JPS5986104A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS5986104A JPS5986104A JP57196470A JP19647082A JPS5986104A JP S5986104 A JPS5986104 A JP S5986104A JP 57196470 A JP57196470 A JP 57196470A JP 19647082 A JP19647082 A JP 19647082A JP S5986104 A JPS5986104 A JP S5986104A
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- JP
- Japan
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- dielectric constant
- high dielectric
- composition
- ceramic
- porcelain composition
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は特に積層セラミックコンデンサのような％ｊ７
膜誘膜体電体て利用されるチタン酸ノくリウム（ＢａＴ
ｉ０３ ）を主体とする高誘電率でかつ緻密なセラミッ
ク構造をイ］する高誘電率磁器組成物に関するものであ
る。
膜誘膜体電体て利用されるチタン酸ノくリウム（ＢａＴ
ｉ０３ ）を主体とする高誘電率でかつ緻密なセラミッ
ク構造をイ］する高誘電率磁器組成物に関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点
従来より磁器コンデンサの組成物として、チタン酸バリ
ウムを主体とするものが数多く知られている。チタン酸
バリウムは周知のように強誘電性をイアする特異な物質
で高温では立方晶系のペロブスカイト形の構造を有し、
１２ｃｆ′Ｃ以下ではＣ軸が僅かに伸びて正方晶となり
、さらに０°Ｃ付近で斜方晶、−８０６Ｃ付近で菱面体
晶へと変化する。
ウムを主体とするものが数多く知られている。チタン酸
バリウムは周知のように強誘電性をイアする特異な物質
で高温では立方晶系のペロブスカイト形の構造を有し、
１２ｃｆ′Ｃ以下ではＣ軸が僅かに伸びて正方晶となり
、さらに０°Ｃ付近で斜方晶、−８０６Ｃ付近で菱面体
晶へと変化する。
上記１２０ｃｃ刊近の相転移点をキュリ一点というが、
このギーリ一点を境にそれより高温で常誘電性を示し、
低温では強誘電性を示す。そして、このキー一点におい
て、誘電率が１００００と極めて高い値を示す。ここで
、チタン酸バリウムだけでは常温で高誘電率とはなり得
ない。チタン酸バリウムのキーリ一点付近の高誘電率を
低温側に移動させることにより、常温付近で適当な静電
容量を有する小型のコンデンサを実用化することは従来
より数多く行われている。誘電率のピーク値のあられれ
る温度を移動させる添加剤はシフターと呼ばれ、ＢａＳ
ｎＯ３、５ｒＳｎ０３ 、 ＣａＳｎＯ３、ＰｂＳｎＯ
３。
このギーリ一点を境にそれより高温で常誘電性を示し、
低温では強誘電性を示す。そして、このキー一点におい
て、誘電率が１００００と極めて高い値を示す。ここで
、チタン酸バリウムだけでは常温で高誘電率とはなり得
ない。チタン酸バリウムのキーリ一点付近の高誘電率を
低温側に移動させることにより、常温付近で適当な静電
容量を有する小型のコンデンサを実用化することは従来
より数多く行われている。誘電率のピーク値のあられれ
る温度を移動させる添加剤はシフターと呼ばれ、ＢａＳ
ｎＯ３、５ｒＳｎ０３ 、 ＣａＳｎＯ３、ＰｂＳｎＯ
３。
Ｃｕ５ｎ０３’、 Ｚｎ５ｎ０３ 、 Ｇｄ５ｎ０３等
のスズ酸塩。
のスズ酸塩。
ＢａＺｒＯ３、ＣａＺｒＯ３、５ｒＺｒ０３等のジルコ
ン酸塩および５ｒＴｉ０３ 、 ＰｂＴｉＯ３のチタン
酸塩が一般的に知られ、上記の順にシフターとしての作
用が強い。
ン酸塩および５ｒＴｉ０３ 、 ＰｂＴｉＯ３のチタン
酸塩が一般的に知られ、上記の順にシフターとしての作
用が強い。
これらのシフターを利用したチタン酸バリウム系磁器コ
ンデンサは単板型リード線付きタイプのものとして利用
されてきだ。しかしながら、最近積層チップ化技術が進
歩し、３０〜１００μｎＬ程度の、ｉ６電体シートが容
易に得られ、この薄膜を電極を挾持する形で幾層も積層
したいわゆる積層セラミックチップコンデンサが種々の
エレクトロニクス業界に進出してきており、従来の＋Ｉ
Ｒ重体磁器組成物をこのような積層用Ｍ膜体電体として
利用されることが多くなっている。しかし′／、１′が
１′ハ従来の単板型の磁器コンデンサでは誘電体の１９
．みが１０ｏμ？１１〜１０ｏＯＯμｍと厚いが、積層
セラミックコンデンサでは１ｏμｔｎ〜２０μｍとン古
いだめ、６〜１０倍以上の電界強度を受ける。したがっ
て、従来の単板型コンデンサに比較して、より電圧依存
