JPS598357Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS598357Y2 JPS598357Y2 JP1978002586U JP258678U JPS598357Y2 JP S598357 Y2 JPS598357 Y2 JP S598357Y2 JP 1978002586 U JP1978002586 U JP 1978002586U JP 258678 U JP258678 U JP 258678U JP S598357 Y2 JPS598357 Y2 JP S598357Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor substrate
- semiconductor element
- substrate
- reinforcing film
- Prior art date
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は半導体装置に関するもので、特に半導体基板
上に形或された複数個の素子を、割れ、欠けなどの欠陥
を生せしめることなく分割し得るようにした半導体装置
に関するものである。
上に形或された複数個の素子を、割れ、欠けなどの欠陥
を生せしめることなく分割し得るようにした半導体装置
に関するものである。
従来、プレーナ技術を用いる半導体の製造法によれば、
通常、半導体基板上で複数個の独立的なダイオード、ト
ランジスターなどの素子が処理加工工程を経て形威され
、パッケージ等に実装するために個々の素子またはチッ
プに分割される。
通常、半導体基板上で複数個の独立的なダイオード、ト
ランジスターなどの素子が処理加工工程を経て形威され
、パッケージ等に実装するために個々の素子またはチッ
プに分割される。
第１図ａおよびｂは、その様の半導体装置の製造法にお
ける分割工程直前の半導体基板の一部破断傾斜図及び断
面図を示す。
ける分割工程直前の半導体基板の一部破断傾斜図及び断
面図を示す。
図において、１はＧａＡｓからなる半導体基板、２はこ
の半導体基板上に形威された半導体素子、が形威された
チップ、３は各半導体素子２間に形威されたスクライブ
用溝、４は半導体素子２の保護膜、５は上記半導体基板
１に接触して形威された電極である。
の半導体基板上に形威された半導体素子、が形威された
チップ、３は各半導体素子２間に形威されたスクライブ
用溝、４は半導体素子２の保護膜、５は上記半導体基板
１に接触して形威された電極である。
そして、半導体基板１には従来周知の様に複数個の独立
した半導体素子２が形或されているものである。
した半導体素子２が形或されているものである。
この様に構或されたものにおいて、つぎの工程では前記
半導体素子２ごとに複数個のチップに分割が行なわれる
。
半導体素子２ごとに複数個のチップに分割が行なわれる
。
チップに分割するには通常スクライバー装置でひつかき
きずを基板１上の表側のスクライブ用溝３に沿って入れ
てから機械的力を与えて分割している。
きずを基板１上の表側のスクライブ用溝３に沿って入れ
てから機械的力を与えて分割している。
ところが、ひつかききずを入れる際、カッターの移動速
度、切り込み深さ、角度、および荷重等を、半導体基板
１の種類、厚み等に合わせてやらねばならず、かなりの
熟練を要する。
度、切り込み深さ、角度、および荷重等を、半導体基板
１の種類、厚み等に合わせてやらねばならず、かなりの
熟練を要する。
悪い例の場合には、スクライブ用溝３の表側から裏側へ
の方向のみならず、横方向にもキ裂が生じ、電極５を破
壊することもある。
の方向のみならず、横方向にもキ裂が生じ、電極５を破
壊することもある。
第２図ａ，ｌ）はチツプ２の分割例を示したものであり
、この図から明らかなように、破断面はかなり荒れた状
態になっているものである。
、この図から明らかなように、破断面はかなり荒れた状
態になっているものである。
すなわち、半導体基板１がＧａＡｓであるためやわらか
く、つまり、モース硬さによれば、Ｓｉ＝７．０，Ｇｅ
６，であるのに対し、ＧａＡｓ ＝ ４〜５しかなく、
機械的強度が一段と弱いため、半導体基板１としてＳｉ
を用いたものが、破断面はほとんど欠けたりしないのに
対し半導体基板１としてＧａＡｓを用いたものが、かな
り荒れた状態を呈するようになるものである。
く、つまり、モース硬さによれば、Ｓｉ＝７．０，Ｇｅ
６，であるのに対し、ＧａＡｓ ＝ ４〜５しかなく、
機械的強度が一段と弱いため、半導体基板１としてＳｉ
を用いたものが、破断面はほとんど欠けたりしないのに
対し半導体基板１としてＧａＡｓを用いたものが、かな
り荒れた状態を呈するようになるものである。
それ故に、この考案の主たる目的は、ＧａＡＳの半導体
基板を用いたものにおいて、ひつかききずの乱れが、素
子にまで影響をおよぼさない様にして半導体基板を分割
し得るようにした半導体装置を提供することである。
基板を用いたものにおいて、ひつかききずの乱れが、素
子にまで影響をおよぼさない様にして半導体基板を分割
し得るようにした半導体装置を提供することである。
この考案の半導体装置は基本的には、スクライブ用溝と
半導体素子との間に金属あるいは電極材料と同一材料か
らなる補強膜を威膜することに特徴がある。
半導体素子との間に金属あるいは電極材料と同一材料か
らなる補強膜を威膜することに特徴がある。
第３図ａおよびｂにこの考案により前記補強膜６を有す
る半導体素子２が形威されたＧａＡｓからなる半導体基
板１の一部破断傾斜図および断面図を示している。
る半導体素子２が形威されたＧａＡｓからなる半導体基
板１の一部破断傾斜図および断面図を示している。
補強膜６の材質は基板１との密着力が良く、割れ欠け、
つまり機械的強度が弱いなどの欠点が少ない金属が望ま
しい。
つまり機械的強度が弱いなどの欠点が少ない金属が望ま
しい。
