JPS5987623A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPS5987623A JPS5987623A JP57182944A JP18294482A JPS5987623A JP S5987623 A JPS5987623 A JP S5987623A JP 57182944 A JP57182944 A JP 57182944A JP 18294482 A JP18294482 A JP 18294482A JP S5987623 A JPS5987623 A JP S5987623A
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- Japan
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- thermosetting resin
- magnetic
- resin layer
- resin
- layer
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/733—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer characterised by the addition of non-magnetic particles
- G11B5/7334—Base layer characterised by composition or structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/733—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer characterised by the addition of non-magnetic particles
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明は磁気記憶体、特にアルミニウム基板に磁性体層
全塗布した磁気記憶体に係る０（匈 従来技術と問題点 従来、磁気ディスクはアルミニウム基板に旋盤加工、砥
石研削加工、及びポリッシェ加工を行なってから、その
上に磁性体層を形成して１磁性粒子（γ−Ｆｅ、Ｏｓな
ど）、結合剤、及び溶剤からなる磁性塗料を塗布し、硬
化して一製造されている０しかし、アルミニウム基板の
機械的強度を増すために配合されている添加物や不純物
の微粒子が加工の際に基板の表面から脱落したり、表面
上に残留したりして、数μｍ−数１０μｍのオーダーの
表面欠陥會つくり、それが磁性体層全形成した後のビッ
トエラーの原因になっている。又、磁気ディスクに必要
な表面平滑性を得るために上記のように多くの加工工程
葡経なければならないので、非常にコストが高くなり、
特に、高記源密度用には更に高い機械的精度が要求され
、そのためにダイヤモンド旋盤などのより高価な装置が
必要になっている。
全塗布した磁気記憶体に係る０（匈 従来技術と問題点 従来、磁気ディスクはアルミニウム基板に旋盤加工、砥
石研削加工、及びポリッシェ加工を行なってから、その
上に磁性体層を形成して１磁性粒子（γ−Ｆｅ、Ｏｓな
ど）、結合剤、及び溶剤からなる磁性塗料を塗布し、硬
化して一製造されている０しかし、アルミニウム基板の
機械的強度を増すために配合されている添加物や不純物
の微粒子が加工の際に基板の表面から脱落したり、表面
上に残留したりして、数μｍ−数１０μｍのオーダーの
表面欠陥會つくり、それが磁性体層全形成した後のビッ
トエラーの原因になっている。又、磁気ディスクに必要
な表面平滑性を得るために上記のように多くの加工工程
葡経なければならないので、非常にコストが高くなり、
