Ｙｐ）
を式１式％ ） ） 従って、光位置検出器１の出力信号から求めた座標Ｐ（
ｘｐ・Ｙｐ）から補正した座標（Ｘｐ、Ｙｐ）を求める
ことかできる。このようにして升目内部の点を補正する
ことにより、位置直線性の歪かに％であるとすれば、各
升目を形成する４点は完全に補正に さｎているから、升目内部の点の直線性の歪は一１ チに改善さｆｌ−ることになる。
とによって第１図（ａ）の点Ｐの座標（ｘｐ、 Ｙｐ）
を式１式％ ） ） 従って、光位置検出器１の出力信号から求めた座標Ｐ（
ｘｐ・Ｙｐ）から補正した座標（Ｘｐ、Ｙｐ）を求める
ことかできる。このようにして升目内部の点を補正する
ことにより、位置直線性の歪かに％であるとすれば、各
升目を形成する４点は完全に補正に さｎているから、升目内部の点の直線性の歪は一１ チに改善さｆｌ−ることになる。
次に、第２図によって上述の原理を実現した電気回路の
ブロック図を示す。
ブロック図を示す。
２次元半導体装置検出器１は、４つの出力端子Ａ、Ｅ、
Ｃ，，Ｄを有しており、端子Ａ、Ｂからの信号によって
Ｘ方向の座標データが、端子Ｃ１Ｄからの信号によって
Ｙ方向の座標データが求まる。検出器１の端子Ａ； Ｂ
ＸＣ，Ｄがら出力さ几る電流は式（３）、式（４）の如
くである。
Ｃ，，Ｄを有しており、端子Ａ、Ｂからの信号によって
Ｘ方向の座標データが、端子Ｃ１Ｄからの信号によって
Ｙ方向の座標データが求まる。検出器１の端子Ａ； Ｂ
ＸＣ，Ｄがら出力さ几る電流は式（３）、式（４）の如
くである。
但し、■Ｘｌ＋ ｌｘ、 ｌ ＩＹＩ ＋ ｉＹ、は各
々、端子Ａ１Ｂ、ＣＸＤから出力さｎる電流、■は入射
光エネルギーにより生成さ扛た電流、Ｌｌは電極Ａ、Ｂ
間の距離、ＬＩは電極Ｃ，Ｄ間の距離、ｘ、ｙは検出器
１の左下隅Ｏを原点とした場合の点Ｐの座標Ｘｐｙｐ（
第１図（ｂ）参照）に対応する。
々、端子Ａ１Ｂ、ＣＸＤから出力さｎる電流、■は入射
光エネルギーにより生成さ扛た電流、Ｌｌは電極Ａ、Ｂ
間の距離、ＬＩは電極Ｃ，Ｄ間の距離、ｘ、ｙは検出器
１の左下隅Ｏを原点とした場合の点Ｐの座標Ｘｐｙｐ（
第１図（ｂ）参照）に対応する。
とｎらの電流は、増幅器２１Ａ、 ２１Ｂ、 ２１Ｃ，
２１Ｄにより増幅さｎた後、サンプル・ボールド回路２
２Ａ、 ２２Ｂ、 ２２Ｃ，２２Ｄにてサンプル・ボー
ルドさｎる。アナログマルチプレクサ２３は、サンプル
・ホールド回路２２Ａ、 ２２Ｂ、 ２２Ｃ，２２１）
の出力信号を順次切り換えてＡ／Ｄ変換回路２４に入力
せしめる。
２１Ｄにより増幅さｎた後、サンプル・ボールド回路２
２Ａ、 ２２Ｂ、 ２２Ｃ，２２Ｄにてサンプル・ボー
ルドさｎる。アナログマルチプレクサ２３は、サンプル
・ホールド回路２２Ａ、 ２２Ｂ、 ２２Ｃ，２２１）
の出力信号を順次切り換えてＡ／Ｄ変換回路２４に入力
せしめる。
Ａ／Ｄ変換回路２４は大刀信号をデジタル信号に変換し
、このＡ／Ｄ変換信号を処理回路としてのマイクロプロ
セッサ２５に入力せしめる。マイクロプロセッサ２５は
、補正のテーブルが格納さｆている記憶回路２６のテー
ブルを参照して測定信号に適切な補正を行ない表示装置
２７に出力する。
、このＡ／Ｄ変換信号を処理回路としてのマイクロプロ
セッサ２５に入力せしめる。マイクロプロセッサ２５は
、補正のテーブルが格納さｆている記憶回路２６のテー
ブルを参照して測定信号に適切な補正を行ない表示装置
２７に出力する。
第１図（ａＸｂ）を用いて説明したところから明らかな
如く、記憶回路２５には検出器１の受光面上にほぼ等間
隔に設定した基準点の座標と、検出器１の出力信号から
求めた各基準点に対応した座標とが１対１に関連付けて
記憶されている。
如く、記憶回路２５には検出器１の受光面上にほぼ等間
隔に設定した基準点の座標と、検出器１の出力信号から
求めた各基準点に対応した座標とが１対１に関連付けて
記憶されている。
従って、第３図に示したフローチャートに基づいてマイ
クロプロセッサ２５の動作を説明するに、Ａ／Ｄ変換回
路２４から出力される信号から演算した座標がいず扛か
の基準点に対応したものであれば、マイクロプロセッサ
２５は単に演算した座標に対応した基準点の座標を記憶
回路２６から読み出し、読み出した座標を表示装置２７
に出力すればよい（ブロック３０．３１．３２．３３）
。しかしながら、演算した座標が各基準点の内部の場合
には、マイクロプロセッサ２５は、演算した座標を囲む
４つの基準点の座標を記憶回路２６から読み出し、分割
比ｍＸｎを計算し、さらに、上記４つの基準点のうち、
原点となる基準点ＴＢに対応した座標（Ｘ、、Ｙ。）を
求め、式（２）により演算を行ない、光位置検出器１の
出力信号から求めた座標に対応した補正座標（Ｘｐ。
クロプロセッサ２５の動作を説明するに、Ａ／Ｄ変換回
路２４から出力される信号から演算した座標がいず扛か
の基準点に対応したものであれば、マイクロプロセッサ
２５は単に演算した座標に対応した基準点の座標を記憶
回路２６から読み出し、読み出した座標を表示装置２７
に出力すればよい（ブロック３０．３１．３２．３３）
。しかしながら、演算した座標が各基準点の内部の場合
には、マイクロプロセッサ２５は、演算した座標を囲む
４つの基準点の座標を記憶回路２６から読み出し、分割
比ｍＸｎを計算し、さらに、上記４つの基準点のうち、
原点となる基準点ＴＢに対応した座標（Ｘ、、Ｙ。）を
求め、式（２）により演算を行ない、光位置検出器１の
出力信号から求めた座標に対応した補正座標（Ｘｐ。
Ｙｐ）を求める（ブロック３０．３１．３２．３３．３
４）。
４）。
その後、マイクロプロセンサ２５はフロック３４で求め
た補正座標（Ｘｐ、 Ｙｐ）を表示装＋ｔ２７に出力す
る（ブロック３２）。