もちろん金属に限定されるものではないが、基板１との
密着力が良く、割れ欠けなどの欠点がないものが良い。
密着力が良く、割れ欠けなどの欠点がないものが良い。
一方補強膜６の形戒は素子製造工程の途中、例えば電極
パターン形或工程と同時に行なえば、補強膜６を形或す
るために、新たな工程を増やす必要もないのである。
パターン形或工程と同時に行なえば、補強膜６を形或す
るために、新たな工程を増やす必要もないのである。
即ち、半導体基板１上に電極材料を全面に付着させ、そ
の後衆知の写真製版技術を用いて電極パターンと補強膜
パターンを形或し、補強膜６を形或するものである。
の後衆知の写真製版技術を用いて電極パターンと補強膜
パターンを形或し、補強膜６を形或するものである。
また、この場合、補強膜６は第３図に例を示したように
、半導体素子１の保護膜４上に形威しても良く、あるい
はまた、基板１上に直接形威しても良い。
、半導体素子１の保護膜４上に形威しても良く、あるい
はまた、基板１上に直接形威しても良い。
この補強膜６の形或には、メッキ法も適用できる。
すなわち、半導体素子２の外周にそって半導体基板１を
露出し、他の部分はフォトレジスト等で覆っておき、し
かる後、金属メッキを行なう。
露出し、他の部分はフォトレジスト等で覆っておき、し
かる後、金属メッキを行なう。
スクライブ用溝３はや・狭くなるが、何らさしつかえは
ない。
ない。
好ましい一実施例によれば、第３図、第４図の補強膜パ
ターン６の寸法は、４００μの半導体素子２に対して、
ｌＯ〜５０μの線幅が適当であるが、この値に限定され
ない。
ターン６の寸法は、４００μの半導体素子２に対して、
ｌＯ〜５０μの線幅が適当であるが、この値に限定され
ない。
また厚みは２−３ミクロン以上が望ましい。
以上説明したように、この考案によれば、スクライビン
グ用溝に沿って半導体素子の保護膜の周縁部に金属ある
いは半導体素子の電極材料と同一材料からなる補強膜を
形或したので、ＧａＡｓからなる半導体基板上に形或さ
れた複数個の半導体素子をスクライブしたとき損うこと
なく半導体素子に分割し得る半導体装置が得られるとい
う効果を有するものである。
グ用溝に沿って半導体素子の保護膜の周縁部に金属ある
いは半導体素子の電極材料と同一材料からなる補強膜を
形或したので、ＧａＡｓからなる半導体基板上に形或さ
れた複数個の半導体素子をスクライブしたとき損うこと
なく半導体素子に分割し得る半導体装置が得られるとい
う効果を有するものである。
第１図ａおよびｂは従来の半導体装置の製造法によるス
クライブ工程前の半導体基板の一部破断傾斜図、第２図
ａおよびｂは、従来の方法で分割されたＧａＡｓ基板チ
ップの平面図および断面図、第３図および第４図のａお
よびｂはそれぞれこの考案の半導体装置によるスクライ
ブ工程前の半導体基板の一部破断傾斜図及び断面図を示
す。 図において、１は半導体基板、２は半導体素子、３はス
クライビング用溝、４は保護膜、５は電極、６は補強膜
を示す。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
クライブ工程前の半導体基板の一部破断傾斜図、第２図
ａおよびｂは、従来の方法で分割されたＧａＡｓ基板チ
ップの平面図および断面図、第３図および第４図のａお
よびｂはそれぞれこの考案の半導体装置によるスクライ
ブ工程前の半導体基板の一部破断傾斜図及び断面図を示
す。 図において、１は半導体基板、２は半導体素子、３はス
クライビング用溝、４は保護膜、５は電極、６は補強膜
を示す。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
Claims (1)
- ＧａＡＳからなる半導体基板と、この半導体基板上に形
或された複数個の半導体素子と、上記半導体基板上に形
或された半導体素子の保護膜と、各半導体素子間におけ
る保護膜を除去して半導体基板上に形或されたスクライ
ビング用溝と、このスクライビング用溝に沿って各半導
体素子の保護膜の周縁部に形或された金属あるいは上記
半導体素子の電極材料と同一材料の補強膜とを具備した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978002586U JPS598357Y2 (ja) | 1978-01-12 | 1978-01-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978002586U JPS598357Y2 (ja) | 1978-01-12 | 1978-01-12 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5396963U JPS5396963U (ja) | 1978-08-07 |
| JPS598357Y2 true JPS598357Y2 (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=28689581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978002586U Expired JPS598357Y2 (ja) | 1978-01-12 | 1978-01-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598357Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-01-12 JP JP1978002586U patent/JPS598357Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5396963U (ja) | 1978-08-07 |
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