特に、高記源密度用には更に高い機械的精度が要求され
、そのためにダイヤモンド旋盤などのより高価な装置が
必要になっている。
（３）発明の目的
従って、本発明は、以上の如き従来技術の現状に鑑み、
磁気記憶体のピットエラーをなくシ、その製造費用全低
減すること、そしてそのために、磁性体層全塗布する基
板をより簡単な製造工程で製造しながらなおかつ平滑で
欠陥のないものにすること金主な目的としていＺｏ （４）発明の構成 そして、上記目的を達成するために、本発明に依る磁気
記憶体では、アルミニウム基体上に熱硬化性樹脂層が設
けられ、そしてその熱硬化性樹脂層の上に、磁性体粒子
を結合剤中に分散した磁性体層が形成される。すなわち
、本発明の磁気記憶体では、アルミニウム基体上に熱硬
化性樹脂層を設けたことが特徴であり、塗布される樹脂
のレベリング性を利用してアルミニウム基体の我面欠陥
全覆い隠してしまいかつ充分に平滑な表面を与えると共
に、熱硬化性樹脂を用いることにより必要な強度を持た
せるようにしたものである。更に、本発明では磁性体層
の基板への付着性も樹脂どうしであることによって改善
される０熱硬化性樹脂層の厚さは０．５μｍ以上、特に
２μｍ以゛上にすることが好ましい。
磁気記憶体のピットエラーをなくシ、その製造費用全低
減すること、そしてそのために、磁性体層全塗布する基
板をより簡単な製造工程で製造しながらなおかつ平滑で
欠陥のないものにすること金主な目的としていＺｏ （４）発明の構成 そして、上記目的を達成するために、本発明に依る磁気
記憶体では、アルミニウム基体上に熱硬化性樹脂層が設
けられ、そしてその熱硬化性樹脂層の上に、磁性体粒子
を結合剤中に分散した磁性体層が形成される。すなわち
、本発明の磁気記憶体では、アルミニウム基体上に熱硬
化性樹脂層を設けたことが特徴であり、塗布される樹脂
のレベリング性を利用してアルミニウム基体の我面欠陥
全覆い隠してしまいかつ充分に平滑な表面を与えると共
に、熱硬化性樹脂を用いることにより必要な強度を持た
せるようにしたものである。更に、本発明では磁性体層
の基板への付着性も樹脂どうしであることによって改善
される０熱硬化性樹脂層の厚さは０．５μｍ以上、特に
２μｍ以゛上にすることが好ましい。
熱硬化性樹脂の塗布手法は代表的にはスピンコードに依
るが、ディップコートその他のコーティング技法に依っ
てもよい０熱硬化性樹脂としては、例えば、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、などを用いること
ができ、塗布の際の浴剤としては、例えば、エタノール
、ベンジルアルコール、キシレン、アセトンなど、好ま
しくは高漣点のエチルセロソルブアセテ−）（ＥＣＡ）
、ブチルセロソルブアセテ−）（ＢＣＡ）’に用いるこ
とができる。
るが、ディップコートその他のコーティング技法に依っ
てもよい０熱硬化性樹脂としては、例えば、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、などを用いること
ができ、塗布の際の浴剤としては、例えば、エタノール
、ベンジルアルコール、キシレン、アセトンなど、好ま
しくは高漣点のエチルセロソルブアセテ−）（ＥＣＡ）
、ブチルセロソルブアセテ−）（ＢＣＡ）’に用いるこ
とができる。
熱硬化性樹脂層に、モース硬度６以上、粒径１μｍ以下
の微粒子？添加すれば、樹脂層の硬度が改善され、磁性
体層の表面仕上げの精度を高めることができる。こうし
た微粒子の添加量は硬化後の樹脂に関して２］［量−以
上、好ましくはｌＯＮ輩チ以上である０又、熱硬化性樹
脂層にポリビニルアルキルエーテル樹脂を添加しそれに
潤滑剤を含浸することによって磁性体層の機械的強度（
耐久性）ｔ−高めることができる。ポリビニルアルキル
エーテル樹脂全磁性体層に含めそれに潤滑剤を含浸する
