JPS5980936A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
- Publication number
- JPS5980936A JPS5980936A JP58157802A JP15780283A JPS5980936A JP S5980936 A JPS5980936 A JP S5980936A JP 58157802 A JP58157802 A JP 58157802A JP 15780283 A JP15780283 A JP 15780283A JP S5980936 A JPS5980936 A JP S5980936A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aluminum
- psg
- containing phosphorus
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、リンを含有する１）ンシリケートガラス（Ｐ
ＳＧ）膜やリンガラス（Ｐ、、０．４−８ ｉＯ，）膜
をパ・ソシベーション膜とする電子部品に関するもので
ある。
ＳＧ）膜やリンガラス（Ｐ、、０．４−８ ｉＯ，）膜
をパ・ソシベーション膜とする電子部品に関するもので
ある。
ディスクリート半導体素子、バ・イボーラ形またはＭＩ
Ｓ形ＩＣ等のＰＮ接合を有する半導体装置においては、
表面安定化のため、Ｌ％Ｉ’ｆ’が大とでき種々のコン
タミネーションなゲッタリングひきるＰＳＧ膜をパッシ
ベーション膜とし°Ｃ使用するのが一般的である。
Ｓ形ＩＣ等のＰＮ接合を有する半導体装置においては、
表面安定化のため、Ｌ％Ｉ’ｆ’が大とでき種々のコン
タミネーションなゲッタリングひきるＰＳＧ膜をパッシ
ベーション膜とし°Ｃ使用するのが一般的である。
しかしながら−Ｐ Ｓ Ｇｌかり、耐湿性に劣り水分を
透過するため、ブルミニウム電１φｉ（配置ｒｑ）を腐
蝕させる欠点がある。この現象は、特に高濃度のリンを
含有するＰＳＧ膜やリンガラス膜において著じるしく、
デバイスの信頼性の低下をきたしている。しかしながら
、素子特性を変化させ１゛、かつ配線材料であるアルミ
ニウムを断六がさせないような平坦なＣＶＤＰＳＧ膜や
リンガラス膜を得るためには比較的低温でグラスフロー
アニールを行なう必要があり、そのためには高濃度のリ
ンを含有させる必要があり、多層配線技術としては重要
なことである。
透過するため、ブルミニウム電１φｉ（配置ｒｑ）を腐
蝕させる欠点がある。この現象は、特に高濃度のリンを
含有するＰＳＧ膜やリンガラス膜において著じるしく、
デバイスの信頼性の低下をきたしている。しかしながら
、素子特性を変化させ１゛、かつ配線材料であるアルミ
ニウムを断六がさせないような平坦なＣＶＤＰＳＧ膜や
リンガラス膜を得るためには比較的低温でグラスフロー
アニールを行なう必要があり、そのためには高濃度のリ
ンを含有させる必要があり、多層配線技術としては重要
なことである。
そのため、従来、低温生成のできる耐湿性絶縁膜である
プラズマナイトライドＩＦＦをもって、リンを含有する
」二記したようプよパッシベーション膜を保護すること
が行なわれ−（いる。しかし、この１ｌｊＯものは、チ
ップ周辺等におい′〔、リンを含有するパッシベーショ
ン膜における１１１１壁が露出″５−る構造であるため
、Ｐ、０．の吸湿性によりそこからプラズマナイトライ
ド膜がはがされ、除々にそれが進行Ｌ７てリンを含んだ
水分が°ｒルミニウム電極（配め）にまで到達してそれ
を腐蝕させる欠点がある。
プラズマナイトライドＩＦＦをもって、リンを含有する
」二記したようプよパッシベーション膜を保護すること
が行なわれ−（いる。しかし、この１ｌｊＯものは、チ
ップ周辺等におい′〔、リンを含有するパッシベーショ
ン膜における１１１１壁が露出″５−る構造であるため
、Ｐ、０．の吸湿性によりそこからプラズマナイトライ
ド膜がはがされ、除々にそれが進行Ｌ７てリンを含んだ
水分が°ｒルミニウム電極（配め）にまで到達してそれ
を腐蝕させる欠点がある。
それゆえ、本発明の目的Ｏ，耐湿件の悪い１１ンを含有
するバッジベージ日ン脱全面を耐湿性膜で被覆（７て電
極（配線）腐蝕等を防止し、もって高信頼度の半導体装
置等の電子部品を提供することにある。
するバッジベージ日ン脱全面を耐湿性膜で被覆（７て電
極（配線）腐蝕等を防止し、もって高信頼度の半導体装
置等の電子部品を提供することにある。
以下、本発明の実施例である半導体装置を図面を参照し
ながら詳述−する、。
ながら詳述−する、。
