JPS6355557A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体に係り、特に半導体レーザを用
いたレーザビームプリンタ用の電子写真感光体に関する
。本発明は、ゲルマニウムを混在させたアモルファスシ
リコンからなる光導電層を持つ電子写真感光体、特に導
電性支持体上に障壁層、光導電層２表面層を順次積層し
てなる電子写真感光体に関する。

〔従来の技術〕

従来、電子写真感光体としては、アモルファスセレン、
ＣｄＳと有機バインダーの複合体、有機光導電体などが
用いられてきたが、最近では水素化あるいはハロゲン化
されたアモルファスシリコンの作製技術が進歩して高光
電性の高抵抗膜が作製できるようになった−ため、光導
電材料として注目されている。この材料は、従来の光導
電材料に比べて光感度が良好である上、硬度が大きく毒
性も少ないことから、理想に近い電子写真感光体と考え
られている。特にゲルマニウムや錫などの元素を混在さ
せたアモルファスシリコンは、半導体レーザの発振波長
である７５０〜８２０ｎｍでも高い光感度を持つことか
ら、半導体レーザビームプリンタを標傍した電子写真感
光体として、いくつかの例が知られている０例えば特開
昭５８−１９２０４４号公報に示したものを第８図に示
す、同図において、導電性支持体１０１上に、炭素を混
在させたアモルファスシリコンで暗所抵抗率がｌ０１２
Ω・Ｃ−以上の高抵抗膜層（障壁層または電荷輸送層）
１０２、次いでゲルマニウムを混在させたアモルファス
シリコンからなる長波長に感度を持つ光導電層（電荷発
生層）１０３、更にその上に炭素を混在させたアモルフ
ァスシリコンで光学的エネルギーギャップが２．３ｅＶ
以上の可視光及び赤外光に透明な表面層１０４から構成
されるものが知られている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記の電子写真感光体では該光導電層１０３が。

ゲルマニウムを混在させたがために低抵抗化し。

電荷保持力に乏しいという欠点があるが、該光導電層の
上下に炭素を混在させたアモルファスシリコンの高抵抗
膜層１０２および高抵抗の表面層１０４を設けることに
より、電荷保持力を捕って暗減衰、残留電位等の電子写
真特性を改善して、長波長光に、感度の高い感光体を供
することを示している。

上記感光体は、長波長光に高い感度を持つ感光体の必要
条件を満たすものの１つであると思われるが、まだ不十
分な点が多い。すなわち該感光体の光感度ピーク位置は
７００ｎｍと、半導体レーザの発振波長からみると、ず
れが大きい。またゲルマニウム量を増やす方法で、ピー
ク位置を発振波長に近付けると、最大感度値が低下する
という問題点がある。

上記電子写真感光体の模式的バンドダイヤグラムを第９
図に示す。（第９図の番号は、第８図と符号としている
。）７５０〜８２０ｎｍの半導体レーザに感応する光導
電層、１０３の光学的エネルギーギャップは１．５ｅＶ
　はどと想定でき、かつ表面層１０４のそれは２．３ｅ
Ｖ以上であるから、大きなエネルギー段差が生じている
。また、光導電層１０３と表面層１０４の界面は共有結
合半径のほぼ等しいシリコン及びゲルマニウムの組合せ
と、結合半径の大きく異なるシリコンと炭素の組合せの
層が接するところで、このような所では局在準位（界面
準位）密度が高い。

このような、大きなエネルギー段差や、高い界面準位は
、光感度を著しく損うものである。すなわち光導電層１
０３で発生した電荷（正孔あるいは伝導電子）が、大き
なエネルギー段差を乗り越えられなかったり、界面準位
に捕獲されたりして、感光体表面及び導電性支持体１０
１に到達できず、有効な光電流とならない。特にゲルマ
ニウムを混在させたアモルファスシリコンの光導電層１
０３は、他の層に比べて低抵抗であるため、感光体全体
にかかる電界に比べて僅かの電界しか担えないことが加
わって、上記過程により正孔と伝導電子の再結合率が増
大し、光感度が低下する。

