JPS5970800A - アルミニウムコンデンサ箔のエツチング法 - Google Patents
アルミニウムコンデンサ箔のエツチング法Info
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- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims description 46
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 42
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 13
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 24
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 15
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 9
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 5
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 3
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- -1 aluminum ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 101100494773 Caenorhabditis elegans ctl-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 240000007311 Commiphora myrrha Species 0.000 description 1
- 235000006965 Commiphora myrrha Nutrition 0.000 description 1
- 235000007265 Myrrhis odorata Nutrition 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/055—Etched foil electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/04—Etching of light metals
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアルミニウムコンデンザ箔のＡＣ（又流）エッ
チング法、詳言すれは少なくと（１棹の添加物及び他に
硫酸塩２００〜５００ｐｐｍを含有するｋＭ酸ベースの
電解液中での上記エッチング法に関する。硫酸塩の添力
ｎは硫酸塩を含有しない同じ％屏液内で得ることかでざ
るよりも高・い電圧使用に対する厚さ７６．２〜１２７
μｍ（６．０〜５．０ミル）の箔のエッチングを可能に
する。
チング法、詳言すれは少なくと（１棹の添加物及び他に
硫酸塩２００〜５００ｐｐｍを含有するｋＭ酸ベースの
電解液中での上記エッチング法に関する。硫酸塩の添力
ｎは硫酸塩を含有しない同じ％屏液内で得ることかでざ
るよりも高・い電圧使用に対する厚さ７６．２〜１２７
μｍ（６．０〜５．０ミル）の箔のエッチングを可能に
する。
ＡＣエッチングは先行技術では平板印刷版及びコンデン
サ箔等のアルミニウム物品を〃ｏ工するだめに使用され
た。また、金属めっきに先行してアルミニウム物品を電
解研暦するために使用された。公知技術水準では平坦も
しくは均質のエッチング構造を達成することは困難であ
ると百及し、これらの困蛯を槻々の方法により、例えば
保画コーチングを施すためのエツチング工程を中止し、
エッチング工程をエッチング度の異なった段階で実施し
かつビット寸法を制御するか又は箔の機械的強度乞向上
させるために電解浴中で添加物を使用する方法で克服し
ている。
サ箔等のアルミニウム物品を〃ｏ工するだめに使用され
た。また、金属めっきに先行してアルミニウム物品を電
解研暦するために使用された。公知技術水準では平坦も
しくは均質のエッチング構造を達成することは困難であ
ると百及し、これらの困蛯を槻々の方法により、例えば
保画コーチングを施すためのエツチング工程を中止し、
エッチング工程をエッチング度の異なった段階で実施し
かつビット寸法を制御するか又は箔の機械的強度乞向上
させるために電解浴中で添加物を使用する方法で克服し
ている。
アルミニウムコンデンサ箔の公知のＡＣエツヂングにお
けるもう１つの問題点は、エッチング中に形成されたア
ルミニウム水酸化物かエッチングされた表面上又は内に
沈殿することであった。
けるもう１つの問題点は、エッチング中に形成されたア
ルミニウム水酸化物かエッチングされた表面上又は内に
沈殿することであった。
これらの先行技術による問題の解決策は、箔の表面領域
