JPS60143355A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS60143355A JPS60143355A JP24815883A JP24815883A JPS60143355A JP S60143355 A JPS60143355 A JP S60143355A JP 24815883 A JP24815883 A JP 24815883A JP 24815883 A JP24815883 A JP 24815883A JP S60143355 A JPS60143355 A JP S60143355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrophotographic photoreceptor
- low resistance
- charge
- photoconductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子写真感光体に係り、特にレーザービームプ
リンタへの適用に好適な電子写真用感光体に関する。
リンタへの適用に好適な電子写真用感光体に関する。
従来、電子写真感光体の光導電性材料として５ｅＸＳｅ
合金、ＣｄＳ等の無機物やポリビニルカルバゾール（Ｐ
ＶＫ）等の有機物が用いられている。しかしこれらの無
機物は要件が強く、製造時の取扱いや使用後の処理等に
問題がある。また、これらの材料から構成される感光体
は表面の硬度が十分でないため、使用中表面に傷がつい
たりして像を悪化させていた。これらの欠点を改良する
ため水素を含む非晶質Ｓｉ（以下ａ−８ｉ：）（と略す
）を感光体として用いることが提案された（例えば特開
昭５４−７８１３５号公報参照）。
合金、ＣｄＳ等の無機物やポリビニルカルバゾール（Ｐ
ＶＫ）等の有機物が用いられている。しかしこれらの無
機物は要件が強く、製造時の取扱いや使用後の処理等に
問題がある。また、これらの材料から構成される感光体
は表面の硬度が十分でないため、使用中表面に傷がつい
たりして像を悪化させていた。これらの欠点を改良する
ため水素を含む非晶質Ｓｉ（以下ａ−８ｉ：）（と略す
）を感光体として用いることが提案された（例えば特開
昭５４−７８１３５号公報参照）。
一般的な電子写真感光体の構造を第１図に示し、その等
価回路を第２図に表わすと膜の表面電位■の時間変化は
次式で表わされる。
価回路を第２図に表わすと膜の表面電位■の時間変化は
次式で表わされる。
ＡｎＶ＝ −−十Ａ
τ
・・・（１）
τ＝ＲＣ
几：感光体の抵抗値 Ｃ：感光体の静電容量Ａ：定数
感光体の抵抗率をρ、比誘電率をεとするとτ＝εε０
ρ ・・・（２） εｏ ：真空の誘電率（８，８５Ｘ１０−１４ＣＦ／ｃ
ｒｎ））と表わす事ができる。
ρ ・・・（２） εｏ ：真空の誘電率（８，８５Ｘ１０−１４ＣＦ／ｃ
ｒｎ））と表わす事ができる。
τは電子写真感光体としては、１０（８）以上である事
が必要である。
が必要である。
ａ−８ｉ：Ｈの場合εは１１程度である。τを１Ｑ８４
Ｋ１以上にするには、 ρ、＝ ｉｏ” ［：Ω・口〕 が必要となる。
Ｋ１以上にするには、 ρ、＝ ｉｏ” ［：Ω・口〕 が必要となる。
ところでａ−８ｉ：Ｈをグロー放電法等で作成するとρ
を１０１３〔Ω・α〕以上にするのは難しくなる。
を１０１３〔Ω・α〕以上にするのは難しくなる。
このため、ａ−８ｉ：ＨにＢやＯをドープした９、Ｃや
Ｎを含有させる等して抵抗率を上げたりしている。
Ｎを含有させる等して抵抗率を上げたりしている。
またａ−８ｉ：Ｈでρが１０１３１（Ω・０３以上なく
てもａ −８ｉｃｈ等の電荷注入阻止層（ブロッキング
層）を感光体と基体との間に設けて帯電能を上げる方法
もある（特開昭５６−２４３５４号公報等φ照）。
てもａ −８ｉｃｈ等の電荷注入阻止層（ブロッキング
層）を感光体と基体との間に設けて帯電能を上げる方法
もある（特開昭５６−２４３５４号公報等φ照）。
本願発明者は、反応性スパッターにより、ａ−８ｉ：Ｈ
ｔ作製した。その時、スパッター中水素分圧をコントロ
ールする事によシρが１０１３［Ω・釧〕以上のａ−８
ｉ：Ｈを再現性よく作製する事に成功した。
ｔ作製した。その時、スパッター中水素分圧をコントロ
ールする事によシρが１０１３［Ω・釧〕以上のａ−８
ｉ：Ｈを再現性よく作製する事に成功した。