た補正座標（Ｘｐ、 Ｙｐ）を表示装＋ｔ２７に出力す
る（ブロック３２）。
以上のように本発明によ牡は、半導体装置検出器に特有
の位置直線性の歪が改善さ扛るため、半導体先位１に検
出器の高い位置分解能の長所を生かすことができる。
の位置直線性の歪が改善さ扛るため、半導体先位１に検
出器の高い位置分解能の長所を生かすことができる。
第１図（ａ）、第１図（ｂ）は本発明の詳細な説明する
だめの図、第２図は本発明の一笑施例のブロック図、第
３図は第２図のマイクロプロセンサー２５のフローチャ
ートである。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・・・・半導体装置検出器、２４・・・・・・ｋ
／Ｄ変換回路、２５・・・・・・マイクロプロセッサ、
２６・・・・・・記憶回路。 才 １図 （６）
だめの図、第２図は本発明の一笑施例のブロック図、第
３図は第２図のマイクロプロセンサー２５のフローチャ
ートである。 〔主要部分の符号の説明〕 １・・・・・・半導体装置検出器、２４・・・・・・ｋ
／Ｄ変換回路、２５・・・・・・マイクロプロセッサ、
２６・・・・・・記憶回路。 才 １図 （６）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光入射位置に応じた位置信号をアナログ出力する半導体
装置検出器の位置補正装置において、前記検出器の受光
面上にほぼ等間隔な基準点を設定し、該基準点の位置信
号のデジタル変換信号を該基準点の座標に対応せしめて
記憶する記憶装置と、 前記検出器から出力さｎる位置信号をテンタル（ｇ号に
変換するＡ−Ｄ変換回路と、 前記記憶装置とＡ−Ｄ変換回路とに接続さ庇、前記Ａ
−Ｄ変換回路の出力信号を前記基準点内部の点として位
置補正する補正装噴と、 を設けたことを特徴とする位置補正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174174A JPS5963580A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 半導体光位置検出器の位置補正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174174A JPS5963580A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 半導体光位置検出器の位置補正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963580A true JPS5963580A (ja) | 1984-04-11 |
| JPH0156390B2 JPH0156390B2 (ja) | 1989-11-29 |
Family
ID=15973996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57174174A Granted JPS5963580A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 半導体光位置検出器の位置補正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963580A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60250270A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-10 | Takashi Mori | 太陽光方向センサ |
| JPS62116912A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | Canon Inc | 自動焦点検知装置 |
| JPS62182612A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Toshiba Corp | 試料面位置測定装置 |
| JPH06208617A (ja) * | 1992-03-31 | 1994-07-26 | Nippon Steel Corp | 画像データの位置歪み補正方法 |
-
1982
- 1982-10-04 JP JP57174174A patent/JPS5963580A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60250270A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-10 | Takashi Mori | 太陽光方向センサ |
| JPS62116912A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | Canon Inc | 自動焦点検知装置 |
| JPS62182612A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Toshiba Corp | 試料面位置測定装置 |
| JPH06208617A (ja) * | 1992-03-31 | 1994-07-26 | Nippon Steel Corp | 画像データの位置歪み補正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0156390B2 (ja) | 1989-11-29 |
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