JPH02267164A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH02267164A JPH02267164A JP1088845A JP8884589A JPH02267164A JP H02267164 A JPH02267164 A JP H02267164A JP 1088845 A JP1088845 A JP 1088845A JP 8884589 A JP8884589 A JP 8884589A JP H02267164 A JPH02267164 A JP H02267164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- dielectric
- crystal grain
- dielectric constant
- porcelain composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は静電容量温度特性がＪＩＳのＹ級Ｆ特性規格を
満足する高い誘電率を有し、結晶粒径の小さい誘電体磁
器組成物に関するものである。
満足する高い誘電率を有し、結晶粒径の小さい誘電体磁
器組成物に関するものである。
従来の技術
従来から高い誘電率を有する誘電体磁器組成物として、
ＢａＴｉＯ３にＢａＯ，ＣａＯ，ＴｉＯ２゜ＺｒＣｈな
どを適当量添加したものが知られている。
ＢａＴｉＯ３にＢａＯ，ＣａＯ，ＴｉＯ２゜ＺｒＣｈな
どを適当量添加したものが知られている。
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの誘電体磁器組成物は結晶粒径が１０〜
２０μｍ七大きく、気孔率も高いため、積層セラミック
コンデンサのように誘電体厚みが薄い製品への応用には
、絶縁破壊電圧が低い、外部電極を形成するメツキ処理
時の絶縁破壊電圧および絶縁抵抗の低下などの課題があ
った。
２０μｍ七大きく、気孔率も高いため、積層セラミック
コンデンサのように誘電体厚みが薄い製品への応用には
、絶縁破壊電圧が低い、外部電極を形成するメツキ処理
時の絶縁破壊電圧および絶縁抵抗の低下などの課題があ
った。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式ｘＢａ
○−ｙＴ ｉ ０２−ｚ Ｐ ｒ Ｏ口／Ｇと表した時
、（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．ＯＯ）、ｘ、ｙ、ｚが以
下に表す各点ａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれるモル比の範囲か
らなることを特徴とする誘電体磁器組成物を提供するも
のである。
○−ｙＴ ｉ ０２−ｚ Ｐ ｒ Ｏ口／Ｇと表した時
、（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．ＯＯ）、ｘ、ｙ、ｚが以
下に表す各点ａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれるモル比の範囲か
らなることを特徴とする誘電体磁器組成物を提供するも
のである。
作用
第１図は本発明にかかる組成物の組成範囲を示す三元図
であり、組成範囲を限定した理由を第１図を参照しなが
ら説明する。まず、Ａ領域では誘電率が小さく、実用的
でなくなる。また、Ｂ領域では静電容量温度特性の変化
率がプラス側に大きくなりすぎ、ＪＩＳのＹ級Ｆ特性規
格を満足せず実用的でなくなる。さらに、Ｃ領域では焼
結が著しく困難である。さらにまた、Ｄ領域では静電容
量温度特性の変化率がプラス側に大きくなりすぎ、ＪＩ
ＳのＹ級Ｆ特性規格を満足せず実用的でな（なる。
であり、組成範囲を限定した理由を第１図を参照しなが
ら説明する。まず、Ａ領域では誘電率が小さく、実用的
でなくなる。また、Ｂ領域では静電容量温度特性の変化
率がプラス側に大きくなりすぎ、ＪＩＳのＹ級Ｆ特性規
格を満足せず実用的でなくなる。さらに、Ｃ領域では焼
結が著しく困難である。さらにまた、Ｄ領域では静電容
量温度特性の変化率がプラス側に大きくなりすぎ、ＪＩ
ＳのＹ級Ｆ特性規格を満足せず実用的でな（なる。
上記の組成系２組成範囲にかかる本発明の構成によれば
、静電容量温度特性がＪＩＳのＹ級Ｆ特性規格を満足す
る高い誘電率を有し、また結晶粒径を５〜１０μｍとす
ることができるため、誘電体厚みを薄くでき、製品の小
型化、大容量化が可能となる。
、静電容量温度特性がＪＩＳのＹ級Ｆ特性規格を満足す
る高い誘電率を有し、また結晶粒径を５〜１０μｍとす
ることができるため、誘電体厚みを薄くでき、製品の小
型化、大容量化が可能となる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
出発原料には化学的に高純度のＢ ａ Ｃ０３Ｔ］０２
およびＰｒ５ｏｎ粉末を下記の第１表に示す組成比にな
るように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張りのボ
ールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥し
た。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ、空気
中で１１００°Ｃにて２時間仮焼した。この仮焼粉末を
、めのうボールを備えたゴム内張りのボールミルに純水
とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉
末に、有機バインダーを加え、均質とした後、３２メツ
シユのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用い
て成形圧力１ｔｏｎ／ｃＪで直径１５ｍｍ、厚み０ 、
４ ｍｍに成形した。次いて、この成形円板をジルコニ
ア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて下
記の第１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
およびＰｒ５ｏｎ粉末を下記の第１表に示す組成比にな
るように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張りのボ
ールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥し
た。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ、空気
中で１１００°Ｃにて２時間仮焼した。この仮焼粉末を
、めのうボールを備えたゴム内張りのボールミルに純水
とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉
末に、有機バインダーを加え、均質とした後、３２メツ
シユのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用い
て成形圧力１ｔｏｎ／ｃＪで直径１５ｍｍ、厚み０ 、
４ ｍｍに成形した。次いて、この成形円板をジルコニ
ア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて下
記の第１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
た。そして、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性は、
ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータのモデル４２７４Ａを
使用し、測定温度２０°Ｃ２測定電圧１．ＱＶｒｍｓ、
測定周波数ＩＫＨｚでの測定より求めた。
を測定し、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
た。そして、誘電率、誘電損失、静電容量温度特性は、
ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータのモデル４２７４Ａを
