JPH0574766A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0574766A JPH0574766A JP23451891A JP23451891A JPH0574766A JP H0574766 A JPH0574766 A JP H0574766A JP 23451891 A JP23451891 A JP 23451891A JP 23451891 A JP23451891 A JP 23451891A JP H0574766 A JPH0574766 A JP H0574766A
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- aluminum
- aluminum wiring
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- contact window
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 幅の広いアルミニウム配線下にある微細トラ
ンジスタなどの、アルミスパイクによる接合リークを防
ぐ。 【構成】 幅の広いアルミニウム配線の下に、トランジ
スタなどの、コンタクト窓を有する拡散層が配置されて
いる場合、そのコンタクト窓６〜８に沿って、かつ〈１
１０〉軸方向にアルミニウム配線１〜３の抜きパターン
を備える。 【効果】 〈１１０〉軸方向の配線のアルミニウムの量
を少なくすることによって、アルミスパイクの発生が防
止された。
ンジスタなどの、アルミスパイクによる接合リークを防
ぐ。 【構成】 幅の広いアルミニウム配線の下に、トランジ
スタなどの、コンタクト窓を有する拡散層が配置されて
いる場合、そのコンタクト窓６〜８に沿って、かつ〈１
１０〉軸方向にアルミニウム配線１〜３の抜きパターン
を備える。 【効果】 〈１１０〉軸方向の配線のアルミニウムの量
を少なくすることによって、アルミスパイクの発生が防
止された。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特にアルミ
スパイクを防止した半導体装置に関するものである。
スパイクを防止した半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の配線材料として
アルミニウムが広く用いられてきたが、オーミックコン
タクトをとるために熱処理を加えるといわゆるアルミス
パイクが生じてｐｎ接合が破壊する場合がある。これは
不純物拡散層中のシリコンがアルミニウム中に溶解して
ピットが形成され、そこにアルミニウムが入ってアルミ
スパイクとなるためである。
アルミニウムが広く用いられてきたが、オーミックコン
タクトをとるために熱処理を加えるといわゆるアルミス
パイクが生じてｐｎ接合が破壊する場合がある。これは
不純物拡散層中のシリコンがアルミニウム中に溶解して
ピットが形成され、そこにアルミニウムが入ってアルミ
スパイクとなるためである。
【０００３】近年、半導体集積回路装置は微細化が進
み、トランジスタの接合も浅くなってくると、このアル
ミスパイクの発生が問題となる。アルミスパイク発生の
防止策としては、Ａｌ−Ｓｉ合金やバリアメタルを用い
ることなどが有効である。
み、トランジスタの接合も浅くなってくると、このアル
ミスパイクの発生が問題となる。アルミスパイク発生の
防止策としては、Ａｌ−Ｓｉ合金やバリアメタルを用い
ることなどが有効である。
【０００４】一方、大電流を必要とする半導体装置で
は、配線部分の信頼性を上げるため、幅の広い金属配線
が用いられている。この配線材料としては、電気特性や
量産性に優れていることからやはりアルミニウムが好ま
しい。また、半導体装置の集積化が進み、トランジスタ
のサイズの縮小や配置の制限も避けられない。
は、配線部分の信頼性を上げるため、幅の広い金属配線
が用いられている。この配線材料としては、電気特性や
量産性に優れていることからやはりアルミニウムが好ま
しい。また、半導体装置の集積化が進み、トランジスタ
のサイズの縮小や配置の制限も避けられない。
【０００５】以上のようなことから、幅の広いアルミニ
ウム配線の下に微細なトランジスタが配置されるという
ケースが発生している。
ウム配線の下に微細なトランジスタが配置されるという
ケースが発生している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の構成では、コンタクト窓のエッジ部分に、アルミ
スパイクが発生し、コンタクトをとっている不純物拡散
層の外側まで達し、接合リークをもたらすという欠点を
有していた。
従来の構成では、コンタクト窓のエッジ部分に、アルミ
スパイクが発生し、コンタクトをとっている不純物拡散
層の外側まで達し、接合リークをもたらすという欠点を
有していた。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、アルミニウム配線を用いてもアルミスパイクによる
接合リークを防止することのできる半導体装置を提供す
ることを目的とする。
で、アルミニウム配線を用いてもアルミスパイクによる
接合リークを防止することのできる半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体装置は、大面積のアルミニウム配線の
下にトランジスタなどの、コンタクト窓を有する不純物
拡散層が配置されている場合、そのコンタクト窓に沿っ
て、〈１１０〉軸方向にアルミニウム配線の抜きパター
ンを備えるという構成を有している。
に本発明の半導体装置は、大面積のアルミニウム配線の
下にトランジスタなどの、コンタクト窓を有する不純物
拡散層が配置されている場合、そのコンタクト窓に沿っ
て、〈１１０〉軸方向にアルミニウム配線の抜きパター
ンを備えるという構成を有している。
【０００９】
