JPH06260580A - リードフレームおよび前記リードフレームを使用した半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよび前記リードフレームを使用した半導体装置Info
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- JPH06260580A JPH06260580A JP5047744A JP4774493A JPH06260580A JP H06260580 A JPH06260580 A JP H06260580A JP 5047744 A JP5047744 A JP 5047744A JP 4774493 A JP4774493 A JP 4774493A JP H06260580 A JPH06260580 A JP H06260580A
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- Japan
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- lead
- semiconductor device
- lead frame
- frame
- semiconductor element
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の製造において、２種類の厚みを有
する半導体装置用リードフレームを提供することによ
り、ハンドリング時の衝撃に強い半導体リードフレーム
および薄型パッケージ化が可能の半導体装置用リードフ
レームを提供することにある。 【構成】まず第１の構成としては半導体素子が取付けら
れる部分と、前記半導体素子の電極と接続されるための
インナーリードと、前記インナーリードに接続された外
枠部とが連続して複数形成されてなり、前記外枠部が前
記インナーリードよりも厚く形成されてなる半導体装置
用リードフレームである。また第２のものは、半導体素
子と、前記半導体素子の電極と接続されたリードと、前
記半導体素子および前記リードを封止する封止体とから
なる半導体装置において、前記封止体に封止されるイン
ナーリードの主要部分がリードの他の部分と比較して薄
く形成されてなる半導体装置である。 【効果】リードフレーム状態でのハンドリングおよび薄
型化の可能な半導体装置を得ることができる。
する半導体装置用リードフレームを提供することによ
り、ハンドリング時の衝撃に強い半導体リードフレーム
および薄型パッケージ化が可能の半導体装置用リードフ
レームを提供することにある。 【構成】まず第１の構成としては半導体素子が取付けら
れる部分と、前記半導体素子の電極と接続されるための
インナーリードと、前記インナーリードに接続された外
枠部とが連続して複数形成されてなり、前記外枠部が前
記インナーリードよりも厚く形成されてなる半導体装置
用リードフレームである。また第２のものは、半導体素
子と、前記半導体素子の電極と接続されたリードと、前
記半導体素子および前記リードを封止する封止体とから
なる半導体装置において、前記封止体に封止されるイン
ナーリードの主要部分がリードの他の部分と比較して薄
く形成されてなる半導体装置である。 【効果】リードフレーム状態でのハンドリングおよび薄
型化の可能な半導体装置を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームを使用す
る樹脂封止型の半導体装置および半導体装置用のリード
フレームに係り、特に樹脂封止を行ないリードフレーム
状態にて製造のハンドリングを行なうものや、薄型化に
適した半導体装置にリードフレームの厚みを２種類とす
ることにより最適な半導体装置用リードフレームを提供
するに有効な技術に関するものである。
る樹脂封止型の半導体装置および半導体装置用のリード
フレームに係り、特に樹脂封止を行ないリードフレーム
状態にて製造のハンドリングを行なうものや、薄型化に
適した半導体装置にリードフレームの厚みを２種類とす
ることにより最適な半導体装置用リードフレームを提供
するに有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に樹脂封止型の半導体装置の製造工
程においては、大量生産を可能とするためにリードフレ
ームが使用され、組立および封止を行ない、その後外部
リードの切断成形が行なわれ分離される。また最近では
Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ（以下、ＴＳＯＰという）と呼ばれる超薄型のトラン
スファモールドタイプの半導体装置が製造される技術が
確立してきている。
程においては、大量生産を可能とするためにリードフレ
ームが使用され、組立および封止を行ない、その後外部
リードの切断成形が行なわれ分離される。また最近では
Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ（以下、ＴＳＯＰという）と呼ばれる超薄型のトラン
スファモールドタイプの半導体装置が製造される技術が
確立してきている。