図は、本発明にかかるＭＯ８ＩＣを示す縦断面図である
、同図において、１はＮ型シリコン基体、２はＰ＋型ド
レイン層、３はＰ″ツＬリソース層４はスクライブ領域
におけるＰ＋型層、５はフ２ｆ −ルド酸化シリコン膜
、６はゲート酸化シリコンＩＩＰ（。
、同図において、１はＮ型シリコン基体、２はＰ＋型ド
レイン層、３はＰ″ツＬリソース層４はスクライブ領域
におけるＰ＋型層、５はフ２ｆ −ルド酸化シリコン膜
、６はゲート酸化シリコンＩＩＰ（。
７はゲート電極用多結晶シリコン膜、８はＰＳＧ膜、９
〜ｌＯはアルミニウム配線１．９ａはアルミニウムパッ
ド電極、１１はプラズマナイトライド膜である。
〜ｌＯはアルミニウム配線１．９ａはアルミニウムパッ
ド電極、１１はプラズマナイトライド膜である。
本発明においては、耐湿性絶縁膜でかつ低温生成できる
、プラズマナイトライド膜１１をアルミニウムハツト１
１１．極９ａを除＜Ｉｃチップのほぼ全面に設けており
、バ、、、 ５／ベーシヨン眉である１）ＳＧＪＩＱ８
を完全に被覆す２・、ｌ、うＶｔ、設“（１ら旧ている
。
、プラズマナイトライド膜１１をアルミニウムハツト１
１１．極９ａを除＜Ｉｃチップのほぼ全面に設けており
、バ、、、 ５／ベーシヨン眉である１）ＳＧＪＩＱ８
を完全に被覆す２・、ｌ、うＶｔ、設“（１ら旧ている
。
そのため、外部から侵入−「る水分かす〉′を含有Ｊ−
るＰＳＧ膜８に到達するのをプラズマナーｆ）ライド膜
１１によって防止しているため、配線金属であるアルミ
ニウム配ＦＪ９〜ｌＯの１〜蝕を防止し、デバイスの高
信頼性を得ることができる。／ｌ’♀に、グラスフロー
を行なうため高濃［ＩＵのリンを含有するｐｓａｐｌＡ
ｓを使用し、ているものにおいてル１．ＩＣチップ周辺
を完全に−ｒルミニ”） 、１＞ １口１２によって被
覆しており、１’ Ｓ Ｇ脆８直面を・全く外気にさら
していないため、ＰＳＧ膜８にηまれるリンが外部から
侵入する水分にとけ込み、リン酸とｌＩって配線や電極
をＩｐ、蝕させることはフ、（、い。
るＰＳＧ膜８に到達するのをプラズマナーｆ）ライド膜
１１によって防止しているため、配線金属であるアルミ
ニウム配ＦＪ９〜ｌＯの１〜蝕を防止し、デバイスの高
信頼性を得ることができる。／ｌ’♀に、グラスフロー
を行なうため高濃［ＩＵのリンを含有するｐｓａｐｌＡ
ｓを使用し、ているものにおいてル１．ＩＣチップ周辺
を完全に−ｒルミニ”） 、１＞ １口１２によって被
覆しており、１’ Ｓ Ｇ脆８直面を・全く外気にさら
していないため、ＰＳＧ膜８にηまれるリンが外部から
侵入する水分にとけ込み、リン酸とｌＩって配線や電極
をＩｐ、蝕させることはフ、（、い。
また、周辺がアルミニウム１模で被色されているため、
周辺のｐｓａ４ｑの耐湿のため、ＩＰ：ｉ別の工程を付
加しなくてもよい。
周辺のｐｓａ４ｑの耐湿のため、ＩＰ：ｉ別の工程を付
加しなくてもよい。
同様に、Ａ、ｅ膜を接地月１配糾止た目−基板コンタク
ト用の雷、極として用いることイ、できる。
ト用の雷、極として用いることイ、できる。
図に示すものは、ＩＣチップ周辺の耐湿性膜どしてアル
ミニウム膜１２を使用し、他の領域をプラズマナイトラ
イド膜１１とした例である。このアルミニウムＪＪ！４
１２は電極お」、び配線５）〜１ｏの形成時に設けるこ
とができ、アルミニウムは水を通さないため、ＰＳＧ膜
８を保詐することができる。なお、アルミニウムの他に
多結晶シリコン脱等を使用することもできる。
ミニウム膜１２を使用し、他の領域をプラズマナイトラ
イド膜１１とした例である。このアルミニウムＪＪ！４
１２は電極お」、び配線５）〜１ｏの形成時に設けるこ
とができ、アルミニウムは水を通さないため、ＰＳＧ膜
８を保詐することができる。なお、アルミニウムの他に
多結晶シリコン脱等を使用することもできる。
アルミニウム膜の下地として５モル％以下＜７）ＩＪン
（Ｐ、Ｏ，）を含有するＰ Ｓ Ｇ膜を設けておくこと
もできる。
（Ｐ、Ｏ，）を含有するＰ Ｓ Ｇ膜を設けておくこと
もできる。
５モル％以下のリン（Ｐ、０． ）を含有１−るＰＳＧ
膜は、耐湿性が比較的良好で、菌濃度のリンを含有する
ＰＳＧ膜８から離間した領域に露出している表面を有し
ていても、横方向の水分の侵入が小さく、縦方向の水分
の侵入はプラズマナイトラ・イド膜１１によって防止で
きるため、このよ５１Ｊｒｍ造とすることができる。
膜は、耐湿性が比較的良好で、菌濃度のリンを含有する
ＰＳＧ膜８から離間した領域に露出している表面を有し
ていても、横方向の水分の侵入が小さく、縦方向の水分
の侵入はプラズマナイトラ・イド膜１１によって防止で
きるため、このよ５１Ｊｒｍ造とすることができる。
