JPH0186236U - - Google Patents
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- JPH0186236U JPH0186236U JP18250387U JP18250387U JPH0186236U JP H0186236 U JPH0186236 U JP H0186236U JP 18250387 U JP18250387 U JP 18250387U JP 18250387 U JP18250387 U JP 18250387U JP H0186236 U JPH0186236 U JP H0186236U
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- JP
- Japan
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- wafer
- pressure cvd
- low
- diameter
- temperature
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- Pending
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案の実施例１を示す構造断面図、
第２図はウエハーと低融点金属、平板の関係を示
す構造断面図、第３図はウエハー、平板及びウエ
ハー支持具との関係を示す概念図、第４図は本考
案の実施例２を示す構造断面図、第５図は従来の
減圧ＣＶＤ装置の構造断面図、第６図は従来のウ
エハーとウエハー支持具との関係を示す概念図で
ある。 １…ウエハー、２…平板、３…ウエハー支持具
、４…低融点金属、５…石英炉、６…加熱源、７
…真空ポンプ、８…反応ガス導入管。
第２図はウエハーと低融点金属、平板の関係を示
す構造断面図、第３図はウエハー、平板及びウエ
ハー支持具との関係を示す概念図、第４図は本考
案の実施例２を示す構造断面図、第５図は従来の
減圧ＣＶＤ装置の構造断面図、第６図は従来のウ
エハーとウエハー支持具との関係を示す概念図で
ある。 １…ウエハー、２…平板、３…ウエハー支持具
、４…低融点金属、５…石英炉、６…加熱源、７
…真空ポンプ、８…反応ガス導入管。
Claims (1)
- 半導体ウエハーに薄膜を形成させる減圧ＣＶＤ
装置において、前記ウエハーの薄膜形成面の裏面
に少なくとも前記ウエハーの径よりも大きい薄板
を、成膜時の温度より高く、かつウエハー上のデ
バイスに損傷を与える温度より低い融点を持つ金
属で前記ウエハーの外周から張り出させて溶着し
たことを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18250387U JPH0186236U (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18250387U JPH0186236U (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0186236U true JPH0186236U (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=31473950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18250387U Pending JPH0186236U (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0186236U (ja) |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP18250387U patent/JPH0186236U/ja active Pending
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