において僅かな変化で機械的強度を増大させるためにエ
ッチング条件を慎重に制御する先行技術のＡＣエッチン
グ方法よりも優れている。このような方法の１つは米国
特許第４，３３２，６５２号明細書に記載され、該方法
は塩酸エッチング浴に燐酸及び硝酸を使用している。も
う１つの同種のＡＣエッチング法は米国時計第４，３７
６，６８６号明細書に記載され、該方法は塩酸エッチン
グ浴に硝酸及び酒石酸を使用している。
において僅かな変化で機械的強度を増大させるためにエ
ッチング条件を慎重に制御する先行技術のＡＣエッチン
グ方法よりも優れている。このような方法の１つは米国
特許第４，３３２，６５２号明細書に記載され、該方法
は塩酸エッチング浴に燐酸及び硝酸を使用している。も
う１つの同種のＡＣエッチング法は米国時計第４，３７
６，６８６号明細書に記載され、該方法は塩酸エッチン
グ浴に硝酸及び酒石酸を使用している。
上記に引用した先行技術による方法は、厚さ６６．５μ
ｍ（２．５ミル冫のアルミニウム箔をエッチングしかつ
低電圧、例えは約６０Ｖまでの電圧でのコンデンサ用の
エッチング箔を製造するためには十分である。
ｍ（２．５ミル冫のアルミニウム箔をエッチングしかつ
低電圧、例えは約６０Ｖまでの電圧でのコンデンサ用の
エッチング箔を製造するためには十分である。
本発明によれは、塩酸電解液に加えた硫酸塩２００〜５
００ｐｐｍによって、同じ′屯屏液内で硫酸塩不在下に
得ることができるよりも太ぎな厚さを有しかつ高電圧で
使用するためのアルミ箔のＡＣエッチングな行なうこと
ができる。
００ｐｐｍによって、同じ′屯屏液内で硫酸塩不在下に
得ることができるよりも太ぎな厚さを有しかつ高電圧で
使用するためのアルミ箔のＡＣエッチングな行なうこと
ができる。
次に図面に本発明方法の実施例を説明する。
一般的に、本発明によれは、比較的少量の、すなわち２
００〜５００ｐｐｍの硫酸塩を塩酸のエッチング浴に添
加しかつ燐酸、硝酸及び凸石酸かも選択さ誹１，る少な
《とも１種の添加物を添加することにより、厚さ７６．
２〜１２７μｍ（３．０〜５ミル）のアルミニウムコン
デンサ電極箔及びまた商電圧で使用するための箔のＡＣ
エッチングを行ｌ．ｃうことができる。
００〜５００ｐｐｍの硫酸塩を塩酸のエッチング浴に添
加しかつ燐酸、硝酸及び凸石酸かも選択さ誹１，る少な
《とも１種の添加物を添加することにより、厚さ７６．
２〜１２７μｍ（３．０〜５ミル）のアルミニウムコン
デンサ電極箔及びまた商電圧で使用するための箔のＡＣ
エッチングを行ｌ．ｃうことができる。
ところで、本発明の硫酸塩濃度は２ＣｌＯｐｐｍよりも
少なければ効果が低いか又は効果が無くなり、５００．
ｐｐｍよりも多《なると有害な効果を示すことが判明し
た。この範囲内に、その都度のエッチング剤組成物に対
して変動する至過硫酸塩濃度がある。
少なければ効果が低いか又は効果が無くなり、５００．
ｐｐｍよりも多《なると有害な効果を示すことが判明し
た。この範囲内に、その都度のエッチング剤組成物に対
して変動する至過硫酸塩濃度がある。
（ｉｌｔ酸塩の存在はより厚い箔のエッチング及びより
高い電圧で使用可能なエッチング箔の製造な司能にする
だけでなく、一般に硫酸塩の不在下に同じエッチング剤
を用いる際に使用されうるような低い温度、周波数及び
電流密反でのエッチングを可能に１−る。
高い電圧で使用可能なエッチング箔の製造な司能にする
だけでなく、一般に硫酸塩の不在下に同じエッチング剤
を用いる際に使用されうるような低い温度、周波数及び
電流密反でのエッチングを可能に１−る。
更に、本発明のエッチング溶液は、エッチング工程によ
゛クてアルミニウムイオンが形成される場合、該濃度が
開始後に存在する溶液に類似ずる初期溶液を形成するよ
うに水利化塩化アルミニウムとして添加されたアルミニ
ウムイオンを含有する。一般に、アルミニウムイオン酋
度は０．２〜０．５Ｍである。
゛クてアルミニウムイオンが形成される場合、該濃度が
開始後に存在する溶液に類似ずる初期溶液を形成するよ
うに水利化塩化アルミニウムとして添加されたアルミニ
ウムイオンを含有する。一般に、アルミニウムイオン酋
度は０．２〜０．５Ｍである。
添加物として燐酸及び硝酸を使用する際には、燐酸の濃
度は０．２Ｍ以下、硝酸の濃度はＬＩ．３Ｍ以下、塩酸
の濃度は［Ｊ．５〜１．５Ｍ及び硫酸塩濃度は２００〜
５００ｐｐｍである。この電解液と共に、硫酸イオンが
存在することにより、誠酸塩の−不在下に使用されるよ
りも低い温度及び周波数範囲で操作することができ、ま
た硫酸塩不在の同じ電解液内で可能であるよりも厚い箔
をエッチングすることができる。
度は０．２Ｍ以下、硝酸の濃度はＬＩ．３Ｍ以下、塩酸
の濃度は［Ｊ．５〜１．５Ｍ及び硫酸塩濃度は２００〜
５００ｐｐｍである。この電解液と共に、硫酸イオンが
存在することにより、誠酸塩の−不在下に使用されるよ
りも低い温度及び周波数範囲で操作することができ、ま
た硫酸塩不在の同じ電解液内で可能であるよりも厚い箔
をエッチングすることができる。
電解液が添加物として硝酸及び龍石酸を含有する場合に
