JPS628161A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｓ又はＳｅにＡＳ％　
Ｔｅ５Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。

ａ−３ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のポツピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光伝
導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｔにＨを結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｔ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０３〜１０
９Ω−ロであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１
万分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：Ｈの単層からなる
感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位
が低いという問題点を有している。

しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。

第５図には、上記のａ−３ｔ：Ｈを母材としたａ−３ｔ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。

この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニ・ン）　２０が第１
ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側から
の反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持
体としての感光体ドラムＳ上へスリット状に入射するよ
うになっている。ドラムＳの周囲には、コロナ帯電器１
０、現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニン
グ部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙
ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１Ｂはドラム
９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、ト
レイ３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２
を内臓した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４との間
に現像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。

しかしながら、ａ−５ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−ＳｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在が“Ｐｈ１ｌ。

Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、３５”（１９７８）等に記載されて
おり、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、
ａ−３ｉ　：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０”〜１
０１３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学的エ
ネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って
変化すること等が知られている。但、炭素の含有により
バンドギヤツブが拡がるために長波長感度が不良となる
という欠点がある。

こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｔ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉｓＨ
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
−３ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−３ｉ：Ｈにより広い
波長域での光感度を得、かつａ−Ｓｔ：ＨＮとへテロ接
合を形成する下層のａ−５ｉＣ：Ｈ層；より帯電電位の
向上を図っている。しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈ層の暗
減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であっ
て実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−３ｉ
ｓＨ層が存在していることにより化学的安定性や機械的
強度、耐熱性等が不良となる。

一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−５ｉＣ：Ｈ層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−５ｉＣ：Ｈ層を形成している。

また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ−５ｉＣ：ＨＦｉとの間に傾斜
層（ａ　−Ｓ　ｉ　、−ＸＣｘ　：　Ｈ）を設け、この
傾斜層においてａ−５ｔ：Ｈ側でＸ＝Ｏとし、ａ−３ｉ
ＣｓＨ層側でＸ＝０．５とした感光体が知られている。

しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニン
グ時に表面のａ−３ｉＣ層が７〜８万回程度で機械的に
損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥と
して生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、繰返
し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電
気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、湿
度）による影響を無視できない。また、表面改質層と電
荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。

ハ９発明の目的 本発明の目的は、表面数ｆ層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少な（、残留電位も低（、かつ特性が使用環境（
温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。

二０発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、炭素原子を含有するアモルファス水素
化及び／又はフッ素化シリコンからなる電荷輸送層と、
アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからな
る電荷発生層と、炭素原子及び酸素原子のうちの少なく
とも炭素原子を含有するアモルファス水素化及び／又は
フッ素化シリコンからなる中間層と、炭素原子及び酸素
原子のうちの少なくとも炭素原子を５０ａｔｏｍｉｃ％
を越えて（但し、シリコン原子と炭素及び／又は酸素原
子との合計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）
含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
ンからなる表面改質層とが順次積層され、てなり、前記
中間層の炭素原子含有量又は炭素原子と酸素原子との合
計含有量が、前記表面改質層のそれより少なくかつ前記
電荷発生層側から前記表面改質層側にかけて連続的に増
大している感光体に係るものである。

本発明によれば、表面改質層は炭素及び酸素のうちの少
なくとも炭素原子含有ｆｘがＸ　＞５０ａｔｏｍｉｃ％
（以下、単に％とする。）と多いために、機械的損傷に
対して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がな（
、耐刷性が優れたものとなる。また、酸素を含有させれ
ば、帯電能が向上し、膜強度も大きくなり、画質の安定
化を図れる。この表面改質層による効果を充二分に発揮
させるには、５０％〈Ｘ５９０％、更には５５％≦Ｘ≦
７０％とするのが望ましい。また、本発明においては、
表面改質層と電荷発生層との間に、表面改質層より炭素
原子又は炭素及び酸素の合計含有量が少なく、これらの
含有量が電荷発生層側から表面改質層側にかけて増大し
ている中間層を設けているので、表面改質層と電荷発生
層との接着性が向上する。

この中間層の炭素原子及び／又は酸素原子含有ｉｔｙは
０％≦ｙ≦９０％、特に４０％≦ｙ≦５０％とするのが
望ましい。

また、表面改質層と中間層とを電荷発生層上に設けてい
るので、上記に加えて、繰返し使用時の耐光疲労に優れ
、また画像流れもなく、電気的・光学的特性が常時安定
化して使用環境に影響を受けないことが確認されている
。

ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例によるａ−３ｉ系電子写真感光体３
９を示すものである。この感光体３９はＡβ等のドラム
状導電性支持基板４１上に、周期表第ｍａ族又は第Ｖａ
族元素（例えばホウ素又はリン）がヘビードープされか
っＣを含有するａ−３ｉ　：Ｈからなる電荷ブロッキン
グ１ｉ４４が必要に応じて設けられ、更に周期表第１［
ａ族元素（例えばホウ素）がライトドープされて真性化
されかつＣを含有するａ−５ｉ：Ｈからなる電荷輸送層
４２と、ａ−３ｉ：Ｈからなる電荷発生層（不純物ドー
ピングなし又は真性化されたもの）４３と、炭素及び酸
素原子の合計含有量が９０％以下のアモルファス水素化
シリコン（ａ　　Ｓ　ｉ　＋−ｙ　（ＣＯ）ｙ：Ｈ）か
らなる中間層４６と、炭素及び酸素の合計含有量が５０
％を越える（例えば６０％の）アモルファス水素化シリ
コン（ａ　−ｓ　ｉ＋−１１（Ｃｏ）Ｘ　：Ｈ）からな
る表面改質層４５とが積層された構造からなっている。

電荷発生１１４３は暗所抵抗率ρ。

と光照射時の抵抗率ρ、との比が電子写真感光体として
充分大きく光感度（特に可視及び赤外領域の光に対する
もの）が良好である。

上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系悪感
光を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。

従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。

また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。

上記のような優れた効果を総合的に奏する起めには、層
４５の組成を選択することが重要である。

即ち、炭素及び酸素原子含有量Ｘ；’）＜Ｓｉ＋Ｃ＋０
＝１００％としたとキ５０〜９０％であることが望まし
い。

（Ｃ＋Ｏ）含有量が５０％を越えることが、上記した理
由から必須不可欠であり、また比抵抗が所望の値となり
、かつ光学的エネルギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上
となり、可視及び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な
窓効果により照射光はａ−３ｉ：Ｈｌｌｉｊ（電荷発生
層）４３に到達し易くなる。

しかし、（Ｃ＋Ｏ）含有量が５０％以下では、機械的損
傷等の欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易
く、かつ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の
光感度が低下し易くなる。また、同含有量が９０％を越
えると層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い
上にａ−３ｉＣＯ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するとき
の堆積速度が低下し易いので、同含有量は９０％以下と
するのがよい。

また、層４５がＣ及び０のうちＣのみを含有する場合も
、５０％く　〔Ｃ〕≦９０％（更には５５％≦（Ｃ）５
７０％）がよい。

また、表面改質層中の炭素及び／又は酸素含有量を中間
層４６側から表面側にかけて連続的に増加させるとよい
。

帯電能を向上させる為には、表面改質層４５を高抵抗化
してもよい。その為には表面改質層を真性化しても良い
。

正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
る為には、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。

各場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は
次の通りであってよい。

真性化：　ＢｔＨｈ／ｓ　ｉ　Ｈ４２〜５０容量ｐｐｎ
＋Ｐ型：　Ｂｚ）Ｉｉ／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　　　１〜１０
００　（好ましくは５０〜５００）容量ｐｐｍ Ｎ型：　Ｐ　Ｈｓ／　Ｓ　ｆ　Ｈａ　　　　１〜１００
０　（好ましくは５０〜５００）容量ｐｐｍ また、層４５の膜厚を４００人≦ｔ≦５０００人の範囲
内（特に４００人≦ｔ＜２０００人に選択することも重
要である。即ち、その膜厚が５０００人を越える場合に
は、残留電位Ｖえが高くなりすぎかつ光感度の低下も生
じ、ａ７ｓｉ系感光体感光ての良好な特性を失い易い。

また、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。

中間層４６については、上記したと同様の理由から真性
化してもよい。また、残留電位低下の為には、電荷発生
層からの電荷の注入の可能とするのに中間層をＰ又はＮ
型としてもよい。導電型制御の為のドーピング量は表面
改質層と同じでよい。

この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
く、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。

この中間層４６の炭素及び酸素の合計含有量（Ｃ＋０）
は、第２図に示す如く、例えば線ａのように電荷発生層
（０％）側から表面改質層（７０％）側へと連続的に増
大させることができる。また、線す及びＣのように変化
させてもよく、或いはこれら両面線間の領域で変化させ
てもよい。電荷発生層側のＣ＋０は必ずしもゼロでなく
てもよい。

電荷発生層４３については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。

その為には、電荷発生層を真性化しても良い、この真性
化には、ＢｚＨｈ／Ｓ　ｉ　Ｈａ　＝１〜２０容量ｐｐ
ｍとするのがよい。また、感度向上及び残留電位低２　
下のために必要に応じてＰ又はＮ型化してよいが、Ｐ型
化の場合はＢｚＨ６／Ｓ　ｉ　Ｈ４＝２０〜１００容量
ｐｐｔａ　ｓ　Ｎ型化の場合はＰＨ３／５ｉＨ４−１〜
１００容量ｐｐｓｔとする。