更に特開昭５８−１９０９５５号公報には、導電性支持
体上に障壁層、アモルファスシリコンまたはボロンを添
加したアモルファスシリコンからなる電荷搬送層、アモ
ルファスシリコンゲルマニウムからなる電荷発生層から
なる電子写真感光体を開示し、更にアモルファスシリコ
ン層またはボロンを添加したアモルファスシリコン層、
更にその表面上に炭素を混在させたアモルファスシリコ
ンであるアモルファスシリコンカーバイド層からなる表
面保護層を付は加えてもよいことが示されている。この
電子写真感光体は、長波長域に感度が良好であることが
示されているものの、まだ不十分である。

本発明の目的は、長波長光に対する光感度を一層改良し
た電子写真感光体を提供することにある。

本発明の他の目的は、表面層と光導電層間のエネルギー
段差を軽減できる電子写真感光体を提供することにある
。

本発明の他の目的は、表面層と光導電層間の界面準位を
軽減できる電子写真感光体を提供することにある。

本発明の他の目的は、光導電層と障壁層間のエネルギー
段差を軽減できる電子写真感光体を提供することにある
。

本発明の他の目的は、光導電層と障壁層間の界面準位を
軽減できる電子写真感光体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の電子写真感光体の概略構成を第１図に示す、導
電性支持体１の上に障壁層２．光導電層３、表面層４か
ら構成されている。光導電層３を３層の複合構造とし表
面層４の側から、ゲルマニウム及び炭素をともに混在さ
せたアモルファスシリコン（例えばａ−８ｉＧｅＣ：　
Ｈ）からなる上層３３、ゲルマニウムを混在させたアモ
ルファスシリコン（例えば、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ）からな
る中層３２（電荷発生層）、アモルファスシリコン（例
えばａ−８ｉＣ：Ｈ）からなる下層３１（電荷輸送層）
で構成される。

本発明の第１の特徴は、表面層と光導電層との間に形成
され、かつ、ゲルマニウムとカーボンを混在させたアモ
ルファスシリコンからなる第１の中間層を設けたこと、
例えば１表面層４と電荷発生層として機能する中層３２
の間に、ゲルマニウム及び炭素とともに混在させた上層
３３を設けることにある。

従って第１図のように表面層４と、中層３２の間にゲル
マニウム及び炭素をともに混在させた上層３３を設ける
ことにより、大きなエネルギー段差を緩和させるととも
に、界面準位を軽減させる。

更に上層３３の光学的エネルギーギャップを中層３２側
から表面層４側へ漸次増大させることが可能であり、そ
れは中層３２側から表面層４側へ光導電層３３中の炭素
の混在量を増したり、ゲルマニウムの混在量を漸次減ら
すことによって可能である。それによって更にエネルギ
ー段差及び界面準位が軽減できるので、長波長光の感度
を向上できると期待される。

本発明の第２の特徴は、光導電層と障壁層との間に形成
され、かつアモルファスシリコンからなる第２の中間層
を設けたこと１例えば電荷発生層として機能する中層３
２と障壁層２の間に、電荷輸送層として機能するアモル
ファスシリコンからなる下層３１を設けることにある。

前記の中層３２と表面層４との間の大きなエネルギー段
差及び高い界面準位は、中層３２と障壁層２との間でも
同様に問題であるためにこれらの層の間に下層３１を存
在させるが、感光体に入射した長波長光特にレーザ光は
中層（電荷発生層）３２の表面層４側から約１μｍ程の
領域でほぼ吸収され、電荷はその領域でのみ発生する。

従って、これより障壁層４側の領域は電荷を輸送する役
割を担うことになるためその領域には特にゲルマニウム
を混在させる必要はない。このため、電荷易動度と電荷
保持力のバランスの良いアモルファスシリコン、特に真
性化したものを下層３１として用いるのが好ましい。