は、硝酸の濃度は０．１〜０．３Ｍ，酒石酸の換度は０
．１〜０．２Ｍ、塩酸の濃度は１．０〜１．５Ｍ，硫酸
塩濃度は２００〜５００ｐｐｍである。この電解液を用
いると、硫酸塩の存在は操作条件を実質的に変化せず、
しかも硫酸塩不在におけるよりも著しく高い電圧用の箔
のエッチングを可能にし、かつ厚さ７６．２〜１２７μ
ｍ（３．０〜５ミルラの箔のエッチングを行なうことが
できる。
は、硝酸の濃度は０．１〜０．３Ｍ，酒石酸の換度は０
．１〜０．２Ｍ、塩酸の濃度は１．０〜１．５Ｍ，硫酸
塩濃度は２００〜５００ｐｐｍである。この電解液を用
いると、硫酸塩の存在は操作条件を実質的に変化せず、
しかも硫酸塩不在におけるよりも著しく高い電圧用の箔
のエッチングを可能にし、かつ厚さ７６．２〜１２７μ
ｍ（３．０〜５ミルラの箔のエッチングを行なうことが
できる。
添加物として硝酸を使用−する場合には、電解液組成は
塩醒０．５〜１．５Ｍ、硝酸０．１〜０．６Ｍ及び詭岐
塩２０Ｕ〜５００ｐｐｍである。
塩醒０．５〜１．５Ｍ、硝酸０．１〜０．６Ｍ及び詭岐
塩２０Ｕ〜５００ｐｐｍである。
ル）らゆる場合、少量の硫酸塩の存在はエッチング中の
箔♂モ而の局所的溶解を防止する。このランダムな局所
的保謹はむしろ平坦でない表面、ひいては高い表面領域
及び高いキャバシタンス箔を生じる。５００ｐｐｍより
高い磯度では一層平坦な被膜が？生じると見なされる、
該被膜は箔表面のマクロシンニング（ｍａｃｒｏｔｈｉ
ｎｎｉｎｇ）を生じる。
箔♂モ而の局所的溶解を防止する。このランダムな局所
的保謹はむしろ平坦でない表面、ひいては高い表面領域
及び高いキャバシタンス箔を生じる。５００ｐｐｍより
高い磯度では一層平坦な被膜が？生じると見なされる、
該被膜は箔表面のマクロシンニング（ｍａｃｒｏｔｈｉ
ｎｎｉｎｇ）を生じる。
使用される温度及び周波数はエッチング剤組成に関係す
るが、但し一般に１０〜２０ＨＺ及び２４〜４０”（．
！の範囲にある。浴が燐酸と硝酸の両者を含有する場合
には、最良の結果は約１Ｕ〜１５ＨＺ及び３０〜６７゜
Ｃで得られた。エッチング浴が硝酸と酒石酸の両者を含
有する場合には、最良の結果は１４〜２０ＨＺ及び６４
〜４０℃で得られた。浴が硝酸を含有する場合には、最
良の結果は１２〜１７Ｈｚ及ひ２４〜６０゜υで得られ
た。
るが、但し一般に１０〜２０ＨＺ及び２４〜４０”（．
！の範囲にある。浴が燐酸と硝酸の両者を含有する場合
には、最良の結果は約１Ｕ〜１５ＨＺ及び３０〜６７゜
Ｃで得られた。エッチング浴が硝酸と酒石酸の両者を含
有する場合には、最良の結果は１４〜２０ＨＺ及び６４
〜４０℃で得られた。浴が硝酸を含有する場合には、最
良の結果は１２〜１７Ｈｚ及ひ２４〜６０゜υで得られ
た。
厚さ７６．２〜１２７μｍ（３〜５ミル）の箔をエッチ
ングするのが好ましい、それというのも機械的強度が犬
ぎ《かつまた箔を著しく弱めることなくより昼い電圧を
使用するために一層深《エッチングすることができるか
らである。
ングするのが好ましい、それというのも機械的強度が犬
ぎ《かつまた箔を著しく弱めることなくより昼い電圧を
使用するために一層深《エッチングすることができるか
らである。
エッチング浴内に比較的少量で硫酸イオンが存在するこ
とにより、上記の両者の目的を達成することかできる。
とにより、上記の両者の目的を達成することかできる。
図面はアルミニウム箔１０を示し、該箔はロール２０を
越えてエッチング榴３０内の絶縁電極３１と３２の間に
、次いでロール４００ドを通って電極３２と３３の間に
、次いでローノレ４０を越えて電極３３と３４の間に、
次いでロール４２の下を通って電極３４と３５０間九走
人しかつ槽３０かも出かつロール５０を介して導びかね
る。電極は箔１０を通過させるための開口を有する絶縁
枠４３及び４４によって支持されている。図面に示した
よりも多くの電極及びロールを使用づることもできる。
越えてエッチング榴３０内の絶縁電極３１と３２の間に
、次いでロール４００ドを通って電極３２と３３の間に
、次いでローノレ４０を越えて電極３３と３４の間に、
次いでロール４２の下を通って電極３４と３５０間九走
人しかつ槽３０かも出かつロール５０を介して導びかね
る。電極は箔１０を通過させるための開口を有する絶縁
枠４３及び４４によって支持されている。図面に示した
よりも多くの電極及びロールを使用づることもできる。
実地においては、より多数の電極を使用するのが一層有
効であるが、本発明を説明するには図示の数で十分であ
る。
効であるが、本発明を説明するには図示の数で十分であ
る。
電極３１．３２，３３．３４及び３５は挿入枠４３及び
４４に取付けられるので、電極を通過する又流は箔を通
過せしめられるが、エッチング浴液の主体は通過せしめ
られない。このようにして、箔は電極対間を通過する時
間中′眼気化学的にエッチングされかつ枠の外部、例え
は枠４４とロール４００間では電気化学的にエッチング
されない。
４４に取付けられるので、電極を通過する又流は箔を通
過せしめられるが、エッチング浴液の主体は通過せしめ