これにより、ＢやＯをドープしたシ、ＣやＮを含有させ
たり、またブロッキング層を用いたりしなくても帯電能
の高い感光体を得る事ができた。
たり、またブロッキング層を用いたりしなくても帯電能
の高い感光体を得る事ができた。
しかし、この感光体を用いて印画試験を行った結果、コ
ピーサンプル上に白ヌケが見られた。これは第５図に示
すように感光体に局所的に柱状の低抵抗部ＩＢが存在す
るためであると考えられる。
ピーサンプル上に白ヌケが見られた。これは第５図に示
すように感光体に局所的に柱状の低抵抗部ＩＢが存在す
るためであると考えられる。
他の部分は高抵抗部ＩＡである。事実本願発明者が作製
したａ−８ｉ：Ｈ膜のチャージアップの様子を電子顕微
鏡で観察した結果、チャージアップしていない部分（黒
くみえる部分）が存在する事がわかった。
したａ−８ｉ：Ｈ膜のチャージアップの様子を電子顕微
鏡で観察した結果、チャージアップしていない部分（黒
くみえる部分）が存在する事がわかった。
問題の電子写真上の白ヌケはこの低抵抗部分から表面の
チャージがぬける事によっておこるも９と考えられる。
チャージがぬける事によっておこるも９と考えられる。
４
勿論このような低抵抗部分ができる事は好ましい事では
ない。しかしこのような部分をなくす事は、特に高速成
膜を行う際には、非常に困難である。
ない。しかしこのような部分をなくす事は、特に高速成
膜を行う際には、非常に困難である。
本発明の目的は光導電層が水素化アモルファスシリコン
系等高抵抗・低抵抗側領域が存在するにもかかわらず印
字画像の白ヌケやボケ等の発生を防止することの可能な
電子写真感光体を提供するにある。
系等高抵抗・低抵抗側領域が存在するにもかかわらず印
字画像の白ヌケやボケ等の発生を防止することの可能な
電子写真感光体を提供するにある。
本発明において光導電層は高抵抗部が主たる領域を占め
、部分的に低抵抗領域が存在するものであり、この光導
電層は支持基体上に中間層を介して積層されている。そ
してこの中間層は光導電層中の低抵抗領域と同等或いは
それより高い抵抗値を有するものである。
、部分的に低抵抗領域が存在するものであり、この光導
電層は支持基体上に中間層を介して積層されている。そ
してこの中間層は光導電層中の低抵抗領域と同等或いは
それより高い抵抗値を有するものである。
前記のようにコピーサンプルにおいて白ヌケが発生する
のは以下のように考える事ができる。前記低抵抗部分の
σを１０１２［：Ω・口〕であると仮定する。（２）式
から表面電位減衰が１０倍速くなっているのがわかる。
のは以下のように考える事ができる。前記低抵抗部分の
σを１０１２［：Ω・口〕であると仮定する。（２）式
から表面電位減衰が１０倍速くなっているのがわかる。
この速い電位減衰を多層構造にしておさえる訳であるが
、多層構造ではどのように電荷が減衰するかを考える。
、多層構造ではどのように電荷が減衰するかを考える。
二層構造を第３図に示し、その等価回路全第４図に示す
。電価減衰に対する方程式は次式の様になる。
。電価減衰に対する方程式は次式の様になる。
ＱＩＩＶＩＩＣ＋、几１は、それぞれ第２図の層（光導
電層１）の電荷量、電位差、容量、抵抗値。Ｑ２ 、Ｖ
２ 、Ｃ２、Ｒ２け中間層２の電荷量。
電層１）の電荷量、電位差、容量、抵抗値。Ｑ２ 、Ｖ
２ 、Ｃ２、Ｒ２け中間層２の電荷量。
電位差、容量、抵抗値である。また、ＱＩ、Ｑ２は、そ
れぞれＱＩ 、Ｑ２の時間による一次微分であ・る。
れぞれＱＩ 、Ｑ２の時間による一次微分であ・る。
（３）式を解きこの感光体の表面電位の時間変化をめる
と次式のようになる。
と次式のようになる。
Ｖ ＝ Ｖ ｒ ＋ Ｖ２ ・・・（４）ここで、ＶＯ
ＩＩＶＯ２は積分定数、τ１．τ２はそれぞれ図の光４
電層１、中間層３のＩ電緩和時間で で表わされる。Ｖ１＠ Ｖ２は、それぞれ光導電層１、
中間層３にかかる電圧であシ、■が表面電位となる。（
４）式から明らかなように７里が小さくても、τ２がそ
れより大きければ、表面電位の減衰は遅くなる。
ＩＩＶＯ２は積分定数、τ１．τ２はそれぞれ図の光４
電層１、中間層３のＩ電緩和時間で で表わされる。Ｖ１＠ Ｖ２は、それぞれ光導電層１、
中間層３にかかる電圧であシ、■が表面電位となる。（
４）式から明らかなように７里が小さくても、τ２がそ
れより大きければ、表面電位の減衰は遅くなる。
