JPS596850U - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents

半導体装置用リ−ドフレ−ム

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JPS596850U
JPS596850U JP10233182U JP10233182U JPS596850U JP S596850 U JPS596850 U JP S596850U JP 10233182 U JP10233182 U JP 10233182U JP 10233182 U JP10233182 U JP 10233182U JP S596850 U JPS596850 U JP S596850U
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JP
Japan
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lead frame
semiconductor devices
tip
lead
inner lead
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JP10233182U
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English (en)
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大西　洋二
倶一 奥
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPS596850U publication Critical patent/JPS596850U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のリードフレームの断面図であり、第２図
は本考案の一実施例を示したリードフレームの断面図で
ある。 尚、図において、１・・・・・・ペレット素子接着領域
、２・・・・・・内部リード、３・・・・・・金属細線
ボンディング領域、３′・・・・・・リード先端部がめ
っきされていないリード先端部、４・・・・・・被膜形
成領域の側面である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 金又は銀めっきが施こされた半導体装置用リードフレー
    ムにおいて、インナーリード先端の平坦部において、前
    記インナーリード先端から０．３ｒｎｍ以内にめっきが
    施こされていない事を特徴としたリードフレーム。
JP10233182U 1982-07-06 1982-07-06 半導体装置用リ−ドフレ−ム Pending JPS596850U (ja)

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JP10233182U JPS596850U (ja) 1982-07-06 1982-07-06 半導体装置用リ−ドフレ−ム

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JP10233182U JPS596850U (ja) 1982-07-06 1982-07-06 半導体装置用リ−ドフレ−ム

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JPS596850U true JPS596850U (ja) 1984-01-17

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5727050A (en) * 1980-07-25 1982-02-13 Hitachi Ltd Lead frame and semiconductor device using said lead frame
JPS5827353A (ja) * 1981-08-11 1983-02-18 Toshiba Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5727050A (en) * 1980-07-25 1982-02-13 Hitachi Ltd Lead frame and semiconductor device using said lead frame
JPS5827353A (ja) * 1981-08-11 1983-02-18 Toshiba Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム

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