JPS5967659A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5967659A
JPS5967659A JP57177666A JP17766682A JPS5967659A JP S5967659 A JPS5967659 A JP S5967659A JP 57177666 A JP57177666 A JP 57177666A JP 17766682 A JP17766682 A JP 17766682A JP S5967659 A JPS5967659 A JP S5967659A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package body
leads
semiconductor device
slope
pellet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57177666A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Suzuki
明 鈴木
Yoshiaki Wakashima
若島 喜昭
Kazuhiro Terada
和弘 寺田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57177666A priority Critical patent/JPS5967659A/ja
Publication of JPS5967659A publication Critical patent/JPS5967659A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/111Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に関し、特にレジンモールj′ ドハッケージ型半導体装置に関するものである、一般に
デュアルインライン型の半導体装置やこれに類似するパ
ッケージ構造の半導体装置では、第1図に示すようにリ
ード1基部間距離e、とパッケージ本体2幅寸法E等の
外形寸法が規定されている、例えばメモリ等16ビン用
の半導体装置ではe+ =7.62 (300m1l 
) 、E=6.3が一般的である、しかしながら、メモ
リ容量の増大に伴なって封止する半導体素子ペレットの
寸法が大きくなると、パンケージにおける耐湿性等の信
頼性を確保する上からもこれに伴なってパッケージ本体
2の幅寸法Eを大きくする必要がある。
ところが、リード1間距離e1の方は、実装基板との関
係上これを変更することができない状態にあり、したが
って必然的に第2図に示すようにパッケージ本体2がリ
ードlの幅一杯に広げられたパッケージ構造が採用され
ることになる、このため、レジンモールドにてパンケー
ジ本体2を形成した半導体装置にあっては、レジンモー
ルド後にリードlを真直状態から図示のように折曲成形
する際に、パッケージ本体20幅方向両端部3゜3に曲
げ応力が作用し易く、この曲げ応力によってパンケージ
本体20両端部3,3にクラックや欠けが発生し、半導
体装置の外観低下を生ずると共に信頼性や強度の低下を
生ずるという問題がある。
このような問題に対しては、同図に鎖線で示すように・
パッケージ本体2両端部3,3の側面勾配0゜を90°
ないしこれに近い値としてリードlに接する両端部3,
3の肉厚を大きくして強度の増大を図ることが考えられ
るが、勾配を増大することはそれだけレジンモールド時
におけるモールド用金型との抜き勾配が零に近くなるこ
とであり、今度は離型不良を生じてこれによるクラック
の発生およびペレットとレジン界面の引き剥しによる耐
湿性の問題が生じることになる、 したがって本発明の目的は、リード成形によっても不具
合を生じることのない高強度に構成する一方で、モール
ド用金型からの離型を容易に行なって離型における問題
も生じることがなく、これにより信頼性1強度の向上を
図ることができる半導体装置を提供することにある。
この目的を達成するために本発明はパッケージ本体の両
端部の側面勾配をリード近傍から上下方向に向けて漸減
するようにしている。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第3図は本発明の一実施例を示しており、10は平板状
に形成し、後工程のパッケージ完了後にリード11を折
曲成形するリードフレーム、13はこのリードフレーム
IOのタブ12に固着した半導体素子ペレットであり、
このペレット13と前記り一ド11とをワイヤ14にて
電気的に接続している。15はこれらペレット13.ワ
イヤ14゜リード11のインナ部を一体的に封止するパ
ッケージ本体であり、レジン材を所謂トランスファモー
ルド法によって所定形状のモールド用金型内に充填し、
かつこれから離型して外形状を形成している。なお、前
記リード11の基部間距離C9は所定の寸法に規定され
ている、 前記パンケージ本体15は、第4図に一方の端部16を
拡大図示するように、両端部16.16はり一ド11の
折曲成形箇所近傍に位置してパッケージ本体15の幅寸
法E、を増大する一方、両端部16.16の各側面は勾
配の異なる2つの面17.18にて構成している。即ち
、リード11に近接する部位の側面17はその勾配θ、
を90゜に近い大きなものとし、この側面17の上また
は下の側面18の勾配θ2をこれよりも小さなものに構
成しているのである。
以上の構成によれば、パッケージ本体15は側面17の
勾配を90°に近い大きなものにしているので両端部1