られない。このようにして、箔は電極対間を通過する時
間中′眼気化学的にエッチングされかつ枠の外部、例え
は枠４４とロール４００間では電気化学的にエッチング
されない。
以下の実施例では、純度９９．９９％及び厚さ７６．２
〜１０２μｍ（３．０〜４．０ミル）の軟質アルミニウ
ム箔を本発明方法に基づきエッチングした。電解槽設計
及び電流密度の１つの関数であるエッチング電圧は典型
的には−７ｖ〜＋７ｖである。異なった電解槽設計では
、電圧も異なって来る。エッチング電圧はまたエッヂン
グ剤の固有抵抗Ｋ依存しかつエッチング剤が変化すると
共に変化する。一般に、全てのエッチング剤に関して、
温度、周波数、電流密度及び全通過チャーゾ量の特殊な
範囲がある。前者の２つのパラメータはより厳密には後
者の２つの条件よりもエッチング剤組成に関係する。組
成、周波数及び温度が決定されると、Ｆ９１望の電流恍
・度及び全チャーゾ量を得るためにエッチング剤電圧が
選択される。以下の実施例では、電流密度は箔１α２当
り約０．１６Ａ（約ＩＡ／ｉｎ２）でありかつ全チャー
ジ量は箔１ｃＩｒＬ２当り約１１６．６クーロン（約７
５０クーロン／ｉｎ２）であった。
〜１０２μｍ（３．０〜４．０ミル）の軟質アルミニウ
ム箔を本発明方法に基づきエッチングした。電解槽設計
及び電流密度の１つの関数であるエッチング電圧は典型
的には−７ｖ〜＋７ｖである。異なった電解槽設計では
、電圧も異なって来る。エッチング電圧はまたエッヂン
グ剤の固有抵抗Ｋ依存しかつエッチング剤が変化すると
共に変化する。一般に、全てのエッチング剤に関して、
温度、周波数、電流密度及び全通過チャーゾ量の特殊な
範囲がある。前者の２つのパラメータはより厳密には後
者の２つの条件よりもエッチング剤組成に関係する。組
成、周波数及び温度が決定されると、Ｆ９１望の電流恍
・度及び全チャーゾ量を得るためにエッチング剤電圧が
選択される。以下の実施例では、電流密度は箔１α２当
り約０．１６Ａ（約ＩＡ／ｉｎ２）でありかつ全チャー
ジ量は箔１ｃＩｒＬ２当り約１１６．６クーロン（約７
５０クーロン／ｉｎ２）であった。
キャハシタンスは特定の電圧に対して陽極酸化された箔
の値である、例えは３０Ｖキャバシタンスは幾何学的箔
面積０．２１３Ｃ１ｒＬ”（１．３７５１ｎ２）当り最
終″亀流密度１０ｍＡで３０Ｖに対して陽極処理した箔
試料１儂２につき測定したキャバシタンスである。
の値である、例えは３０Ｖキャバシタンスは幾何学的箔
面積０．２１３Ｃ１ｒＬ”（１．３７５１ｎ２）当り最
終″亀流密度１０ｍＡで３０Ｖに対して陽極処理した箔
試料１儂２につき測定したキャバシタンスである。
例１
軟質箔７６．２μ＋ｎ（３．０ミル）をパイロットプラ
ント中で地酸０．９Ｍ，塩化アルミニウム０．４Ｍ、硝
酸０．１２Ｍ、燐酸０．１１Ｍ及び硫酸堵３ＵＯｐｌｕ
ｍの１９［を使用してエッチングした。使用した電流密
度は０．１４Ａ／ｃＩｎ２（０．９０Ａ／ｉｎ２）であ
った。３０Ｖキャパシタンスの周波数及び温度の効果を
判定した。
ント中で地酸０．９Ｍ，塩化アルミニウム０．４Ｍ、硝
酸０．１２Ｍ、燐酸０．１１Ｍ及び硫酸堵３ＵＯｐｌｕ
ｍの１９［を使用してエッチングした。使用した電流密
度は０．１４Ａ／ｃＩｎ２（０．９０Ａ／ｉｎ２）であ
った。３０Ｖキャパシタンスの周波数及び温度の効果を
判定した。
結果は温度及び周波数に対する強度の依存性を示′１−
， 例２ 硫酸塩濃度の効果を調べるために、パイロットプラント
でＩ１ほ同じ電解液（塩酸０．８Ｍ，塩化アルミニウム
Ｑ．４）Ａ，硝敵［Ｊ．１３Ｍ，燐酸０．１１Ｍ）を使
用してエッチングした。エッチング条件は６１℃、０．
１４Ａ／ｃＴＬ２（０．９０Ａ／ｉｎ２）及ひ１３．１
３Ｈｚであった。
， 例２ 硫酸塩濃度の効果を調べるために、パイロットプラント
でＩ１ほ同じ電解液（塩酸０．８Ｍ，塩化アルミニウム
Ｑ．４）Ａ，硝敵［Ｊ．１３Ｍ，燐酸０．１１Ｍ）を使
用してエッチングした。エッチング条件は６１℃、０．
１４Ａ／ｃＴＬ２（０．９０Ａ／ｉｎ２）及ひ１３．１
３Ｈｚであった。
全てのキャパシタンス値は硫ｉ！［５００ｐｐｍを越え
ると低下する。箔の試験は硫酸塩が存在する場合はそれ
が存在しない場合によりも箔のマクロシンニングが少な
くかつより深いエッチング構造が得られることを示した
。
ると低下する。箔の試験は硫酸塩が存在する場合はそれ
が存在しない場合によりも箔のマクロシンニングが少な
くかつより深いエッチング構造が得られることを示した
。
例６
硫酸塩を添加するとより深いエッチング構造を得ること
ができるために、厚さ１０１．６μｍ（４．０ミル）の
軟質箔を実験室内で電解液として塩戚ｏ．９ｕ，塩化ア
ルミニウム０．４Ｍ，４［０．１４Ｍ，ｄＭ酸０．１１
Ｍ及び硫ｔｒｉｍ４００ｐｐｍを使用してエッチングし
た。周波数は１［ＪＨｚかもろＱＨｚに変化させた。第
６図に示すように、１２〜１４ＨＺで最良の結釆が得ら
れた。
ができるために、厚さ１０１．６μｍ（４．０ミル）の
軟質箔を実験室内で電解液として塩戚ｏ．９ｕ，塩化ア