また、電荷発生層は１〜１０μｍ、好ましくは５〜７μ
ｍとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満である
と光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。

電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
為には、炭素含有量、使用する帯電極性に応じて、電荷
輸送層を真性化、Ｐ又はＮ型化してもよい。

また、電荷輸送層は１０〜３０μｍとするのがよい。

電荷輸送層４２は具体的には次の通りであってよい。

ＳｉＣ：真性化 ＢＺＨＩ、／Ｓ　ｉ　Ｈ，２〜２０容量ｐｐｍＰ型 Ｂ、Ｈｈ／Ｓ　ｉＨ４２０〜１０００　　ｌｌＮ型 ＰＨ，／ＳｉＨ４１〜１０００〃 また、電荷輸送層の組成は、５％〈〔０１６３０％、好
ましくは１０％≦（Ｃ）５２０％がよい。

ａ−３ｉＣ：Ｈ電荷ブロッキン・グ層４４を設ける場合
、５％く〔０１６３０％、好ましくは１０％≦（Ｃ）５
２０％とする。

ブロッキング層の導電型は感度、帯電能、使用する帯電
極性により必要に応じてＰ型（さらにはＰ゛型）真性化
又はＮ型（さらにはＮ゛型）してもよい、ブロッキング
層はその組成によって、次のようにドーピング量を制御
する。

ＳｉＣ：真性化 ＢｚＨｉ／Ｓ　ｉ　Ｈａ　　　２〜２０　　容量ｐｐｍ
Ｐ型（Ｐ゛） Ｂ　ｚ　Ｈｂ／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　　　１００〜５０００
〃（正帯電用）Ｎ型（Ｎつ Ｐ　Ｈ：Ｉ／　Ｓ　ｉ　Ｈａ　　−１００〜１０００〃
（負帯電用）また、ブロッキング層の膜厚は５００人〜
２μｍがよいが、５００人未満であるとブロッキング効
果が弱く、また２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり
易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望
ましい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロンキン
グ層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、ブロ
ッキング８４４の導電型を制御するための不純物として
、Ｐ型化のためにボロン以外にもＡＩ、Ｇａ、Ｉ　ｎ％
　Ｔｊｌ等の周期表第ｍａ族元素を使用できる。Ｎ型化
のためにはリン以外にも、Ａｓ、Ｓｂ等の周期表第Ｖａ
族元素を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第３図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によリグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨ・等の炭化水素ガフの供給源・６４′−よ
　　　　　　１Ｎ２等の窒素化合物ガスの供給源、６５
はＯｔ等の酸素化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキ
ヤ　　　　　　　、リアガス供給源、６７は不純物ガス
（例えばＢｚＨ＆）供給源、６８は各流量計である。こ
のグロー放電装置において、まず支持体である例えばＡ
７！基板４１の表面を清浄化した後に真空槽５２内に配
置し、真空槽５２内のガス圧が１０−’Ｔｏｒｒとなる
ように調節して排気し、かつ基板４１を所定温度、特に
１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜３００℃）に加
熱保持する。次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガ
スとして、Ｓ　ｉ　Ｈａ又はガス状シリコン化合物、Ｃ
Ｈａ　、Ｏ□等を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０
．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６によ
り高周波電圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ）を印加する
。これによって、上記各反応ガスを電極５７と基板４１
との間でグロー放電分解し、Ｐ型ａ−３ｉＣ：Ｈ，Ｐ−
型ａ−３ｉＣ：Ｈ，ａ−３ｔ：Ｈ，ａ−３ｉＣＯ：Ｈ，
ａ−３ｉＣＯ：Ｈを上記の１１４４．４２．４３．４６
．４５として基板上に連続的に（即ち、例えば第１図の
例に対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｔ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−３ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形
で導入し、ａ−３ｉ：Ｆ、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ、　　ａ−
３ｉＣＯ：Ｆ、　　ａ−３ｉＣＯ：Ｈ：Ｆ、　　　ａ−
３ｉ　Ｃ：Ｆ　　Ｓ　　ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆとすること
もできる。この場合のフッ素量は０．５〜１０％が望ま
しい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳ　’ｉを蒸発させる方法（特に、本出
願人による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１
５２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造
が可能である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａ１支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状ＡＪ基板４１の表面を清浄化した後に、第３図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−６
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜
３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガス
をキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒの背圧
のもとで周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印加
し、１０分間の予備放電を行った。次いで、Ｓ　ｉ　Ｈ
４とＢｚＨｂとからなる反応ガスを導入し、流量比１　
：　１　：　１　：　　（１，５Ｘｌ０−’）の（Ａｒ
＋Ｓ　ｉ　Ｈａ　＋ＣＨａ　＋ＢｚＨｉ　）混合ガスを
グロー放電分解することにより、電荷プロンキング機能
を担うＰ型のａ−ＳｉＣ：Ｈ層４４とａ−３ｉＣ：Ｈ電
荷輸送層４２とを６　ｐ　ｍ　／ｈｒ（７）堆積速度で
順次所定厚さに製膜した。引き続き、Ｂ　ｚ　Ｈｂ及び
ＣＨ，を供給停止し、Ｓ　ｉ　Ｈ４を放電分解し、厚さ
５μｍのａ−３ｉ：Ｈ層４３を形成した。引続いて、流
量比を変化させてグロー放電分解し、ＣＯ量を連続的に
変化させたａ−３ｉ　Ｃ０：Ｈ中間層４６を形成し、ａ
−３ｉＣＯ：Ｈ表面保護層４５を更に設け、電子写真感
光体を充放させた。

こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。。

（３）ａ−３ｔ：Ｈ電荷発生Ｎ（膜厚＝５μｍ）（４）
　　ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ電荷輸送層（５）　　ａ　
−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ電荷ブロッキング層（６）、支持体 Ａｌシリンダー（鏡面研磨仕上げ） 次に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよう
に行なった。

■こ過ヨＬｉ支 第４図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ　−
Ｂ　ｉｘ　１６００（小西六写真工業社製）改造機にて
画像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが現わ
れるかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。

員朱遣並 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　４５００（小西六写真工業
社製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、
プレー、ドとは非接触で１０００コピーの空回しを行っ
た後、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度
を判定した。

◎二画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性力多食い。

○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。

△：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。

留　位ｖ、Ｉ（Ｖ） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、
４００ｎｍにピークをもつ除電光３０１　ｕｘ−ｓｅｃ
を照射した後も残っている感光体表面電位。

牟　立Ｖｏ　　（Ｖ） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業（株
）製）を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光な
しの条件で３６０　ＳＸ型電位計（トレック社製）で測
定した現像直前の表面電位。

半’　　　　Ｅｌ／２（ｊ！　ｕｘ−ｓｅｃ）上記の装
置を用い、グイクロイックミラー（光伸光学社製）によ
り像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャ
ープカットし、表面電位を５００Ｖから２５０Ｖに半減
するのに必要な露光量。

（露光量は５５０−１型光量計（ＥＣａｎｄＧ社製）に
て測定） 堕１夕」辷ゴ友亙 Ｕ　−Ｂ　ｆｘ　２５００改造機（小西六写真工業（株
）製）を用いて、次のように画質を評価した。

画質　◎：画像濃度が十分高く、解像度、階調性がよく
、鮮明で画像上に白スジや白ポ チがない、即ち、画像極めて良好。

○：画像良好。

△：画像実用上採用可能。

×：画像実用上採用不可能。

結果を第５図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基いて感光体を作成すれば、電子写真用として各性能
に優れた感光体が得られることが分る。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第５図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系悪感光の〆断面図、第２図はＣ＋Ｏ
の含有量変化を示すグラフ、第３図はグロー放電装置の
概略断面図、第４図は引っかき強度試験機の概略図、第
５図は各感光体の特性を示す表、 第６図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９−一−〜−−−−−・−・−・ａ−３ｔ系悪感光４
１−−−−−−−−−−−−−・・支持体（基板）４２
−・−一−−−−・−・−・電荷輸送層４３−−−−−
−−−−・−・−電荷発生層４４−−−−−−−−・−
−−一一電荷プロフキング層４５・・−−−−一−−−
−・−・表面改質層４６−−−−−−−−−−−−−・
中間層である。 代理人　弁理士　　逢　坂　　宏 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、炭素原子を含有するアモルファス水素化及び／又は
   フッ素化シリコンからなる電荷輸送層と、アモルファス
   水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層
   と、炭素原子及び酸素原子のうちの少なくとも炭素原子
   を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリ
   コンからなる中間層と、炭素原子及び酸素原子のうちの
   少なくとも炭素原子を５０ａｔｏｍｉｃ％を越えて（但
   し、シリコン原子と炭素及び／又は酸素原子との合計原
   子数を１００ａｔｏｍｉｃ％とする。）含有するアモル
   ファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる表面
   改質層とが順次積層されてなり、前記中間層の炭素原子
   含有量又は炭素原子と酸素原子との合計含有量が、前記
   表面改質層のそれより少なくかつ前記電荷発生層側から
   前記表面改質層側にかけて連続的に増大している感光体
   。