JPS5975688A - ホ−ル素子 - Google Patents
ホ−ル素子Info
- Publication number
- JPS5975688A JPS5975688A JP57185743A JP18574382A JPS5975688A JP S5975688 A JPS5975688 A JP S5975688A JP 57185743 A JP57185743 A JP 57185743A JP 18574382 A JP18574382 A JP 18574382A JP S5975688 A JPS5975688 A JP S5975688A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial layer
- region
- hall
- point contact
- emitter
- Prior art date
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- Granted
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- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はホール素子に係り、特にボール電圧検出部の
改良に関する。
改良に関する。
第１図は従来のホール素子を示し、第２図は第１図のホ
ール電圧検出部の■−■線に沿う断面を示している。即
ち、このホール素子では、Ｐ形の半導体基板２の表面部
にエピタキシャル層４が形成され、このエピタキシャル
層４は半導体基板２を直行する方向にＰ＋形拡散を形成
した分離領域６で一定の範囲に区画分離されている。こ
のように区画分離されたエピタキシャル層４の長手方向
の縁部には、ホール電流供給用の拡散領域８．１０が対
向して形成され、この拡散領域８．１ｏには電極１２．
１４がそれぞれ形成されている。
ール電圧検出部の■−■線に沿う断面を示している。即
ち、このホール素子では、Ｐ形の半導体基板２の表面部
にエピタキシャル層４が形成され、このエピタキシャル
層４は半導体基板２を直行する方向にＰ＋形拡散を形成
した分離領域６で一定の範囲に区画分離されている。こ
のように区画分離されたエピタキシャル層４の長手方向
の縁部には、ホール電流供給用の拡散領域８．１０が対
向して形成され、この拡散領域８．１ｏには電極１２．
１４がそれぞれ形成されている。
そして、エピタキシャル層４の幅方向の縁部分にはホー
ル電圧検出部１６．１８が対向して設定され、このホー
ル電圧検出部１６．１８に゛はＰ形の拡散領域２０．２
２が形成され、この拡散領域２０．２２からエピタキシ
ャル層４の表面層に臨む部分には、エピタキシャル層４
と同一導電形のＮ＋のエミッタ拡散でコンタクト部２４
．２６が相対向して形成されている。このコンタクト部
２４．２６の表面部には、電極２８．３ｏが形成されて
いる。なお、第２図において、３２は酸化膜である。
ル電圧検出部１６．１８が対向して設定され、このホー
ル電圧検出部１６．１８に゛はＰ形の拡散領域２０．２
２が形成され、この拡散領域２０．２２からエピタキシ
ャル層４の表面層に臨む部分には、エピタキシャル層４
と同一導電形のＮ＋のエミッタ拡散でコンタクト部２４
．２６が相対向して形成されている。このコンタクト部
２４．２６の表面部には、電極２８．３ｏが形成されて
いる。なお、第２図において、３２は酸化膜である。
このようなホール素子におい−（、拡ｆＩ（ｒ ｆｉｉ
’ｉ城８．１０の間にホール電流を流し、この電流に直
行する方向に磁束を与えると、ホール電圧検出部１６．
１８にはホール電圧が発生し、このボール電圧は電極２
８．３０から取り出ずごとができる。
’ｉ城８．１０の間にホール電流を流し、この電流に直
行する方向に磁束を与えると、ホール電圧検出部１６．
１８にはホール電圧が発生し、このボール電圧は電極２
８．３０から取り出ずごとができる。
このようにボール素子が形成される場合、ホール電圧検
出の感度を向上させるために、コンタクト部２４．２６
をポイントコンタクトにし、しかもその形状は均一化す
る必要がある。
出の感度を向上させるために、コンタクト部２４．２６
をポイントコンタクトにし、しかもその形状は均一化す
る必要がある。
このため、エピタキシャル層４とは反対導電形の拡散領
域２０．２２が分離領域として形成され、この拡散領域
２０．２２にエピタキシャル層４と同一導電形のエミッ
タ拡散を拡散領域２０．２２から突出するように行い、
コンタクト部２４．２６が形成されている。
域２０．２２が分離領域として形成され、この拡散領域
２０．２２にエピタキシャル層４と同一導電形のエミッ
タ拡散を拡散領域２０．２２から突出するように行い、
コンタクト部２４．２６が形成されている。
しかしながら、このようなホール素子の製造過程では、
ベース拡散でコンタクト部２４．２６を形成する部分の
領域２０．２２を形成し、コンタクト部２４．２６はエ
ミッタ拡散時に同時に形成される。このため、ベース及
びエミッタの各ホトレジスト工程において、アライメン
ト誤差を生じ、コンタクト部２４．２６の形状が不均一
になるおそれがある。
ベース拡散でコンタクト部２４．２６を形成する部分の
領域２０．２２を形成し、コンタクト部２４．２６はエ
ミッタ拡散時に同時に形成される。このため、ベース及
びエミッタの各ホトレジスト工程において、アライメン
ト誤差を生じ、コンタクト部２４．２６の形状が不均一
になるおそれがある。
この発明しよ、精度が高く、均一性のあるポイントコン
タクトを形成したホール素子の提供を目的この発明の実
施例を図面を参照して詳細に説明する。第３図及び第４
図はこの発明のボール素子の実施例を示し、第３図はそ
の平面構造、第４図は第３・図のＩＶ −ＩＶ線に沿う
断面を示している。図において、第１図及び第２図に示
すボール素子と同一部分には、同一符号が付しである。
タクトを形成したホール素子の提供を目的この発明の実
施例を図面を参照して詳細に説明する。第３図及び第４
図はこの発明のボール素子の実施例を示し、第３図はそ
の平面構造、第４図は第３・図のＩＶ −ＩＶ線に沿う
断面を示している。図において、第１図及び第２図に示
すボール素子と同一部分には、同一符号が付しである。
即ち、ホール電圧検出部１６．１８には、その部分・に
おりるエピタキシャル層４の小面積部分を包囲する環状
のベース領域３４．３６が形成されている。このベース
領域３４．３６及びこのベース領域３４．３６で包囲さ
れる小面積のエピタキシャル層４の表面層には、エミッ