【０００３】このように半導体装置は大幅に薄型化が進
行しているが、基本的な製造においてはリードフレーム
を用い製造することにはかわりなく、各工程において各
種の対応を図っている。
行しているが、基本的な製造においてはリードフレーム
を用い製造することにはかわりなく、各工程において各
種の対応を図っている。
【０００４】リードフレームを用いた半導体装置を示し
たものとして「最近の半導体アセンブリ技術とその高信
頼化・全自動化」応用技術出版発行、黒柳卓、石川聖他
著、１９８５年１１月３日刊がある。
たものとして「最近の半導体アセンブリ技術とその高信
頼化・全自動化」応用技術出版発行、黒柳卓、石川聖他
著、１９８５年１１月３日刊がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記したような
手段においては、薄型化に対応してリードフレームも薄
くなってきているため、リードフレームの強度が低くな
りリードフレーム状態でのハンドリングにおいてリード
フレームを曲げてしまい、不良を起すことが多く発生し
た。またリードフレームの強度確保のためリードフレー
ムの厚みを一般のものと同様に増すことはＴＳＯＰタイ
プの半導体装置の薄型化に対して大きな欠点となるとい
う問題があった。
手段においては、薄型化に対応してリードフレームも薄
くなってきているため、リードフレームの強度が低くな
りリードフレーム状態でのハンドリングにおいてリード
フレームを曲げてしまい、不良を起すことが多く発生し
た。またリードフレームの強度確保のためリードフレー
ムの厚みを一般のものと同様に増すことはＴＳＯＰタイ
プの半導体装置の薄型化に対して大きな欠点となるとい
う問題があった。
【０００６】本願発明の目的は上記したような問題を解
決し、リードフレームを使用する樹脂封止型の半導体装
置のものでも薄型化に適した技術を提供することにあ
る。
決し、リードフレームを使用する樹脂封止型の半導体装
置のものでも薄型化に適した技術を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願における発明のう
ち、代表的なものの手段について説明すれば下記のとお
りである。
ち、代表的なものの手段について説明すれば下記のとお
りである。
【０００８】すなわち長尺状に形成されその長手方向端
部に形成された横枠と、前記横枠に直角に接続して一定
間隔をおいて形成される縦枠と、前記縦枠および横枠に
よって形成される矩形内に形成されたリードおよび半導
体素子が取付けられる部分とからなり、前記外枠部が前
記リードおよび半導体素子取付部よりも厚く形成されて
なる半導体装置用リードフレームである。
部に形成された横枠と、前記横枠に直角に接続して一定
間隔をおいて形成される縦枠と、前記縦枠および横枠に
よって形成される矩形内に形成されたリードおよび半導
体素子が取付けられる部分とからなり、前記外枠部が前
記リードおよび半導体素子取付部よりも厚く形成されて
なる半導体装置用リードフレームである。
【０００９】また半導体素子と、前記半導体素子の電極
と接続されたリードと、前記半導体素子および前記リー
ドを封止する封止体とからなる半導体装置において、前
記封止体に封止されるインナーリードの主要部分がリー
ドの他の部分と比較して薄く形成されてなるリードフレ
ームを使用し半導体装置を製造するものである。
と接続されたリードと、前記半導体素子および前記リー
ドを封止する封止体とからなる半導体装置において、前
記封止体に封止されるインナーリードの主要部分がリー
ドの他の部分と比較して薄く形成されてなるリードフレ
ームを使用し半導体装置を製造するものである。
【００１０】
【作用】上記した手段によれば、リードフレームの厚み
を２種類とすることにより、リードフレームの外枠部を
厚くしたものにおいてはハンドリングに耐えうる強度を
確保することが可能となり、またリードフレームのイン
ナー部を薄くしたものにおいては半導体装置の厚みを薄
くすると同時にリードフレームの強度を確保することが
可能となる。
を２種類とすることにより、リードフレームの外枠部を
厚くしたものにおいてはハンドリングに耐えうる強度を
確保することが可能となり、またリードフレームのイン
ナー部を薄くしたものにおいては半導体装置の厚みを薄
くすると同時にリードフレームの強度を確保することが
可能となる。
【００１１】
【実施例】（実施例１）図１は本願発明の第１の実施例
である半導体装置用のリードフレームを示した上面図と
側面断面図である。
である半導体装置用のリードフレームを示した上面図と
側面断面図である。
【００１２】本実施例において対象となる半導体装置は
リードフレームを使用し樹脂封止を行うものであり、例
えばＳｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ（以
下ＳＯＰという）やＱｕａｄ Ｆｌａｔ ｐａｃｋａｇ
ｅ（以下ＱＦＰという）である。ここではＱＦＰについ
て説明する。
リードフレームを使用し樹脂封止を行うものであり、例
えばＳｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ（以
