JPS5987833A - アルミニウム合金配線 - Google Patents

アルミニウム合金配線

Info

Publication number
JPS5987833A
JPS5987833A JP19750982A JP19750982A JPS5987833A JP S5987833 A JPS5987833 A JP S5987833A JP 19750982 A JP19750982 A JP 19750982A JP 19750982 A JP19750982 A JP 19750982A JP S5987833 A JPS5987833 A JP S5987833A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper
aluminum alloy
wiring
etching
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19750982A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Hinode
憲治 日野出
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP19750982A priority Critical patent/JPS5987833A/ja
Publication of JPS5987833A publication Critical patent/JPS5987833A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は集積回路素子等のアルミニウム台金配線に関す
るもので、ドライエッチによる微細加工性、耐蝕性を改
善するのに効を奏するものである。
〔従来技術〕
発明者らは、前に、アルミニウム・銅合金と、ハフニウ
ム、クロム寺との層状構造配線の提案を行なった。この
胸状配飽を形成する隙、アルミニウム・銅合金として、
通常用いられている、4!度3〜4M量%のものを用い
たがために1次のような問題点のあることが明らかにな
った。1)ドライエッチ法による微細加工が困短でるり
、多量にエツチング残渣が荘在し、短絡等の不良を招く
。今回層状に形成したタンタル寺の存在のため、エツチ
ングは、更に少し困?1[になる。2)耐触性が悪く、
配線の信頼度が低い。
〔発明の目的〕
本発明の目的は配線の耐エレクトロマイグレーション性
を損なう、ことなく、ドライエッチ性、耐蝕性を改善す
ることにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成、するための本発明の構成は、銅を0.
2〜2重量%を含むアルミニウム合釡全用いることにあ
る。本発明−上記アルミニウム合金層と高融点金楓層と
で層状にすると伺良い。
本発明は上記構成になるので従来リフトオフ法でドライ
エッチの除銅の添加が大きな障害となっていたが、耐マ
イグレーション(生には毎(I帛に効かず、ドライエッ
チ性、耐蝕性を大11」に改善できるところの上記鋼#
度のutlを求めることができたものである。これは、
配線の通電前61の点か°らは、0.2%以上の鉤の添
加が非宮に有効である。−力ドライエッチ性、耐蝕性の
点からは、銅濃度を2%以下にするのが望ましい。従っ
て、0.2〜2%の銅を含む配線が、総合的に最も信頼
性が高くなるためである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明全実施例をもって説明する。
実施例1; 真空蒸着法によって形成した層状膜のドライエッチ法に
よるエツチングレートの銅cL% [1への依存性を調
べた。蒸着膜の作製条件は次の通りである。
真空度: 5X10= Torr 蒸着速度:40人/S (アルミニウム・銅)2人/S
(タンタル) 膜厚: 6500人(アルミニウム・銅、上下21角共
) 300人(タンタル、中114J)曽)この1曽ヲ、四
塩化炭素をエツチングガスとしてエツチングレートを調
べた。この結果の−vllを第1図に示す。横軸はエツ
チング時間、鞭輔はエッチされたノ享さを示し、図中の
曲が)の傾斜がエツチングレートに対応する。膜厚中央
部のタンタル層をエッチする間、エツチングレートが、
アルミニウム・銅の場合の数分の1に低ドする。しかし
、タンタル層は全j1似厚に比べて湧いため、全体的1
11(向はこのタンタル層がない場合と同体である。エ
ツチングの進行に伴い、エツチングレートが次第に減少
する。アルミニウム中の餉一度が3%を越えるとこの傾
向が強<、4Q、/のものは、このエツチング未件で全
膜厚をエツチングすることかできなかった。
次に、はぼ同4求の伯仲でエツチング性だ仮の基板面上
の残渣量を調べた。実際」−1残渣がある場合はこれを
除くだめの処理を施こす必要がある。
残渣量が少ない場合はこの処理によってU渣を除き、満
足すべきパターンを得ることができる。しかし残液が多
いと、完全に除去するのは内411Iしであり、短絡等
の不良を招くおそれがある。
今の場合、残渣量の目安として、細板面上の約100 
μrn X 100 p mの画成1・と9、ぞの中で
残渣の存在する面積化を求めた。結果ケ弗2図に示す。
銅濃度2%以下ではほとんど残渣がなく、残渣除去のた
めの後処理は不必要である。2%奮越えると、急激に残
渣量が堆し、3%以上ではほぼ全面に残渣が残る。
以上の点から判断すると、エツチング性を良くするため
には、銅濃度は2%以下に抑えるのが望ましい。
実施例2; 配線材料の耐蝕性の銅濃度依存ケ次のようにして別べた
。パッシベーションを設けていない、裸の蒸着膜(エツ
チングは施した)な、湿度85“沿の加湿条件で室温に
1週間保ち、生成した両孔の密度を求めた。舶来を第3
図に示す。銅濃度の低い1遍では、はとんど両孔が発生
して吟ないが、銅濃度が2%t−越えると両孔密度が急
櫃する。従って耐蝕性の点からも、銅のaH度は2%程
度以下にするのが′3iまれる。
実施例 実1jl!1yIJ 1に示したのと同様の方法で作製
した配線の通′亀鈎命をa+°廁した。但し、全111
.i↓ノ某は0.6μmとし、残渣除去の処8!を施し
て、はぼ完全な配線パターンを形成した。通電は250
Cで、密度2.5 X 106klar12のfkjl
t’を省配線に流し、断線までの時間(寿命)を測定し
た。側果全第3図に示す。横軸は銅濃度、続jij11
は配線の平均寿命(5本の配線の平均)を示す。データ
ポイントの傍に添えた数値は配線の断面積を示している
。銅をよまない配線の寿命は、タンタル1nを挾まない
1層のアルミニウム・銅(銅3%)配線とほぼ同等であ
る。微量の飾りの添加によって配線り命は急偏に増加し
、0.2%で、寿命はほぼ10倍に達する。これ以上の
廟の冷加に対しては、寿命の増加はゆるやかである。1
me +Y!Iil…1而41(i I/C対する寿命
の依存性が強いが、各々断面積の配線で上記のようなt
l i&4度への依存性が見られる。
〔発明の効果〕
以上、詳述したように、Cuが0.2〜2貞i11%含
んだアルミニウム合金l曽を用いて配線を行なうことに
よシ配線寿節を大l」に増ずことかできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は配合のエツチングレートの銅a度依存性、第2
図はエツチング後の残渣量と銅濃度との関係、第3図は
帥孔密度の銅(震度依存性、第4図は11山除寿品の銅
濃度依存特性図である。 代理人 弁理士 薄田利幸 采1図 エゾチ山7°11I+間(4トジ 箔 2 図 /                4途川4L々 (
重量2ジ 第 3 図 #′l 羽弊a   (重量2ノ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. アルミニウム合金ノーの上層、中間、若しくは、下層に
    、薄い異種金属をI晩秋に設けたアルミニウム合金配給
    において、上記アルミニウム合金は、銅を0,2〜2重
    量%含んでなることを特徴とするアルミニウム合金配線
JP19750982A 1982-11-12 1982-11-12 アルミニウム合金配線 Pending JPS5987833A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19750982A JPS5987833A (ja) 1982-11-12 1982-11-12 アルミニウム合金配線