タ領域３８．４０が形成され、ベース領域３４の包囲エ
ピタキシャル層４に接触する部分のエミッタ領域３８．
４０でポイントコンタクト部４２．４４が形成されてい
る。
おりるエピタキシャル層４の小面積部分を包囲する環状
のベース領域３４．３６が形成されている。このベース
領域３４．３６及びこのベース領域３４．３６で包囲さ
れる小面積のエピタキシャル層４の表面層には、エミッ
タ領域３８．４０が形成され、ベース領域３４の包囲エ
ピタキシャル層４に接触する部分のエミッタ領域３８．
４０でポイントコンタクト部４２．４４が形成されてい
る。
そして、ポイントコンタクト部４２．４４を構成するエ
ミッタ領域３８．４０の表面には、ポイントコンタクト
部４２．４４に検出されるボール電圧を外部に取り出す
ための電極４６．４８が個別に形成されている。
ミッタ領域３８．４０の表面には、ポイントコンタクト
部４２．４４に検出されるボール電圧を外部に取り出す
ための電極４６．４８が個別に形成されている。
以上のように構成したので、拡散領域８．１０の間にホ
ール電流を流し、この電流に直交する方向に磁束を与え
ると、ホール電圧検出部１６．１８にはＪτ−ルミ圧が
発生し、このホール電圧はポイントコンタクト部４２．
４４で精度良く検出され、電極４６．４８から外部に取
り出すことができる。
ール電流を流し、この電流に直交する方向に磁束を与え
ると、ホール電圧検出部１６．１８にはＪτ−ルミ圧が
発生し、このホール電圧はポイントコンタクト部４２．
４４で精度良く検出され、電極４６．４８から外部に取
り出すことができる。
また、このようなホール素子は、ベース領域３４．３６
を中央部分を創り貫いた形状、即ぢ環状に形成し、この
部分を被う形でベース領域３４．３６の表面層にエミッ
タ拡散を行ってエミッタ領域３８．４０を形成すること
により、ポイントコンタクト部４２．４４が形成される
。
を中央部分を創り貫いた形状、即ぢ環状に形成し、この
部分を被う形でベース領域３４．３６の表面層にエミッ
タ拡散を行ってエミッタ領域３８．４０を形成すること
により、ポイントコンタクト部４２．４４が形成される
。
このため、ポイントコンタクト部４２．４４を形成する
部分は、ベース領域の形成時に一義的に決定され、この
結果、エミッタ領域３８．４０のアライメントのずれや
オーハエソチ等に影響されることがな（、自己整合によ
り精度の高いしかも均一性のあるポイントコンタクト部
４２．４４が容易に形成できる。また、このようなポイ
ントコンタクト部４２．４４によれば、ポイントコンタ
クト部４２．４４が小さく形成され、ホール電流分布に
対しての影響は極めて少ないものとなる。
部分は、ベース領域の形成時に一義的に決定され、この
結果、エミッタ領域３８．４０のアライメントのずれや
オーハエソチ等に影響されることがな（、自己整合によ
り精度の高いしかも均一性のあるポイントコンタクト部
４２．４４が容易に形成できる。また、このようなポイ
ントコンタクト部４２．４４によれば、ポイントコンタ
クト部４２．４４が小さく形成され、ホール電流分布に
対しての影響は極めて少ないものとなる。
さらに、精度の高いポイントコンタクト部４２．４４に
よって、ホール素子のオフセントを少なくすることもで
きる。
よって、ホール素子のオフセントを少なくすることもで
きる。
以上説明したようにこの発明によれば、精度が高く、均
一性のあるポイントコンタクトによってホール電圧の検
出が良好になり、高感度のボール素子を構成することか
できる。
一性のあるポイントコンタクトによってホール電圧の検
出が良好になり、高感度のボール素子を構成することか
できる。
第１図は従来のボール素子を示す平面図、第２図は第１
図のｎ−ｎ線に沿う断面図、第３図はこの発明のボール
素子の実施例を示す平面図、第４図は第３図のＩＶ −
ＩＶ線に沿う断面図である。 ４・・・エピタキシャル層、１Ｇ、１８・・・ホール電
圧検出部、４２．４４・・・ポインミルコンタクト部。
図のｎ−ｎ線に沿う断面図、第３図はこの発明のボール
素子の実施例を示す平面図、第４図は第３図のＩＶ −
ＩＶ線に沿う断面図である。 ４・・・エピタキシャル層、１Ｇ、１８・・・ホール電
圧検出部、４２．４４・・・ポインミルコンタクト部。
Claims (1)
- ホール電圧検出部を設定する領域のエピタキシャル層に
、小面積のエピタキシャル層を包囲する環状のベース領
域を形成し、このベース領域で包囲される前記エピタキ
シャル層を被うエミッタ領域を形成し、このエミッタ領
域をポイントコンタクトとしたことを特徴とするホール
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57185743A JPS5975688A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | ホ−ル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57185743A JPS5975688A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | ホ−ル素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975688A true JPS5975688A (ja) | 1984-04-28 |
| JPH0122993B2 JPH0122993B2 (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=16176077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57185743A Granted JPS5975688A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | ホ−ル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975688A (ja) |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP57185743A patent/JPS5975688A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0122993B2 (ja) | 1989-04-28 |
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