ルミニウム０．４Ｍ，４［０．１４Ｍ，ｄＭ酸０．１１
Ｍ及び硫ｔｒｉｍ４００ｐｐｍを使用してエッチングし
た。周波数は１［ＪＨｚかもろＱＨｚに変化させた。第
６図に示すように、１２〜１４ＨＺで最良の結釆が得ら
れた。
引絖き２５〜３ＱＨｚでは２ＱＨｚにおけると同じ傾向
を示したが、但し低かった。電流密度はＣｌ・１６Ａ／
ｃ１ｒＬ２（ＩＡ／ｉｎ２）、チャージは１１６．６ク
ーロン／ｃｍ”（７５０クーｃ＋ｙ／ｉｎ”）であった
。
を示したが、但し低かった。電流密度はＣｌ・１６Ａ／
ｃ１ｒＬ２（ＩＡ／ｉｎ２）、チャージは１１６．６ク
ーロン／ｃｍ”（７５０クーｃ＋ｙ／ｉｎ”）であった
。
この場合にも、この電解液を用いた場合周波数及び温度
両者に対する顕著な依存性か存在した。別の実駒では奄
屏液組成を塩酸０．５〜１．５Ｍ１硝酸［Ｊ．１〜０．
３Ｍ，燐＃Ｕ．１〜０．２Ｍ及び誠醒堪２Ｕ（Ｊ〜５０
０ｐｐｍ，有オリには誠敵堪６ＵＯｐｐｎｎにセントし
た。この場合も、温度（２５〜４（Ｊ’Ｕ）で周波ｉｄ
ｌＬＩ〜１５ＨＺ（周ｔ皮数依存性）が有利である。
両者に対する顕著な依存性か存在した。別の実駒では奄
屏液組成を塩酸０．５〜１．５Ｍ１硝酸［Ｊ．１〜０．
３Ｍ，燐＃Ｕ．１〜０．２Ｍ及び誠醒堪２Ｕ（Ｊ〜５０
０ｐｐｍ，有オリには誠敵堪６ＵＯｐｐｎｎにセントし
た。この場合も、温度（２５〜４（Ｊ’Ｕ）で周波ｉｄ
ｌＬＩ〜１５ＨＺ（周ｔ皮数依存性）が有利である。
例４
次の央験系例では、俗液を掬』単にすることがＥＪ叱か
どうかを判定するために燐酸な′亀解液から除去した。
どうかを判定するために燐酸な′亀解液から除去した。
このエッチング剤は−ｍｍｌＭ，塩化アルミニウムｔＪ
．４Ｍ，硝酸Ｌ］．１４Ｍ及びｔｉＬ（Ｒ４３ＣｌＯｐ
ｐｍから成っていた。箔厚さは１０１．６μｍ（４．０
ミル）であった。
．４Ｍ，硝酸Ｌ］．１４Ｍ及びｔｉＬ（Ｒ４３ＣｌＯｐ
ｐｍから成っていた。箔厚さは１０１．６μｍ（４．０
ミル）であった。
また、第２の試料’＆１００Ｖ，１５０Ｖ及び１８０ｖ
に対して陽極酸化した。相応するキャバシタンス値は３
．１μＦ／ｃｒｆＬ２（２０．１ｔｔＦ／ｉｎ２）、１
．４ｔｔＦ／ｃｍ２（９．０μｙ，Ａｎ２）及ひ１．Ｌ
ｌｔｔＦＡｍκ（６．６μ”／ｉｎ２）であった。これ
らのＦ来を第２表のＭ朱と比軟づーると、電解液中に蝋
酸塩が存在していれは燐酸を省略することかｉＪ能であ
ると見なすことができる。
に対して陽極酸化した。相応するキャバシタンス値は３
．１μＦ／ｃｒｆＬ２（２０．１ｔｔＦ／ｉｎ２）、１
．４ｔｔＦ／ｃｍ２（９．０μｙ，Ａｎ２）及ひ１．Ｌ
ｌｔｔＦＡｍκ（６．６μ”／ｉｎ２）であった。これ
らのＦ来を第２表のＭ朱と比軟づーると、電解液中に蝋
酸塩が存在していれは燐酸を省略することかｉＪ能であ
ると見なすことができる。
別の実験では、塩酸の濃度は０．５〜１．５Ｍ有利には
１．ＱＭ，硝酸は０．１〜［Ｊ．３Ｍ有゜利には０．１
４Ｍ及ひＭｔｖ塙２ＬｌＯ〜５（ＪＯｐｐｍ有オリニハ
３［ＪＯｐｐｎｌであってよいことが伯」明した。この
電解液を用いる場合には、周波数は１２〜１７Ｈｚかつ
温度は２４〜６０℃であるべきである。
１．ＱＭ，硝酸は０．１〜［Ｊ．３Ｍ有゜利には０．１
４Ｍ及ひＭｔｖ塙２ＬｌＯ〜５（ＪＯｐｐｍ有オリニハ
３［ＪＯｐｐｎｌであってよいことが伯」明した。この
電解液を用いる場合には、周波数は１２〜１７Ｈｚかつ
温度は２４〜６０℃であるべきである。
例５
硝戚及び醐石ばを言有する軍ｙｌ４液に対してする蝋ｃ
ｌＮ塩の添加を調査した。第１の笑験では、６６．０４
μｍ（２．６ミル）と７６．２μＩＩＩ（６．０ミル冫
の両者の箔を鳩敵１．２７Ｍ，塩化アルミニウム０．４
Ｍ，鋤石醒Ｕ．ＩＭ、硝酸０．２Ｍ、４０℃、１６．４
ＨＺ及び０．１７ＡＡｍ２（１．１Ａ／ｉｎ２）を使用
してエッチングした。結果は第５ａ表に示す。
ｌＮ塩の添加を調査した。第１の笑験では、６６．０４
μｍ（２．６ミル）と７６．２μＩＩＩ（６．０ミル冫
の両者の箔を鳩敵１．２７Ｍ，塩化アルミニウム０．４
Ｍ，鋤石醒Ｕ．ＩＭ、硝酸０．２Ｍ、４０℃、１６．４
ＨＺ及び０．１７ＡＡｍ２（１．１Ａ／ｉｎ２）を使用
してエッチングした。結果は第５ａ表に示す。
この場８も、硫ば塩か存仕丁れは萬いキャバシタンスを
示した。エンチングした箔試料の試験は、ｇｔＬ酸塙か
存・在すれぱ、箔表面は部分的に完全に残りかつ脈いエ
ッチング構造が得られることが判明した。蝋酸堪が存在
しなければ、初期の箔表向の大部分は浅いエッチング構
造をあとに残して浴解した。これらの観察は溶解の局所
的抑制の前提条件を強化するものである。
示した。エンチングした箔試料の試験は、ｇｔＬ酸塙か
存・在すれぱ、箔表面は部分的に完全に残りかつ脈いエ
ッチング構造が得られることが判明した。蝋酸堪が存在
しなければ、初期の箔表向の大部分は浅いエッチング構
造をあとに残して浴解した。これらの観察は溶解の局所
的抑制の前提条件を強化するものである。
第２の実験列では、キャパシタンスに対する硫酸塩濃度
及び周波数の効果を箔１０１．６μｍ（４ミル）、塩酸