本発明において、光学的エネルギーギャップとは、以下
のように定義する。障壁層２．下Ｍ３１゜中層３２．上
１３３及び表面層４の各単層膜について、ｋυ＝１．５
〜２．４　ｅ　Ｖの光に対する吸光係数αを測定し、縦
軸に、ｒｌＷ；−１横軸にｈυで光吸収スペクトルを図
示すると、ｒＩＷ；−■（ｈυ−Ｅｇ）の関係で表わさ
れる直線部分が現られれる。この直線部分を延長したと
きの横軸との切片の値すなわち上式中のＥｔを光学的エ
ネルギーギャップと定義する。

ここにいう電子写真感光体の感度は以下のように求める
。

コロナ放電により電子写真感光体を表面電位が４００〜
５００ｖになるように帯電させる。この電子写真感光体
に所定の波長の光を照射すると。

光電流が流れるたｐ感光体の表面電位は速やかに低下す
る。光照射時（初期）から電子写真感光体の表面電位が
初期の値の半分まで減少する時間（この時間をｔとする
）から、下式により感度（Ｓ）を求める。

Ｓ　＝　−（ｍ”／　ｍ　Ｊ　） −ｔ ここに工は照射光強度（ｍＷ／ｍ”）である。

このような支持体１上に、アモルファスシリコン化合物
からなる障壁Ｍ２．光導電層３９表面層４を、プラズマ
ＣＶＤ法２反応性スパッタ法１反応性蒸着法、イオンブ
レーティングなどの方法で順次積層形成する。

障壁層２．光導電ＷＩ３、および表面層４の成膜方法と
しては、モノシラン（ＳｉＨａ）、炭化水素、ゲルマン
（ＧｅＨａ）、ジボラン（Ｂ　２　Ｈａ　）　＋ホスフ
ィン（ＰＨａ　）、水素（Ｈ２）などのうちいくつかの
混合ガスによるプラズマＣＶＤ法を用いてもよいし、上
記ガスのうちいくつかとシリコン′ターゲット及び／ま
たはゲルマニウムターゲットを用いた反応性スパッタ法
によってもよい。更に反応性蒸着、イオンブレーティン
グなどの成膜法も適宜使用できる。

本発明に使用する導電性支持体１は、アルミニウム合金
、ステンレススチール、鉄、鋼、銅、銅合金、ニッケル
、ニッケル合金、チタン、チタン合金などの金属材料、
及び有機材料、無機材料にアルミニウム、クロムなど金
属薄膜を処理、あるいは酸化インジウム、スズ、酸化ス
ズ、酸化インジウムなど導電性酸化物薄膜を処理したも
のがあるが、アルミニウム合金が好ましく、特に時効硬
化型アルミニウム合金が好ましい。

導電性支持体１は１〜２０ｍｍ厚の板状あるいはドラム
状、０．１〜１ｍ履の薄葉ベルト状の形状で用いられる
。

光導電層３を構成するいずれの層も、より好ましい光導
電性を示すために水素及び／またはハロゲンを好ましく
は５〜４０原子％、より好ましくは１０〜２０原子％含
まれ、ハロゲンとしては特に弗素が好ましい。

障壁層２は、水素化あるいはハロゲン化したアモルファ
スシリコンあるいはそれに炭素、酸素及び窒素のうち１
種以上を混在させたものが好ましい、更にボロン、アル
ミニウム、ガリウムなど周期律表第■属元素を１〜１１
０００ｐｐ加えてＰ形半導体に価電子制御することが好
ましい。特に炭素を混在させ、ボロンを加えてｐ形とし
たものがより好ましい、障壁層２は光学的エネルギーギ
ャップが１．８〜２．５．ｅＶであることが好ましい。

光導電層を構成する下層３１のアモルファスシリコンは
ボロン、アルミニウム、ガリウムなど周期律表第■属元
素、特にボロンを加えて真性化したものが好ましい、下
層３１の光学的エネルギーギャップは障壁層２の光学的
エネルギーギャップと後述の中層３２の光学的エネルギ
ーギャップとの間の値であることが好ましい。

