JPS596546A - 絶縁膜のエツチング方法 - Google Patents
絶縁膜のエツチング方法Info
- Publication number
- JPS596546A JPS596546A JP57115760A JP11576082A JPS596546A JP S596546 A JPS596546 A JP S596546A JP 57115760 A JP57115760 A JP 57115760A JP 11576082 A JP11576082 A JP 11576082A JP S596546 A JPS596546 A JP S596546A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etching
- silicon oxide
- oxide film
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はｎ型■−■族化合物半導体に選択拡散させるだ
めのマスクとなる絶縁膜のエツチング方法に関する。
めのマスクとなる絶縁膜のエツチング方法に関する。
ｎ型ｍ −ｖ族化合物半導体上にｐ型頭域を形成する方
法としては液相エピタキシャル法と拡散法があり、現在
発光ダイオード、レーザー等に広く用いられている。後
者は前者と比較して量産性に富み、ｐｎ接合のプラナ化
が容易であるなどの優れた特長がある。
法としては液相エピタキシャル法と拡散法があり、現在
発光ダイオード、レーザー等に広く用いられている。後
者は前者と比較して量産性に富み、ｐｎ接合のプラナ化
が容易であるなどの優れた特長がある。
ｎ型ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体にｐ型拡散する場合ｐ
型不純物としては…族元素、例えばＺｎが用いられる。
型不純物としては…族元素、例えばＺｎが用いられる。
酸化珪素膜はＺｎｉ通過させるためＺｎの選択拡散のだ
めのマスクとしては一般に窒化珪素膜やアルミナ膜がよ
く用いられている。
めのマスクとしては一般に窒化珪素膜やアルミナ膜がよ
く用いられている。
第１図はこの選択拡散のマスクの作製工程を示す。ｎ型
ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体１の上に、直接、窒化珪素
膜又はアルミナ膜２を形成し、更にその上に酸化珪素膜
３を形成する（第１図（ａ） ） ｏこの後、フォトレ
ジスト等を用いて酸化珪素膜３のパターンを形成する（
第１図（ｋ’） ） ｏこの酸化珪素膜３をマスクとし
て窒化珪素膜又はアルミナ膜２をエツチング除去し、拡
散用の窓４を形成する（第１図（Ｃ） ）ｏこの窓あけ
のエツチングではエソテング不足を避けるために過剰エ
ツチングするのが普通である。ところが窒化珪素膜やア
ルミナ膜のエツチング液として用いるリン酸液はＩＩＩ
−Ｖ族化合物をおかしてしまう。そのため過剰エツチ
ングすることができず、基板との界面でエツチング処理
を停止させて、窒化珪素膜又はアルミナ膜を完全に除去
することは非常に困難となりこのことが特性不良の大き
な要因となりている。
ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体１の上に、直接、窒化珪素
膜又はアルミナ膜２を形成し、更にその上に酸化珪素膜
３を形成する（第１図（ａ） ） ｏこの後、フォトレ
ジスト等を用いて酸化珪素膜３のパターンを形成する（
第１図（ｋ’） ） ｏこの酸化珪素膜３をマスクとし
て窒化珪素膜又はアルミナ膜２をエツチング除去し、拡
散用の窓４を形成する（第１図（Ｃ） ）ｏこの窓あけ
のエツチングではエソテング不足を避けるために過剰エ
ツチングするのが普通である。ところが窒化珪素膜やア
ルミナ膜のエツチング液として用いるリン酸液はＩＩＩ
−Ｖ族化合物をおかしてしまう。そのため過剰エツチ
ングすることができず、基板との界面でエツチング処理
を停止させて、窒化珪素膜又はアルミナ膜を完全に除去
することは非常に困難となりこのことが特性不良の大き
な要因となりている。
本発明はこの問題点を解決するものであり、ｌ−Ｖ族化
合物半導体と窒化珪素膜又はアルミナ膜との間に酸化珪
素膜を介在させて形成しておくことにより、窒化珪素膜
又はアルミナ膜の窓あけエツチング液にｍ −ｖ族化合
物半導体表面がエツチング液におかされることを防ぎ、
かつ完全々選択拡散のだめのマスクを形成出来る絶縁膜
のエツチング方法を提供せんとするものである。
合物半導体と窒化珪素膜又はアルミナ膜との間に酸化珪
素膜を介在させて形成しておくことにより、窒化珪素膜
又はアルミナ膜の窓あけエツチング液にｍ −ｖ族化合
物半導体表面がエツチング液におかされることを防ぎ、
かつ完全々選択拡散のだめのマスクを形成出来る絶縁膜
のエツチング方法を提供せんとするものである。
以下１本発明の実施例を図面をもとに説明する。
第２図は本発明の絶縁膜のエツチング方法を示す工程断
面図である。まず、ｎ型［１−Ｖ族化合物半導体基板１
の表面にシラン（ＳｉＨ４）の熱分解法によって膜厚１
００ｏ人の酸化珪素膜５を形成する゛（第２図（ａ）
） Ｏ次に、シラン及びアンモニアガス系の熱分解決に
より膜厚１６００人の窒化珪素膜６を形成し、再び膜厚
６０００人の酸化珪素膜３を形成する。次に通常の写真
食刻法により弗酸。
面図である。まず、ｎ型［１−Ｖ族化合物半導体基板１
の表面にシラン（ＳｉＨ４）の熱分解法によって膜厚１
００ｏ人の酸化珪素膜５を形成する゛（第２図（ａ）
） Ｏ次に、シラン及びアンモニアガス系の熱分解決に
より膜厚１６００人の窒化珪素膜６を形成し、再び膜厚
６０００人の酸化珪素膜３を形成する。次に通常の写真
食刻法により弗酸。
弗化アンモニウム混合液で酸化珪素膜３を除去し窓７を
形成する（第２図（ｂ） ） Ｏそして、この酸化珪素
膜３をマスクにしてリン酸液で窓部７ｆ：通して窒化珪
素膜６の窓あけを行なう（第２図（Ｃ））。
形成する（第２図（ｂ） ） Ｏそして、この酸化珪素
膜３をマスクにしてリン酸液で窓部７ｆ：通して窒化珪
素膜６の窓あけを行なう（第２図（Ｃ））。
このエツチング条件は１６０°Ｃ４６分程度で窒化珪素
膜６は完全に選択除去される。このようにすれば、過剰
エツチングの条件で処理してもリン酸液では酸化珪素膜
６のエツチング速度が遅いため窓部８では基板表面は酸
化珪素膜６で被膜されているため損傷はうけない。そし
て最後に酸化珪素膜６の選択除去、ならびに上層の酸化
珪素膜３の除去を弗酸、弗化アンモニウム混合液で同時
処理を行なう（第１図（ｄ） ） ｏ この混合液はＩ
ｌｌ −Ｖ族化合物と反応しないため過剰エツチングの
条件に設定しても窓部９の基板表面には損傷が発生しな
い〇尚、上記実施例においては、窒化珪素膜を用いた実
施例について述べたが、アルミナ膜の場合でも同様の効
果が期待できる。
膜６は完全に選択除去される。このようにすれば、過剰
エツチングの条件で処理してもリン酸液では酸化珪素膜
６のエツチング速度が遅いため窓部８では基板表面は酸
化珪素膜６で被膜されているため損傷はうけない。そし
て最後に酸化珪素膜６の選択除去、ならびに上層の酸化
珪素膜３の除去を弗酸、弗化アンモニウム混合液で同時
処理を行なう（第１図（ｄ） ） ｏ この混合液はＩ
ｌｌ −Ｖ族化合物と反応しないため過剰エツチングの
条件に設定しても窓部９の基板表面には損傷が発生しな
い〇尚、上記実施例においては、窒化珪素膜を用いた実
施例について述べたが、アルミナ膜の場合でも同様の効
果が期待できる。