１．３Ｍ，４化アルミニウム０．３５Ｍ、硝酸０．２Ｍ
及び酒石酸０．１Ｍを使用して判定した。各温度は４０
℃であった。
及び周波数の効果を箔１０１．６μｍ（４ミル）、塩酸
１．３Ｍ，４化アルミニウム０．３５Ｍ、硝酸０．２Ｍ
及び酒石酸０．１Ｍを使用して判定した。各温度は４０
℃であった。
別の実験列では、周波数及び・温度のキャバシタンス・
に対する効果を睡酸塩３’５０ｐｐｍを含有するｆｉｉ
Ｉ記電解液及ひ（Ｊ−２０ＡＡｎＬ２（Ｌ３Ａ／ｉｎ２
）乞使用して決定した。１４ＨｚＩＣ？Ｊして夫々３４
Ｃ、３６’Ｕ及び３Ｂ一〇で２３−６ｔｉＦＡ：ｍ２（
１５２１ｔＦ／１ｎ”）、冫４．（ＪμＬ”Ａ・ｎｔ２
（１５５ｔｔＦ／ｉｎ’）及び２３．６ｔｔＦＡｍ”（
１５２μＦ／１ｎ”）が得られ、一方１６．ｄＨｚＫ幻
して３６”Ｃ！，３８”Ｕ及び３９”Ｃでは２４．［Ｊ
μＦ／ｃｍ２（１５５μＦ／ｉｎ”）、２４．３μＦＡ
：ｎｔ２（３６μＦ／ｉｎＪ及び２４．ＵｌＩＦＡＩｎ
２（１５５ｌｚＦ’／ｉｎ２）の最艮の結果か得られた
。このエッチング剤の一台には、有利な温度は６４゛Ｃ
及び４０′Ｃでありかつ有オリな周波数は１４〜１２Ｈ
ｚであった。有オリなエッチング剤組成は塩［１．０〜
１．５Ｍ，論石酸０．１〜Ｕ−２Ｍ，及び硝酸０．１〜
（Ｊ．３Ｍ及びｔＪｆｆ．酸１４當ｆｊｋ２（ＪＯ〜５
ＵＯｐｐｍであった。
に対する効果を睡酸塩３’５０ｐｐｍを含有するｆｉｉ
Ｉ記電解液及ひ（Ｊ−２０ＡＡｎＬ２（Ｌ３Ａ／ｉｎ２
）乞使用して決定した。１４ＨｚＩＣ？Ｊして夫々３４
Ｃ、３６’Ｕ及び３Ｂ一〇で２３−６ｔｉＦＡ：ｍ２（
１５２１ｔＦ／１ｎ”）、冫４．（ＪμＬ”Ａ・ｎｔ２
（１５５ｔｔＦ／ｉｎ’）及び２３．６ｔｔＦＡｍ”（
１５２μＦ／１ｎ”）が得られ、一方１６．ｄＨｚＫ幻
して３６”Ｃ！，３８”Ｕ及び３９”Ｃでは２４．［Ｊ
μＦ／ｃｍ２（１５５μＦ／ｉｎ”）、２４．３μＦＡ
：ｎｔ２（３６μＦ／ｉｎＪ及び２４．ＵｌＩＦＡＩｎ
２（１５５ｌｚＦ’／ｉｎ２）の最艮の結果か得られた
。このエッチング剤の一台には、有利な温度は６４゛Ｃ
及び４０′Ｃでありかつ有オリな周波数は１４〜１２Ｈ
ｚであった。有オリなエッチング剤組成は塩［１．０〜
１．５Ｍ，論石酸０．１〜Ｕ−２Ｍ，及び硝酸０．１〜
（Ｊ．３Ｍ及びｔＪｆｆ．酸１４當ｆｊｋ２（ＪＯ〜５
ＵＯｐｐｍであった。
４図面のｉＪ牢な説ψ」
図面は本発明方法を実施する装置の略示断面図である。
１０・・・アルミニウム箔２０，４０，４１，４２，５
０・・・ロール３０・・・エッチンク槽３ｉ，３２．３
３，３４．３５・・・電極４３．４４・・・枠 ＝５１６
０・・・ロール３０・・・エッチンク槽３ｉ，３２．３
３，３４．３５・・・電極４３．４４・・・枠 ＝５１６
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １，燐酸、硝酸及び酒石酸から成る群から選択された少
なくとも１棟の添加物及び硫酸塩２ＵＯ〜５００ｐｐｍ
の添加物を含有する塩酸ベースの電解液を交流を作用さ
せながら箔を通過させ、その際塩酸の濃度か鑞５〜１．
５Ｍ，添加物の磯度が０．１〜０．３Ｍ，又流の周波数
が１０〜１５ＨＺ及び電解液の温度か２４〜４０℃であ
り、上記硫酸塩によって硫酸塩を含有しない同じ電解液
で得られるよりも篩い電圧で使用するための厚さ７６．
２〜１２７μｍの箔のエッチングを可能にすることを特
徴とする、アルミニウムコンデンサ箔のエッチング法。 ２．エッチング剤が塩酸０．５〜１．５Ｍ，燐酸Ｕ、１
〜０．２Ｍ，硝酸０．１〜０．３Ｍ及び硫酸塩２００〜
５００ｐｐｍから成る、％許請求の範囲第１項記載の方
法。 ６，エッチング剤が塩酸１．０〜１．５Ｍ，硝酸０，１
〜０．３Ｍ、酒石酸０．１〜２．０Ｍ及び硫酸塩２００
〜５００ｐｐｍから成る、特許請求の範囲第１項記載の
方法。 ４，エッチング剤が塩酸０．５〜１．５Ｍ、硝酸０．１
〜０．３Ｍ及び硫酸塩２００〜５０’Ｕｐｐｍから成る
、特許請求の範囲第１勇記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US422931 | 1982-09-24 | ||
| US06/422,931 US4427506A (en) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | AC Etching of aluminum capacitor foil |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970800A true JPS5970800A (ja) | 1984-04-21 |
| JPS6245320B2 JPS6245320B2 (ja) | 1987-09-25 |
Family
ID=23677004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58165307A Granted JPS5970800A (ja) | 1982-09-24 | 1983-09-09 | アルミニウムコンデンサ箔のエツチング法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4427506A (ja) |