使用し、測定温度２０°Ｃ２測定電圧１．ＱＶｒｍｓ、
測定周波数ＩＫＨｚでの測定より求めた。
また、誘電率は次式より求めた。
Ｋ＝１４３．８ＸＣｏＸＴ／Ｄ２
Ｋ ・誘電率
Ｃｏ ： ２０℃での静電容量（ｐＦ）Ｄ ：誘電体磁
器の直径（ｍｍ ） ｔ ：誘電体磁器の厚み（＋ｎｍ） さらに、結晶粒径は、倍率４００での光学顕微鏡観察よ
り求めた。試験条件および試験結果を下記の第１表に併
せて示す。
器の直径（ｍｍ ） ｔ ：誘電体磁器の厚み（＋ｎｍ） さらに、結晶粒径は、倍率４００での光学顕微鏡観察よ
り求めた。試験条件および試験結果を下記の第１表に併
せて示す。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法ては、Ｂ
ａ ＣＯ３，Ｔ ｉ○２およびＰ ｒ６０＋＋を使用し
たが、この方法に限定されるものではなく、所望の組成
比になるようにＢａＴｉＯ３などの化合物、あるいは炭
酸塩、水酸化物など空気中での加熱により、Ｂａｄ、Ｔ
ｉＯ２およびＰ ｒｅｏ目となる化合物を使用しても実
施例と同程度の特性を得ることができる。
ａ ＣＯ３，Ｔ ｉ○２およびＰ ｒ６０＋＋を使用し
たが、この方法に限定されるものではなく、所望の組成
比になるようにＢａＴｉＯ３などの化合物、あるいは炭
酸塩、水酸化物など空気中での加熱により、Ｂａｄ、Ｔ
ｉＯ２およびＰ ｒｅｏ目となる化合物を使用しても実
施例と同程度の特性を得ることができる。
また、主成分をあらかしめ仮焼し、副成分を添加しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、静電容量温度特性がＪＩ
ＳのＹ級Ｆ特性規格を満足する高い誘電率を有し、結晶
粒径が小さいため誘電体厚みを薄（でき、製品の小型化
、大容量化が可能である。
ＳのＹ級Ｆ特性規格を満足する高い誘電率を有し、結晶
粒径が小さいため誘電体厚みを薄（でき、製品の小型化
、大容量化が可能である。
第１図は本発明にかかる誘電体磁器組成物の組成範囲を
示す三元図である。
示す三元図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ＿２−ｚＰｒＯ＿１＿１＿／＿６と
表した時、（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）、ｘ，ｙ
，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄで囲まれるモル比
の範囲からなることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088845A JPH02267164A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088845A JPH02267164A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267164A true JPH02267164A (ja) | 1990-10-31 |
Family
ID=13954310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1088845A Pending JPH02267164A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02267164A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135507A (ja) * | 1982-02-04 | 1983-08-12 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS5986104A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS5986103A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS5986101A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP1088845A patent/JPH02267164A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135507A (ja) * | 1982-02-04 | 1983-08-12 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS5986104A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS5986103A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS5986101A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112408977A (zh) | 一种高品质的陶瓷介质材料及其制备方法 | |
| JPS61173408A (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物 | |
| JPS6118283B2 (ja) | ||
| JPH04188506A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH02267164A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS58161974A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02267162A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02267163A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02267165A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02267161A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2568567B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2568565B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04174904A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04174907A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0451408A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04174906A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04174908A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62243207A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0498705A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH04174905A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2568566B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH05325638A (ja) | 高周波用誘電体磁器 | |
| JPH0460071B2 (ja) | ||
| JP2002053373A (ja) | 誘電体磁器 | |
| JPS62243208A (ja) | 誘電体磁器組成物 |