JPH01276656A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH01276656A JPH01276656A JP63106955A JP10695588A JPH01276656A JP H01276656 A JPH01276656 A JP H01276656A JP 63106955 A JP63106955 A JP 63106955A JP 10695588 A JP10695588 A JP 10695588A JP H01276656 A JPH01276656 A JP H01276656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- resin
- inner lead
- thickness
- sealing resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特にその外形
が薄型化された樹脂封止型半導体装置において、樹脂内
のボイド発生防止のための改良構造に係るものである。
が薄型化された樹脂封止型半導体装置において、樹脂内
のボイド発生防止のための改良構造に係るものである。
第４図は、例えば特開昭５９−９２５５６号公報に示さ
れた従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
れた従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
１は半導体素子、２はリードフレームでそのうちインナ
ーリード部３の先端が絶縁層４を介して半導体素子１の
上側に取付けられている。
ーリード部３の先端が絶縁層４を介して半導体素子１の
上側に取付けられている。
５は半導体素子１上の電極であシ、ワイヤ６でインナー
リード部３と電気的に接続されている。Ｔは封止樹脂で
ある。
リード部３と電気的に接続されている。Ｔは封止樹脂で
ある。
以上は半導体素子１がリードフレーム２の下側に取付け
られた例であるが、半導体素子がリードフレームの上側
に取シ付けられた例としては、例えば特開昭６１−２５
８４５８号公報に示されたものがある。同公報によると
、インナーリード部の上側に電気絶縁物を介して半導体
素子が取シ付けられ、同素子の長手方向の端部に設けら
れた電極とインナーリード部とがワイヤで電気的に接続
されている。
られた例であるが、半導体素子がリードフレームの上側
に取シ付けられた例としては、例えば特開昭６１−２５
８４５８号公報に示されたものがある。同公報によると
、インナーリード部の上側に電気絶縁物を介して半導体
素子が取シ付けられ、同素子の長手方向の端部に設けら
れた電極とインナーリード部とがワイヤで電気的に接続
されている。
従来の樹脂封止型半導体装置は以上のような構造である
ので、特に最近のガルウィング端子やＪ型端子等を用い
た表面実装型パッケージで装置外形が薄形化すると、第
４図に示す例では半導体装置１の下側の樹脂の厚みが上
側の樹脂の厚みに較べて小さくなシ、樹脂封止の際に矢
印で示すように上側の流体抵抗の小さい側の樹脂が半導
体素子１の下側に回）こみ、ボイド８を発生しやすいと
いう問題点があった。
ので、特に最近のガルウィング端子やＪ型端子等を用い
た表面実装型パッケージで装置外形が薄形化すると、第
４図に示す例では半導体装置１の下側の樹脂の厚みが上
側の樹脂の厚みに較べて小さくなシ、樹脂封止の際に矢
印で示すように上側の流体抵抗の小さい側の樹脂が半導
体素子１の下側に回）こみ、ボイド８を発生しやすいと
いう問題点があった。
特開昭６１−２５８４５８号公報の例の場合は、半導体
素子上側の樹脂の厚みの方が小さくなシ、上側にボイド
が発生しやすいという問題点があった。
素子上側の樹脂の厚みの方が小さくなシ、上側にボイド
が発生しやすいという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、樹脂封止の際のボイド発生を防止し得るよう
にした、この種の樹脂封止型半導体装置を提供すること
を目的とする。
たもので、樹脂封止の際のボイド発生を防止し得るよう
にした、この種の樹脂封止型半導体装置を提供すること
を目的とする。
上記目的を達成させるために、この発明に係る樹脂封止
型半導体装置は、インナーリード部の半導体素子の端部
に近接した部分を折曲け、前記半導体素子を封止樹脂の
厚み方向の略中央に位置付けたものである。
型半導体装置は、インナーリード部の半導体素子の端部
に近接した部分を折曲け、前記半導体素子を封止樹脂の
厚み方向の略中央に位置付けたものである。
この発明における樹脂封止型半導体装置では、インナー
リード部を折曲げ、半導体素子を封止樹脂の厚み方向の
略中央に位置付けることによシ、半導体素子上下の封止
樹脂の厚みの差が小さくなシ、封止時の樹脂の流速の差
が小さくなる。
リード部を折曲げ、半導体素子を封止樹脂の厚み方向の
略中央に位置付けることによシ、半導体素子上下の封止
樹脂の厚みの差が小さくなシ、封止時の樹脂の流速の差
が小さくなる。
以下、この発明に係る樹脂封止型半導体装置の一実施例
につき、第１図を参照して詳細に説明する。
につき、第１図を参照して詳細に説明する。
第１図はこの半導体装置の断面図であり、１は半導体素
子、２はリードフレームでそのインナーリード部３の先
端が絶縁層４を介して半導体素子１の上側に取付けられ
ている。このインナーリード部３は半導体素子１の端部
に近接した部分が上方に折曲げられ、絶縁層４を介して
半導体素子１を取付けるインナーリード部３の先端が上
方に平行移動し、半導体素子１全体が持上げられた状態
にある。５は半導体素子１上の電極であシ、ワイヤ６で
インナーリード部３と電気的に接続されている。Ｔは封
止樹脂を示す。
子、２はリードフレームでそのインナーリード部３の先
端が絶縁層４を介して半導体素子１の上側に取付けられ