ことによって磁性体層の強度（耐久性）を高めることは
従来から知られていたが、高記憶密度化に伴なって磁性
体層の薄膜化が進められ、潤滑剤を含浸できる菫が減少
し、その効果も減少している。しかし、本発明に依れけ
、熱硬化性樹脂層にも潤滑剤全含浸することができるの
で、磁性体層の薄膜化を許容しながら、強度（耐久性）
向上につながる含浸を全実質的に増加することができる
。潤滑剤（例えばフルオロカーボン系）及びポリビニル
アルキルエーテル樹脂（例えはポリビニルメチルエーテ
ル）は従来通りのものを使用できるが、潤滑剤の量は磁
気ヘッドの吸着が起きない程度にし、＠滑剤を含浸した
ポリビニルアルキルエーテル樹脂の混合割會は熱硬化性
樹脂巾約５〜２５Ｍ！％にすることが好ましい。
の微粒子？添加すれば、樹脂層の硬度が改善され、磁性
体層の表面仕上げの精度を高めることができる。こうし
た微粒子の添加量は硬化後の樹脂に関して２］［量−以
上、好ましくはｌＯＮ輩チ以上である０又、熱硬化性樹
脂層にポリビニルアルキルエーテル樹脂を添加しそれに
潤滑剤を含浸することによって磁性体層の機械的強度（
耐久性）ｔ−高めることができる。ポリビニルアルキル
エーテル樹脂全磁性体層に含めそれに潤滑剤を含浸する
ことによって磁性体層の強度（耐久性）を高めることは
従来から知られていたが、高記憶密度化に伴なって磁性
体層の薄膜化が進められ、潤滑剤を含浸できる菫が減少
し、その効果も減少している。しかし、本発明に依れけ
、熱硬化性樹脂層にも潤滑剤全含浸することができるの
で、磁性体層の薄膜化を許容しながら、強度（耐久性）
向上につながる含浸を全実質的に増加することができる
。潤滑剤（例えばフルオロカーボン系）及びポリビニル
アルキルエーテル樹脂（例えはポリビニルメチルエーテ
ル）は従来通りのものを使用できるが、潤滑剤の量は磁
気ヘッドの吸着が起きない程度にし、＠滑剤を含浸した
ポリビニルアルキルエーテル樹脂の混合割會は熱硬化性
樹脂巾約５〜２５Ｍ！％にすることが好ましい。
本発明による磁気記憶体は磁性体層とアルミニウム基板
との間會樹脂層が遮っているので、磁気記憶体の高速回
転時に磁気ヘッドと磁性体層の接触に基いて発生した静
電気が磁性体層内に滞留し、それが磁気ヘッドに吸引さ
れて、ヘッドクラッシ工を起こす原因になる場合力４る
０又、静電気が滞留すると塵埃が付着し、やは９ヘツド
クラツシユの原因になる。そこで、その対策が必要な場
合には、本発明に依る熱硬化性樹脂層に導電性の高いカ
ーボン粒子を添加して発生する静電気ｔアルミニウム基
板へ落とすようにする。カーボン粒子は樹脂層の強度、
成膜性を低下させないために、粒径０．０５μｍ以下、
添加量４０重量−以下であることが好ましい。
との間會樹脂層が遮っているので、磁気記憶体の高速回
転時に磁気ヘッドと磁性体層の接触に基いて発生した静
電気が磁性体層内に滞留し、それが磁気ヘッドに吸引さ
れて、ヘッドクラッシ工を起こす原因になる場合力４る
０又、静電気が滞留すると塵埃が付着し、やは９ヘツド
クラツシユの原因になる。そこで、その対策が必要な場
合には、本発明に依る熱硬化性樹脂層に導電性の高いカ
ーボン粒子を添加して発生する静電気ｔアルミニウム基
板へ落とすようにする。カーボン粒子は樹脂層の強度、
成膜性を低下させないために、粒径０．０５μｍ以下、
添加量４０重量−以下であることが好ましい。
以下、本発明の実施例金相いて詳しく説明する。
（５）発明の実施例
０）初めに、熱硬化性樹脂層を設けることの効果を胸べ
た。
た。
アルミニウム素材を旋盤で直径約３５６閣の円板に加工
した後、砥石研削加工及びボリッシェ加工全行なって、
厚さ約１．９ａｍ、平均表面粗さ約０．０８７１ｍＲａ
、約０．０３５ ＃ｍＲａ 、及び約０．０１６ｐｍ
Ｒａである試Ｐ）Ａ 、 Ｂ 、及びＣ？！−それぞれ
作成した。試料Ｃはダイヤモンド旋盤を使用することに
