JPS5987833A - アルミニウム合金配線 - Google Patents
アルミニウム合金配線Info
- Publication number
- JPS5987833A JPS5987833A JP19750982A JP19750982A JPS5987833A JP S5987833 A JPS5987833 A JP S5987833A JP 19750982 A JP19750982 A JP 19750982A JP 19750982 A JP19750982 A JP 19750982A JP S5987833 A JPS5987833 A JP S5987833A
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- JP
- Japan
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- copper
- aluminum alloy
- wiring
- etching
- layer
- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は集積回路素子等のアルミニウム台金配線に関す
るもので、ドライエッチによる微細加工性、耐蝕性を改
善するのに効を奏するものである。
るもので、ドライエッチによる微細加工性、耐蝕性を改
善するのに効を奏するものである。
発明者らは、前に、アルミニウム・銅合金と、ハフニウ
ム、クロム寺との層状構造配線の提案を行なった。この
胸状配飽を形成する隙、アルミニウム・銅合金として、
通常用いられている、4!度3〜4M量%のものを用い
たがために1次のような問題点のあることが明らかにな
った。1)ドライエッチ法による微細加工が困短でるり
、多量にエツチング残渣が荘在し、短絡等の不良を招く
。今回層状に形成したタンタル寺の存在のため、エツチ
ングは、更に少し困?1[になる。2)耐触性が悪く、
配線の信頼度が低い。
ム、クロム寺との層状構造配線の提案を行なった。この
胸状配飽を形成する隙、アルミニウム・銅合金として、
通常用いられている、4!度3〜4M量%のものを用い
たがために1次のような問題点のあることが明らかにな
った。1)ドライエッチ法による微細加工が困短でるり
、多量にエツチング残渣が荘在し、短絡等の不良を招く
。今回層状に形成したタンタル寺の存在のため、エツチ
ングは、更に少し困?1[になる。2)耐触性が悪く、
配線の信頼度が低い。
本発明の目的は配線の耐エレクトロマイグレーション性
を損なう、ことなく、ドライエッチ性、耐蝕性を改善す
ることにある。
を損なう、ことなく、ドライエッチ性、耐蝕性を改善す
ることにある。
上記目的を達成、するための本発明の構成は、銅を0.
2〜2重量%を含むアルミニウム合釡全用いることにあ
る。本発明−上記アルミニウム合金層と高融点金楓層と
で層状にすると伺良い。
2〜2重量%を含むアルミニウム合釡全用いることにあ
る。本発明−上記アルミニウム合金層と高融点金楓層と
で層状にすると伺良い。
本発明は上記構成になるので従来リフトオフ法でドライ
エッチの除銅の添加が大きな障害となっていたが、耐マ
イグレーション(生には毎(I帛に効かず、ドライエッ
チ性、耐蝕性を大11」に改善できるところの上記鋼#
度のutlを求めることができたものである。これは、
配線の通電前61の点か°らは、0.2%以上の鉤の添
加が非宮に有効である。−力ドライエッチ性、耐蝕性の
点からは、銅濃度を2%以下にするのが望ましい。従っ
て、0.2〜2%の銅を含む配線が、総合的に最も信頼
性が高くなるためである。
エッチの除銅の添加が大きな障害となっていたが、耐マ
イグレーション(生には毎(I帛に効かず、ドライエッ
チ性、耐蝕性を大11」に改善できるところの上記鋼#
度のutlを求めることができたものである。これは、
配線の通電前61の点か°らは、0.2%以上の鉤の添
加が非宮に有効である。−力ドライエッチ性、耐蝕性の
点からは、銅濃度を2%以下にするのが望ましい。従っ
て、0.2〜2%の銅を含む配線が、総合的に最も信頼
性が高くなるためである。
以下、本発明全実施例をもって説明する。
実施例1;
真空蒸着法によって形成した層状膜のドライエッチ法に
よるエツチングレートの銅cL% [1への依存性を調
べた。蒸着膜の作製条件は次の通りである。
よるエツチングレートの銅cL% [1への依存性を調
べた。蒸着膜の作製条件は次の通りである。
真空度: 5X10= Torr
蒸着速度:40人/S (アルミニウム・銅)2人/S
(タンタル) 膜厚: 6500人(アルミニウム・銅、上下21角共
) 300人(タンタル、中114J)曽)この1曽ヲ、四