中層３２のゲルマニウムを混在させたアモルファスシリ
コンは通常のアモルファスシリコンより狭い半導体レー
ザの発振波長７５０〜８２０ｎｍに適応するため、１．
４〜１．６ｅＶの光学的エネルギーギャップを持つもの
が好ましい。これを組成的にみるとシリコンとゲルマニ
ウムの合計量に対してゲルマニウムが２０〜６０原子％
に相当する範囲で得られる。

上層３３のゲルマニウム及び炭素を、ともに混在させた
アモルファスシリコンはゲルマニウム及び炭素の量の種
々の組合せで１．２〜３　ｅｖの範囲の光学的エネルギ
ーギャップを持つものが得られるが、中層３２と後述の
表面層４のそれぞれの光学的エネルギーギャップの中間
の値のものであることが好ましく、更に中層３２側から
表面Ｍ４側へ光学的エネルギーギャップが漸次（連続的
にまたは段階的に）広がって行くようにすることがより
好ましく、そのためゲルマニウムを漸次減少させたり、
炭素を漸次増加させたりすることがより好ましい。

なお上層３３の膜厚は、以上の機能を果すために０．０
０５〜１μｍの範囲であることが好ましく、０．０１〜
０．５　　μｍの範囲であることがより好ましい。

表面層４は通常のアモルファスシリコンより広い１，８
ｅＶ以上の光学的エネルギーギャップを持つことが好ま
しく、電荷保持力、耐環境性９機械強度、耐刷性、耐熱
性の点で光学的エネルギーギャップが２．３〜３ｅＶ　
の範囲になるように炭素を混在させたアモルファスシリ
コンが好ましい。

この光学的エネルギーギャップが２．３〜３ｅＶの炭素
を混在させたアモルファスシリコンは、シリコンと炭素
の合計量に対して炭素が４０〜９０原子％の範囲で得ら
れる。

なお、７５０〜８２０ｎｍの波長に最も適したものとし
ては、表面層４は２．３〜３．ＯｅＶの範囲中層３２は
１．４〜１．６ｅＶの範囲、上層３３は表面層４の光学
的エネルギーギャップと中層３２の光学的エネルギーギ
ャップとの間の光学的エネルギーギャップを持っており
、障壁層２は１．８〜２．５ｅＶの範囲の値、下層３１
は障壁層２の光学的エネルギーギャップと中層３２の光
学的エネルギーギャップとの間の光学的エネルギーギャ
ップを持っているものが好ましい。

〔作用〕 以上説明してきた導電性支持体１．障壁層２゜光導電層
３１表面層４を順次積層して構成される本発明の電子写
真感光体を説明するため、各層それぞれのアモルファス
シリコンの光学的エネルギーギャップを擬似バンドギャ
ップと考え、これをもとに第２図に示す模式的バンドダ
イヤグラムを表した（第２図の番号は、第１図と符合し
ている）。

〔実施例〕

以下、実施例を用いて本発明を説明するが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。

本発明による多層膜構造を作製する前に、予備検討とし
て以下の方法により、障壁層、光導電層。

表面層の各々単層膜について、光学的エネルギーギャッ
プを測定した。

第３図は障壁層９表面層に用いる炭素を混合させたアモ
ルファスシリコン（以下ａ　−Ｓ　ｉ　１−１１ｃＸ：
Ｈ）及び、中層に用いるゲルマニウムを混在させたアモ
ルファスシリコン（以下ａ　−５ｉｔ−ｘＧｅ’ｘ　：
Ｈ）の膜組成と光学的エネルギーギャップの関係を示す
。

第４図は上層に用いるゲルマニウム及び炭素をともに混
在させたアモルファスシリコン（以下ａＳ　ｉ　ｘ−ｘ
−ｙＧ　ｅ　寓Ｃｙ　：　Ｈ）の膜組成と光学的エネル
ギーギャップの関係を示す、炭素及びゲルマニウムの量
により光学的エネルギーギャップが１．２〜３ｅＶ近く
まで変化する。

〔実施例１〕 （１）表面を鏡面研磨したアルミニウムドラムを真空中
に入れ１×１０″″ＢＴｏｒｒまで排気したのち、ドラ
ムの表面温度を２５０℃に保ちつつ、　ＣｚＨａ。

