JPS5983170A - 静電記録用導電性支持体 - Google Patents
静電記録用導電性支持体Info
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- JPS5983170A JPS5983170A JP57192382A JP19238282A JPS5983170A JP S5983170 A JPS5983170 A JP S5983170A JP 57192382 A JP57192382 A JP 57192382A JP 19238282 A JP19238282 A JP 19238282A JP S5983170 A JPS5983170 A JP S5983170A
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- conductive
- ascorbic acid
- acid
- conductivity
- zinc oxide
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、静電記録シートや電子写真用記録シートに使
用する静電記録用導電性支持体に関するものである。
用する静電記録用導電性支持体に関するものである。
静電記録や電子写に記録は、文字や図形を電気信号或い
は光信号を介して静電潜像に変換した後、これを顕像化
して記録するものである。一般に、これらの記録方式に
使用される記録シートの支持体に−は、低抵抗処理が施
されている。低抵抗化のだめの導電性物質としては、無
機塩類や高分子電解質等のイオン伝導型導電剤、又は金
属酸化物半導体に代表される電子伝導型４電剤が使用さ
れている。このうちイオン導電型導電剤を用いた場合、
イオン導電性が含有水分の変化に対応しているため、湿
度変化によシ導電層の抵抗値が変動する欠点がある。従
って、一般に二酸化部、酸化インジウム、酸化亜鉛等の
湿度雰囲気の影響を受けにくい金属酸化物半導体、殊に
コ冬ト面から酸化亜鉛を用いることが有利とされている
。しかし、導電性酸化亜鉛には、通常塗工量を多くしな
ければ所定の表面抵抗が得られないという欠点があり、
例えば静電記録シートの導電層には１゛０７Ω程度の表
面抵抗が要求されるが、このための塗工量はおよそ１２
〜１５ ｔ／ｄ程度になる。そこで、比較的高価な導電
性酸化亜鉛の塗工量を減らして、原材料コストの低減と
トライ工程の熱エネルギー節約・を図ることが検討され
ている。
は光信号を介して静電潜像に変換した後、これを顕像化
して記録するものである。一般に、これらの記録方式に
使用される記録シートの支持体に−は、低抵抗処理が施
されている。低抵抗化のだめの導電性物質としては、無
機塩類や高分子電解質等のイオン伝導型導電剤、又は金
属酸化物半導体に代表される電子伝導型４電剤が使用さ
れている。このうちイオン導電型導電剤を用いた場合、
イオン導電性が含有水分の変化に対応しているため、湿
度変化によシ導電層の抵抗値が変動する欠点がある。従
って、一般に二酸化部、酸化インジウム、酸化亜鉛等の
湿度雰囲気の影響を受けにくい金属酸化物半導体、殊に
コ冬ト面から酸化亜鉛を用いることが有利とされている
。しかし、導電性酸化亜鉛には、通常塗工量を多くしな
ければ所定の表面抵抗が得られないという欠点があり、
例えば静電記録シートの導電層には１゛０７Ω程度の表
面抵抗が要求されるが、このための塗工量はおよそ１２
〜１５ ｔ／ｄ程度になる。そこで、比較的高価な導電
性酸化亜鉛の塗工量を減らして、原材料コストの低減と
トライ工程の熱エネルギー節約・を図ることが検討され
ている。
本発明者等は、導電性酸化亜鉛にアスコルビン酸、その
光学異性体又はこれらの誘導体（以下アスコルビン酸等
と称す）を併用して導１１層を形成すると、導電、性酸