よって得られるものである。次に、試料Ａ及びＢに、ア
クリル樹脂（デエラクロンＳＥ ５３７７ 。
した後、砥石研削加工及びボリッシェ加工全行なって、
厚さ約１．９ａｍ、平均表面粗さ約０．０８７１ｍＲａ
、約０．０３５ ＃ｍＲａ 、及び約０．０１６ｐｍ
Ｒａである試Ｐ）Ａ 、 Ｂ 、及びＣ？！−それぞれ
作成した。試料Ｃはダイヤモンド旋盤を使用することに
よって得られるものである。次に、試料Ａ及びＢに、ア
クリル樹脂（デエラクロンＳＥ ５３７７ 。
三菱レーヨン）及びエチルセロソルブアセテートからな
る樹脂浴液ｔその組成を変えてスピンコードシ（回転数
５０Ｏｒｐｍ）、熱処理して（温度２００°Ｃ２時間３
０分）、厚さの異なる樹脂層全形成した。それらの樹脂
層の平均表面粗さ金側足した結果ｔ−第１図に示す。図
からＨＪｌｃ）かなよりに、樹脂層の厚さ全０．５μｍ
以上、特に２μｍ以上にすると表面粗さが著しく改善さ
れ、特に試料Ｂでは樹脂層の厚さが２μｍ程度になると
試料Ｃ即ちダイヤモンド旋盤加工されたものよりも表面
粗さの！Ｗ度がよくなった。第２図は試料Ｂの表面に厚
さ２μｍの樹脂層全形成した試１科について、樹脂層形
成前後の表面粗さ曲４！ヲ示すものであるが、樹脂層の
形成後基板の表面欠陥（突出物や鵠部）が著しく減少し
ていることがわかる。
る樹脂浴液ｔその組成を変えてスピンコードシ（回転数
５０Ｏｒｐｍ）、熱処理して（温度２００°Ｃ２時間３
０分）、厚さの異なる樹脂層全形成した。それらの樹脂
層の平均表面粗さ金側足した結果ｔ−第１図に示す。図
からＨＪｌｃ）かなよりに、樹脂層の厚さ全０．５μｍ
以上、特に２μｍ以上にすると表面粗さが著しく改善さ
れ、特に試料Ｂでは樹脂層の厚さが２μｍ程度になると
試料Ｃ即ちダイヤモンド旋盤加工されたものよりも表面
粗さの！Ｗ度がよくなった。第２図は試料Ｂの表面に厚
さ２μｍの樹脂層全形成した試１科について、樹脂層形
成前後の表面粗さ曲４！ヲ示すものであるが、樹脂層の
形成後基板の表面欠陥（突出物や鵠部）が著しく減少し
ていることがわかる。
次に、試料Ａ１及び試料Ａに厚さ４μｍの樹脂層を塗布
したものに、針状磁性体粒子（ｒ−ＦｅｔＯａ 。
したものに、針状磁性体粒子（ｒ−ＦｅｔＯａ 。
針状比７〜８．長軸長さ０．３〜０．５ ｐｍ ）約６
０１蓋チのバインダ啓上の混合物ｔ−スピンコードし、
熱処理して、研摩後厚さ約０．８μｍの磁性体層を形成
した。これらについてビットエラーを調べたところ、樹
脂層形成なしの場合には約２４０もあったビットエラー
が樹脂層形成段では約２０に激減した。
０１蓋チのバインダ啓上の混合物ｔ−スピンコードし、
熱処理して、研摩後厚さ約０．８μｍの磁性体層を形成
した。これらについてビットエラーを調べたところ、樹
脂層形成なしの場合には約２４０もあったビットエラー
が樹脂層形成段では約２０に激減した。
以上の例と同様にして、フェノール樹脂（昭和ユニオン
合成社、ベークライトＢＫＩ（２６２０）とエチルセロ
ソルブアセテートからなる樹脂溶液？！−０，０３５μ
ｍＲａのアルミニウム基板に膜厚２μｍＫ塗布し、２０
０°Ｃで３０分分間熱処理後件１−を形成して、そのビ
ットエｙ −＋ ａ＋Ｉ１足した。ビットエン−数は樹
脂層なしの場合２００個であったのが１５個に激減した
。
合成社、ベークライトＢＫＩ（２６２０）とエチルセロ
ソルブアセテートからなる樹脂溶液？！−０，０３５μ
ｍＲａのアルミニウム基板に膜厚２μｍＫ塗布し、２０
０°Ｃで３０分分間熱処理後件１−を形成して、そのビ
ットエｙ −＋ ａ＋Ｉ１足した。ビットエン−数は樹
脂層なしの場合２００個であったのが１５個に激減した
。
エポキシ樹脂（シェル化学Ｂｐ１００１）ｉ用いた場合
上記フェノール樹脂の場合と同様の結果を得た。
上記フェノール樹脂の場合と同様の結果を得た。