以上のように１本発明はＩＩＩ −Ｖ族化合物基板表面
に酸化珪素膜の第１膜を形成し、次いで第２膜の窒化珪
素膜を形成する２重膜構造にすることにより、窒化珪素
膜のエツチング液の基板表面への損傷を第１膜の酸化珪
素膜で防止し、かつ基板表面に損傷を与えない液でこの
酸化珪素膜を除去することにより、選択拡散用のマスク
を形成するので、基板に何ら悪影響を辱えること塀ない
。
に酸化珪素膜の第１膜を形成し、次いで第２膜の窒化珪
素膜を形成する２重膜構造にすることにより、窒化珪素
膜のエツチング液の基板表面への損傷を第１膜の酸化珪
素膜で防止し、かつ基板表面に損傷を与えない液でこの
酸化珪素膜を除去することにより、選択拡散用のマスク
を形成するので、基板に何ら悪影響を辱えること塀ない
。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は従来の選択拡散マスクの形成法
を示す工程断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の絶
縁膜のエツチング方法の一実施例を示す工程断面図であ
る。 １・・・・・・ｎ型ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体基板、
３・・・・・・酸化珪素膜、６・・・・・・酸化珪素膜
、６・・・・・・窒化珪素膜、７，８・・・・・・窓部
、９・・・・・・拡散窓。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名−１
９〔 −セ ミ 。 ＋−＋−，＋ｃ−３対 塚 城 −０θ − １９７−
を示す工程断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の絶
縁膜のエツチング方法の一実施例を示す工程断面図であ
る。 １・・・・・・ｎ型ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体基板、
３・・・・・・酸化珪素膜、６・・・・・・酸化珪素膜
、６・・・・・・窒化珪素膜、７，８・・・・・・窓部
、９・・・・・・拡散窓。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名−１
９〔 −セ ミ 。 ＋−＋−，＋ｃ−３対 塚 城 −０θ − １９７−
Claims (1)
- ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体基板表面に第１膜および第
２膜の絶縁膜をそれぞれ積ねて形成し、前記第２膜を所
定のエツチング液により、選択エツチング処理し、続い
て前記に不活性なエツチング液で前記第１膜を選択的に
除去することを特徴とする絶縁膜のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115760A JPS596546A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 絶縁膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115760A JPS596546A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 絶縁膜のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596546A true JPS596546A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14670363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57115760A Pending JPS596546A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 絶縁膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596546A (ja) |
-
1982
- 1982-07-02 JP JP57115760A patent/JPS596546A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5320685A (en) | Thin solar cell | |
| US4039359A (en) | Method of manufacturing a flattened semiconductor device | |
| JPS63299144A (ja) | パッド用酸化保護層でシールされたインターフェイス分離方法 | |
| JPS61123152A (ja) | 半導体デバイスの分離方法 | |
| JPH0336302B2 (ja) | ||
| JP2943950B2 (ja) | 半導体装置と、その製造方法 | |
| JPS59144123A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS6215876A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP3219969B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| JPS613469A (ja) | 双方向性ツエナ−ダイオ−ド | |
| JPS60101945A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6116545A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS60240131A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6165447A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62232143A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5994844A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63302576A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60198811A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6190426A (ja) | 有機金属気相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH02264489A (ja) | 埋込型半導体装置の製造方法 | |
| JPS61112375A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01199449A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JPS61150240A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59218725A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62118582A (ja) | 半導体装置の製造方法 |