JPS5987821A - 酸化法 - Google Patents
酸化法Info
- Publication number
- JPS5987821A JPS5987821A JP57197960A JP19796082A JPS5987821A JP S5987821 A JPS5987821 A JP S5987821A JP 57197960 A JP57197960 A JP 57197960A JP 19796082 A JP19796082 A JP 19796082A JP S5987821 A JPS5987821 A JP S5987821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ozone
- supplied
- oxidization
- quartz
- oxidized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体材料の酸化法に関する。
従来、半導体材料とりわけＳｌの酸化は、酸素 ′雰
囲気中に３１を設置して高温加熱する、いわゆるドライ
酸化法か、あるいは水蒸気を含有せる雰囲気内に８１を
設置して加熱する、いわゆるウエッ）２化法が用いられ
ていた。
囲気中に３１を設置して高温加熱する、いわゆるドライ
酸化法か、あるいは水蒸気を含有せる雰囲気内に８１を
設置して加熱する、いわゆるウエッ）２化法が用いられ
ていた。
しかし、上記従来技術によると８１の加熱温度が、ドラ
イ酸化の場合は１０００°Ｃ以上、ウェット酸化の場合
でも８００°Ｃ以上の高温を要するという欠点があった
。
イ酸化の場合は１０００°Ｃ以上、ウェット酸化の場合
でも８００°Ｃ以上の高温を要するという欠点があった
。
本発明の目的は、上記従来技術を改良し、半導体基板に
おいて低温の良質の酸化膜を形成する方法を提供するこ
とにある。
おいて低温の良質の酸化膜を形成する方法を提供するこ
とにある。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体基板の酸化法において、少なくともオゾンと水蒸気
とを含有せる雰囲気内に半導体基板を設置し、該基板を
加熱して酸化させることを特徴とする。
導体基板の酸化法において、少なくともオゾンと水蒸気
とを含有せる雰囲気内に半導体基板を設置し、該基板を
加熱して酸化させることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図ないし第５図は本発明による酸化法の例を示す模
式図である。第１図は石英反応管１内に設置された石英
治具２上にＳｉウェーハ３を設置し、ヒーター４で加熱
状態にし、該石英管１内にはオゾン（０３）配管８より
柾給されたオゾンをヒーター７で９０℃に加熱された水
６内を通して、水蒸気を含有させたガスが供給され、Ｓ
１３が酸化される。第２図、第３図、第４図は方式は第
１図と類似しており、石英管１１．２１．３１内に石英
治具１２ 、２２ 、３２上に設置された５１１３．２
３．５３をヒーター１４ 、２４ 、３４で加熱し、該
石英管１１，２１．３１内にオゾンを供給するパイプ１
８，２６．５６よりオゾンを供給する訳であるが、水蒸
気を供給する方式が異なっている。第２図では、ヒータ
ー１７で加熱されたバブラー１５内の水１６をＮ２ガス
供給パイプ１９より供給されたＮ、ガスでバブルした雰
囲気を石英管１１内に供給する。第３図では、水素ガス
供給パイプ２５とオゾン供給パイプ２６より供給された
水素とオゾンを燃焼させた炎２７を形成して水蒸気とオ
ゾンの雰囲気を供給する。第４図では石英管３１内に水
素ガス供給パイプ３４と酸素ガス供給パイプ３５からの
水素と酸素の供給により燃焼ガス３７より水蒸気を供給
し、オゾンはパイプ３６より別途供給する。第５図も類
似の方法ではあるが、石英管４１内に設置された石英治
具４２上の８１４３をヒーター４７で加熱し、酸素ガス
パイプ４９より酸素ガスを供給し、ヒータ４５で加熱さ
れたバプーラー４６内の水４７を通して石英管４１内に
酸素と水蒸気を供給し、供給された酸素と遠紫外線ラン
プ４５からの遠紫外線によりオゾンとなる方式である。
式図である。第１図は石英反応管１内に設置された石英
治具２上にＳｉウェーハ３を設置し、ヒーター４で加熱
状態にし、該石英管１内にはオゾン（０３）配管８より
柾給されたオゾンをヒーター７で９０℃に加熱された水
６内を通して、水蒸気を含有させたガスが供給され、Ｓ
１３が酸化される。第２図、第３図、第４図は方式は第
１図と類似しており、石英管１１．２１．３１内に石英
治具１２ 、２２ 、３２上に設置された５１１３．２
３．５３をヒーター１４ 、２４ 、３４で加熱し、該
石英管１１，２１．３１内にオゾンを供給するパイプ１
８，２６．５６よりオゾンを供給する訳であるが、水蒸
気を供給する方式が異なっている。第２図では、ヒータ
ー１７で加熱されたバブラー１５内の水１６をＮ２ガス
供給パイプ１９より供給されたＮ、ガスでバブルした雰
囲気を石英管１１内に供給する。第３図では、水素ガス
供給パイプ２５とオゾン供給パイプ２６より供給された
水素とオゾンを燃焼させた炎２７を形成して水蒸気とオ
ゾンの雰囲気を供給する。第４図では石英管３１内に水
素ガス供給パイプ３４と酸素ガス供給パイプ３５からの
水素と酸素の供給により燃焼ガス３７より水蒸気を供給