下ＳＯＰという）やＱｕａｄ Ｆｌａｔ ｐａｃｋａｇ
ｅ（以下ＱＦＰという）である。ここではＱＦＰについ
て説明する。
【００１３】図１に示したように本実施例の半導体装置
用リードフレームは、ＱＦＰタイプの半導体装置に適用
されるものであり、長尺状に形成された長手方向の端部
に形成された枠部を横枠１とすると、前記横枠１に直角
に接続して形成され一定間隔に設けられた縦枠２と、前
記枠部１、２で形成された矩形枠内で前記縦横の枠に直
角に接続して形成されたリード部３、前記リード部３を
互いに繋ぐダム部４および前記ダム４から前記ダムで形
成される矩形のほぼ中央に配置され、前記ダムの４隅か
ら伸びたタブリード６に接続されたタブ５、および前記
ダム４からタブ５の向かって収束されるように伸び、タ
ブ近傍まで延在する複数のインナーリード部１３とから
なる。タブ５には半導体素子が取付けられ、また半導体
素子が取付けられた後には、半導体素子上の電極とイン
ナーリード部とがワイヤ等の電気的接続手段によって接
続される。
用リードフレームは、ＱＦＰタイプの半導体装置に適用
されるものであり、長尺状に形成された長手方向の端部
に形成された枠部を横枠１とすると、前記横枠１に直角
に接続して形成され一定間隔に設けられた縦枠２と、前
記枠部１、２で形成された矩形枠内で前記縦横の枠に直
角に接続して形成されたリード部３、前記リード部３を
互いに繋ぐダム部４および前記ダム４から前記ダムで形
成される矩形のほぼ中央に配置され、前記ダムの４隅か
ら伸びたタブリード６に接続されたタブ５、および前記
ダム４からタブ５の向かって収束されるように伸び、タ
ブ近傍まで延在する複数のインナーリード部１３とから
なる。タブ５には半導体素子が取付けられ、また半導体
素子が取付けられた後には、半導体素子上の電極とイン
ナーリード部とがワイヤ等の電気的接続手段によって接
続される。
【００１４】前記枠部１、２は半導体素子が取付けられ
る部分であるタブ５やインナーリード１３部分に比較し
て厚く形成されている。本実施例においては枠部１、２
の厚さが０．２５mmであるのに対してその他の部分は
０．１５mmとなっている。この厚みはリードフレームの
ハンドリングに充分耐えうるものである。本実施例はこ
のように枠部の厚みとそれ以外の部分を厚みを変え２種
類とするものである。本実施例におけるリードフレーム
を使用する製造工程については一般的なものと同様なも
のを使用することが可能である。
る部分であるタブ５やインナーリード１３部分に比較し
て厚く形成されている。本実施例においては枠部１、２
の厚さが０．２５mmであるのに対してその他の部分は
０．１５mmとなっている。この厚みはリードフレームの
ハンドリングに充分耐えうるものである。本実施例はこ
のように枠部の厚みとそれ以外の部分を厚みを変え２種
類とするものである。本実施例におけるリードフレーム
を使用する製造工程については一般的なものと同様なも
のを使用することが可能である。
【００１５】本実施例によればリードフレーム状態にて
半導体装置を製造する工程のハンドリングにリードフレ
ームが充分耐えうるものとなるので半導体装置の製造中
に発生するリードフレームの曲がり不良等の発生を防止
することが可能となる。またタブを用いず半導体素子を
リードフレームに取付けるタブレスタイプのものにも適
用が可能である。
半導体装置を製造する工程のハンドリングにリードフレ
ームが充分耐えうるものとなるので半導体装置の製造中
に発生するリードフレームの曲がり不良等の発生を防止
することが可能となる。またタブを用いず半導体素子を
リードフレームに取付けるタブレスタイプのものにも適
用が可能である。
【００１６】（実施例２）図２は本願発明の第２の実施
例に使用するリードフレームを示した正面図および側面
断面図であり、図３は図２に示したリードフレーム２を
使用した半導体装置を示した断面図である。
例に使用するリードフレームを示した正面図および側面
断面図であり、図３は図２に示したリードフレーム２を
使用した半導体装置を示した断面図である。
【００１７】本実施例において対象となるものは上記第
１の実施例と同様にＱＦＰタイプの樹脂封止型半導体装
置である。図２に示したように本実施例の半導体装置用
リードフレームは、上記第１の実施例に示されたものと
同様にＱＦＰタイプの半導体装置に適用されるものであ
り、長尺状に形成されたリードフレームの長手方向の端
部に形成された枠部を横枠８とすると、前記横枠に直角
に接続して形成され一定間隔に設けられた縦枠９と、前
記枠部で形成された矩形枠内で前記縦横の枠に直角に接
続して形成されたリード部１０、前記リード部１０を互
いに繋ぐダム部１２および前記ダム１２から前記ダムで
形成される矩形のほぼ中央に配置され、前記ダムの４隅
から伸びたタブリード１１に接続されたタブ１４、およ
び前記ダム１２からタブ１４の向かって収束されるよう
に伸び、タブ近傍まで延在するインナーリード部１３と
からなる。
１の実施例と同様にＱＦＰタイプの樹脂封止型半導体装
置である。図２に示したように本実施例の半導体装置用
リードフレームは、上記第１の実施例に示されたものと