性の小さい組成物が要求されている。
ンデンサは単板型リード線付きタイプのものとして利用
されてきだ。しかしながら、最近積層チップ化技術が進
歩し、３０〜１００μｎＬ程度の、ｉ６電体シートが容
易に得られ、この薄膜を電極を挾持する形で幾層も積層
したいわゆる積層セラミックチップコンデンサが種々の
エレクトロニクス業界に進出してきており、従来の＋Ｉ
Ｒ重体磁器組成物をこのような積層用Ｍ膜体電体として
利用されることが多くなっている。しかし′／、１′が
１′ハ従来の単板型の磁器コンデンサでは誘電体の１９
．みが１０ｏμ？１１〜１０ｏＯＯμｍと厚いが、積層
セラミックコンデンサでは１ｏμｔｎ〜２０μｍとン古
いだめ、６〜１０倍以上の電界強度を受ける。したがっ
て、従来の単板型コンデンサに比較して、より電圧依存
性の小さい組成物が要求されている。
寸だ、誘電体層が薄くなるにしたがい、セラミックの構
造的な欠陥が特性に出やすくなるので、結晶粒子が均一
でかつ微細であることと、空孔が少なくかつ小さいこと
が要求されている。
造的な欠陥が特性に出やすくなるので、結晶粒子が均一
でかつ微細であることと、空孔が少なくかつ小さいこと
が要求されている。
発明の目的
本発明は上記にかんがみ、高誘電率でかつセラミンクの
構造欠陥が少なく、電圧依存性の小さい、かつセラミッ
クの構造欠陥が少なく、高耐圧な高誘電率磁器組成物を
提供しようとするものである。
構造欠陥が少なく、電圧依存性の小さい、かつセラミッ
クの構造欠陥が少なく、高耐圧な高誘電率磁器組成物を
提供しようとするものである。
発明の構成
本発明はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化ガド
リニウム（ｅａｚｏ、＋）および酸化チタン（Ｔｉ０２
）からなる高誘電率磁器組成物である。
リニウム（ｅａｚｏ、＋）および酸化チタン（Ｔｉ０２
）からなる高誘電率磁器組成物である。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
まず、チタン酸バリウム（Ｂａ Ｔｉ ０３ ）を次の
ように合成した。すなわち、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３
）と酸化チタン（Ｔｉ０２）をＣＢ＆）／［、ＴｉＥ比
が１．０００±０．００５ ＋７）精度で混合し、１１
ｏｏ〜１１５０°Ｃで仮焼後、粉砕して得た。このＢａ
ＴｉＯ３にＧｄ２Ｏ３およびＴｌＯ２を（Ｇｄ：］／（
Ｔｉ）＝−の割合になるように添加し、混合して後、バ
インダーを加えて造粒し、角板状に成型して１２６０〜
１３５００Ｇの範囲で焼成した。この後、銀電極を形成
した。
ように合成した。すなわち、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３
）と酸化チタン（Ｔｉ０２）をＣＢ＆）／［、ＴｉＥ比
が１．０００±０．００５ ＋７）精度で混合し、１１
ｏｏ〜１１５０°Ｃで仮焼後、粉砕して得た。このＢａ
ＴｉＯ３にＧｄ２Ｏ３およびＴｌＯ２を（Ｇｄ：］／（
Ｔｉ）＝−の割合になるように添加し、混合して後、バ
インダーを加えて造粒し、角板状に成型して１２６０〜
１３５００Ｇの範囲で焼成した。この後、銀電極を形成
した。
下記の第１表は各組成における特性を焼成温度毎に示し
だものである。
だものである。
（以 下 余 白）
上記第１表から明らかなように、組成Ｎｏ、２．３およ
び４はＥＩＡ規格ＹｓＶ特性として利用できることがわ
かる。すなわち、第１図に詳細な静電容量変化率を示す
ように一３０℃〜＋８５°Ｃの温度範囲で一ト２２％〜
−８２％の規格内の変化率（２ｏ０Ｃ基準）を十分満足
し、また一般に市販されているＹ５Ｖ特性磁器コンデン
サの誘電率１ｏ○００前後のものと比較して同等の誘電
率を示している。第１表の本屋に従来例としてジルコン
酸塩添加系のＹｓＶ特性組成物を示した。セラミックの
グレインサイズ（粒径）は本発明の組成物では１〜３μ
ｍであり、ポアサイズ（空孔径）が最大３μｍ前後であ
るが、従来例ではグレインサイズ１ｏ〜２０μｍと大き
く、ポアサイズが最大２０μｍ前後である。
び４はＥＩＡ規格ＹｓＶ特性として利用できることがわ
かる。すなわち、第１図に詳細な静電容量変化率を示す
ように一３０℃〜＋８５°Ｃの温度範囲で一ト２２％〜
−８２％の規格内の変化率（２ｏ０Ｃ基準）を十分満足
し、また一般に市販されているＹ５Ｖ特性磁器コンデン
サの誘電率１ｏ○００前後のものと比較して同等の誘電
率を示している。第１表の本屋に従来例としてジルコン
酸塩添加系のＹｓＶ特性組成物を示した。セラミックの
グレインサイズ（粒径）は本発明の組成物では１〜３μ
ｍであり、ポアサイズ（空孔径）が最大３μｍ前後であ
るが、従来例ではグレインサイズ１ｏ〜２０μｍと大き
く、ポアサイズが最大２０μｍ前後である。
組成ＮＯ３３について第２図に示すような積層セラミッ
クコンデンサを試作した。このものとジルコン酸塩系の
