JPS5980937A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
- Publication number
- JPS5980937A JPS5980937A JP58157803A JP15780383A JPS5980937A JP S5980937 A JPS5980937 A JP S5980937A JP 58157803 A JP58157803 A JP 58157803A JP 15780383 A JP15780383 A JP 15780383A JP S5980937 A JPS5980937 A JP S5980937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- phosphorus
- passivation
- psg
- 5mol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、リンを含有するリンシリケートガラス（ＰＳ
Ｇ’）膜やリンガラス（ＰｔＯｓ ＋ Ｓ ｉＯｔ ）
膜をノリンベーション膜とする電子部品に関するもので
ある。
Ｇ’）膜やリンガラス（ＰｔＯｓ ＋ Ｓ ｉＯｔ ）
膜をノリンベーション膜とする電子部品に関するもので
ある。
ディスクリート半導体素子、バイポーラ形またはＭＩＳ
形ＩＣ等のＰＮ接合を有する半導体装置においては１表
面安定化のため、膜厚が大とでき種々のコンタミネーシ
ョンをゲッタリングできるＰＳＧ膜をパッシベーション
膜として使用するのが一般的である。
形ＩＣ等のＰＮ接合を有する半導体装置においては１表
面安定化のため、膜厚が大とでき種々のコンタミネーシ
ョンをゲッタリングできるＰＳＧ膜をパッシベーション
膜として使用するのが一般的である。
しかしながら、ＰＳＧ膜は、耐湿性に劣り水分を透過す
るため、アルミニウム電極（配＃ｉりを腐蝕させる欠点
がある。この現象は、特に高濃度のリンを含有するＰＳ
Ｇ膜やリンガラス膜において著じるしく、デバイスの信
頼性の低下をきたしている。しかしながら、素子特性を
変化させず、かつ配線材料であるアルミニウムを断線さ
せないような平坦なＣＶＤＰＳＧ膜やリンガラス膜を得
るためには比較的低温でグラスフローアニールを行なう
必要があり、そのためには高濃度のリンを含有させる必
要があり、多層配線技術としては重要なことである。
るため、アルミニウム電極（配＃ｉりを腐蝕させる欠点
がある。この現象は、特に高濃度のリンを含有するＰＳ
Ｇ膜やリンガラス膜において著じるしく、デバイスの信
頼性の低下をきたしている。しかしながら、素子特性を
変化させず、かつ配線材料であるアルミニウムを断線さ
せないような平坦なＣＶＤＰＳＧ膜やリンガラス膜を得
るためには比較的低温でグラスフローアニールを行なう
必要があり、そのためには高濃度のリンを含有させる必
要があり、多層配線技術としては重要なことである。
そのため、従来、低温生成のできる耐湿性絶縁膜である
グラズマナイトライド膜をもって、リンを含有する上記
したようなパッジページせン膜を保護することが行なわ
れている。しかし、この種のものは、チップ周辺等にお
いて、リンを含有するバｙ’／ベーション膜における側
壁が露出する構造であるため、 ＰｔＯｓの吸湿性によ
りそこからプラズマナイトラ・イド膜がはがされ１．徐
々圧それが進行してリンを含んだ水分がアルミニウム電
極（配線）にまで到達してそれを腐蝕させる欠点がある
。
グラズマナイトライド膜をもって、リンを含有する上記
したようなパッジページせン膜を保護することが行なわ
れている。しかし、この種のものは、チップ周辺等にお
いて、リンを含有するバｙ’／ベーション膜における側
壁が露出する構造であるため、 ＰｔＯｓの吸湿性によ
りそこからプラズマナイトラ・イド膜がはがされ１．徐
々圧それが進行してリンを含んだ水分がアルミニウム電
極（配線）にまで到達してそれを腐蝕させる欠点がある
。
それゆえ、本発明の目的は、耐湿性の悪いリンを含有す
るパッシベーション膜全面を耐湿性膜で被覆して電極（
配線）腐蝕等な防止し、もって高信頼度の半導体装置等
の電子部品を提供することにある。
るパッシベーション膜全面を耐湿性膜で被覆して電極（
配線）腐蝕等な防止し、もって高信頼度の半導体装置等
の電子部品を提供することにある。
以下、本発明の実施例である半導体装置を図面を参照し
ながら詳述する。
ながら詳述する。
第１図は１本発明にかかるＭＯ８ＩＣを示す縦断面図で