| JP (1) | JPS5970800A (ja) |
| CA (1) | CA1213560A (ja) |
| GB (1) | GB2127435B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60260123A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-23 | 松下電器産業株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021298A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版用支持体の製造方法 |
| DE3533532A1 (de) * | 1985-09-20 | 1987-04-02 | Hoechst Ag | Verfahren zur elektrochemischen aufrauhung von aluminium fuer druckplattentraeger |
| DE3717654A1 (de) * | 1987-05-26 | 1988-12-08 | Hoechst Ag | Verfahren zur elektrochemischen aufrauhung von aluminium fuer druckplattentraeger |
| US4820390A (en) * | 1987-07-06 | 1989-04-11 | The Interlake Companies, Inc. | Apparatus and method for continuous electrochemical machining of strip material |
| US5124022A (en) * | 1989-08-23 | 1992-06-23 | Aluminum Company Of America | Electrolytic capacitor and method of making same |
| DE4232636C2 (de) * | 1992-09-29 | 1996-04-11 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Elektrodenfolien für, insbesondere Hochvolt-, Elektrolytkondensatoren |
| US7578924B1 (en) | 2004-07-29 | 2009-08-25 | Pacesetter, Inc. | Process for producing high etch gains for electrolytic capacitor manufacturing |
| US7445646B1 (en) | 2004-08-06 | 2008-11-04 | Pacesetter, Inc. | Method of producing an anode for an electrolytic capacitor |
| US10072349B2 (en) | 2016-01-05 | 2018-09-11 | Pacesetter, Inc. | Etch solutions having bis(perfluoroalkylsulfonyl)imides, and use thereof to form anode foils with increased capacitance |
| US10240249B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-03-26 | Pacesetter, Inc. | Use of nonafluorobutanesulfonic acid in a low pH etch solution to increase aluminum foil capacitance |
| US10422050B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-09-24 | Pacesetter, Inc. | Process for using persulfate in a low pH etch solution to increase aluminum foil capacitance |
| US10309033B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-06-04 | Pacesetter, Inc. | Process additives to reduce etch resist undercutting in the manufacture of anode foils |