積層セラミックコンデンサと比較対応した結果を下記の
第２表に示す。尚、第２図において１は誘電体で電極間
の厚さは３５μｍ 、 ２はパラジウム電極、３は端子
電極で；１１）る。
クコンデンサを試作した。このものとジルコン酸塩系の
積層セラミックコンデンサと比較対応した結果を下記の
第２表に示す。尚、第２図において１は誘電体で電極間
の厚さは３５μｍ 、 ２はパラジウム電極、３は端子
電極で；１１）る。
（以下余白）
上記第２表から明らかなように従来の２倍の抗折強度と
３倍の破壊電圧を有することが判明した。
３倍の破壊電圧を有することが判明した。
発明の効果
以上述べたことから本発明の組成物はグレインが細かく
、ボアの小さい緻密なセラミックが得られ、高誘電率で
あり、誘電率の温度変化がＫＩ人ζ ｉ 規格ＹｓＶ特性を満足する磁器コンデンザ用として、と
りわけ積層セラミックコンデンサとしての用途に供する
ことができる。そして、従来の約３倍の破壊電圧値を有
するだめ、積層セラミックコンデンサでは誘電体厚みを
従来のμ程度まで薄くすることが可能であり、静電容量
取得範囲を従来の３ （Ｆｒまで拡大することができる
といった特徴を有している等、産業的価値は極めて高い
。
、ボアの小さい緻密なセラミックが得られ、高誘電率で
あり、誘電率の温度変化がＫＩ人ζ ｉ 規格ＹｓＶ特性を満足する磁器コンデンザ用として、と
りわけ積層セラミックコンデンサとしての用途に供する
ことができる。そして、従来の約３倍の破壊電圧値を有
するだめ、積層セラミックコンデンサでは誘電体厚みを
従来のμ程度まで薄くすることが可能であり、静電容量
取得範囲を従来の３ （Ｆｒまで拡大することができる
といった特徴を有している等、産業的価値は極めて高い
。
尚、上記実施例ではチタン酸バリウムを合成したが、市
販のチタン酸バリウムを用いてもかまわないものである
。
販のチタン酸バリウムを用いてもかまわないものである
。
第１図は本発明の組成物に関する静電容量の温儒変化率
の範囲を示す図、第２図は本発明の組成物を適用した積
層セラミックコンデンサの断面図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１８第
ｌ 図 → ンｎ ン随 （Ｄｒ〕 第２図 （７１Ｌ７
の範囲を示す図、第２図は本発明の組成物を適用した積
層セラミックコンデンサの断面図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１８第
ｌ 図 → ンｎ ン随 （Ｄｒ〕 第２図 （７１Ｌ７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チタ７酸パ＋）ｒ）ム（Ｂ＆ＴｉＯ：ｌ）１００モノＣ
部。 酸化ガドリニウム（Ｇｄ２０３）、−（７土１）モル部
及び酸化チタン（Ｔｉ０２）７土１モル部からなる高誘
電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196470A JPS6051208B2 (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196470A JPS6051208B2 (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986104A true JPS5986104A (ja) | 1984-05-18 |
| JPS6051208B2 JPS6051208B2 (ja) | 1985-11-13 |
Family
ID=16358334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57196470A Expired JPS6051208B2 (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051208B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267164A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH02267161A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP57196470A patent/JPS6051208B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267164A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH02267161A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6051208B2 (ja) | 1985-11-13 |
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