次に、アクリル樹脂（三菱レーヨン社、ジエンクロン５
Ｅ５３フフンと７工ノールｍ脂（昭和ユニオン合成社、
ベークライトＢＫＲ２６２０）ｋ １対１に混合し、エ
チルセロソルブアセテートで希釈したｇｍｉｏ、ｏｓμ
ｍＲＪＬのアルミニウム基板に膜厚３．５μｍに塗布し
、２０００Ｃで３０分間熱処理後磁性層全形成したとこ
ろ、ビットエラー数は樹脂層なしの場合の４００個から
２０個に激減した。
Ｅ５３フフンと７工ノールｍ脂（昭和ユニオン合成社、
ベークライトＢＫＲ２６２０）ｋ １対１に混合し、エ
チルセロソルブアセテートで希釈したｇｍｉｏ、ｏｓμ
ｍＲＪＬのアルミニウム基板に膜厚３．５μｍに塗布し
、２０００Ｃで３０分間熱処理後磁性層全形成したとこ
ろ、ビットエラー数は樹脂層なしの場合の４００個から
２０個に激減した。
（ロ）硬質微粒子添加による強度改善効果ｔ−調べた。
フェノール樹脂１部、アクリル樹脂１部、酢酸セロソル
ブ６部、トルエン２部、それに半均粒径０．０５μｍの
アルミナ研摩粒子０．２部金加えてボールミルで２４時
間処理してアルミナイＬＩＦ摩粒子を均一に分散させ、
樹脂塗料を調製した。次に、上記（イ）と同様にして平
均弐面粗さ０．０３５μｍＲａに作成したアルミニウム
円板を３００ ｒｐｍテ回ｋ して側脂塗料全スピンコ
ードし、３００ｒｐｍの回転を約２０秒間保持した後、
回転数’ｔ ｌ ０００ ｒｐｍに上げて円板端面の過
剰の塗料音振ル切った０この時、膜厚は２μｍ でｔり
５．平均表面粗さは０．０１２部ｍＲ＆”ｒｌ’−イヤ
モンド旋盤仕上げ程度の良好なものであった。
ブ６部、トルエン２部、それに半均粒径０．０５μｍの
アルミナ研摩粒子０．２部金加えてボールミルで２４時
間処理してアルミナイＬＩＦ摩粒子を均一に分散させ、
樹脂塗料を調製した。次に、上記（イ）と同様にして平
均弐面粗さ０．０３５μｍＲａに作成したアルミニウム
円板を３００ ｒｐｍテ回ｋ して側脂塗料全スピンコ
ードし、３００ｒｐｍの回転を約２０秒間保持した後、
回転数’ｔ ｌ ０００ ｒｐｍに上げて円板端面の過
剰の塗料音振ル切った０この時、膜厚は２μｍ でｔり
５．平均表面粗さは０．０１２部ｍＲ＆”ｒｌ’−イヤ
モンド旋盤仕上げ程度の良好なものであった。
これに上記（イ）同様に磁性体層勿塗布し、ラッピング
テープを用いて研摩し、更にバーニッシェ仕上げを行な
ったが、間鵬なく研摩できた。又、研摩効率も良く、ア
ルミナ研摩粒子を添加しない磁気記憶体では磁気ヘッド
の浮上量０．１８μｍまで使用可能であるのに対し、ア
ルミナ研摩粒子全添加すると０．１５μｍ’Ｊで使用可
能になった〇（９潤滑油含浸の効果＠：調べた。
テープを用いて研摩し、更にバーニッシェ仕上げを行な
ったが、間鵬なく研摩できた。又、研摩効率も良く、ア
ルミナ研摩粒子を添加しない磁気記憶体では磁気ヘッド
の浮上量０．１８μｍまで使用可能であるのに対し、ア
ルミナ研摩粒子全添加すると０．１５μｍ’Ｊで使用可
能になった〇（９潤滑油含浸の効果＠：調べた。
アクリル樹脂（三菱レーヨン社、「デュラクロン５Ｅ５
３７７Ｊ）４０重量部、フェノール樹脂（昭和二ニオン
合成社「ベークライ）ＢＫＲｚｓ２ｏ」）ｓｏｔｔ部、
ポリビニルメチルエーテル樹脂（ＢＡＳＦ社、ｒ Ｌｕ
ｔｏｎａｌ Ｍ ４０ Ｊ ） Ｉ ０重量部、トルエ
ン１００重量部、酢酸セロソルブ２００３［部、及びメ
チルエチルケトン１００１ｉ童ｍからなる梢脂液を、平
均載面粗さ０．０３５μｍＲａに仕上げたアルミニウム
円板に換厚１〜１．５μｍにスピンコートシ、乾燥後３
０分間２００’Ｃの温度に加熱することにより硬化させ
たＯその上に、磁性体粒子（上記０）と同じｒ−Ｆｅｔ
ｒｓ）５５．０重量部、アクリル樹脂（三菱レーヨン社
、「チェラフロンＳＥ５３７７Ｊ） ２２．５重量部、
エポキシ樹脂（シェル化学社、「エピコートＥｐ１００
１ Ｊ ） １３．５重量部、フェノール樹脂（昭和ユ