Ｓ　ｉＨａ、ＢｚＨｓおよびＨｚの混合ガスを０．３Ｔ
ｏｒｒの圧力まで導入する。１３．５６ＭＨｚ　　、出
力２００Ｗの条件で高周波グロー放電分解し。

ドラム上にボロンを不純物として含むａ−３ｉ　０．７
Ｃ０，８：　Ｈ（単層膜で測定した光学的エネルギーギ
ャップは２．１ｅＶであった）の膜を０．１μｍの厚み
まで成膜し障壁層とする。

（２）ＳｉＨａ　＊　ＢｚＨｅ　（Ｈｚ希釈）及びＨｚ
の混合ガスを０　、３　Ｔｏｒｒの圧力まで導入し１３
．５　＠ＭＨｚ、出力２００Ｗ、基板温度２５０℃の条
件で高周波グロー放電分解することにより、ボロンを含
むアモルファスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈ単層膜で測定し
た光学的エネルギーギャップは１．８ｅＶ　）の膜を２
０μｍの厚みまで成膜し、下層とする。

（３）ＳｉＨ４，ＧｅＨａ　　（Ｈｚ希釈）及びＨｚの
混合ガスをＱ　、　３　Ｔｏｒｒの圧力まで導入し。

１３．５６ＭＨｚ　　、出力２００Ｗ、ドラム表面温度
２５０℃の条件で高周波グロー放電分解することにより
、ａ−８ｉｏ、５Ｇｅｏ、ａ：　Ｈ（単層膜で測定した
光学的エネルギーギャップは１．５ｅＶであった）の膜
を３μｍの厚みまで成膜し中層（電荷発生層）とする。

（４）　Ｓ　ｉ　Ｈａ　、　Ｇ　ｅ　Ｈａ　　（Ｈｚ希
釈）、ＣｚＨａ及びＨｚの混合ガスを０　、３７ｏｒｒ
の圧力まで導入し１３．５６ＭＨｚ　　、出力２００Ｗ
、ドラム表面温度２５０℃の条件で高周波グロー放電分
解することにより、ａ　−Ｓ　ｉ　０．７Ｇ　ｅ　ｏ＊
ｚｃｏ、ｔ　　：Ｈ（単層膜で測定した光学的エネルギ
ーギャップは１．９ｅＶであった）の膜を０．２μｍの
厚みに成膜し、上層とする。

（５）　Ｓ　ｉ　Ｈａ　ｅ　ＣａＨ２及びＨａの混合ガ
スを０．３Ｔｏｒｒの圧力まで導入する。１３．５６Ｍ
Ｈｚ　　。

出力２００Ｗ、ドラム表面温度２５０℃の高周波グロー
放電分解して、ａ−８ｉｏ、ｓＣｏ、ｔ：Ｈ（単層膜で
測定した光学的エネルギーギャップは２．６ｅＶであっ
た）の膜を０．１μｍの厚みに成膜し、表面層とする。

以上、（１）から（５）の工程により成膜作成した電子
写真感光体の分光感度特性を第５図中の曲線Ａｔに示す
。

〔比較例１〕 実施例２の電子写真感光体において、（４）の工程を省
略し、上層が無いものを作成する。この感光体の分光感
度特性を第５図中の曲線Ｂ１に示す。

〔比較例２〕 実施例２の電子写真感光体において、（３）〜（４）の
工程を省略したものを作成する。この感光体はゲルマニ
ウムを含む層を持たない従来からあるアモルファスシリ
コン感光体に相当するものである。

分光感度特性を第５図中の曲線Ｂｚに示す。

７５０ｎｍｉ近にピーク感度を持ち、長波長感度が優れ
ている。

〔実施例２〕 実施例１において（４）の工程（上層）を下記のように
したものを実施例２とする。

（４ａ）ＳｉＨａ　、ＧｅＨａ　、ＣｚＨａ、ＢｚＨｅ
（Ｈｚ希釈）及びＨｚの混合ガスで全圧０　、３　Ｔｏ
ｒｒを固定したまま、ＧｅＨａ量を徐々に減らす一方。

Ｃｚ　Ｈ４を徐々に増して行く、この方法で、ａ−５ｉ
ｏ、５Ｇｅｏ、＋：Ｈからａ　　Ｓ　ｉ　ｔ−ｘ−ｙＧ
　ｅ　ｉｃｙ：Ｈを経てａ−８ｉ　ｏ、ｓｃｏ、７：　
Ｈまで連続して組成を変えることができる。