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19750982A JPS5987833A (ja) 1982-11-12 1982-11-12 アルミニウム合金配線

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5987833A true JPS5987833A (ja) 1984-05-21

Family

ID=16375650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19750982A Pending JPS5987833A (ja) 1982-11-12 1982-11-12 アルミニウム合金配線

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5987833A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63308914A (ja) * 1987-06-11 1988-12-16 Nec Corp アルミニウム合金配線の形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63308914A (ja) * 1987-06-11 1988-12-16 Nec Corp アルミニウム合金配線の形成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4771526B2 (ja) 軟金属導体
US5464500A (en) Method for taper etching metal
US5369053A (en) Method for patterning aluminum metallizations
US5620611A (en) Method to improve uniformity and reduce excess undercuts during chemical etching in the manufacture of solder pads
JPS60244048A (ja) 耐エレクトロマイグレーシヨン性を有するアルミニウム合金導体の形成方法
US5356526A (en) Copper-based metallizations for hybrid integrated circuits
JP3125745B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3293783B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5987833A (ja) アルミニウム合金配線
US4411757A (en) Formation of electrodes for magnetoresistive sensor
JPS61214538A (ja) 配線構造体の製造方法
TW413917B (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH02186634A (ja) 集積回路装置の製造方法
JPS5913345A (ja) 半導体装置
JPS6113375B2 (ja)
JPH02178930A (ja) 配線の形成方法
JPS6266628A (ja) 半導体素子の配線形成方法
JPH1140516A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05114599A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH04324635A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5815254A (ja) 半導体素子の製造方法
JPH0341732A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0614523B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS60254636A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2781037B2 (ja) 電極配線の製造方法