JPS5983032U - 縦型エピタキシヤル装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来の縦型エピタキシャル装置の
それぞれ異なる例を示す概要断面図、第３図は本考案に
よる縦型エピタキシャル装置の一実施例を示す概要断面
図、第４図は本考案の他の実施例を示す概要断面図であ
る。 １・・・・・・基台、２・・・・・・シール部材、３．
１４゜１６・・、・・・・石英ベルジャ、４・・・・・
・気密室、５・・・・・・サ　　゛セプタ、６・・・・
・・基板、７・・・・・・ノズル、８・・・・・・ＲＦ
コイル、９・・・・・・排気管、１０・・・・・・クリ
ンベンチ側板、１１．１８・・・・・・金属ベルジャ、
１２・・・・・・冷却管、１３・・・・・・支持片、１
５・・・・・・供給口、１７・・・・・・クランプ片、
１９・・・・・・弾性体、２０・・・・・・係合子、２
１・・・・・・突起、２２・・・・・・貫通孔、２３・
・・・・・冷却ジャケット、２４・・・・・・ベルジャ
昇降機構、２５・・・・・・リング。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 ■　水平に設けたサセプタの周囲に気密室を形成し、該
   サセプタの上に載置した基板上に半導体物質のエピタキ
   シャル薄膜を気相成長させる縦型エピタキシキル装置に
   おいて、気密室を基台と石英ベルジャとによって構成す
   る・と共に、前記石英ベルジャの外側に保合子により離
   脱可能に金属ベルジャを被せることを特徴とする縦型エ
   ピタキシャル装置。 ２　基台と対向する石英ベルジャの下端にフランジ部を
   形成し、このフランジ部が弾性体を介して金属ベルジャ
   により基台に向けてシールのため押圧されるように構成
   されていることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
   １項記載の縦型エピタキシャル装置。 ３　基台の気密室を形成する部分が、石英ベルジャをシ
   ールする面より低くなるように構成されていることを特
   徴とする実用新案登録請求の範囲第１または２項記載の
   縦型エピタキシャル装置。