以上により成膜作成した電子写真感光体の分光感度特性
を第６図中の曲線Ａｘに示す、実施例２と同等以上に長
波長の感度が優れている。

〔実施例３〕 実施例２と同じ方法ａ　−Ｓ　ｉｏ、７Ｇ　ｅｏ、ｚｃ
ｏ、ｔ：Ｈからａ−８−ｉ　ｏｍｓｃｏ、７：　Ｈまで
連続して組成を変えて上層を成膜し、他の実施例１と同
様の工程で電子写真感光体を作成する。この感光体の分
光感度特性を第６図中のＡ３に示す、実施例２とほぼ同
等の特性が得られた。

更に第６図に実施例１の結果をＡＩとして示す。

第６図から明らかなように実施例２と実施例３を比較し
て以下のことがわかる。実施例２と実施例３の違いは、
前者が狭エネルギーギャップの領域（例えば１．８〜１
．５ｅＶ）を持つに対して、後者がその領域を持たない
ことにある。長波長光照射で電荷が発生するのは、狭エ
ネルギーギャップの領域であるから、実施例における長
波長の感度の向上はもっばらエネルギー段差及び界面準
位の軽減によるものであることを示している。

〔実施例４〕 実施例２において（４ａ）の工程で炭素源ガスをＣｘ　
ＨａのかわりにＣＨａ　を用いて上層を成膜する。この
方法においてもａ　−Ｓ　ｉ　＋−ｘ−ｙＧ　ｅ　ＸＣ
Ｆ：Ｈで連続して炭素量を増しつつ組成を変えることが
できる。他の実施例１と同様の工程により電子写真感光
体を作成する。この感光体の分光感度特性を第７図中の
曲線Ａ４に示す。

〔実施例５〕 実施例４において、炭素源ガスとして最初はＣＨａを導
入したのち、徐々にＣｚ　Ｈ４に置換して最終的にＣｚ
　Ｈａのみにすることにより、上層を成膜し、他の実施
例１と同様の工程で電子写真感光体を作成する。この感
光体の分光感度特性を第７図中の曲線ＡＩｓに示す。

実施例２で得た感光体の結果Ａ２も第９図に示す。

ＣＨａを炭素源ガスとする場合、炭素量の多い従って広
い光学的エネルギーギャップの層（例えば２．ＯｅＶ以
上）を作ることは難しいが。

Ｃｘ　Ｈ４を併用することで、更に広い範囲で組成を変
えることができる。従ってより効果的である。

〔発明の効果〕

本発明の電子写真感光体は長波長に高い感度を実現し、
良好な印字結果を得ることが可能になる。

本発明によれば、表面層と光導電層との間に形成され゛
、かつゲルマニウムとカーボンを混在させたアモルファ
スシリコンからなる第１の中間層を設けたので、表面層
と光導電層間のエネルギー段差および界面準位を軽減で
きる。