本発明は、ＭＯ８ＩＣに限定され１”、ダイオード、ト
ランジスタ、ＳＣＲ等のディスクリート半導体素子やバ
イポーラ形またはＭｌＳ形それに・・イブリッド形Ｉ
Ｃ管種々σ呼、Ｅ１様の電子部品に適用することができ
る。
ランジスタ、ＳＣＲ等のディスクリート半導体素子やバ
イポーラ形またはＭｌＳ形それに・・イブリッド形Ｉ
Ｃ管種々σ呼、Ｅ１様の電子部品に適用することができ
る。
第１図は、本発明にかかるＭＯ３ＩＣの′＄、施例を示
１−縦断面１ン１である。 ｌ・・・Ｎ型シリコン基体、２〜・４・・・Ｐ＋型層、
５・・・フィールド酸化シリコン膜、６・・・ゲート酸
化シリコン膜、７・・・ゲート電極、８・・・ＰＳＧ膜
、９〜１０・・・アルミニウム配線、１１・・・プラズ
マナイトライド膜、１２−・−”Ｊ’ルミニウム（１す
。 代理人 弁理士 高 橋 ｊｌｌｌ 夫／：、”−
１１・） １゜
１−縦断面１ン１である。 ｌ・・・Ｎ型シリコン基体、２〜・４・・・Ｐ＋型層、
５・・・フィールド酸化シリコン膜、６・・・ゲート酸
化シリコン膜、７・・・ゲート電極、８・・・ＰＳＧ膜
、９〜１０・・・アルミニウム配線、１１・・・プラズ
マナイトライド膜、１２−・−”Ｊ’ルミニウム（１す
。 代理人 弁理士 高 橋 ｊｌｌｌ 夫／：、”−
１１・） １゜
Claims (1)
- １、チップ周辺においてリンを含有するパッシベーショ
ン膜の露出する部分はメタルまたはメタリックな部材に
て被覆されてなり、その他の上記パッシベーション膜の
露出部は、メタル部拐、メタリック部材及び耐湿性絶縁
部１１のうち少なくとも１つにより被覆されてなる電子
部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157802A JPS5980936A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157802A JPS5980936A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 電子部品 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12279076A Division JPS5348474A (en) | 1976-10-15 | 1976-10-15 | Electronic parts |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5980936A true JPS5980936A (ja) | 1984-05-10 |
Family
ID=15657604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58157802A Pending JPS5980936A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5980936A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61137347A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-25 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 半導体チップの移動イオンを捕捉する端部シールの製造方法 |
| JPS63128733A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Sony Corp | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP58157802A patent/JPS5980936A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61137347A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-25 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 半導体チップの移動イオンを捕捉する端部シールの製造方法 |
| JPS63128733A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Sony Corp | 半導体装置 |
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