同様にＱＦＰタイプの半導体装置に適用されるものであ
り、長尺状に形成されたリードフレームの長手方向の端
部に形成された枠部を横枠８とすると、前記横枠に直角
に接続して形成され一定間隔に設けられた縦枠９と、前
記枠部で形成された矩形枠内で前記縦横の枠に直角に接
続して形成されたリード部１０、前記リード部１０を互
いに繋ぐダム部１２および前記ダム１２から前記ダムで
形成される矩形のほぼ中央に配置され、前記ダムの４隅
から伸びたタブリード１１に接続されたタブ１４、およ
び前記ダム１２からタブ１４の向かって収束されるよう
に伸び、タブ近傍まで延在するインナーリード部１３と
からなる。
【００１８】本実施例においてダム部１２で形成される
矩形の内側部のインナーリード部１３の主要部分が他の
部分と異なって薄く形成されており、例えば他の部分の
厚みが０．２５mmに対して０．１５mmとするものであ
る。このように本実施例ではインナーリードとそれ以外
の部分との厚みを変え２種類とするものである。
矩形の内側部のインナーリード部１３の主要部分が他の
部分と異なって薄く形成されており、例えば他の部分の
厚みが０．２５mmに対して０．１５mmとするものであ
る。このように本実施例ではインナーリードとそれ以外
の部分との厚みを変え２種類とするものである。
【００１９】図３に示したように本実施例半導体装置
は、図２に示したリードフレームとタブ１４上に取付け
られた半導体素子であるペレット１７と前記リード１０
とを接続された電気的な接続手段であるワイヤ１９、ま
た前記タブ１４、ワイヤ１９、半導体ペレット１７およ
び前記リードの一部を封止する封止体１８とからなる。
本実施例において前記リードフレームのインナーリード
１３部分およびタブ部分１４が他の部分に比較して薄く
形成されている。またダム１２の内部のわずかな部分に
おいて他の部分と同一な厚みを有するものがあるが、本
実施例のリードフレームによれば最も厚みを必要とする
半導体ペレット１７が配置される主要部分においての厚
みを削減することが可能となリ、半導体装置の薄型化が
可能となる。また本実施例によれば外部に形成されたリ
ードの厚みに対しては、従来のものと同様の厚みとする
ことができるので外部リードの強度も保つことが可能で
ある。
は、図２に示したリードフレームとタブ１４上に取付け
られた半導体素子であるペレット１７と前記リード１０
とを接続された電気的な接続手段であるワイヤ１９、ま
た前記タブ１４、ワイヤ１９、半導体ペレット１７およ
び前記リードの一部を封止する封止体１８とからなる。
本実施例において前記リードフレームのインナーリード
１３部分およびタブ部分１４が他の部分に比較して薄く
形成されている。またダム１２の内部のわずかな部分に
おいて他の部分と同一な厚みを有するものがあるが、本
実施例のリードフレームによれば最も厚みを必要とする
半導体ペレット１７が配置される主要部分においての厚
みを削減することが可能となリ、半導体装置の薄型化が
可能となる。また本実施例によれば外部に形成されたリ
ードの厚みに対しては、従来のものと同様の厚みとする
ことができるので外部リードの強度も保つことが可能で
ある。
【００２０】以上本願発明を本願の背景となった技術に
基ずいて説明したが、本願は上記実施例に限定されるこ
となくその技術を逸脱しない範囲において種々変更可能
であることはいうまでもない。
基ずいて説明したが、本願は上記実施例に限定されるこ
となくその技術を逸脱しない範囲において種々変更可能
であることはいうまでもない。
【００２１】すなわち本実施例においては４方向に外部
リードを有するＱＦＰタイプのものについて説明した
が、２方向に外部リードを有する例えばＳｍａｌｌ Ｏ
ｕｔｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ（ＳＯＰ）等に使用する
ものでも良い。リードフレームを使用する半導体装置に
は種々適用可能である。
リードを有するＱＦＰタイプのものについて説明した
が、２方向に外部リードを有する例えばＳｍａｌｌ Ｏ
ｕｔｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ（ＳＯＰ）等に使用する
ものでも良い。リードフレームを使用する半導体装置に
は種々適用可能である。
【００２２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を記載すれば下記のと
おりである。
表的なものによって得られる効果を記載すれば下記のと
おりである。
【００２３】すなわちリードフレームの枠部をハンドリ
ングに耐えられる強度とするために、ハンドリング時に
受ける衝撃により発生する変形不良を防止することが可
能となる。リードフレームのインナーリード部分を薄く
形成することにより半導体装置の全体の厚みを薄くする
ことが可能となり、より薄型実装が可能となる。またこ
れら効果により、不良の発生しない半導体装置の製造が
実現でき歩留の向上が可能となる。
ングに耐えられる強度とするために、ハンドリング時に
受ける衝撃により発生する変形不良を防止することが可
能となる。リードフレームのインナーリード部分を薄く