化亜鉛の導電性が著（７く向上するとの知見を得て、更
に研究の結果、金属酸化物半導体の全般に対し導電性向
上効果が得られることを確認し、本発明を完成するに至
った。即ち、木発明は金属酸化物半導体とアスコルビン
酸等とを含有する導電層を具備する静電記録用導電性支
持休含提供するもの体ある。
光学異性体又はこれらの誘導体（以下アスコルビン酸等
と称す）を併用して導１１層を形成すると、導電、性酸
化亜鉛の導電性が著（７く向上するとの知見を得て、更
に研究の結果、金属酸化物半導体の全般に対し導電性向
上効果が得られることを確認し、本発明を完成するに至
った。即ち、木発明は金属酸化物半導体とアスコルビン
酸等とを含有する導電層を具備する静電記録用導電性支
持休含提供するもの体ある。
導電性酸化亜鉛を例にとれば１通常導電性を増すために
、酸化亜鉛に少量のアルミニウム、カリウム、インジウ
ム、錫、、、郷の■値以上の不純物金属イオンを添加し
焼成して得られるＮ型の半導体であり、製造時の前処理
条件、添加物の種類、添加量、処理方法、焼成温度、焼
成時間、冷却時間等の諸条件を適宜選択することにょシ
導電性を制御することが出来る。尚、実在する酸化亜鉛
結晶は理想的な３次規則構造を持つものではなく、いろ
いろな不完全性を持っており、この結晶の不完全性が半
導体としての性質を発現させることが多い。
、酸化亜鉛に少量のアルミニウム、カリウム、インジウ
ム、錫、、、郷の■値以上の不純物金属イオンを添加し
焼成して得られるＮ型の半導体であり、製造時の前処理
条件、添加物の種類、添加量、処理方法、焼成温度、焼
成時間、冷却時間等の諸条件を適宜選択することにょシ
導電性を制御することが出来る。尚、実在する酸化亜鉛
結晶は理想的な３次規則構造を持つものではなく、いろ
いろな不完全性を持っており、この結晶の不完全性が半
導体としての性質を発現させることが多い。
斜上の導電性酸化亜鉛をはじめ、金属酸化物の半導体の
半導性は、気体分子の吸着特性や触媒活性と密接に関連
し、特に酸素が吸着すると、導電性が低下してしまう。
半導性は、気体分子の吸着特性や触媒活性と密接に関連
し、特に酸素が吸着すると、導電性が低下してしまう。
本発明はアスコルビン酸等の添加によ多金属酸化物半導
体の導電性を向上させることを特徴とするものである。
体の導電性を向上させることを特徴とするものである。
アスコルビン酸等が導電性を向上させる原因については
、おそらくアスコルビン酸等が金属酸化物半導体の表面
に吸着している酸素を還元すると同時に、その表面の活
性点との反応を含む吸着によ多金属酸化物半導体と吸着
したアスコルビン酸等との間に電荷の移動が起こり、導
電性を増加しているものと思われる。
、おそらくアスコルビン酸等が金属酸化物半導体の表面
に吸着している酸素を還元すると同時に、その表面の活
性点との反応を含む吸着によ多金属酸化物半導体と吸着
したアスコルビン酸等との間に電荷の移動が起こり、導
電性を増加しているものと思われる。
本発明に使用する金属酸化物半導体としては、酸化亜鉛
、二酸化錫、酸化カドミウム、二酸化チタン、酸化アル
ミニウム、二酸化インジウム、二酸化トリウムなどが例
示され、これらは一般に原子価制御により導電性が制御
されている。これらのうち導電性酸化亜鉛は最も広く使
用されているが、粒子径が細かいもの程導電層内での相
互の接触性に優れているので導電性向上に効果があり粉
末粒子径１μ以下、詩に０．５ｐ以下のものが望ましい
。
、二酸化錫、酸化カドミウム、二酸化チタン、酸化アル
ミニウム、二酸化インジウム、二酸化トリウムなどが例
示され、これらは一般に原子価制御により導電性が制御
されている。これらのうち導電性酸化亜鉛は最も広く使
用されているが、粒子径が細かいもの程導電層内での相
互の接触性に優れているので導電性向上に効果があり粉
末粒子径１μ以下、詩に０．５ｐ以下のものが望ましい
。