6.16におけるリード11近傍の肉厚が大きくなりそ
の強度が増大される。したがって、パッケージ本体15
の完成後にリードを折曲成形してその曲げ応力がパッケ
ージ本体15に作用しても両端部16.16においてク
リックや欠けが生ずることはない。一方、パッケージ本
体15は側面18において勾配が小さくされているため
に、モールド用金型の抜き勾配が小さくなって離型な極
めて容易に行なうことができ、ベレットとレジン界面の
引き剥しか生じることもない、この結果、パッケージ本
体の外観を良好に保持すると共に、クラックや欠は等に
よる耐湿性の低下を防止し、半導体装置の信頼性や強度
の向上を図ることができる、 第5図は本発明の他の実施例を示しており、特にその外
形をのみ図示している。本実施例ではパンケージ本体1
5 Aの両端部1.6 、 l 6の各側面の勾配を側
面19,20.21とで三段階に異なる勾配θ8.θ4
 、θ、に形成したものである、勿論勾配はθ3〉θ4
〉θ、の関係にしている。
このように構成すれば、前記と同様にリード11近傍の
パッケージ本体15Aの肉厚を増大して強度の向上を達
成できる一方で、パンケージ本体の上又は下の勾配を小
さくしてモールド用金型からの離型を更に容易なものに
できる。
なお、本例では勾配を三段階としているので、パッケー
ジ本体の厚さ方向中間部の肉量な前例のものよりも増大
できる一方で、最上又は最下の勾配を更に小さなものに
できる、 ここで、勾配の変化段数を四段以上にしてもよく、更に
は第6図に示すように勾配を連続的に変化してパッケー
ジ本体15Bの側面を曲面状に形成するようにしてもよ
い。
以上のように本発明の半導体装置によれば、パッケージ
本体の側面勾配をリード近傍から上下方向に向けて漸減
するように構成しているので、パッケージ本体のリード
近傍の肉量を多くしてリード曲げ応力に対する強度を増
大する一方でモールド用金型からの離型を容易にし、こ
れによりパッケージ本体のクラックや欠けを防止して半
導体装I4の信頼性や強度を向上することができるとい
う効果を奏する、
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来装置の不具合を説明するため
の側面図、 第3図は本発明の一実施例の全体断面図、第4図は要部
の拡大図、 第5図および第6図は夫々異なる他の実施例の側面図で
ある、 lO・・・リードフレーム、ll・・・リード、13・
・”ベレット、14・・・ワイヤ、15.+5A、15
B・・・パッケージ本体、16・・・両端部、17〜2
1・・・側面、θ、〜θ、・・・勾配。 第  1  図 第  2  図 第  3  図 第  4 図 第  5  図 // 第6図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 レジンモールドにてパッケージ本体を形成してな
    る半導体装置において、前記パッケージ本体の側面勾配
    を厚さ方向中央に設けたリード近傍部位から厚さ方向上
    下に向けて漸減するように構成したことを特徴とする半
    導体装置。 2、側面勾配を二段階に形成してなる特許請求の範囲第
    1項記載の半導体装置。 3、側面勾配を三段階ないし無限段階に形成してなる特
    許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
JP57177666A 1982-10-12 1982-10-12 半導体装置 Pending JPS5967659A (ja)

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JP57177666A JPS5967659A (ja) 1982-10-12 1982-10-12 半導体装置

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JP57177666A JPS5967659A (ja) 1982-10-12 1982-10-12 半導体装置

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JPS5967659A true JPS5967659A (ja) 1984-04-17

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ID=16034978

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JP57177666A Pending JPS5967659A (ja) 1982-10-12 1982-10-12 半導体装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100419950B1 (ko) * 1997-12-30 2004-06-14 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 가용성회로기판을이용한볼그리드어레이반도체패키지의제조방법
EP2136414A4 (en) * 2007-03-26 2011-08-03 Nichia Corp LIGHT-EMITTING COMPONENT
JP2018022837A (ja) * 2016-08-05 2018-02-08 トヨタ自動車株式会社 半導体モジュールの製造方法

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