塩化炭素をエツチングガスとしてエツチングレートを調
べた。この結果の−vllを第1図に示す。横軸はエツ
チング時間、鞭輔はエッチされたノ享さを示し、図中の
曲が)の傾斜がエツチングレートに対応する。膜厚中央
部のタンタル層をエッチする間、エツチングレートが、
アルミニウム・銅の場合の数分の1に低ドする。しかし
、タンタル層は全j1似厚に比べて湧いため、全体的1
11(向はこのタンタル層がない場合と同体である。エ
ツチングの進行に伴い、エツチングレートが次第に減少
する。アルミニウム中の餉一度が3%を越えるとこの傾
向が強<、4Q、/のものは、このエツチング未件で全
膜厚をエツチングすることかできなかった。
(タンタル) 膜厚: 6500人(アルミニウム・銅、上下21角共
) 300人(タンタル、中114J)曽)この1曽ヲ、四
塩化炭素をエツチングガスとしてエツチングレートを調
べた。この結果の−vllを第1図に示す。横軸はエツ
チング時間、鞭輔はエッチされたノ享さを示し、図中の
曲が)の傾斜がエツチングレートに対応する。膜厚中央
部のタンタル層をエッチする間、エツチングレートが、
アルミニウム・銅の場合の数分の1に低ドする。しかし
、タンタル層は全j1似厚に比べて湧いため、全体的1
11(向はこのタンタル層がない場合と同体である。エ
ツチングの進行に伴い、エツチングレートが次第に減少
する。アルミニウム中の餉一度が3%を越えるとこの傾
向が強<、4Q、/のものは、このエツチング未件で全
膜厚をエツチングすることかできなかった。
次に、はぼ同4求の伯仲でエツチング性だ仮の基板面上
の残渣量を調べた。実際」−1残渣がある場合はこれを
除くだめの処理を施こす必要がある。
の残渣量を調べた。実際」−1残渣がある場合はこれを
除くだめの処理を施こす必要がある。
残渣量が少ない場合はこの処理によってU渣を除き、満
足すべきパターンを得ることができる。しかし残液が多
いと、完全に除去するのは内411Iしであり、短絡等
の不良を招くおそれがある。
足すべきパターンを得ることができる。しかし残液が多
いと、完全に除去するのは内411Iしであり、短絡等
の不良を招くおそれがある。
今の場合、残渣量の目安として、細板面上の約100
μrn X 100 p mの画成1・と9、ぞの中で
残渣の存在する面積化を求めた。結果ケ弗2図に示す。
μrn X 100 p mの画成1・と9、ぞの中で
残渣の存在する面積化を求めた。結果ケ弗2図に示す。
銅濃度2%以下ではほとんど残渣がなく、残渣除去のた
めの後処理は不必要である。2%奮越えると、急激に残
渣量が堆し、3%以上ではほぼ全面に残渣が残る。
めの後処理は不必要である。2%奮越えると、急激に残
渣量が堆し、3%以上ではほぼ全面に残渣が残る。
以上の点から判断すると、エツチング性を良くするため
には、銅濃度は2%以下に抑えるのが望ましい。
には、銅濃度は2%以下に抑えるのが望ましい。
実施例2;
配線材料の耐蝕性の銅濃度依存ケ次のようにして別べた
。パッシベーションを設けていない、裸の蒸着膜(エツ
チングは施した)な、湿度85“沿の加湿条件で室温に
1週間保ち、生成した両孔の密度を求めた。舶来を第3
図に示す。銅濃度の低い1遍では、はとんど両孔が発生
して吟ないが、銅濃度が2%t−越えると両孔密度が急
櫃する。従って耐蝕性の点からも、銅のaH度は2%程
度以下にするのが′3iまれる。
。パッシベーションを設けていない、裸の蒸着膜(エツ
チングは施した)な、湿度85“沿の加湿条件で室温に
1週間保ち、生成した両孔の密度を求めた。舶来を第3
図に示す。銅濃度の低い1遍では、はとんど両孔が発生
して吟ないが、銅濃度が2%t−越えると両孔密度が急
櫃する。従って耐蝕性の点からも、銅のaH度は2%程
度以下にするのが′3iまれる。
実施例
実1jl!1yIJ 1に示したのと同様の方法で作製
した配線の通′亀鈎命をa+°廁した。但し、全111
.i↓ノ某は0.6μmとし、残渣除去の処8!を施し
て、はぼ完全な配線パターンを形成した。通電は250
Cで、密度2.5 X 106klar12のfkjl
t’を省配線に流し、断線までの時間(寿命)を測定し
た。側果全第3図に示す。横軸は銅濃度、続jij11
は配線の平均寿命(5本の配線の平均)を示す。データ
ポイントの傍に添えた数値は配線の断面積を示している
。銅をよまない配線の寿命は、タンタル1nを挾まない
1層のアルミニウム・銅(銅3%)配線とほぼ同等であ
る。微量の飾りの添加によって配線り命は急偏に増加し
、0.2%で、寿命はほぼ10倍に達する。これ以上の
廟の冷加に対しては、寿命の増加はゆるやかである。1
me +Y!Iil…1而41(i I/C対する寿命