尚、導電性酸化亜鉛としては、冷水抽出ｐＩ（８，０〜
１０゜０、特に９．０〜１０．０のものが極めて有効で
ある。これは姐を上昇させる成分であるナトリウム、カ
リウム、カルシウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類
金属が関与しているものと思われる。又、不純物として
アンモニア又はアンモニアの錯塩を含むものが望ましい
。
１０゜０、特に９．０〜１０．０のものが極めて有効で
ある。これは姐を上昇させる成分であるナトリウム、カ
リウム、カルシウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類
金属が関与しているものと思われる。又、不純物として
アンモニア又はアンモニアの錯塩を含むものが望ましい
。
木発明に用いるアスコルビン酸はＬ−アスコルビン酸（
１）に代表されるエンジオール基を持つ強い還元性のあ
る物質であシ、その光学異性体エリソルビン酸（ＩＩ）
と共に、上記のように金属酸化物半導体の導電性を高め
るものである。同様に、還元性のあるアスコルビン酸誘
導体としては、主に（Ｉ）の１．４，５．６位における
反応誘導体を称するもので、例えば、エーテル誘導体と
して、５−０−メチルアスコルビン酸等、エステル誘導
体としてアスコルビン酸−６−リン酸等のリン酸ニスデ
ルやアスコルビン酸−６−硫酸等の硫酸エステルや６−
０−アセチルアスコルビン酸等の有機酸エステルが挙げ
られ、この他にアミン誘導体であるスコルバミン酸等、
アミジン誘導体、金属塩や塩基性塩の誘導体であるアス
コルビン酸ソーダ等、エンジオール基（ト）の残存する
物質が挙げられる。
１）に代表されるエンジオール基を持つ強い還元性のあ
る物質であシ、その光学異性体エリソルビン酸（ＩＩ）
と共に、上記のように金属酸化物半導体の導電性を高め
るものである。同様に、還元性のあるアスコルビン酸誘
導体としては、主に（Ｉ）の１．４，５．６位における
反応誘導体を称するもので、例えば、エーテル誘導体と
して、５−０−メチルアスコルビン酸等、エステル誘導
体としてアスコルビン酸−６−リン酸等のリン酸ニスデ
ルやアスコルビン酸−６−硫酸等の硫酸エステルや６−
０−アセチルアスコルビン酸等の有機酸エステルが挙げ
られ、この他にアミン誘導体であるスコルバミン酸等、
アミジン誘導体、金属塩や塩基性塩の誘導体であるアス
コルビン酸ソーダ等、エンジオール基（ト）の残存する
物質が挙げられる。
Ｌ−アスコルビンＩｔ（１） エリソルビン
酸（Ｉｌ）−Ｃ、、＝Ｃ− １ ＯＨＯＨ エンジオール基（至） 又、上記エンジオール基面のオキシ基の１個又は２個を
アミノ基、チオール基、イミノ基で置換された誘導体も
還元性を損わず、有効である。アスコルビン酸の光学異
性体であるエリソルビン酸についても、上記同様な誘導
体は同じ効果を持ち、本発明に有効である。
酸（Ｉｌ）−Ｃ、、＝Ｃ− １ ＯＨＯＨ エンジオール基（至） 又、上記エンジオール基面のオキシ基の１個又は２個を
アミノ基、チオール基、イミノ基で置換された誘導体も
還元性を損わず、有効である。アスコルビン酸の光学異
性体であるエリソルビン酸についても、上記同様な誘導
体は同じ効果を持ち、本発明に有効である。
アスコルビン酸等の配合比率は、金属酸化物半導体１０
０重量部に対し固型分として１０重量部以下、好ましく
は０．００５〜２．０重量部程度とする。尚、アスコル
ビン酸等と金属酸化物半導体との反応は早く、又、塗工
にょシ導雷層が形成された後の抵抗値についても、経時
変化は殆んど認められない。アスコルビン酸等と金属酸
化物半導体とは、通常、塗料調製時に混合するが、場合
によっては前処理として両者を混合することにょシ、実
質的に金属酸化物半導体の表面にアスコルビン酸等を吸
着させ、このように表面処理した金属酸化物半導体を使
用しても良い。
