JPS5985868A - エツチング剤 - Google Patents
エツチング剤Info
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- JPS5985868A JPS5985868A JP19658082A JP19658082A JPS5985868A JP S5985868 A JPS5985868 A JP S5985868A JP 19658082 A JP19658082 A JP 19658082A JP 19658082 A JP19658082 A JP 19658082A JP S5985868 A JPS5985868 A JP S5985868A
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- etching
- etching agent
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- nitric acid
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- Pending
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Landscapes
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- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＩｎＰ系半導体材料をエツチングするためのエ
ツチング剤に関する。
ツチング剤に関する。
光フアイバー中を通る光の損失が極小となる波長λ＝１
．６μｍ、１．５５μｍ附近の光源としてＩｎＰ系半導
体レーザーが有望視されているが、■ｎ１−ｘＧａｘＡ
ｓｙＰ１−ｙがＧａとＡｓ Ｉ）組成比ｘ、ｙによりλ
＝０．９２〜１．６７μｍの範囲でバントゝギャップを
自由に選べるためである。
．６μｍ、１．５５μｍ附近の光源としてＩｎＰ系半導
体レーザーが有望視されているが、■ｎ１−ｘＧａｘＡ
ｓｙＰ１−ｙがＧａとＡｓ Ｉ）組成比ｘ、ｙによりλ
＝０．９２〜１．６７μｍの範囲でバントゝギャップを
自由に選べるためである。
そのため、ＩｎＰ／ＩｎＣ，ａＡｓｐＡｓ上レーザ、変
調器、導波路等をモノリシックに形成する半導体光ＩＣ
，も重要な光デバイスである。
調器、導波路等をモノリシックに形成する半導体光ＩＣ
，も重要な光デバイスである。
基板上に光ＩＣを作製する場合、リソグラフィー技術の
確立はまず達成されねばならぬ課題であるが、ＩｎＰ／
ＩｎＧａＡｓＰをエツチングする際、例えばＨＣｌ系、
Ｈ２ＳＯ４系、王水等のエツチング溶液に対してはレジ
ストの耐性がないため、基板上に５１０２膜を形成し、
それにパターンを作製、マスク 。
確立はまず達成されねばならぬ課題であるが、ＩｎＰ／
ＩｎＧａＡｓＰをエツチングする際、例えばＨＣｌ系、
Ｈ２ＳＯ４系、王水等のエツチング溶液に対してはレジ
ストの耐性がないため、基板上に５１０２膜を形成し、
それにパターンを作製、マスク 。
するといった二重の処理工程が必要であった。
本発明は上記のような技術上の問題点の解決を目的とし
微細加工が可能で、レジストの耐性のよいエツチング剤
を提供せんとするものである。
微細加工が可能で、レジストの耐性のよいエツチング剤
を提供せんとするものである。
すなわち、この発明はＩｎＰおよびＩｎＣ，ａＡｓＰを
エツチングする溶液として飽和臭素水、水及び９８チ硝
酸から成ることを特徴とするエツチング剤であって、こ
こに飽和臭素水とは臭素を水中に通して飽和させた飽和
水溶液を指し、液中には臭素及び次亜臭素酸等が存在す
るものである。この飽和臭素水と水及び９８％硝酸を適
当な割合、好ましくは１：少なくとも５：１の割合に混
合した溶液に対してＩｎＰ系半導体材料はゆるやかに溶
けるので深さ１μｍ以下の凹凸を作製するのに有効であ
る。従って光ＩＣには不可欠であるサブミクロンオーダ
ーの回折格子や光導波路等の加工に最適である。またレ
ジストの耐性が良好であるため、従来のようにＳｉＯ２
等の膜を形成しこれにノミターニングするというような
前記の処理工程を省いてレジストそのものをマスクとす
ることができる。
エツチングする溶液として飽和臭素水、水及び９８チ硝
酸から成ることを特徴とするエツチング剤であって、こ
こに飽和臭素水とは臭素を水中に通して飽和させた飽和
水溶液を指し、液中には臭素及び次亜臭素酸等が存在す
るものである。この飽和臭素水と水及び９８％硝酸を適
当な割合、好ましくは１：少なくとも５：１の割合に混
合した溶液に対してＩｎＰ系半導体材料はゆるやかに溶
けるので深さ１μｍ以下の凹凸を作製するのに有効であ
る。従って光ＩＣには不可欠であるサブミクロンオーダ
ーの回折格子や光導波路等の加工に最適である。またレ
ジストの耐性が良好であるため、従来のようにＳｉＯ２
等の膜を形成しこれにノミターニングするというような
前記の処理工程を省いてレジストそのものをマスクとす
ることができる。
エツチング剤として用いられる上記溶液は同量の飽和臭
素水と９８％硝酸を混合しその濃度は飽和臭素水または
９８％硝酸の容量を基準にして添加する水の量を加減す
ることによって調整できるが、エツチング速度の点から
実用上水添加量は少なくとも飽和臭素水または９８％硝
酸の量の５倍程度が好ましく、これより水の量が増すに
つれてエツチング速度が低下する。
素水と９８％硝酸を混合しその濃度は飽和臭素水または
９８％硝酸の容量を基準にして添加する水の量を加減す
ることによって調整できるが、エツチング速度の点から
実用上水添加量は少なくとも飽和臭素水または９８％硝
酸の量の５倍程度が好ましく、これより水の量が増すに
つれてエツチング速度が低下する。
以下に、さらに本発明にかかるエツチング剤の使用例に
ついて述べる。
ついて述べる。
第１図はＳｒ！ド−プｎ −Ｉｎ Ｐ基板に対する飽和
臭素水： Ｈ２Ｏ： ９８％ＨＮＱ３＝ １ ： ５
： １溶液のエツチング時間とエツチング深さの関係を
求めた実験結果を示すものである。５分以上のエツチン
グでは第２図に示したようにエツチング界面での喰い込
みが激しくなるが、５分程度までの実験では図示の如く
線形性がよく、またエツチングした表面の状態も良好で
あるので、例えば導波路ストライプ、分布帰還レーザー