また初期条件として光導電層１、中間層３を流れる電流
が等しいとすると、Ｖ（＋ Ｖｘの初期値は次のように
なる。
が等しいとすると、Ｖ（＋ Ｖｘの初期値は次のように
なる。
ＳＶＩ ＝ＶＯＲｔ ／ （Ｒｔ ＋Ｒｚ ）ここでＶ
ｏは感光体にかかる初期電位である。
ｏは感光体にかかる初期電位である。
白ヌケを防止するためには、低抵抗部分で■２がｖｌと
同程度又はそれ以上である事が必要である。すなわち几
２がＲ１と同程度かそれ以上である事が必要となる。
同程度又はそれ以上である事が必要である。すなわち几
２がＲ１と同程度かそれ以上である事が必要となる。
光導電層１をａ−８ｉ：Ｈとすると抵抗率は１０１３Ω
釧、銹電緩和時間は１０方程度である。この層中に抵抗
率１０１２Ωｍ誘電緩和時間１派の低抵抗部があると仮
定する。
釧、銹電緩和時間は１０方程度である。この層中に抵抗
率１０１２Ωｍ誘電緩和時間１派の低抵抗部があると仮
定する。
中間層３を酸素化アモルファスシリコン（以下ａ−８ｉ
：Ｏと略す）とするとその抵抗率は１０１４Ωｍ１誘電
緩和時間は２０方程度である。
：Ｏと略す）とするとその抵抗率は１０１４Ωｍ１誘電
緩和時間は２０方程度である。
光導電層１をｌＯμｍ１中間層３を０．１μｍとして電
位減衰の様子を（４）、（６）式から計算したのが第６
図である。図中人の曲線は、層３がない時の低抵抗部の
電位減衰曲線である。Ｂの曲線は、層３を導入した時の
低抵抗部の電位減衰曲線である。
位減衰の様子を（４）、（６）式から計算したのが第６
図である。図中人の曲線は、層３がない時の低抵抗部の
電位減衰曲線である。Ｂの曲線は、層３を導入した時の
低抵抗部の電位減衰曲線である。
Ｃ，Ｄは高抵抗部の電位減衰曲線で、それぞれ暗減衰、
光減衰を表わす。
光減衰を表わす。
この図から光導電層１の導入は、低抵抗部の電位減衰の
速度を遅くシ、かつ高抵抗部の光減衰に悪影響を与えな
い事がわかる。
速度を遅くシ、かつ高抵抗部の光減衰に悪影響を与えな
い事がわかる。
以下、実施例について図面を用いて説明する。
実施例１
第７図に本発明における水素を含むａ−８ｉ光導電体の
作製装置を示す。
作製装置を示す。
ａ−８ｉ光導電体の作製方法は、第７図において反応槽
をＩ Ｘ １０−６Ｔ□ｒｒに排気し、１２０φＡ４ド
ラム基板５をヒータによ！１１３００１：”まで加熱し
、Ａｔドラムの脱ガスを行った。しかる後、２００Ｃま
で冷却し保温した。一方ガスは次のように調整した。ア
ルゴンボンベ１１及び水素ボンベ１２カラ、ソれぞれマ
スフローコントローラ９．１０を介し、所定流量に調整
し、ガス混合器８へ送り、その後ニードルパルプ１３に
より反応槽４内がＩＸ １０−３ＴＯｒｒになるように
調整し、最後にメインパルプ１１によｆ） ５ Ｘ １
０−ｓＴＱｒｒに調整した。
をＩ Ｘ １０−６Ｔ□ｒｒに排気し、１２０φＡ４ド
ラム基板５をヒータによ！１１３００１：”まで加熱し
、Ａｔドラムの脱ガスを行った。しかる後、２００Ｃま
で冷却し保温した。一方ガスは次のように調整した。ア
ルゴンボンベ１１及び水素ボンベ１２カラ、ソれぞれマ
スフローコントローラ９．１０を介し、所定流量に調整
し、ガス混合器８へ送り、その後ニードルパルプ１３に
より反応槽４内がＩＸ １０−３ＴＯｒｒになるように
調整し、最後にメインパルプ１１によｆ） ５ Ｘ １
０−ｓＴＱｒｒに調整した。
富国９由偕→］Ｉ汁−００１人ｒブフノくツｉ−かり１
１Ｐ外シリコンターゲツト７は、９９．９９％以上のも
のを使用した。スパッター中はＡＡドラム基板温度が一
定となるように冷却、加熱を適宜行った。
１Ｐ外シリコンターゲツト７は、９９．９９％以上のも
のを使用した。スパッター中はＡＡドラム基板温度が一
定となるように冷却、加熱を適宜行った。
反応槽へのアルゴンガスと水素ガスの混合ガス比は、ア
ルゴンと水素の全流量に対する水素の流量で定義し行っ
た。
ルゴンと水素の全流量に対する水素の流量で定義し行っ
た。
以上の方法で混合ガス比０．２〜０．８で、５μｍ厚に
成膜した時の電気抵抗率を、第８図に示す。
成膜した時の電気抵抗率を、第８図に示す。
混合ガス比が０．４以上において光導電体の電気抵抗率
が１０１３Ω副以上を示す事が判った。
が１０１３Ω副以上を示す事が判った。
実施例２
実施例１に示した方法で、外径１２０φのＡｔドラム上
に、混合ガス比０．５で、１０μｍ厚のａ−８ｉ光導装