形成することにより半導体装置の全体の厚みを薄くする
ことが可能となり、より薄型実装が可能となる。またこ
れら効果により、不良の発生しない半導体装置の製造が
実現でき歩留の向上が可能となる。
【図１】第１の実施例である半導体装置用のリードフレ
ームを示した上面図と側面断面図。
ームを示した上面図と側面断面図。
【図２】第２の実施例に使用するリードフレームを示し
た正面図および側面断面図
た正面図および側面断面図
【図３】図２に示したリードフレーム２を使用した半導
体装置を示した断面図。
体装置を示した断面図。
１、８．．リードフレーム枠（横）、２、９．．リード
フレーム枠（縦）、３、１０．．リード、４、１２．．
ダム、５、１４．．タブ、６、１１．．タブリード、
７、１５．．位置決め穴、１３．．インナーリード、１
６．．外部リード、１７．．半導体ペレット、１８．．
封止体、１９．．ワイヤ
フレーム枠（縦）、３、１０．．リード、４、１２．．
ダム、５、１４．．タブ、６、１１．．タブリード、
７、１５．．位置決め穴、１３．．インナーリード、１
６．．外部リード、１７．．半導体ペレット、１８．．
封止体、１９．．ワイヤ
Claims (2)
- 【請求項１】長尺状に形成されその長手方向端部に形成
された横枠と、前記横枠に直角に接続して一定間隔をお
いて形成される縦枠と、前記縦枠および横枠によって形
成される矩形内に形成されたリードおよび半導体素子が
取付けられる部分とからなり、前記外枠部が前記リード
および半導体素子取付部よりも厚く形成されてなること
を特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】半導体素子と、前記半導体素子の電極と接
続されたリードと、前記半導体素子および前記リードを
封止する封止体とからなる半導体装置において、前記封
止体に封止されるインナーリードの主要部分がリードの
他の部分と比較して薄く形成されてなることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5047744A JPH06260580A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | リードフレームおよび前記リードフレームを使用した半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5047744A JPH06260580A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | リードフレームおよび前記リードフレームを使用した半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260580A true JPH06260580A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12783862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5047744A Pending JPH06260580A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | リードフレームおよび前記リードフレームを使用した半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260580A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012222081A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレームとその製造方法 |
| JP2017084880A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-05-18 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
| CN109417063A (zh) * | 2016-06-24 | 2019-03-01 | 株式会社三井高科技 | 引线框 |
-
1993
- 1993-03-09 JP JP5047744A patent/JPH06260580A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012222081A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレームとその製造方法 |
| JP2017084880A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-05-18 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
| CN109417063A (zh) * | 2016-06-24 | 2019-03-01 | 株式会社三井高科技 | 引线框 |
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