の依存性が強いが、各々断面積の配線で上記のようなt
l i&4度への依存性が見られる。
した配線の通′亀鈎命をa+°廁した。但し、全111
.i↓ノ某は0.6μmとし、残渣除去の処8!を施し
て、はぼ完全な配線パターンを形成した。通電は250
Cで、密度2.5 X 106klar12のfkjl
t’を省配線に流し、断線までの時間(寿命)を測定し
た。側果全第3図に示す。横軸は銅濃度、続jij11
は配線の平均寿命(5本の配線の平均)を示す。データ
ポイントの傍に添えた数値は配線の断面積を示している
。銅をよまない配線の寿命は、タンタル1nを挾まない
1層のアルミニウム・銅(銅3%)配線とほぼ同等であ
る。微量の飾りの添加によって配線り命は急偏に増加し
、0.2%で、寿命はほぼ10倍に達する。これ以上の
廟の冷加に対しては、寿命の増加はゆるやかである。1
me +Y!Iil…1而41(i I/C対する寿命
の依存性が強いが、各々断面積の配線で上記のようなt
l i&4度への依存性が見られる。
以上、詳述したように、Cuが0.2〜2貞i11%含
んだアルミニウム合金l曽を用いて配線を行なうことに
よシ配線寿節を大l」に増ずことかできる。
んだアルミニウム合金l曽を用いて配線を行なうことに
よシ配線寿節を大l」に増ずことかできる。
第1図は配合のエツチングレートの銅a度依存性、第2
図はエツチング後の残渣量と銅濃度との関係、第3図は
帥孔密度の銅(震度依存性、第4図は11山除寿品の銅
濃度依存特性図である。 代理人 弁理士 薄田利幸 采1図 エゾチ山7°11I+間(4トジ 箔 2 図 / 4途川4L々 (
重量2ジ 第 3 図 #′l 羽弊a (重量2ノ
図はエツチング後の残渣量と銅濃度との関係、第3図は
帥孔密度の銅(震度依存性、第4図は11山除寿品の銅
濃度依存特性図である。 代理人 弁理士 薄田利幸 采1図 エゾチ山7°11I+間(4トジ 箔 2 図 / 4途川4L々 (
重量2ジ 第 3 図 #′l 羽弊a (重量2ノ
Claims (1)
- アルミニウム合金ノーの上層、中間、若しくは、下層に
、薄い異種金属をI晩秋に設けたアルミニウム合金配給
において、上記アルミニウム合金は、銅を0,2〜2重
量%含んでなることを特徴とするアルミニウム合金配線
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19750982A JPS5987833A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | アルミニウム合金配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19750982A JPS5987833A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | アルミニウム合金配線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987833A true JPS5987833A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16375650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19750982A Pending JPS5987833A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | アルミニウム合金配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987833A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63308914A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-16 | Nec Corp | アルミニウム合金配線の形成方法 |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP19750982A patent/JPS5987833A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63308914A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-16 | Nec Corp | アルミニウム合金配線の形成方法 |
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