| JP1595451S (ja) * | 2017-06-20 | 2018-01-22 | ||
| CN114686960B (zh) * | 2022-03-01 | 2023-08-22 | 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 | 一种制备中高压腐蚀箔的预处理方法及其应用 |
Citations (4)
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Family Cites Families (9)
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| GB966627A (en) | 1962-04-09 | 1964-08-12 | British Dielectric Res Ltd | Improvements in or relating to the electrolytic etching of anodisable metal foil |
| US3321389A (en) | 1964-07-20 | 1967-05-23 | Mallory & Co Inc P R | Method of anodically etching aluminum foils at elevated temperatures in an electrolyte including chloride and sulfate ions |
| NL6613586A (ja) | 1966-09-27 | 1968-03-28 | ||
| GB1392191A (en) | 1971-07-09 | 1975-04-30 | Alcan Res & Dev | Process for electrograining aluminium |
| US4052275A (en) | 1976-12-02 | 1977-10-04 | Polychrome Corporation | Process for electrolytic graining of aluminum sheet |
| US4297184A (en) | 1980-02-19 | 1981-10-27 | United Chemi-Con, Inc. | Method of etching aluminum |
| US4276129A (en) | 1980-06-25 | 1981-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing foil electrodes for electrolytic capacitor |
| US4332652A (en) | 1980-11-28 | 1982-06-01 | Sprague Electric Company | AC Etching of aluminum capacitor foil |
| US4376686A (en) | 1981-11-16 | 1983-03-15 | Sprague Electric Company | AC Etching of aluminum capacitor foil |
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1982
- 1982-09-24 US US06/422,931 patent/US4427506A/en not_active Expired - Fee Related
-
1983
- 1983-08-15 CA CA000434603A patent/CA1213560A/en not_active Expired
- 1983-08-25 GB GB08322927A patent/GB2127435B/en not_active Expired
- 1983-09-09 JP JP58165307A patent/JPS5970800A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024135A (ja) * | 1973-07-06 | 1975-03-15 | ||
| JPS50159430A (ja) * | 1974-06-14 | 1975-12-24 | ||
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2127435B (en) | 1985-08-29 |
| US4427506A (en) | 1984-01-24 |
| GB2127435A (en) | 1984-04-11 |
| JPS6245320B2 (ja) | 1987-09-25 |
| GB8322927D0 (en) | 1983-09-28 |
| CA1213560A (en) | 1986-11-04 |
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