０重量部に対し固型分として１０重量部以下、好ましく
は０．００５〜２．０重量部程度とする。尚、アスコル
ビン酸等と金属酸化物半導体との反応は早く、又、塗工
にょシ導雷層が形成された後の抵抗値についても、経時
変化は殆んど認められない。アスコルビン酸等と金属酸
化物半導体とは、通常、塗料調製時に混合するが、場合
によっては前処理として両者を混合することにょシ、実
質的に金属酸化物半導体の表面にアスコルビン酸等を吸
着させ、このように表面処理した金属酸化物半導体を使
用しても良い。
結着剤としては、例えばポリビニールアルコール、ヒド
ロキシエチルセルロース、メグールセルロース、カルボ
キシメチルセルロース、澱粉及びそノ誘４ 体、スチレ
ン−マレイン酸共重合体、イソブチレン無水マレイン酸
共重合体、アラビアゴムなどの水溶性高分子結着剤、ま
たは酢ビーアクリルエマルシロン、アクリルエマルシロ
ン、酢ビエマルジョン、スチレンブタジェンラテックス
などのエマルジョン系結着剤が使用し易いが、有機溶剤
系の結着剤を使用しても良い。
ロキシエチルセルロース、メグールセルロース、カルボ
キシメチルセルロース、澱粉及びそノ誘４ 体、スチレ
ン−マレイン酸共重合体、イソブチレン無水マレイン酸
共重合体、アラビアゴムなどの水溶性高分子結着剤、ま
たは酢ビーアクリルエマルシロン、アクリルエマルシロ
ン、酢ビエマルジョン、スチレンブタジェンラテックス
などのエマルジョン系結着剤が使用し易いが、有機溶剤
系の結着剤を使用しても良い。
結着剤の配合比率は、導電層の抵抗値を決定する重要な
要因であり、結着剤が多すぎれば金属酸化物半導体の粉
末相互の接触が阻害されて導を層の抵抗が高くなる。従
って、接着力と抵抗のバランスを考慮して、金属酸化物
半導体１００重量部に対し結着剤を５〜３０重景部程度
使用することが望ましい。
要因であり、結着剤が多すぎれば金属酸化物半導体の粉
末相互の接触が阻害されて導を層の抵抗が高くなる。従
って、接着力と抵抗のバランスを考慮して、金属酸化物
半導体１００重量部に対し結着剤を５〜３０重景部程度
使用することが望ましい。
４電性塗液は、通常上記の如く、金属酸化物半導体、ア
スコルビン酸等並びに結着剤から成る。
スコルビン酸等並びに結着剤から成る。
尚、本発明の効果を阻害しない範囲で、ポリビニルベン
ジントリメチルアンモニウムクロライド、ポリＮ、Ｎジ
メチルメチレンピペリジウムクロライドなどのカチオン
型の高分子［、Ｍ質、ポリスチレンスルホン酸ナトリウ
ム、ポリアクリル酸ナトリウムなどのアニオン型の高分
子１．解質、塩化すトリウム、塩化カリウム、塩化リチ
ウムなどの無機塩類や、分散剤、消泡剤、紫外線吸収剤
、・補色用染料、螢光染料などの各種助剤を適宜添加す
ることもできる。
ジントリメチルアンモニウムクロライド、ポリＮ、Ｎジ
メチルメチレンピペリジウムクロライドなどのカチオン
型の高分子［、Ｍ質、ポリスチレンスルホン酸ナトリウ
ム、ポリアクリル酸ナトリウムなどのアニオン型の高分
子１．解質、塩化すトリウム、塩化カリウム、塩化リチ
ウムなどの無機塩類や、分散剤、消泡剤、紫外線吸収剤
、・補色用染料、螢光染料などの各種助剤を適宜添加す
ることもできる。
この様にして得られた塗液は、支持体上の片面又は両面
に塗工され導電層が形成される。一般に、塗工量は導電
層の表面抵抗値が常温常湿で１０６〜１０Ω程度となる
様に調節される。通常、乾燥重量２〜２０２／ゴ好まし
くは、３〜１ｏ１／ゴの範囲で塗布ないし含浸される。
に塗工され導電層が形成される。一般に、塗工量は導電
層の表面抵抗値が常温常湿で１０６〜１０Ω程度となる
様に調節される。通常、乾燥重量２〜２０２／ゴ好まし
くは、３〜１ｏ１／ゴの範囲で塗布ないし含浸される。
支持体については特に制限はなく、例えば上質・中質紙
、合成紙、コート紙、布、フィルムなどが用いられる。
、合成紙、コート紙、布、フィルムなどが用いられる。