し、オゾンはパイプ３６より別途供給する。第５図も類
似の方法ではあるが、石英管４１内に設置された石英治
具４２上の８１４３をヒーター４７で加熱し、酸素ガス
パイプ４９より酸素ガスを供給し、ヒータ４５で加熱さ
れたバプーラー４６内の水４７を通して石英管４１内に
酸素と水蒸気を供給し、供給された酸素と遠紫外線ラン
プ４５からの遠紫外線によりオゾンとなる方式である。
前記の如く、オゾンと水蒸気を含んだ雰囲気内で、Ｓｉ
を酸化することにより１ｏｏ’ｏＸのＳｉｎ、膜を形成
するのに、従来のドライ酸化法では１１５０°Ｃで３０
分、ウェット酸化法ぼけ８００℃で３０分の酸化処理を
要したのに対し、本法では６００℃で６０分で充分であ
る。この様に本法による酸化法は、低温で８１の酸化が
行なえる効果がある。
を酸化することにより１ｏｏ’ｏＸのＳｉｎ、膜を形成
するのに、従来のドライ酸化法では１１５０°Ｃで３０
分、ウェット酸化法ぼけ８００℃で３０分の酸化処理を
要したのに対し、本法では６００℃で６０分で充分であ
る。この様に本法による酸化法は、低温で８１の酸化が
行なえる効果がある。
第１図ないし第５図は本発明による酸化法の例を示す模
式図である。 １．１１，２１，３１，４１・・・・・・石英管２．１
２，２２，３２．４２・・・・・・石英治具３．１３．
２３，３３．４３・・・・・・Ｓｉウェーハ４．１４，
２４，３４，４４，７，１７．４８・・・・・・ヒータ
ー ４５・・・・・・遠紫外線ランプ ８．１Ｂ、２６．５６・・・・・・オゾン・パイプ３５
、４．９・・・・・・０２ガスｅパイプ５．１５．１
６・・・・・・バブラー ６．１６．４７・・・・・・Ｈ，０ ２７，３７・・・・・・炎 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 ９＞ 第１図 ３．Ｉｓ ２１ 彩（３，３日 第４１ ε：じ ５ＩＩＪ ９９−
式図である。 １．１１，２１，３１，４１・・・・・・石英管２．１
２，２２，３２．４２・・・・・・石英治具３．１３．
２３，３３．４３・・・・・・Ｓｉウェーハ４．１４，
２４，３４，４４，７，１７．４８・・・・・・ヒータ
ー ４５・・・・・・遠紫外線ランプ ８．１Ｂ、２６．５６・・・・・・オゾン・パイプ３５
、４．９・・・・・・０２ガスｅパイプ５．１５．１
６・・・・・・バブラー ６．１６．４７・・・・・・Ｈ，０ ２７，３７・・・・・・炎 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 ９＞ 第１図 ３．Ｉｓ ２１ 彩（３，３日 第４１ ε：じ ５ＩＩＪ ９９−
Claims (2)
- （１） 少なくともオゾンと水蒸気とを含有せる雰囲
気内に半導体基板を設置し、該基板を加熱して酸化させ
ることを特徴とする半導体基部の酸化法。 - （２）半導体基板を特徴とする請求の範囲第１項記載の
酸化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57197960A JPS5987821A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 酸化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57197960A JPS5987821A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 酸化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987821A true JPS5987821A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16383175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57197960A Pending JPS5987821A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 酸化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987821A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5672539A (en) * | 1994-01-14 | 1997-09-30 | Micron Technology, Inc. | Method for forming an improved field isolation structure using ozone enhanced oxidation and tapering |
| US6210997B1 (en) | 1993-07-27 | 2001-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN108447782A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-08-24 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 栅介质层的制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5398779A (en) * | 1977-02-10 | 1978-08-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture for silicon oxide film |