ている。このインナーリード部３は半導体素子１の端部
に近接した部分が上方に折曲げられ、絶縁層４を介して
半導体素子１を取付けるインナーリード部３の先端が上
方に平行移動し、半導体素子１全体が持上げられた状態
にある。５は半導体素子１上の電極であシ、ワイヤ６で
インナーリード部３と電気的に接続されている。Ｔは封
止樹脂を示す。
ここで、インナーリード部３の前記折曲げの程度は、半
導体素子１が封止樹脂Ｔの淳み方向の略中央に位置する
程度とし、半導体素子１上下の封止樹脂の厚みの差をで
きるだけ減少させる。
導体素子１が封止樹脂Ｔの淳み方向の略中央に位置する
程度とし、半導体素子１上下の封止樹脂の厚みの差をで
きるだけ減少させる。
第２図は本発明の他の実施例を示す断面図であシ、半導
体素子１を絶縁層４を介してリードフレーム２のインナ
ーリード部３の上側に取シ付け、樹脂７で封止したもの
である。この実施例では、インナーリード部３の半導体
素子１の端部に近接した部分を下方に折曲げ、半導体素
子１を封止樹脂７の厚み方向の略中央に位置させ、半導
体素子１上下の樹脂の厚みの差を小さくしている。
体素子１を絶縁層４を介してリードフレーム２のインナ
ーリード部３の上側に取シ付け、樹脂７で封止したもの
である。この実施例では、インナーリード部３の半導体
素子１の端部に近接した部分を下方に折曲げ、半導体素
子１を封止樹脂７の厚み方向の略中央に位置させ、半導
体素子１上下の樹脂の厚みの差を小さくしている。
第３図は本発明のさらに他の実施例を示す断面図であシ
、インナーリード部３を半導体素子１上の電極に形成さ
れたバンク９に接続したものである。第１図と同様に、
インナーリード部３の半導体素子１の端部に近接した部
分を上方に折曲げ、半導体素子１を封止樹脂７の厚み方
向の略中央に位置させ、半導体素子１上下の樹脂の厚み
の差を小さくしている。
、インナーリード部３を半導体素子１上の電極に形成さ
れたバンク９に接続したものである。第１図と同様に、
インナーリード部３の半導体素子１の端部に近接した部
分を上方に折曲げ、半導体素子１を封止樹脂７の厚み方
向の略中央に位置させ、半導体素子１上下の樹脂の厚み
の差を小さくしている。
以上のように、この発明によればインナーリード部の半
導体素子の端部に近接した部分を折曲け、半導体素子を
封止樹脂の厚み方向の略中央に位置させたので、半導体
素子上下の樹脂の厚みの差、つまシ、封止樹脂の流体抵
抗の差が減少し、半導体素子の一方の側の樹脂が他方の
側に回シ込むことに起因するボイドの発生の少々いもの
が得られるという効果がある。
導体素子の端部に近接した部分を折曲け、半導体素子を
封止樹脂の厚み方向の略中央に位置させたので、半導体
素子上下の樹脂の厚みの差、つまシ、封止樹脂の流体抵
抗の差が減少し、半導体素子の一方の側の樹脂が他方の
側に回シ込むことに起因するボイドの発生の少々いもの
が得られるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による樹脂制止型半導体装
置を示す断面図、第２図および第３図はこの発明の他の
実施例を示す樹脂封止型半導体装置の断面図、第４図は
従来例による樹脂封止型半導体装置の断面図である。 １φ・−−半導体素子、２・争・・リードフレーム、３
・・・・インナーリード部、７・・・・封止樹脂。
置を示す断面図、第２図および第３図はこの発明の他の
実施例を示す樹脂封止型半導体装置の断面図、第４図は
従来例による樹脂封止型半導体装置の断面図である。 １φ・−−半導体素子、２・争・・リードフレーム、３
・・・・インナーリード部、７・・・・封止樹脂。
Claims (1)
- 半導体素子がリードフレームのインナーリード部に取
付けられ樹脂封止される樹脂封止型半導体装置において
、前記インナーリード部の前記半導体素子の端部に近接
した部分を厚み方向に折曲げ、前記半導体素子が封止樹
脂の厚み方向の略中央に位置させたことを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106955A JPH01276656A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106955A JPH01276656A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276656A true JPH01276656A (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=14446773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63106955A Pending JPH01276656A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01276656A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2760289A1 (fr) * | 1997-02-28 | 1998-09-04 | Samsung Electronics Co Ltd | Boitier de puce de semiconducteur ayant une structure combinee de conducteurs situes sur la puce et de conducteurs normaux standards |
| DE19747105B4 (de) * | 1996-12-27 | 2005-05-12 | Lg Semicon Co. Ltd., Cheongju | Bauelement mit gestapelten Halbleiterchips |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53105970A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Hitachi Ltd | Assembling method for semiconductor device |