支持体への塗液の塗工方法は、公知のバー塗工、エアナ
イフ塗工、ロール塗工、ブレード塗工やサイズプレス等
任意の方法を使用できる。
イフ塗工、ロール塗工、ブレード塗工やサイズプレス等
任意の方法を使用できる。
本発明に係る導電性支持体は金属酸化物半導体にアスコ
ルビン酸等を加えたことにより、同一の表面抵抗値を得
るには少ない塗工量で足り、或いは金属酸化物半導体の
配合比率を低くすることができるので材料費の大幅なコ
ストダウンが可能になり、塗工及び乾燥時のエネルギー
節減効果が太きい。更に導電性酸化亜鉛に関しては、ア
スコルビン酸等の添加によシ分散性が良くなるので、塗
料適性も向上する。
ルビン酸等を加えたことにより、同一の表面抵抗値を得
るには少ない塗工量で足り、或いは金属酸化物半導体の
配合比率を低くすることができるので材料費の大幅なコ
ストダウンが可能になり、塗工及び乾燥時のエネルギー
節減効果が太きい。更に導電性酸化亜鉛に関しては、ア
スコルビン酸等の添加によシ分散性が良くなるので、塗
料適性も向上する。
次に本発明を実施例に従って説明する。尚、説明中、部
は重量部を示す。
は重量部を示す。
〔比較例１〕
比抵抗４．ＯＸ １０２Ω−ｃｍ （７０ｈ／ｃｒｌ加
圧下）加圧水抽出ｐＨ９，６の導電性酸化亜鉛（白水化
学製）１００部と２．５％メメチセルロース溶１４００
ｍをあらかじめ混合した上、アトライターで４０分間分
散してＡ液を得た。このＡ液は粘性が高く塗料分散性は
余り良くないものであった。このため、分散剤としてヘ
キザメタリン酸ソーダＯ−５８ヲｔｌＦｋ加して更にア
トライターで２０分間分散してＢ液を得た。上記のＡ液
及びＢ液をそれぞれ、コート紙上にワイヤバーを用い乾
燥後の塗工量がそれぞれ６１〜．１１ ｒ／ゴとなる様
に塗工し、導電性支持体を得た。これらの導電性支持体
を２０ ”Ｃ。
圧下）加圧水抽出ｐＨ９，６の導電性酸化亜鉛（白水化
学製）１００部と２．５％メメチセルロース溶１４００
ｍをあらかじめ混合した上、アトライターで４０分間分
散してＡ液を得た。このＡ液は粘性が高く塗料分散性は
余り良くないものであった。このため、分散剤としてヘ
キザメタリン酸ソーダＯ−５８ヲｔｌＦｋ加して更にア
トライターで２０分間分散してＢ液を得た。上記のＡ液
及びＢ液をそれぞれ、コート紙上にワイヤバーを用い乾
燥後の塗工量がそれぞれ６１〜．１１ ｒ／ゴとなる様
に塗工し、導電性支持体を得た。これらの導電性支持体
を２０ ”Ｃ。
５０チＲＨ雰囲気下に２４時間静置した後、導電層の表
面抵抗値を測定した。
面抵抗値を測定した。
〔実施例１〕
比較例１と同じ導電性酸化亜鉛１００部に、アスコルビ
ン酸０．１ 部長Ｕ ２−５％メチルセルロース溶液４
００部をあらかじめ混合した上、アトライターで４０分
間分散して塗料を得た。この塗料は、Ａ液に比べ粘性が
低く、塗料分散性は良好であった。この塗料を比較例１
と同様にして、導電性支持体を得て導電層の表面抵抗値
を測定した。
ン酸０．１ 部長Ｕ ２−５％メチルセルロース溶液４
００部をあらかじめ混合した上、アトライターで４０分
間分散して塗料を得た。この塗料は、Ａ液に比べ粘性が
低く、塗料分散性は良好であった。この塗料を比較例１
と同様にして、導電性支持体を得て導電層の表面抵抗値
を測定した。
〔実施例２〕
実施例１に於て、アスコルビン酸の代シにアスコルビン
酸ソーダ粉末を用いた以外は同様にして導電性支持体を
得て、導電層の表面抵抗値を測定した。尚、いずれの塗
料も粘性が低く、塗料適性が優れていた。
酸ソーダ粉末を用いた以外は同様にして導電性支持体を
得て、導電層の表面抵抗値を測定した。尚、いずれの塗
料も粘性が低く、塗料適性が優れていた。
〈第 １ 表〉
（（転）比較例１囚、ｔ（Ｂ）は、各々Ａｉ、Ｂ液を塗
料とする。
料とする。
上記実施例１，２及び比較例１の試験結果を第１表に示