体にり製し、ｔユ 印画試験の結果、印画サンプル上に白ヌケがみられた。
に、混合ガス比０．５で、１０μｍ厚のａ−８ｉ光導装
体にり製し、ｔユ 印画試験の結果、印画サンプル上に白ヌケがみられた。
このａ−８ｉ光導電体表面を金蒸着せずに電子顕微鏡で
観察した。試料表面に径１０μｍ程度の黒点が見られた
。これは、試料がチャージアップするが、電気伝導度が
低い部分ではチャージがぬけて黒く見えるためだと考え
られる。
観察した。試料表面に径１０μｍ程度の黒点が見られた
。これは、試料がチャージアップするが、電気伝導度が
低い部分ではチャージがぬけて黒く見えるためだと考え
られる。
さらに定量的にチャージアップの様子を調べるため、Ｅ
ＰＭＡ （Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒ
ｏ Ａｎａ−１ｙｓｅｒ）を用いて実験した。
ＰＭＡ （Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒ
ｏ Ａｎａ−１ｙｓｅｒ）を用いて実験した。
Ｓｉ−にα線の発生量の比の電子加速電圧依存を測定し
た。
た。
Ｘ線の発生量は次のように考える事ができる。
Ｘ線発生のための電圧しきい値をＥｂとする。電子の加
速電圧を■、吸収電流を工とするとＸ線発生量Ｉｘはお
およそ次式で表わされる。
速電圧を■、吸収電流を工とするとＸ線発生量Ｉｘはお
およそ次式で表わされる。
Ｉｘｏｃ（Ｖ Ｅｂ）２・Ｉ −（７）ここで大体の近
似で Ｉ−（Ｖ−Ｅｂ） ・・・（８） とすると Ｉｘ ” （Ｖ Ｅ ｂ ） ３−（９）低抵抗部とそ
れ以外の部分ではチャージアップのちがいによりＥｂの
値がちがいＩｘにちがいが生じると考えられる。
似で Ｉ−（Ｖ−Ｅｂ） ・・・（８） とすると Ｉｘ ” （Ｖ Ｅ ｂ ） ３−（９）低抵抗部とそ
れ以外の部分ではチャージアップのちがいによりＥｂの
値がちがいＩｘにちがいが生じると考えられる。
低抵抗部とそれ以外の部分のＩｘＯ比の電子の加速電圧
の依存性を第９図に示す。（９）式によシ低抵抗部およ
びそれ以外の部分でのＥｂは、それぞれ２．２ＫＶ、２
．４ＫＶと見積られた。低抵抗部は、それ以外の部分よ
シ２００Ｖ程度チャージアップ量が少ないと考えられる
。
の依存性を第９図に示す。（９）式によシ低抵抗部およ
びそれ以外の部分でのＥｂは、それぞれ２．２ＫＶ、２
．４ＫＶと見積られた。低抵抗部は、それ以外の部分よ
シ２００Ｖ程度チャージアップ量が少ないと考えられる
。
この低抵抗部から電荷がぬけて、印画試験において白ヌ
ケができたと考えられる。
ケができたと考えられる。
実施例３
ターゲットを５ｉ０２とし、実施例１と同様な方法で、
外径１２０φのＡｔドラム上に、０．１μｍ厚程鹿のａ
−８ｉ：Ｏを作製した。この時、スパッタガスはＡｒの
みで、３０ ｓＣＣｍ流した。その他の条件は、実施例
１と同様である。
外径１２０φのＡｔドラム上に、０．１μｍ厚程鹿のａ
−８ｉ：Ｏを作製した。この時、スパッタガスはＡｒの
みで、３０ ｓＣＣｍ流した。その他の条件は、実施例
１と同様である。
その後、ターゲットを８４ターゲツトに交換し実施例２
と同様な方法で１０μｍ厚のａ Ｓｉ光導電体を作製し
た。
と同様な方法で１０μｍ厚のａ Ｓｉ光導電体を作製し
た。
以上のようにして得られたａ−８ｉ光導電体を用い印画
試験を行った結果、白ヌケのない画質のすぐれた印画サ
ンプルを得る事ができた。
試験を行った結果、白ヌケのない画質のすぐれた印画サ
ンプルを得る事ができた。
この感光体表面を実施例２と同様に金蒸着を行わずに電
子顕微鏡で観察した。その結果、実施例２で観察された
のと同様の粒子が観測された。しかしこの部分からチャ
ージはぬけずに黒点になっていない。中間層３によりチ
ャージのぬけがおさえられたためと考えられる。
子顕微鏡で観察した。その結果、実施例２で観察された
のと同様の粒子が観測された。しかしこの部分からチャ
ージはぬけずに黒点になっていない。中間層３によりチ
ャージのぬけがおさえられたためと考えられる。
以上説明したように、本発明によれば電子写真上の白ヌ
ケをなくすることが可能となシ良好な画像が得られると
いう効果がある。
ケをなくすることが可能となシ良好な画像が得られると
いう効果がある。
第１図、第５図は単層型電子写真感光体の模式断面図、
第２図は第１図の電子写真感光体の等価回路図、第３図
は本発明の一実施例に係る電子写真感光体の模式断面図