| JPS54140474A (en) * | 1978-04-24 | 1979-10-31 | Hitachi Ltd | Resin-sealed semiconductor device |
| JPS596839B2 (ja) * | 1975-09-09 | 1984-02-14 | 株式会社荏原製作所 | コンポスト製造方法 |
-
1988
- 1988-04-27 JP JP63106955A patent/JPH01276656A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS596839B2 (ja) * | 1975-09-09 | 1984-02-14 | 株式会社荏原製作所 | コンポスト製造方法 |
| JPS53105970A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Hitachi Ltd | Assembling method for semiconductor device |
| JPS54140474A (en) * | 1978-04-24 | 1979-10-31 | Hitachi Ltd | Resin-sealed semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19747105B4 (de) * | 1996-12-27 | 2005-05-12 | Lg Semicon Co. Ltd., Cheongju | Bauelement mit gestapelten Halbleiterchips |
| FR2760289A1 (fr) * | 1997-02-28 | 1998-09-04 | Samsung Electronics Co Ltd | Boitier de puce de semiconducteur ayant une structure combinee de conducteurs situes sur la puce et de conducteurs normaux standards |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2915892B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| KR900017153A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR960005972A (ko) | 수지 밀폐형 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR910007094A (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 | |
| JPH04214643A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH01276656A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS62235763A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPS5916357A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5949695B2 (ja) | ガラス封止半導体装置の製法 | |
| JPS61194861A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS62147752A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2561415Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01255259A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR200331874Y1 (ko) | 반도체의다핀형태패키지 | |
| JPS5967659A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS635253Y2 (ja) | ||
| JPH03169057A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63104458A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04134853A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH04253363A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置 | |
| JPS6220352A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0228353A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0498861A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS60111449A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01184856A (ja) | 二端子半導体装置 |