した。尚、併せて、２０℃、５０４ＲＨで２４時間調湿
後の導電層の表面固有抵抗が１．０×１０７Ωとなる時
の塗工量、並びにその支持体をの表面固有抵抗は、ｌＸ
ｌ０’〜Ｉ Ｘ １０８Ω程度が適当とされているが、
記録濃度のピークは１×１０Ω付近に見られる。従って
、この表面固有抵抗を得るために要する塗工量を調べた
。
した。尚、併せて、２０℃、５０４ＲＨで２４時間調湿
後の導電層の表面固有抵抗が１．０×１０７Ωとなる時
の塗工量、並びにその支持体をの表面固有抵抗は、ｌＸ
ｌ０’〜Ｉ Ｘ １０８Ω程度が適当とされているが、
記録濃度のピークは１×１０Ω付近に見られる。従って
、この表面固有抵抗を得るために要する塗工量を調べた
。
（注２）記録濃度：上述の導電層支持体な導電５層のベ
ック平滑度が５００秒となる様にスーパーカレンダー処
理し、この支持体にポリスチレン樹脂及びアクリル樹脂
の各々２０チトル工ン溶液１５０部と炭酸カルシウム６
０部とからなる記録層塗料を７ ｙ７ｍｙ ｃ乾燥重量
）塗工して静電記録シートを得た。この記録シートを２
０℃、５０チＲＨに２４時間静置した後、静電ファクシ
ミリ（線密度８Ｌ／ｍｓ 、ピン側電圧−３００Ｖ、対
電極側電圧＋３００Ｖ、パルス幅１２ｐ秒、１成分系キ
ャリアレスドナー使用）にて記録し、マクベス濃度計Ｒ
Ｄ−５１４により測定した。
ック平滑度が５００秒となる様にスーパーカレンダー処
理し、この支持体にポリスチレン樹脂及びアクリル樹脂
の各々２０チトル工ン溶液１５０部と炭酸カルシウム６
０部とからなる記録層塗料を７ ｙ７ｍｙ ｃ乾燥重量
）塗工して静電記録シートを得た。この記録シートを２
０℃、５０チＲＨに２４時間静置した後、静電ファクシ
ミリ（線密度８Ｌ／ｍｓ 、ピン側電圧−３００Ｖ、対
電極側電圧＋３００Ｖ、パルス幅１２ｐ秒、１成分系キ
ャリアレスドナー使用）にて記録し、マクベス濃度計Ｒ
Ｄ−５１４により測定した。
〔比較例２〕
比較例１のＢ液に於て、比抵抗２．５ Ｘ １０Ω−−
（７０Ｖ−加圧下）、冷水抽出ｐＨ７，５の導電性酸化
亜鉛（白水化学製）を用いた以外は同様にして、導電性
支持体を得た。
（７０Ｖ−加圧下）、冷水抽出ｐＨ７，５の導電性酸化
亜鉛（白水化学製）を用いた以外は同様にして、導電性
支持体を得た。
〔実施例３，４〕
比較例２と同じ導電性酸化亜鉛を使用し、またアスコル
ビン酸及びアスコルビン酸ソーダの粉末をそれぞれ０．
５部使用した以外は実施例１と同様にして、導電性支持
体を得た。
ビン酸及びアスコルビン酸ソーダの粉末をそれぞれ０．
５部使用した以外は実施例１と同様にして、導電性支持
体を得た。
上記実施例３，４及び比較例２の試験結果を第２表に示
しだ。
しだ。
く第 ２ 表〉
〔比較例３〕
比較例１０Ｂ液に於て、比抵抗８５Ω−ｃｍ （７０１
１ｒ／ｆｆｌ加圧下）の導電性酸化錫（三菱金属製）を
用いた以外は同様にして、導電性支持体を得た。
１ｒ／ｆｆｌ加圧下）の導電性酸化錫（三菱金属製）を
用いた以外は同様にして、導電性支持体を得た。
〔実施例５〕
比較例３と同じ導電性酸化錫を使用し、アスコルビン酸
粉末を０．５部使用した以外は実施例１と同様にして、
導電性支持体を得た。
粉末を０．５部使用した以外は実施例１と同様にして、
導電性支持体を得た。
上記実施例５及び比較例３の試験結果を第３表に示す。
〈第 ３ 表〉
第１〜３表の試験結果から明らかな通り、アスコルビン
酸やその誘導体を添加することにより、導電２層の表面
固有抵抗を大幅に低下させることができる。従って、本
発明によれば一定の表面固有抵抗を得る場合、無添加に
比べ少ない塗工量で十分な記録濃度を得ることができる
。尚、実施例１゜２と実施例３，４の試験結果の対比か
ら、本発明の効果は冷水抽出声が大きい導電、性酸化亜
鉛に顕著に表われることが判る。
酸やその誘導体を添加することにより、導電２層の表面
固有抵抗を大幅に低下させることができる。従って、本