ニオン合成社、１ベ一クライトｇｘｉｔ ２６２０Ｊ）
９．０重量部、ポリビニルメチルエーテル樹脂（ＢＡＳ
Ｆ社、ｒ Ｌｕｔｏｎａｌ Ｍ ４０ Ｊ ） １０．
ＯＮＡｔ部、トルエン１５０重量部、キシレン１５０重
址部、及びベンジルアルコール５０ｉ［：部からなる磁
性体層用塗料葡作成し、２膜厚約０．８μｍにスピンコ
ートシ、熱硬化後、研摩し、平均表面粗さ０．０１２μ
ｍ Ｒａ ％膜厚０．５μｍに仕上げた０次いで、潤滑
Ｍ’Ｊ （７ルオロカーボン系オイル）全磁気ヘッドの
吸着が起こらない程度に十分な量含浸させた０同様にし
て、比較のために、アルミニウム円板に直接磁性体層盆
塗布し、四滑剤を含浸させた０これらについて耐摩耗性
試験７行なった０試験は、供試塗膜面にＩＢＭ３３４０
型ヘッド金載せ、ｉ ｏ ｏ ｒｘの強制荷Ｎ全加え
た上で、円板’ｉ５００ｒｐｍで回転させ、その際の摩
耗速度を下記の評価基準で評価した。
３７７Ｊ）４０重量部、フェノール樹脂（昭和二ニオン
合成社「ベークライ）ＢＫＲｚｓ２ｏ」）ｓｏｔｔ部、
ポリビニルメチルエーテル樹脂（ＢＡＳＦ社、ｒ Ｌｕ
ｔｏｎａｌ Ｍ ４０ Ｊ ） Ｉ ０重量部、トルエ
ン１００重量部、酢酸セロソルブ２００３［部、及びメ
チルエチルケトン１００１ｉ童ｍからなる梢脂液を、平
均載面粗さ０．０３５μｍＲａに仕上げたアルミニウム
円板に換厚１〜１．５μｍにスピンコートシ、乾燥後３
０分間２００’Ｃの温度に加熱することにより硬化させ
たＯその上に、磁性体粒子（上記０）と同じｒ−Ｆｅｔ
ｒｓ）５５．０重量部、アクリル樹脂（三菱レーヨン社
、「チェラフロンＳＥ５３７７Ｊ） ２２．５重量部、
エポキシ樹脂（シェル化学社、「エピコートＥｐ１００
１ Ｊ ） １３．５重量部、フェノール樹脂（昭和ユ
ニオン合成社、１ベ一クライトｇｘｉｔ ２６２０Ｊ）
９．０重量部、ポリビニルメチルエーテル樹脂（ＢＡＳ
Ｆ社、ｒ Ｌｕｔｏｎａｌ Ｍ ４０ Ｊ ） １０．
ＯＮＡｔ部、トルエン１５０重量部、キシレン１５０重
址部、及びベンジルアルコール５０ｉ［：部からなる磁
性体層用塗料葡作成し、２膜厚約０．８μｍにスピンコ
ートシ、熱硬化後、研摩し、平均表面粗さ０．０１２μ
ｍ Ｒａ ％膜厚０．５μｍに仕上げた０次いで、潤滑
Ｍ’Ｊ （７ルオロカーボン系オイル）全磁気ヘッドの
吸着が起こらない程度に十分な量含浸させた０同様にし
て、比較のために、アルミニウム円板に直接磁性体層盆
塗布し、四滑剤を含浸させた０これらについて耐摩耗性
試験７行なった０試験は、供試塗膜面にＩＢＭ３３４０
型ヘッド金載せ、ｉ ｏ ｏ ｒｘの強制荷Ｎ全加え
た上で、円板’ｉ５００ｒｐｍで回転させ、その際の摩
耗速度を下記の評価基準で評価した。
摩耗速度（μｍ／ｍ１ｎ） 評価点数０、Ｏ１
以下 ５ ０、Ｏ２Ｎ２．０２ ４ ０．０２〜０．０３ ３ ０．０３〜０．１２ ０．１以上 ｌ この評価法で３点以上であれば、通常の磁気ディスク装
置で使用されるコンタクトスタートストップ操作におけ
る３万回以上の耐久性があるＯ試験の結果、本発明の実
施例では評価点数５、熱硬化性４１！（脂層なしのアル
ミニウム基板の例では評価点数３であった。
以下 ５ ０、Ｏ２Ｎ２．０２ ４ ０．０２〜０．０３ ３ ０．０３〜０．１２ ０．１以上 ｌ この評価法で３点以上であれば、通常の磁気ディスク装
置で使用されるコンタクトスタートストップ操作におけ
る３万回以上の耐久性があるＯ試験の結果、本発明の実
施例では評価点数５、熱硬化性４１！（脂層なしのアル
ミニウム基板の例では評価点数３であった。
次に、上記と同様にして、但し、熱硬化性樹脂中のポリ
ビニルメチルエーテル樹脂の含有量を変えて耐摩耗性を
試験しｆＣｏそのＷ；呆に第３図に示すカ、図からポリ
ビニルメチルエーテル樹脂の含有量は５〜２５Ｎ縦％が
好ましいことがわかる。