【作用】上記構成により、〈１１０〉軸方向のアルミニ
ウムの量を少なくすることによって、アルミスパイクの
発生を防ぐことができる。
ウムの量を少なくすることによって、アルミスパイクの
発生を防ぐことができる。
【００１０】
【実施例】アルミスパイクの発生したコンタクト窓のエ
ッジ部分を解析すると、アルミスパイクの発生箇所に方
向性があることが判明した。すなわち、（１１１）面の
シリコン基板を用いた場合、〈１１０〉軸方向のコンタ
クト窓のエッジ部分にのみアルミスパイクが発生してお
り、直角方向や〈２１１〉軸方向にはアルミスパイクの
発生が認められなかった。この現象はまだ明らかにされ
ていないが、シリコンの析出が結晶軸方向に対して依存
性があるのではないかと推測される。
ッジ部分を解析すると、アルミスパイクの発生箇所に方
向性があることが判明した。すなわち、（１１１）面の
シリコン基板を用いた場合、〈１１０〉軸方向のコンタ
クト窓のエッジ部分にのみアルミスパイクが発生してお
り、直角方向や〈２１１〉軸方向にはアルミスパイクの
発生が認められなかった。この現象はまだ明らかにされ
ていないが、シリコンの析出が結晶軸方向に対して依存
性があるのではないかと推測される。
【００１１】本発明は、上記シリコンが析出しやすい
〈１１０〉軸方向のアルミニウムの量を少なくすること
によってアルミスパイクの発生を防止したものである。
〈１１０〉軸方向のアルミニウムの量を少なくすること
によってアルミスパイクの発生を防止したものである。
【００１２】以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における
半導体装置の平面図である。図１において、１はエミッ
タ電極に接続する幅の広いアルミニウム配線、２はベー
ス電極に接続するアルミニウム配線、３はコレクタ電極
に接続するアルミニウム配線、４はエミッタ、５はベー
ス、６はエミッタコンタクト窓、７はベースコンタクト
窓、８はコレクタコンタクト窓である。
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における
半導体装置の平面図である。図１において、１はエミッ
タ電極に接続する幅の広いアルミニウム配線、２はベー
ス電極に接続するアルミニウム配線、３はコレクタ電極
に接続するアルミニウム配線、４はエミッタ、５はベー
ス、６はエミッタコンタクト窓、７はベースコンタクト
窓、８はコレクタコンタクト窓である。
【００１３】幅の広いアルミニウム配線１において、コ
ンタクト窓に沿ってかつ〈１１０〉軸方向にアルミニウ
ム配線の抜きパターン９を設けることによって、実質的
に同方向のアルミニウムの量を少なくし、シリコンのア
ルミニウム中への溶融析出を抑制することができる。し
たがって、コンタクトをとっている不純物拡散層の外側
まで達するようなアルミスパイクは発生せず接合リーク
は防止できる。
ンタクト窓に沿ってかつ〈１１０〉軸方向にアルミニウ
ム配線の抜きパターン９を設けることによって、実質的
に同方向のアルミニウムの量を少なくし、シリコンのア
ルミニウム中への溶融析出を抑制することができる。し
たがって、コンタクトをとっている不純物拡散層の外側
まで達するようなアルミスパイクは発生せず接合リーク
は防止できる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本発明は、幅の広いアル
ミニウム配線において、アルミスパイクが発生し易かっ
た〈１１０〉軸方向にアルミニウム配線の抜きパターン
を設けることにより、アルミスパイクの発生を防止し、
それによる接合リークを防ぐことができる。
ミニウム配線において、アルミスパイクが発生し易かっ
た〈１１０〉軸方向にアルミニウム配線の抜きパターン
を設けることにより、アルミスパイクの発生を防止し、
それによる接合リークを防ぐことができる。
【図１】本発明の一実施例における半導体装置の平面図
１ エミッタ電極に接続するアルミニウム配線 ２ ベース電極に接続するアルミニウム配線 ３ コレクタ電極に接続するアルミニウム配線 ４ エミッタ ５ ベース ６ エミッタコンタクト窓 ７ ベースコンタクト窓 ８ コレクタコンタクト窓 ９ アルミニウム配線抜きパターン
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上の所定領域に設けられたコン
タクト窓を通して電気的接続をするためのアルミニウム
配線層を備え、前記アルミニウム配線層の幅の広い部分
に、前記コンタクト窓に沿ってかつ〈１１０〉軸方向に
抜きパターンが形成された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23451891A JPH0574766A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23451891A JPH0574766A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574766A true JPH0574766A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16972281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23451891A Pending JPH0574766A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574766A (ja) |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP23451891A patent/JPH0574766A/ja active Pending
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