| JPS56125207A (en) * | 1980-03-05 | 1981-10-01 | Toshiba Corp | Ozonizer |
-
1982
- 1982-11-11 JP JP57197960A patent/JPS5987821A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5398779A (en) * | 1977-02-10 | 1978-08-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture for silicon oxide film |
| JPS56125207A (en) * | 1980-03-05 | 1981-10-01 | Toshiba Corp | Ozonizer |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6210997B1 (en) | 1993-07-27 | 2001-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6465284B2 (en) | 1993-07-27 | 2002-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US5672539A (en) * | 1994-01-14 | 1997-09-30 | Micron Technology, Inc. | Method for forming an improved field isolation structure using ozone enhanced oxidation and tapering |
| US6072226A (en) * | 1994-01-14 | 2000-06-06 | Micron Technology, Inc. | Field isolation structure formed using ozone oxidation and tapering |
| CN108447782A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-08-24 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 栅介质层的制造方法 |
| CN108447782B (zh) * | 2018-03-21 | 2020-06-12 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 栅介质层的制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03140453A (ja) | 低圧酸化装置 | |
| JPS5987821A (ja) | 酸化法 | |
| JPS5998726A (ja) | 酸化膜形成法 | |
| JP3794243B2 (ja) | 酸化処理方法及びその装置 | |
| JPS5975636A (ja) | 酸化膜の形成法 | |
| Lassig et al. | Kinetics of rapid thermal oxidation of silicon | |
| JPH05275419A (ja) | 半導体基板の酸化装置及びその方法 | |
| JPS6260226A (ja) | 高速光酸化・窒化装置 | |
| JP3689363B2 (ja) | 超高温水蒸気を用いた炭化ケイ素単結晶表面酸化膜の作製方法 | |
| JPH05217968A (ja) | 半導体基板の表面処理方法 | |
| JPH04114431A (ja) | 酸化法 | |
| JPS60186023A (ja) | 水蒸気処理装置 | |
| JPS6260227A (ja) | 高速酸化装置 | |
| JP2735250B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法 | |
| JPH0574757A (ja) | 半導体装置用高圧酸化炉 | |
| JPS59168642A (ja) | 半導体基板の酸化装置 | |
| JPS5860543A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JPH04165621A (ja) | 酸化膜の形成方法及びその形成装置 | |
| JP3357219B2 (ja) | シリカ系被膜の形成方法及び形成装置 | |
| JPS5928675Y2 (ja) | 高圧酸化装置のヒ−タ | |
| JPS60216555A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0355843A (ja) | 半導体基板酸化装置 | |
| JPS6218039A (ja) | 半導体ウエフアの酸化装置 | |
| JPS62185329A (ja) | シリコン酸化装置 | |
| JPS59147435A (ja) | 酸化シリコン膜の形成法 |