ビニルメチルエーテル樹脂の含有量を変えて耐摩耗性を
試験しｆＣｏそのＷ；呆に第３図に示すカ、図からポリ
ビニルメチルエーテル樹脂の含有量は５〜２５Ｎ縦％が
好ましいことがわかる。
に）上記（ロ）と同様にして、但し、熱硬化性樹脂層形
成用の樹脂液に粒径０．０５μｍ以下のカーボン粒子１
部をさらに添加して、磁気記憶体全作成した０熱硬化性
樹脂層にカーボン粒子を添加すると、高速回転運転時に
発生する静電気も容易にアルミニウム基板に流さｎ１ヘ
ツドクラツシユの防止に役立ち、かつ塵埃の付着防止に
も役立つことができる。次に、カーボン粒子の添加賞金
増加して同様の処理全行なったところ、樹脂層中のカー
ボン量が４０重量％を越えると樹脂層の強度が低下し始
め、７０重ｉ％程度にもなるとＲ全形成できなくなった
。
成用の樹脂液に粒径０．０５μｍ以下のカーボン粒子１
部をさらに添加して、磁気記憶体全作成した０熱硬化性
樹脂層にカーボン粒子を添加すると、高速回転運転時に
発生する静電気も容易にアルミニウム基板に流さｎ１ヘ
ツドクラツシユの防止に役立ち、かつ塵埃の付着防止に
も役立つことができる。次に、カーボン粒子の添加賞金
増加して同様の処理全行なったところ、樹脂層中のカー
ボン量が４０重量％を越えると樹脂層の強度が低下し始
め、７０重ｉ％程度にもなるとＲ全形成できなくなった
。
（ホ）本発明の実施例において、アルミニウム円板に樹
脂液をスビンコートシ、熱硬化した場合、最大突出高さ
０．５μｍ程度の樹脂の小さな突起が存在し、それが磁
性体層形成後の磁気ヘッドの浮上性（浮上の安定性を保
ちうる浮上量の低い方の限界）全悪くしていた。しかし
、この樹脂小突起は、４ｔＪ脂塗布後の円板’ｉ ４０
０ ｒｐｍ程度で回転させつつ、ランプロードタイプの
ヘッド（荷重３５０ｆ＊）のスライダに粒度３μｍの研
摩テープ金貼り付けてスライダ全円板の中径方向に５〜
１０往復させることによって簡単に除去され、最大突出
高さ０．１μｍ以下に仕上げることができた。
脂液をスビンコートシ、熱硬化した場合、最大突出高さ
０．５μｍ程度の樹脂の小さな突起が存在し、それが磁
性体層形成後の磁気ヘッドの浮上性（浮上の安定性を保
ちうる浮上量の低い方の限界）全悪くしていた。しかし
、この樹脂小突起は、４ｔＪ脂塗布後の円板’ｉ ４０
０ ｒｐｍ程度で回転させつつ、ランプロードタイプの
ヘッド（荷重３５０ｆ＊）のスライダに粒度３μｍの研
摩テープ金貼り付けてスライダ全円板の中径方向に５〜
１０往復させることによって簡単に除去され、最大突出
高さ０．１μｍ以下に仕上げることができた。
（６）発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に依れば、磁気
記憶体の基板欠陥が除去され、載面平滑性の良好な基板
が与えられるので、ビットエラーが減少し、高記憶密度
化を容易にするなど、磁気記憶体の性能を高めることが
でき、しかも、従来の複雑な基板加工を不要にして磁気
記１怠体の製造費用上安価にすることができる。
記憶体の基板欠陥が除去され、載面平滑性の良好な基板
が与えられるので、ビットエラーが減少し、高記憶密度
化を容易にするなど、磁気記憶体の性能を高めることが
でき、しかも、従来の複雑な基板加工を不要にして磁気
記１怠体の製造費用上安価にすることができる。
第１図は本発明に依る樹脂の塗布厚さと表面粗さの改善
の関係金示すグラフ、第２図は本発明に依シ樹脂層金塗
布する前後の表面粗さ曲線、第３図は樹脂中への潤滑油
含浸ポリビニルメチル樹脂含浸の効果を示すクラ７であ
る。 １０−！０ 刃 ４０５０（−／、） ポリビニルメチルエーテル樹脂量 第１頁の続き ０発 明 者 小用紘− 川崎市中原区上小田中１０１５番地 富士通株式会社内 ０発 明 者 小笠和男 川崎市中原区上小田中１０１５番地 富士通株式会社内 １３５
の関係金示すグラフ、第２図は本発明に依シ樹脂層金塗