用のサブミクロン周期グレーティング等の光ＩＣにおけ
る微細構造を製作することができる。また同じエツチン
グ剤により、ＩｎＧａＡｓ Ｐエピ０タキシアル基板（
バントゝギャップに対応する波長λ−１，２６μｍ）を
エツチングした結果ではＩｎＰ基板と同程度のエツチン
グ速度（５６０Ａ／分）であることが判明している。
臭素水： Ｈ２Ｏ： ９８％ＨＮＱ３＝ １ ： ５
： １溶液のエツチング時間とエツチング深さの関係を
求めた実験結果を示すものである。５分以上のエツチン
グでは第２図に示したようにエツチング界面での喰い込
みが激しくなるが、５分程度までの実験では図示の如く
線形性がよく、またエツチングした表面の状態も良好で
あるので、例えば導波路ストライプ、分布帰還レーザー
用のサブミクロン周期グレーティング等の光ＩＣにおけ
る微細構造を製作することができる。また同じエツチン
グ剤により、ＩｎＧａＡｓ Ｐエピ０タキシアル基板（
バントゝギャップに対応する波長λ−１，２６μｍ）を
エツチングした結果ではＩｎＰ基板と同程度のエツチン
グ速度（５６０Ａ／分）であることが判明している。
以上に述べた如く、本発明のエツチング剤はレジストの
耐性が良好であるため、Ｓ ｉＯ２等の膜を形成させて
これに・ξターニングする必要がなくレジストそのもの
をマスクとすることができ、サブミクロン周期のグレー
ティング等Ｉｎｋ／工ｎＧａＡｓＰの微細加工をほぼ５
６０Ａ／分の速さでエツチングできるのでＩｎｋ’／Ｉ
ｎＧａＡｓＰを使用した半導体製品、すなわち光ＩＣ，
半導体レーザー、フォトダイオード、電界効果トランジ
スタ等の製造に際して、極めて有効なエツチング剤を提
供することとなる。
耐性が良好であるため、Ｓ ｉＯ２等の膜を形成させて
これに・ξターニングする必要がなくレジストそのもの
をマスクとすることができ、サブミクロン周期のグレー
ティング等Ｉｎｋ／工ｎＧａＡｓＰの微細加工をほぼ５
６０Ａ／分の速さでエツチングできるのでＩｎｋ’／Ｉ
ｎＧａＡｓＰを使用した半導体製品、すなわち光ＩＣ，
半導体レーザー、フォトダイオード、電界効果トランジ
スタ等の製造に際して、極めて有効なエツチング剤を提
供することとなる。
第１図は本発明のエツチング剤を用いた場合のエツチン
グの時間とエツチング深さの関係を示すグラフであり、
第２図はこの溶液で５分以上エツチングした時の状態を
示す断面図である。 ＃ｌ閏 手続補正書（方式） 昭和１−δ年り月−１３日 昭和Ｃり年バ：）願第 ／？ｔ」１つ号３、補正をする
者 事件との関係 出 願 人 住所 弱性、 （２＋３）住友電気工業株式会社４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和、ｆｆｆ年 ２月２２日（
発送日）６、補正の対象 １１ｔ１’＜・業ＬＡ・ｌｒ８ しｆ＝ ＩＪＢ
ｒｆｎ ｏｚ”ｔ ２／１２１２補正の内容 γリシ゛への捕 り 汎２ 図 ＝３３９−
グの時間とエツチング深さの関係を示すグラフであり、
第２図はこの溶液で５分以上エツチングした時の状態を
示す断面図である。 ＃ｌ閏 手続補正書（方式） 昭和１−δ年り月−１３日 昭和Ｃり年バ：）願第 ／？ｔ」１つ号３、補正をする
者 事件との関係 出 願 人 住所 弱性、 （２＋３）住友電気工業株式会社４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和、ｆｆｆ年 ２月２２日（
発送日）６、補正の対象 １１ｔ１’＜・業ＬＡ・ｌｒ８ しｆ＝ ＩＪＢ
ｒｆｎ ｏｚ”ｔ ２／１２１２補正の内容 γリシ゛への捕 り 汎２ 図 ＝３３９−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ｌｌ ＩｎＰ系半導体材料をエツチングするための
、飽和臭素水、水及び９８％硝酸から成ることを特徴と
するエツチング剤。 （２）該飽和臭素水対水対９８％硝酸の混合割合が１対
少なくとも５対１である、特許請求の範囲第（１）項に
記載のエツチング剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19658082A JPS5985868A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | エツチング剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19658082A JPS5985868A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | エツチング剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5985868A true JPS5985868A (ja) | 1984-05-17 |
Family
ID=16360102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19658082A Pending JPS5985868A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | エツチング剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5985868A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000041249A1 (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light emitting diode and its manufacturing method |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP19658082A patent/JPS5985868A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000041249A1 (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light emitting diode and its manufacturing method |
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