ある。同図において、１はＮ型シリコン基体、２はＰ＋
型ドレイン層、３はＰ＋型ソース層、４はスクライプ領
域におけるＰ＋型層、５はフィールド酸化シリコン膜、
６はゲート酸化シリコン膜、７はゲート電極用多結晶シ
リコン膜、８はＰＳＧ膜、９〜１０はアルミニウム配線
、９ａはアルミニウムパッド電極、１１はプラズマナイ
トライド膜である。
ある。同図において、１はＮ型シリコン基体、２はＰ＋
型ドレイン層、３はＰ＋型ソース層、４はスクライプ領
域におけるＰ＋型層、５はフィールド酸化シリコン膜、
６はゲート酸化シリコン膜、７はゲート電極用多結晶シ
リコン膜、８はＰＳＧ膜、９〜１０はアルミニウム配線
、９ａはアルミニウムパッド電極、１１はプラズマナイ
トライド膜である。
本発明においては、耐湿性絶縁膜でかつ低温生成できる
、プラズマナイトライド膜１１をアルミニウムパッド電
極９ａを除＜ＩＣチップのほぼ全面に設けており、パッ
シベーション膜であるＰＳＧ膜８を完全に被覆するよう
に設けられている。
、プラズマナイトライド膜１１をアルミニウムパッド電
極９ａを除＜ＩＣチップのほぼ全面に設けており、パッ
シベーション膜であるＰＳＧ膜８を完全に被覆するよう
に設けられている。
そのため、外部から侵入する水分がリンを含有するＰＳ
Ｇ膜８に到達するのをプラズマナイトライド膜１１によ
って防止しているため、配線金属であるアルミニウム配
線９〜１０の腐蝕を防止し、デバイスの高信頼性を得る
ことができる。特に、グラスフローを行なうため高濃度
のリンを含有するＰＳＧ膜８を使用しているものにおい
ても、ＩＣチップ周辺を完全にプラズマナイトライド膜
１１によって被覆しており、ＰＳＧ膜８膜面表面く外気
にさらしていないため、ＰＳＧ膜８に含まれるリンが外
部から侵入する水分にとけ込み、リン酸となって配線や
電極を腐蝕させることはない。
Ｇ膜８に到達するのをプラズマナイトライド膜１１によ
って防止しているため、配線金属であるアルミニウム配
線９〜１０の腐蝕を防止し、デバイスの高信頼性を得る
ことができる。特に、グラスフローを行なうため高濃度
のリンを含有するＰＳＧ膜８を使用しているものにおい
ても、ＩＣチップ周辺を完全にプラズマナイトライド膜
１１によって被覆しており、ＰＳＧ膜８膜面表面く外気
にさらしていないため、ＰＳＧ膜８に含まれるリンが外
部から侵入する水分にとけ込み、リン酸となって配線や
電極を腐蝕させることはない。
更に、プラズマナイトライド膜１１の下地に５モル％以
下のリン（ｐｔｏｓ）を含有するＰＳＧ膜１３を設けて
いるので、より良好なパッシベーション特性を得ること
ができる。
下のリン（ｐｔｏｓ）を含有するＰＳＧ膜１３を設けて
いるので、より良好なパッシベーション特性を得ること
ができる。
５モル％以下のリン（Ｐｔ０ｓ）を含有するＰＳＧ膜１
３は、耐湿性が比較的良好で、高濃度のリンを含有する
ＰＳＧ膜８から離間した領域に露出している表面を有し
ていても、横方向の水分の侵入が小さく、縦方向の水分
の侵入はプラズマナイトライド膜１１によって防止でき
るため、このような構造とすることができる。このＰＳ
Ｇ膜１３は。
３は、耐湿性が比較的良好で、高濃度のリンを含有する
ＰＳＧ膜８から離間した領域に露出している表面を有し
ていても、横方向の水分の侵入が小さく、縦方向の水分
の侵入はプラズマナイトライド膜１１によって防止でき
るため、このような構造とすることができる。このＰＳ
Ｇ膜１３は。
厚膜をもって形成できるため、ＡＡ配線上のパッシベー
ション膜として十分効果を奏するものである。５モル％
以上のリン（Ｐｔ０１１）を含有するＰＳＧ膜１３は、
第５図に示すような実験データにより、耐湿性が急激に
悪（なるためこの種の被膜に使用することはできな（・
。なお、第５図において。
ション膜として十分効果を奏するものである。５モル％
以上のリン（Ｐｔ０１１）を含有するＰＳＧ膜１３は、
第５図に示すような実験データにより、耐湿性が急激に
悪（なるためこの種の被膜に使用することはできな（・
。なお、第５図において。
横軸は、耐湿性試験前のＰＳＧ膜におけるリン（Ｐｔ
０． ）濃度、縦軸は、耐湿性試験後のＰＳＧ膜におけ
るリン（ｐ、 ｏ、 ）濃度を示し、白丸はグラスフロ
ー処理前のＰＳＧ膜、黒丸はグラスフロー（９００ｔｒ
窒素中で１５分間）後のＰＳＧ膜を示すものである。
０． ）濃度、縦軸は、耐湿性試験後のＰＳＧ膜におけ
るリン（ｐ、 ｏ、 ）濃度を示し、白丸はグラスフロ
ー処理前のＰＳＧ膜、黒丸はグラスフロー（９００ｔｒ