布する前後の表面粗さ曲線、第３図は樹脂中への潤滑油
含浸ポリビニルメチル樹脂含浸の効果を示すクラ７であ
る。 １０−！０ 刃 ４０５０（−／、） ポリビニルメチルエーテル樹脂量 第１頁の続き ０発 明 者 小用紘− 川崎市中原区上小田中１０１５番地 富士通株式会社内 ０発 明 者 小笠和男 川崎市中原区上小田中１０１５番地 富士通株式会社内 １３５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アルミニウム基体上に熱硬化性樹脂層を設け、該熱
硬化性樹脂層上に、磁性体粒子全結合剤中に分散した磁
性体層を形成して成ること全特徴とする磁気記憶体。 ２、ωＪ記熟熱硬化性樹脂層モース硬度６以上、粒径１
μｍ以下の微細粒子を含むことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の磁気記憶体。 ３、前記熱硬化性樹脂層がポリビニルアルキル！ エーテル樹脂全含み潤滑剤を含浸させたことｔ−特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の磁気記憶体
。 ４、前記熱硬化性樹脂層中にカーボン粉子上混在せしめ
た゛ことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第３項
までのいずれかに記載の４み気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182944A JPS5987623A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182944A JPS5987623A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 磁気記憶体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987623A true JPS5987623A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16127091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57182944A Pending JPS5987623A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987623A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173235A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-15 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS61204829A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1982
- 1982-10-20 JP JP57182944A patent/JPS5987623A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173235A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-15 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS61204829A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
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