本発明によれば、光導電層と障壁層との間に形成され、
かつアモルファスシリコンからなる第２の中間層を設け
たので、光導電層と障壁層間のエネルギー段差および界
面準位を軽減できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真感光体の構造を示す断面図、
第２図は本発明の電子写真感光体の模式的バンドダイヤ
グラムで、光学的エネルギーギャップの値をもとに描い
たもの、第３図はゲルマニウムを混在させたアモルファ
スシリコンの光学的エネルギーギャップ、及び炭素を混
在させたアモルファスシリコンの光学的エネルギーギャ
ップを示した特性図、第４図はゲルマニウム及び炭素を
ともに混在させたアモルファスシリコンの光学的エネル
ギーギャップを示した特性図、第５図は実施例１．比較
例１及び２で得られた各感光体の分光感度特性図、第６
図は実施例２〜４で得られた各感光体の分光感度特性図
、第７図は実施例３゜５及び６で得られた各感光体の分
光感度特性図、第８図は従来の電子写真感光体の一例を
示す断面図、第９図は第８図の電子写真感光体の模式的
バンドダイヤグラムである。 １・・・導電性支持体、２・・・障壁層、３・・・光導
電層、４・・・表面層、３１・・・下層、３２・・・中
層、３３・・・上層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上に、障壁層、ゲルマニウムを混在さ
   せたアモルファスシリコンからなる光導電層、表面層を
   順次積層したものにおいて、表面層と光導電層との間に
   形成され、かつ、ゲルマニウムとカーボンを混在させた
   アモルファスシリコンからなる第１の中間層を設けたこ
   とを特徴とする電子写真感光体。 ２、導電性支持体上に、障壁層、ゲルマニウムを混在さ
   せたアモルファスシリコンからなる光導電層、表面層を
   順次積層したものにおいて、光導電層と障壁層との間に
   形成され、かつアモルファスシリコンからなる第２の中
   間層を設けたことを特徴とする電子写真感光体。 ３、導電性支持体上に、障壁層、ゲルマニウムを混在さ
   せたアモルファスシリコンからなる光導電層、表面層を
   順次積層したものにおいて、表面層と光導電層との間に
   形成され、かつゲルマニウムとカーボンを混在させたア
   モルファスシリコンからなる第１の中間層および光導電
   層と障壁層との間に形成され、かつアモルファスシリコ
   ンからなる第２の中間層を設けたことを特徴とする電子
   写真感光体。 ４、導電性支持体上に障壁層、光導電層および表面層を
   順次積層してなる電子写真感光体において、該光導電層
   が３層からなり、上層がゲルマニウム及び炭素をともに
   混在させたアモルファスシリコン、中層がゲルマニウム
   を混在させたアモルファスシリコン、下層がアモルファ
   スシリコンからなることを特徴とする電子写真感光体。 ５、上記した上層、中層、下層のいずれもが５〜４０原
   子パーセントの水素及び／またはハロゲンを含む特許請
   求の範囲第４項記載の電子写真感光体。 ６、上記ハロゲンが弗素である特許請求の範囲第５項記
   載の電子写真感光体。 ７、表面層が炭素を混在させた水素化及び／またはハロ
   ゲン化アモルファスシリコンからなることを特徴とする
   特許請求の範囲第５項記載の電子写真感光体。 ８、上層が表面層の光学的エネルギーギャップ及び中層
   の光学的エネルギーギャップの中間値の光学的エネルギ
   ーギャップを有する特許請求の範囲第４項又は第７項記
   載の電子写真感光体。 ９、上層の光学的エネルギーギャップが中層側から表面
   層側へ連続的または段階的に増大してなる特許請求の範
   囲第８項記載の電子写真感光体。 １０、上記上層に混在させたゲルマニウムを中層側から
   表面層側へ連続的または断続的に減少させた特許請求の
   範囲第９項記載の電子写真感光体。 １１、上記上層に混在させた炭素を中層側から表面層側
   へ連続的または段階的に増加させた特許請求の範囲第９
   項記載の電子写真感光体。 １２、上記下層が中層の光学的エネルギーギャップと障
   壁層の光学的エネルギーギャップの中間値の光学的エネ
   ルギーギャップを有する特許請求の範囲第４項又は第８
   項記載の電子写真感光体。 １３、上記下層が周期律表第III属元素を添加して真性
   化したアモルファスシリコンである特許請求の範囲第４
   項又は第１２項記載の電子写真感光体。 １４、上記周期律表第III属元素がボロンである特許請
   求の範囲第１３項記載の電子写真感光体。 １５、壁障層が炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを混
   在させた水素化および／またはハロゲン化アモルファス
   シリコンからなることを特徴とする特許請求の範囲第４
   項又は第７項記載の電子写真感光体。