窒素中で１５分間）後のＰＳＧ膜を示すものである。
本発明は、ＭＯ８ＩＣに限定されず、ダイオード、トラ
ンジスタ、ＳＣＲ等のディスクリート半導体素子やバイ
ポーラ形またはＭＩＳ形それにハイブリッド形ＩＣ等種
々の態様の電子部品に適用することができる。
ンジスタ、ＳＣＲ等のディスクリート半導体素子やバイ
ポーラ形またはＭＩＳ形それにハイブリッド形ＩＣ等種
々の態様の電子部品に適用することができる。
第１図は５本発明にかかるＭＯ８ＩＣの実施例を示す縦
断面図、第２図は、ＰＳＧ膜におけるリン（Ｐｔ０１１
）濃度による耐湿性特性を示す図である。 １・・・Ｎ型シリコン基体、２〜４・・・Ｐ＋型層、５
・・・フィールド酸化シリコン膜、６・・・ゲート酸化
シリコン膜、７・・・ゲート電極、訃・・ＰＳＧ膜、９
〜１０・・・アルミニウム配線、１１・・・プラズマナ
イトライド膜、１３・・・低濃度のＰＳ、Ｇ膜。
断面図、第２図は、ＰＳＧ膜におけるリン（Ｐｔ０１１
）濃度による耐湿性特性を示す図である。 １・・・Ｎ型シリコン基体、２〜４・・・Ｐ＋型層、５
・・・フィールド酸化シリコン膜、６・・・ゲート酸化
シリコン膜、７・・・ゲート電極、訃・・ＰＳＧ膜、９
〜１０・・・アルミニウム配線、１１・・・プラズマナ
イトライド膜、１３・・・低濃度のＰＳ、Ｇ膜。
Claims (1)
- １．５モル％以上のリンを含有するパッシベーション膜
の表面が５モル％以下のリン含有量のシリコン酸化物を
主成分とする被膜及びシリコン・ナイトライドな主成分
とする被膜により被われてなる電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157803A JPS5980937A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157803A JPS5980937A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 電子部品 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12279076A Division JPS5348474A (en) | 1976-10-15 | 1976-10-15 | Electronic parts |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5980937A true JPS5980937A (ja) | 1984-05-10 |
Family
ID=15657627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58157803A Pending JPS5980937A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5980937A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284940A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01268154A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03270256A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Nippon Precision Circuits Kk | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP58157803A patent/JPS5980937A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61284940A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01268154A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03270256A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Nippon Precision Circuits Kk | 半導体装置 |
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