、第４図は第３図の電子写真感光体の等価回路図、第６
図は第１図及び第３図の各電子写真感光体の表面電位減
衰曲線図、第７図は本発明の電子写真感光体を得る為の
装置の一例であるスパッタリング装置の系統図、第８図
はガス混合比に対する電子写真感光体の抵抗率特性図、
第９図は電子写真感光体の電子加速電圧に対するＳｉ−
にα線強度比特性図である。 １・・・光導電層、２・・・支持基体、３・・・中・間
層、ＩＡ■１図 君２図 躬３図 前４図 第５図 躬ｅ；図 時間［５ｅｃＪ 第８図 う昆令力゛人しし 第１頁の続き ０発 明 者 大 野 俊 之 日立市幸町３丁目所内 ■発明者 近 崎 光 夫 日立市幸町３丁目所内 ０発 明 者 華 園 雅 信 日立市幸町３丁目所内
第２図は第１図の電子写真感光体の等価回路図、第３図
は本発明の一実施例に係る電子写真感光体の模式断面図
、第４図は第３図の電子写真感光体の等価回路図、第６
図は第１図及び第３図の各電子写真感光体の表面電位減
衰曲線図、第７図は本発明の電子写真感光体を得る為の
装置の一例であるスパッタリング装置の系統図、第８図
はガス混合比に対する電子写真感光体の抵抗率特性図、
第９図は電子写真感光体の電子加速電圧に対するＳｉ−
にα線強度比特性図である。 １・・・光導電層、２・・・支持基体、３・・・中・間
層、ＩＡ■１図 君２図 躬３図 前４図 第５図 躬ｅ；図 時間［５ｅｃＪ 第８図 う昆令力゛人しし 第１頁の続き ０発 明 者 大 野 俊 之 日立市幸町３丁目所内 ■発明者 近 崎 光 夫 日立市幸町３丁目所内 ０発 明 者 華 園 雅 信 日立市幸町３丁目所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光導電層をその支持基体上に設けてなる電子写真感
光体において、前記光導電層は高抵抗領域と低抵抗領域
とが共に存在しておシ、該光導電層と前記支持基体との
間には前記低抵抗領域よりも同等以上の抵抗値を有する
中間層を具備することを特徴とする電子写真感光体。 ２、特許請求の範囲第１項記載において、前記光導電層
は水素化アモルファスソリコン系でおり、その抵抗率は
１０′３Ω・ｍ以上であることを％徴とする電子写真感
光体。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載において、
前記中間層は酸化アモルファスシリコン系でおることを
特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24815883A JPS60143355A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24815883A JPS60143355A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143355A true JPS60143355A (ja) | 1985-07-29 |
Family
ID=17174081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24815883A Pending JPS60143355A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60143355A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5763545A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Canon Inc | Photoconductive member |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP24815883A patent/JPS60143355A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5763545A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Canon Inc | Photoconductive member |
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