発明によれば一定の表面固有抵抗を得る場合、無添加に
比べ少ない塗工量で十分な記録濃度を得ることができる
。尚、実施例１゜２と実施例３，４の試験結果の対比か
ら、本発明の効果は冷水抽出声が大きい導電、性酸化亜
鉛に顕著に表われることが判る。
特許出願人 十條製紙株式会社
Claims (3)
- （１） 金属酸化物半導体とアスコルビン酸、その光
学異性体又は還元性を有するこれらの誘導体とを含有す
る導電層を具備することを特徴とする静電記録用導電性
支持体。 - （２） 金属酸化物半導体が導電性酸化亜鉛である釉
許請求の範囲第１項記載の静電記録用導電性支持体。 - （３） 導電性酸化亜鉛が冷水抽出ｐＨ８，０〜１０
．０λ の範囲にある特許請求の範囲第１項記載の靜雷、記録用
導電性支持体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192382A JPS5983170A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 静電記録用導電性支持体 |
| DE3337171A DE3337171C2 (de) | 1982-10-14 | 1983-10-12 | Träger für elektrostatische Aufzeichnungen sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung |
| US06/541,568 US4502984A (en) | 1982-10-14 | 1983-10-13 | Electroconductive base sheet for electrostatic recording |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192382A JPS5983170A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 静電記録用導電性支持体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983170A true JPS5983170A (ja) | 1984-05-14 |
| JPS6345584B2 JPS6345584B2 (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=16290360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57192382A Granted JPS5983170A (ja) | 1982-10-14 | 1982-11-04 | 静電記録用導電性支持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983170A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0443171U (ja) * | 1990-08-11 | 1992-04-13 |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57192382A patent/JPS5983170A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0443171U (ja) * | 1990-08-11 | 1992-04-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6345584B2 (ja) | 1988-09-09 |
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